2.4 Architecture de modulateurs Σ∆
2.4.10 Réalisation intégrée d'un modulateur Σ∆
-X(n) CNA V(n) Do(n)
+
Dither + + +*
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 −60 −50 −40 −30 −20 −10 0Modulateur passe−bas 1ere ordre, sans dither et faibe entrée.
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 −60 −50 −40 −30 −20 −10 0
Modulateur passe−bas 1ere ordre, avec un dither statique. ( pour la meme entrée)
Fig. 2.36 a) Structure d'un modulateur avec dither, b) sortie du modulateur sans aucun dither, c) avec
dither.
2.4.10 Réalisation intégrée d'un modulateur Σ∆
Un modulateur Σ∆ peut être implanté au moyen de circuits intégrés selon trois modes :
SC; capacités commutées (switched capacitance) est le mode de réalisation essentiellement pour
des modulateurs discrets à basses fréquences (<100M Hz). Actuellement, la majorité des
mo-dulateurs Σ∆ sont réalisés en mode SC.
Avantages :
il est robuste et précis, car la fonction de transfert du ltre (comme intégrateur et
réso-nateur) est déterminée par la valeur relative des capacités et non pas par leurs valeurs
absolues
il est très peu sensible à la gigue d'horloge
il est compatible avec les technologies CMOS à très large échelle (VLSI),
il est facile à simuler.
Désavantages :
le signal d'entrée doit être ltré et échantillonné avant d'entrer dans le modulateur. Par
conséquent, la performance du système peut être limitée par les erreurs d'échantillonnage.
il a besoin de grande valeurs de capacités,
il est sensible au bruit thermique (bruit KT/c)
la vitesse peut être limitée par celle des amplis-op (f
e<
15f
3dB−AOP),
il a besoin de commutateurs ("switches") très performants avec une faible résistance.
La gure 2.37 montre le schéma d'un intégrateur SC dans le cas de structures simples et
dié-rentielles.
SI; la méthode de courant commuté (switched current) est aussi une technique qui convient
aux traitements discrets de signaux en particulier pour des modulateur Σ∆ à temps discret.
Cette technique est prometteuse mais elle a eu peu de succès jusqu'à maintenant car elle est
peu précise:
Avantages :
Fig. 2.37 Le circuit d'intégrateur aux capacités commutées a) simple b) diérentiel
la consommation et la tension d'alimentation sont faible
la surface de la puce est moindre,
l'impédance d'entrée est faible,
elle est compatible avec des processus totalement numériques
Inconvénient :
très sensible aux injections de charges,
très sensible aux défauts d'appariement des transistors,
sensible à la valeur d'impédance (nie) à la sortie des cellules,
moins rapide que SC,
Ses performances peuvent être améliorées en utilisant plusieurs méthodes d'étalonnage. Malgré
tout, le maximum de résolution et les fréquences atteintes sont très loin derrière celles des SC
(12-bit et quelques MHz). La gure 2.38 montre le schéma d'un intégrateur en SI dans le cas
d'une structure simple.
Fig. 2.38 Circuit d'intégrateur aux courants commutés simple
RC-active, Gm-C, Mosfet-C, Gm-MC:
An de réaliser un modulateur à temps continu, on utilise souvent des intégrateurs de type actif
comme le montre la gure 2.39. Toutes ces techniques (RC-active, Gm-C, Mosfet-C, Gm-MC)
sont conformes à la technologie d'intégration CMOS [58]. L'élément clé de ces intégrateurs est
toujours l'ampli-op à transconductance, mais, la grande diculté est la variation aléatoire des
valeurs absolues des éléments. Les erreurs des valeurs absolues des éléments (G
m, C et R
ch) déterminent l'erreur des caractéristiques d'intégrateur comme exprimée à la gure 2.39. On
remarque que cela est un inconvénient important de l'intégrateur continu par rapport au cas
précédent (SC et SI) où les erreurs relatives des éléments sont seulement déterminant. En plus,
la linéarité de circuitsGm−Cest faible et ils consomment beaucoup. Cette technique ne semble
donc pas prometteuse pour l'avenir des convertisseurs précis de fréquence élevée.
Fig. 2.39 Diérents type de réalisation d'un intégrateur à temps continu
LC-intégré
An de construire un modulateur passe-bande à temps continu et de fréquence élevée (fréquence
du signal d'entrée supérieure à 300MHz), un ltre LC-intégré peut potentiellement être l'un des
candidats favoris. En utilisant une technologie CMOS standard, les modulateurs parviennent
dicilement jusqu'à ces fréquences, alors qu'une self intégrée (L) ne peut pas être réalisable en
basses fréquences. La technologie avancée comme celle de 90nm-CMOS est un des candidats,
mais le meilleur candidat reste le BICMOS. Le développement actuel de la technologie CMOS
qui est à la fois peu coûteuse et able, et de consommation raisonnable, pourra être la première
à être choisie à l'avenir an de réaliser des circuits radio-fréquences pouvant atteindre 3GHz,
fréquences des récepteurs portables, GSM, ADSL, VDSL. Un autre travail de thèse met en
÷uvre diérents aspects du modulateur passe-bande en utilisant des ltres à la base de
LC-intégré dans notre laboratoire [24].
Fig. 2.40 ModulateurΣ∆ en utilisant ligne de transmissionT L
TL, ou câble-coaxial
Cette méthode est utilisée dans les modulateurs à temps continu fonctionnant à des fréquence
beaucoup plus élevées (au-delà de 1GHz). C'est une des méthodes ecaces contre l'eet de la
gigue d'horloge dans les modulateurs à temps continu. Ces méthodes sont pour l'instant en
phase de recherche et de développement. La limite principale est l'implantation de n'importe
quelle sorte de guide d'onde (par exemple celle de ligne de transmission TL) sur des puces
électroniques de technologie CMOS. La gure 2.40 montre un exemple de cette architecture
récemment utilisée dans la réalisation de modulateurs à haute performance [25, 26, 59]. Le
principe sera mieux compris si on rappelle l'équation de correspondance de l'impédance d'un
résonateur de TL avec une longueurβl=mπ
fee
illustrée sur la gure 2.40 :
Z
T L(s) = V
T L(s)
V
T L(s) =Z
o1±e
−2sδT1∓e
−2sδTconnecté à la masse / ouvert
Z
T L(z) = Z
o1±z
−m1∓z
−m, ;en mettant z≡e
sTpour≈
fe 4(2.54)
N T F
T L(z) = 1±z
−m1∓(1±2|CN A(z)|z
o)z
−m,équivalant en zà
fe 4En résumé, un modulateur réalisé par TL se comporte :
comme un modulateur à temps continu car la partie d'échantillonnage se trouve juste avant
le quanticateur.
comme un modulateur à temps discret car des résonateur et des intégrateur de base sur
les circuits TL ont des fonction de transfert similaire à celles à temps discret.
Dans le document
Nouvelles techniques d'appariement dynamique dans un CNA multibit pour les convertisseurs sigma-delta
(Page 55-58)