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Etudes morphologiques et cinétiques de l'élaboration de nano-objets cristallins (Si & SiGe) par RTCVD

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Academic year: 2021

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Figure 1 : Coupe MEB (Microscopie Electronique à Balayage) d’une épitaxie non sélective d’un  empilement de films de silicium séparés par des marqueurs fins de Si 0,9 Ge 0,1
Figure 4 :  a&b. Effet du recuit sur la préparation de la surface de dépôt. L’épitaxie de l’alliage  Si 1-x Ge x , étant très sensible à la rugosité de la surface, ne présente pas de défaut morphologique lors  de l’application d’un recuit avant le dépô
Figure 7 : Exemples de modifications et d’alignements de bande pour différentes hétérostructures : a
Figure 5 : Diagramme d’Arrhenius du taux de croissance expérimental d’une surface de silicium  d’orientation (001) pour deux types de chimie, hydrure (SiH 4 /H 2 ) et chlorée (SiH 2 Cl 2 /H 2 )
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