Etude des propriétés électriques et physico-chimiques des couches minces de SiO2 en cours de croissance

HAL Id: jpa-00245296

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Submitted on 1 Jan 1984

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Etude des propriétés électriques et physico-chimiques

des couches minces de SiO2 en cours de croissance

C. Raisin, E. Vieujot-Testemale, R. Bonny, L. Lassabatère

To cite this version:

Etude

des

_{propriétés électriques}

et

_{physico-chimiques}

des couches

minces de

SiO2

en cours

de

croissance

(*)

C.

_Raisin,

E.

_{Vieujot-Testemale,}

R.

_Bonny

et L. Lassabatère

Laboratoire d’études des _surfaces, interfaces et composants

(+),

U.S.T.L.,

Place _{Eugène Bataillon,} 34060

_Montpellier

Cedex, France

(Reçu le 16 mai 1984, révisé le 6 _{septembre, accepté} le 13

_septembre

1984 )

Résumé. 2014 Dans cet article, nous _présentons une étude de l’évolution des

_propriétés

électroniques et de la compo-sition de l’interface

_Si-SiO2

en cours de croissance de

_l’oxyde.

Partant d’une surface caractérisée in _situ, nous étudions les variations du travail de sortie lors de l’interaction avec

_{l’oxygène.}

Nous montrons que

lorsque

l’épais-seur _croît, le travail de sortie passe par un maximum dont la

_position

_{par rapport} à l’interface

_dépend

des

condi-tions de croissance,

puis

se stabilise

_lorsque

la structure de

_{l’oxyde correspond}

à la silice. Ces variations sont corrélées par l’intermédiaire d’un suivi

_Auger

à l’évolution de la

_{composition chimique}

lors de la croissance. Ces résultats sont ensuite discutés en _prenant en _compte des

_dipôles

ou des _charges

_{qui peuvent}

être reliés à l’arran-gement

atomique

des couches lors de la transition

_Si-SiO2.

Abstract. 2014

Changes

in electrical

_properties

and chemical

_composition

of the

_Si-SiO2

interface

_during

oxide

growth

are

_presented.

We

_study

the work function variations of a in situ characterized surface

_during

interactions

with oxygen. As oxide thickness is increasing, we show _{that the work function goes}

_through

a maximum whose distance from the interface

_depends

on

_growth

_conditions, and then reaches a saturation value when oxide is bulk

_SiO2.

These variations are correlated _{through Auger} studies with the _changes in the chemical

_composition

of the _growing oxide. These results are then discussed in terms of

_dipoles

or _charges which can be related to atomic

arrangement in the

_Si-SiO2

transition

_layer.

Classification

Physics Abstracts

73.00 - 73.90 - 73.60H

1. Introduction.

L’élaboration de circuits

_intégrés

fiables avec des

com-posants

de dimensions inférieures au micron

implique

un contrôle

_plus

strict des

_techniques

et des

_procédés

de

_fabrication,

contrôle dont la nécessité

résulte,

en

particulier,

de la meilleure connaissance

_théorique

des

processus

atomiques qui

interviennent dans la

forma-tion et la croissance des

_dispositifs

en couches minces.

En

_effet,

de nombreux

_problèmes

sont liés à la struc-ture

_atomique

de l’interface

_Si-Si02

dont l’influence

sur les

_propriétés

du MOS s’avère très

importante.

L’isolant de

_grille

de ces

_composants

est formé _par

oxydation thermique

à travers une réaction

qui

est

contrôlée en

partie

_{par des mécanismes}

atomiques

à l’interface

_[1-4]

où sont localisés de nombreux défauts

qui

interviennent de

_façon

déterminante dans le

com-portement

du

_composant

_[5-8].

L’arrangement

atomi-que dans la zone interfaciale est de ce fait devenu

l’objet

(*) Communication

présentée

aux Journées du G.C.I.S., Toulouse les 15 et 16 décembre 1983.

( + )

ERA CNRS 1022.

d’études nombreuses effectuées ces toutes dernières années

_[9-12].

Ces études centrées sur les

_points

précé-dents et

_qui

s’attachent aux

_premières

_phases

de

l’oxy-dation ont été

_complétées

_par des travaux

_portant

sur

les mécanismes

_{d’oxydation}

et le transfert de

matière,

à travers

_l’oxyde

en couche très mince

_[13-16].

Malgré

une densité très

importante

de travaux et

des résultats fort _{encourageants} de nombreuses

ques-tions ne sont _pas, à l’heure actuelle élucidées. En

particulier :

-

aucun modèle ne rend

_compte

de

_façon

pleine-ment satisfaisante des

_{cinétiques d’oxydation}

dans le

cas de films minces pour

_lesquels

le rôle de l’interface

doit être

_important,

-- la

contribution des

_propriétés

de la surface

ini-tiale,

de sa

_{préparation,}

de son traitement aux

pro-priétés

de

_l’oxyde

n’a été _{que peu}

_étudiée,

- des

techniques d’analyse

des surfaces utilisées

pour la caractérisation

physico-chimique

de

_l’oxyde

ont

_permis

de mettre en évidence trois zones entre la silice massive et le

_{silicium ;}

leur _structure, la nature et

les

_{caractéristiques}

de leurs défauts ne sont _pas

998

ment déterminés. De ce

_fait,

la

_charge

_d’espace

voisine de l’interface dont il est établi

_qu’elle

est sensiblement

indépendante

du

_dopant,

de

_{l’épaisseur}

et

_qui

avait été initialement attribuée à un excès de silicium dans la

silice n’a _pu être corrélée de

façon

certaine à l’état

physico chimique

des zones,

- l’influence des conditions de croissance

sur les

propriétés électriques

de l’interface et de

_l’oxyde

a été

peu étudiée.

Dans ce _contexte, nous nous sommes initialement

attachés à l’étude des

_{propriétés électroniques}

des

sur-faces,

en liaison avec, en

particulier,

les’conditions de

préparation

et de traitement

_[17-18].

Nous avons ensui-te étudié les toutes

_{premières phases}

de l’interaction

oxygène-Si, puis

nous avons axé notre travail sur

l’étude des mécanismes de croissance et sur l’influence

des différents

_{paramètres (propriété}

de la surface de

départ,

vitesse

_{d’oxydation...)}

en nous

_proposant

ensuite de corréler les

_propriétés

de

_l’oxyde

et du MOS réalisé in situ aux

_paramètres

d’élaboration. Ce

_présent

article est essentiellement consacré à l’étude des modi-fications des

_{propriétés électroniques}

et de la compo-sition de l’interface en cours de croissance et à

_l’analyse

de modèles

_susceptibles

de

_permettre

une corrélation entre elles.

2.

_{Méthodologie}

et

_{dispositif expérimental.}

Z .1 MÉTHODOLOGIE. -

_Après

avoir défini les condi-tions de

_préparation

_permettant d’obtenir des surfaces

ayant des

_propriétés

différentes

_[17-21],

nous avons

choisi,

pour les études que nous _reportons

_ici,

de

tra-vailler sur des surfaces _propres. Ces surfaces sont

obte-nues _par

_{dégraissage,}

suivi d’un

_chauffage

sous ultra-vide à 1 050 OC

_[19-21].

Elles sont caractérisées _par la

présence

de traces de carbone en

quantités

très faibles

(quelques

centièmes de

_monocouche).

_{L’oxydation}

de

ces surfaces est réalisée sous faible

_{pression d’oxygène}

(entre

1 et

10- 3

_torr)

et dans une _{gamme de}

tempéra-ture

_comprise

entre 700 et 1 000 OC.

L’étude de la surface

initiale,

le suivi de l’évolution de ses

_propriétés

et de celles de la couche

_d’oxyde

en cours de croissance sont effectués _par

_{spectroscopie}

d’électrons

_Auger

et mesure du travail de sortie _par

la méthode de Kelvin

_[22-23].

2.1.1. Caractérisation

_électrique.

- La méthode de

Kelvin _permet d’avoir accès à la différence de

_potentiel

de contact entre la surface et une électrode de référence.

Elle fournit donc directement la

_quantité

où

_l/Jsc

_représente

le travail de sortie du

semiconduc-teur et

_OR

celui de l’électrode de référence. r-Dans le cas d’une surface propre caractérisée _par une

barrière de surface de hauteur

_VS

et _par une affinité

électronique

x,

~Sc s’exprime

en fonction de ces

quant-tités par la relation

(Ec - Ep)b représente

la distance

_{énergétique}

entre

bande de conduction et niveau de Fermi en volume.

Dans le cas d’une surface réelle ou d’une surface recouverte d’une très mince couche

_d’oxyde,

le schéma

classique

des bandes doit être modifié _pour

_prendre

en _compte une éventuelle chute de tension

_VoX

dans

l’oxyde,

chute de tension

_qui

sera

_équivalente

à une

modification d’affinité

_{électronique}

de valeur

_dx

=

-e Vox.

Lorsque

en

_plus

une couche

_dipolaire

recouvre la

surface,

la chute de

_{potentiel Vd}

_quand

on la traverse se traduira encore _par une modification de l’affinité

électronique qui

sera reliée à la densité u de

_dipôle

et à leur moment _par la relation :

p étant la

composante

du moment

_dipolaire

perpen-diculaire à la surface.

L’expression générale

du travail de sortie

_(voir

Fig.1 )

dans le cas où une couche

_d’oxyde

et une couche

dipolaire

seront simultanément

_présentes

aura donc

la forme :

avec

Cette relation

_explicite

les contributions éventuelles

au travail de sortie. Elle montre _que la méthode de Kelvin en fournissant directement

_Aq5

et ses variations

(en

un même

_point

en raison de l’évolution de la

sur-face ou le

_long

de la surface _par l’intermédiaire des

topographies)

permet

de mettre en évidence la

contri-bution

_globale

des

_charges

dans

_l’oxyde

et des

_dipôles

au travail de

_sortie,

contribution

_{qui s’ajoute}

à celle

de la barrière de surface dans le semiconducteur.

Fig.

1. - Travail de sortie d’une surface réelle.

2.1.2.

_Analyse

_{physico-chimique.}

- Cet

aspect

pro-priétés électriques

est

_complété

_par une étude en

paral-lèle des

_{propriétés physico-chimiques}

_{de la surface par} effet

_Auger.

Le _passage du substrat massif Si à

_l’oxyde

massif

_S’02

se fait _par l’intermédiaire d’une zone de transition

_qui

comporte en

_particulier

du

_SiO.,.

Le

suivi des

_{pics Auger d’énergie}

83 eV _pour

_SiO,,,

92

pour Si et 78 pour

S’02

permet à

_partir

de la mesure

de leur

_amplitude

de déterminer l’évolution de la

composition

de la couche en cours de croissance

[24-25].

On obtient ainsi des informations sur les toutes

pre-mières

_phases

de

_{l’oxydation,}

sur la croissance de la couche et sur l’évolution de l’interface en cours de

formation.

2. 1. 3. Mesure des

_épaisseurs.

- La détermination de

l’épaisseur

de la couche

_d’oxyde

est effectuée en

utili-sant la

_cinétique

_{de croissance établie par d’autres}

auteurs _pour des conditions

_identiques

_{[13, 16].}

Parallèlement,

l’étude de l’évolution des

pics

Auger

Si

₍₉₂₎

et

_{S’02 (78)}

ou la

comparaison

de l’atténuation

des

_pics

basse

_énergie

Si

₍₉₂₎

et haute

_énergie

Si

₍₁₆₁₉₎

dont les

_{longueurs d’échappement}

sont très différentes

permettent

également

de déterminer

_{l’épaisseur (26).}

Les différentes valeurs ainsi obtenues sont en bon

accord.

2.2 DISPOSITIF EXPÉRIMENTAL. - Les

expériences

sont réalisées dans une enceinte ultra vide avec

pom-page

ionique

(vide

limite

10- 9

torr).

Cet ensemble

(Fig.

2)

permet

la

_préparation

du

_substrat,

_{l’oxydation,}

l’analyse

in situ des surfaces _par la mesure du travail

de sortie et la

_{spectroscopie}

d’électrons

_Auger

et la métallisation.

Les échantillons

₍₁₄

x 8 x

_0,3

_mm)

sont montés sur un

_{porte-échantillon placé}

à l’extrémité d’un

micro-manipulateur qui

permet

le

_{positionnement}

devant le

Fig.

2. -

Dispositif expérimental.

[Experimental

set _up.]

poste de travail souhaité et, en

particulier,

le

déplace-ment de la surface étudiée devant la sonde de Kelvin

ou devant le

_{spectromètre Auger}

_{pour faire des}

ana-lyses topographiques

[22,

23,

27].

Les substrats _peuvent être chauffés

_jusqu’à

1 250 OC

par passage d’un courant

_{régulé ;}

la

_température

de la surface est contrôlée à l’aide d’un

_pyromètre

infra-rouge

(±

5

OC).

Généralement deux échantillons sont montés et

étudiés simultanément. Ceci

permet

de

_faire,

en

parti-culier,

des études

_comparatives

pour déterminer

l’influ-ence du matériau

_{(orientations cristallographiques}

et

dopages différents)

et des conditions de

_préparation

(nettoyages

et

_{paramètres d’adsorption}

ou

_{d’oxydation}

différents) [21].

Pour

_{l’adsorption}

et

_{l’oxydation}

de

_l’oxygène

_pur

(99,998)

est introduit dans

_{l’enceinte, la pompe}

_ionique

étant arrêtée. La

_{pression dynamique d’oxygène}

₍₁

à

10- 3

_torr)

est obtenue en utilisant une micro-fuite

pilotée

par une

jauge

Pirani et un _{pompage à}

sorption.

3. Résultats.

Les études ont été effectuées sur des substrats de

sili-cium de

_type

n

_(dopés

P-1 à 10

_Qcm)

et de

_type

_p

(dopés

B-1 à 22

_Qcm)

avec des orientations différentes

(100)

et

_(111).

Nous avons

_{précédemment}

montré _que les surfaces

propres sont

_homogènes

du

_point

de vue du travail de

sortie

_{(topographies).}

De

_plus

celui-ci étant

indépen-dant du

_dopage,

nous avons conclu à

_l’ancrage

du

niveau de Fermi à la surface

[21].

Cet _ancrage se situe

suivant l’orientation de la surface à 300 ou 400 meV

environ au-dessus de la bande de valence.

Lors de

_{l’adsorption}

de

_{l’oxygène (stade qui précède}

l’oxydation

proprement

dite)

deux

_phases

distinctes

sont nettement mises en _{évidence par l’évolution du}

travail de sortie. Nous avons

_interprété

ce résultat par

la formation d’un

_dipôle

de surface

(champ électrique

dirigé

vers

_{l’extérieur),}

_{dipôle qui}

s’inverse

_lorsque

l’exposition

croît

₍

104

_Langmuir)

en raison de la

pénétration

de

_l’oxygène

dans le réseau de Si

_[21].

L’étude

_Auger

des surfaces met alors en évidence la

formation d’une couche

_d’oxyde

riche en Si

_(SiO,,,

x

₂₎

traduisant un mécanisme de

_{chimisorption (pic}

à 83

_eV).

Pour

_préciser

la croissance de

_l’oxyde,

nous étudions

en

_parallèle

les variations avec

_{l’épaisseur d’oxyde}

du

travail de sortie et des différents

_{pics Auger.}

Pour obtenir une couche

_{d’oxyde importante}

il est

néces-saire,

à

_température

fixe,

de faire croître la

_pression

d’oxygène

de 10- 3 à 10-1 torr

_(Fig.

_3).

Les courbes de variations du travail de sortie en

fonc-tion de

_{l’épaisseur}

du film

_d’oxyde

_permettent de

distinguer

3 zones

_{(Fig. 3).}

- La

zone 1 : dans cette zone, le travail de sortie varie lentement et de

_façon

sensiblement linéaire avec

l’épaisseur (Fig. 4).

- La

zone II : les variations du travail de sortie

1000

Fig.

3. - Variation du travail de sortie _{en cours} de

crois-sance de

l’oxyde

sur substrats de types n et _{p (SP} pour surfaces propres AO

après

adsorption d’oxygène).

[Work

function

_{changes during}

the oxide

_growth

on n an

p type substrates (SP for clean _{surfaces, AO after oxygen}

adsorption).]

Fig.

4. - Variation du travail de sortie dans la _zone 1

pour différentes conditions

d’oxydation

(travail de sortie de la surface propre choisi comme

_origine

de

_0394Ø).

[Work

function

_changes

on

_region

I with different oxida-tion condioxida-tion (we have chosen the work function of clean

surfaces for 0394Ø

_origin).]

maximum

_qui

se situe à environ 1 000 meV au-dessus

de la valeur

_{correspondante}

à la surface propre.

- La

zone III : caractérisée par une stabilisation du travail de sortie.

Les courbes dont l’allure

_générale

est

_toujours

la même sont

_cependant

comme le montre clairement la

figure

5 _{influencées par la}

_{température d’oxydation.}

Fig. 5. - Variation du travail de sortie

en cours de crois-sance _{pour différentes}

_{températures d’oxydation}

_(A et 1

type n, D et + _{type p).}

[Work

function

_{change during}

the _growth with different

oxidation _{temperatures (A} et 1 n _{type, D} et + p

type).]

Le maximum se

_déplace

vers les faibles

épaisseurs

quand

la

_température

_{décroît. Par contre, la}

_pression

d’oxygène

en cours de

_croissance,

dans la _gamme

explorée

(10-1

à

10- 3

_torr),

n’a _pas d’influence compa-rativement aux effets de la

_{température.}

Le

_{paramètre dopage}

n’intervient _pas dans les zones

1 et II. Par _{contre, pour} les

_{épaisseurs plus}

_élevées,

zone

III,

nous avons noté des différences dans les

courbes. Des

_expériences

successives _ayant conduit à des résultats

_opposés

_(On

>

_4>p

ou

_4>p

>

4>0)

nous

n’avons à ce

_jour,

_pu conclure _quant à la contribution éventuelle du

_type.

Le relevé des _spectres

_Auger

_met,

_quand

à

_lui,

claire-ment en évidence l’évolution des

compositions

en cours

je croissance et _permet de

_préciser

la nature

_chimique

des

_composés

dans

_chaque

zone

(Figs.

6 et

_7).

On voit ainsi clairement _que la variation linéaire du travail de sortie

_(zone

_{I) correspond}

à la formation de

_SiOx,

la

zone II est _quant à

elle,

liée à la formation

_d’oxyde

stoechiométrique S’02’

Cette corrélation entre les courbes obtenues par les deux méthodes est encore

confortée si on s’intéresse à la

_pente

des

courbes,

c’est-à-dire au caractère

_plus

ou moins

_rapide

des

transi-tions : on voit _par les deux méthodes _que au

voisinage

du

_silicium,

c’est à basse

_température

_que les variations

avec

_{l’épaisseur}

sont les

_plus

_rapides,

ce

_qui

est en bon

accord avec les études de Helms et al.

[24],

études effectuées par

décapage

et

_{profil Auger}

de couches

d’oxyde d’épaisseur

supérieure

à 200

À.

4. Discussion.

Les résultats vont bien dans le sens de

_{l’appréhension}

de l’interface telle

_qu’elle

se

_dégage

des nombreuses

études effectuées ces toutes dernières années. En

_effet,

des travaux récents de

_{spectroscopie}

d’électrons ont

permis

de

_dégager

une

_morphologie

de l’interface

Si-Si02 [8-11, 28]

avec une zone de transition d’une

à deux couches

atomiques

de

_{SiO.,, puis}

une zone de

Fig.

6. -

Spectres Auger obtenus sur une surface Si ₍₁₀₀₎

à différents stades _{d’oxydation.}

[Auger

spectra obtained on different oxidized Silicon ₍₁₀₀₎

surface.]

zone _ayant des

_propriétés

différentes de la silice

volu-mique (présence

de défauts

_{structuraux). Compte}

tenu

de cet _aspect structural de

_{l’interface,}

il semble

_possible

d’associer toute la zone II à la silice

_perturbée,

des

défauts de structure étant à

_l’origine

de défauts

élec-triques (charges

dans

_l’oxyde)

_pouvant induire la très forte évolution du travail de sortie dans cette zone.

La zone

_III,

_quant à

_elle,

_{correspondrait}

à la formation

de

_S’02

non

perturbé,

donc non

chargé

et cette absence de

_{charges électriques}

dans le matériau se traduisant

par une stabilité du travail de sortie

_(Fig.

_8).

On _peut à ce stade

envisager

de corréler les diffé-rentes mesures _que nous avons faites en nous _appuyant

pour cela sur des résultats

publiés

ces dernières années.

Les

_{hypothèses qui}

ont été faites _pour

_interpréter

la formation de l’interface

_partent

de modèles

_simples

de distribution des atomes en

surface,

atomes sur

_lesquels

vient s’articuler la

_première

couche de

_SiOx.

Le _passage de cette

_première

couche à la silice massive se fait

ensuite _par l’intermédiaire de couches successives de moins en moins distordues

_qui

assurent la transition. Cette zone est caractérisée _par des liaisons dont une vue

_possible

a

été,

en

_{particulier, proposée}

_par

Her-man et Kasowski

_[7].

La croissance de

_l’oxyde

suivant

cet auteur

_pourrait

_{être simulée par} un modèle de structure

_qui

_peut

servir de base à des calculs de

trans-Fig.

7. -

Composition

chimique de l’interface

_Si-SiO,

obtenue à _partir des _{spectres Auger}

_(Fig.

_{6). 0 Si(92),} 0394

_{SiOx(83), . Si02(78).}

1002

Fig. 8. - Structure de l’interface et _zones de travail de

sortie.

[Interface

structures and work function

_regions.]

Fig. 9. - Modèle d’interface ordonné

[7, 9].

[Model

of ordered interface [7,

9].]

fert

_{électronique.}

Partant de ce modèle schématisé sur

la

_figure

_9,

on voit _que la

_première

fixation

_d’oxygène

et le transfert d’électrons Si ~ 0

qui

en résulte se

tra-duit _par la formation d’un

_{dipôle partie négative}

vers

l’extérieur

_qui

conduirait à une croissance du travail

de sortie. Il en serait de même _pour la couche suivante.

Par _{contre, la mise} en

place

de la couche

qui

suit,

la

dernière avant la structure

_Si02,

conduirait à une

décroissance du travail de sortie.

Globalement,

la variation _que nous avons obtenue

_pourrait

donc être

interprétée

en termes de structure et de

_dipôles.

En

fait,

la variation du travail de sortie

(croissance,

puis

décroissance) correspondant

au modèle est localisée

sur une

_épaisseur

de

_quelques

A,

alors

_qu’en

ce

_qui

nous concerne, elle s’étend sur une trentaine

d’A.

De

plus,

dans la mesure où son étendue

_dépend

de la

température,

il faudrait admettre _que le modèle

cor-respond

à une interface idéale

_qui

ne rend pas _compte

de la réalité. En

fait,

la croissance se fait vraisembla-blement de

_façon

non uniforme le

long

de la

surface,

des zones à structure initiale

_amorphe

sont

certaine-ment

_juxtaposées

à des zones à structure du

_type

représenté

par le modèle

[9].

Lors de la

croissance,

toutes les zones tendent vers la structure de la

_silice,

la structure

_{correspondant}

au modèle se met en

place,

mais de

_façon

différente suivant la zone considérée.

Dans cette

_hypothèse,

on

_peut

donc s’attendre au

niveau de la mesure

qui intègre

sûrement

plusieurs

zones

_{différentes,}

à avoir des variations sur des

épais-seurs

_{plus grandes.}

Par

_ailleurs,

d’autres considérations sont à

_prendre

en

_compte.

En

effet,

il est bien établi

que la zone

perturbée

est le

_siège

de

_{pièges multiples,}

donneurs et

_accepteurs,

dont la nature est liée aux

défauts de structure. Il est

_{logique d’envisager}

une

variation de leur

densité,

variation

_qui

peut

rendre

compte

de l’effet observé.

_Si,

_par

_exemple,

la densité des

_accepteurs

est

_supposée

_supérieure

à la densité des donneurs dans la zone

_comprise

entre 0 et

_quelques

A

et inférieure

au-delà,

on

_peut

s’attendre à obtenir une

variation du _type observé. On _peut encore avoir des

variations du travail de sortie du même genre à condi-tion de supposer que les états

accepteurs

et donneurs

sont effectivement

_présents

en surface et _que leur den-sité relative varie de telle

façon

que dans la zone de

transition,

les _accepteurs

_majoritaires

au

premier

stade

de la croissance deviennent ensuite minoritaires. Il suffirait alors d’admettre que la surface de la silice bien

structurée _comporte des densités d’états

_{négligeables}

ou

qui

se

_compensent

parfaitement

_pour

expliquer

la constance du travail de sortie a une

épaisseur

supé-rieure à 30

A.

En

_fait,

il est raisonnable de penser que ces différents

mécanismes sont simultanément

_présents,

leur

impor-tance relative

_dépendant

entre autre des conditions de croissance de

_l’oxyde.

La détermination de leur

_part

respective

éventuelle ne

_peut

se faire

_{qu’à partir}

de calculs

_numériques

_prenant

en _compte des valeurs

numériques

réelles ce _que nous faisons actuellement.

5. Conclusion.

L’objet

de notre étude est axé sur une meilleure

connais-sance de l’interface

_S’-S’02

au travers _{des processus}

qui régissent

sa formation. La mesure du travail de

sortie aux différents stades de la croissance de la couche

d’oxyde

a mis en évidence la

_présence

de 3 zones avec

des

_{propriétés électriques caractéristiques,}

l’une

_proche

du

_Si,

une zone intermédiaire et enfin une zone de

silice aux

_{propriétés volumiques.}

L’existence de ces

trois zones de variations du travail de sortie a _{pu être}

corrélée à l’état

_{physico-chimique}

de l’interface déduit des mesures

_Auger.

De la discussion de ces

_résultats,

il ressort _que

l’arrangement atomique particulier

nécessité _{par la}

transition

_S’-S’02

et

_(ou)

les défauts structuraux

pré-sents dans la zone interfaciale peuvent être à

_l’origine

de

_dipôles

ou de

charges responsables

des très fortes

variations du travail de sortie

_observées,

variations

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