2.3 Les niveaux atomiques
2.3.1 Préparation du niveau de départ
Avant que les atomes de Rubidium 85 du
jet
n’entrent dans lacavité,
ils sontportés
dans l’état39s1/2
àpartir
niveau fondamental5s1/2 (cf. figure 2.6).
Cette
préparation
s’effectue enquatre étapes :
trois transitions dansl’infra-rouge
5s
1/2
~5p3/2, 5p3/2
~5d5/2
et5d5/2
~40p3/2,
et une transition micro-onde descendante40p3/2
~39s1/2.
Les transitionsoptiques
ont lieujuste
avant lacavité,
à l’intérieur d’unepièce
massive de cuivrepercée
de deux tunnels à90°,
l’un pour le
jet atomique,
l’autre pour les faisceaux laser. Cettepièce
écrante leschamps électriques parasites susceptibles
deperturber
les niveauxatomiques
etde diminuer ainsi le rendement de la
préparation
du niveau39s1/2.
Ceschamps
parasites
sont créés par lepotentiel
de contactCuivre-Niobium,
par la tensionappliquée
aux calespiézo-électriques
d’accord de lacavité,
et par lepulse
dechamp électrique
de la détectionatomique, qui
n’est pas retourné exactement à zéro au moment d’une nouvellepréparation
laser. Lapièce
de cuivre assure aussila collimation du
jet, qui
est renforcée par undiaphragme,
etpréserve
ainsi de lapollution
lesparois
internes de la cavité. Lepositionnement
dudiaphragme
et de la cavité est fait avec un laser
d’alignement.
La transition micro-ondeest effectuée dans le tunnel d’entrée de la
cavité,
danslequel
débouche unguide
d’onde.Les
étapes optiques
sontnombreuses,
mais facilement réalisées à l’aide de diodeslaser,
peucoûteuses,
de faible encombrement et d’utilisation relativement aisée[82][83].
Lalongueur
d’onde émisedépend
du courant d’alimentation de la diode et de latempérature
àlaquelle
elle est maintenue. Un courant dequelques
dizaines de mA suffit pourdépasser
le seuil laser et obtenir unepuissance
dequelques
m W .Cependant,
une diode laser est uncomposant fragile,
à manier avecprécau-tions. Un
dépôt
decharges statiques
sur ses électrodes ou une variationbrusque
de la tension d’alimentation la détériore irréversiblement. Unepoussière
sur unedes faces du milieu
amplificateur perturbe
son fonctionnement.Du fait des faibles dimensions du milieu
amplificateur (d’épaisseur 0,1 03BCm),
le faisceau émis est fortementdivergent.
Une lentille de très courte focale estutilisée pour
produire
un faisceauparallèle.
Pour un fonctionnementstable,
touteréflexion
qui
renvoie la lumière émise sur la diode("feed-back")
doit être évitée. Les diodes des deuxpremiers
échelons sont dutype
GaAlAs(ce
sont celles desdisques laser),
delongueur
d’onde nominale7800 Å
àtempérature
ambiante. Elles sont monomodes et l’intervalle entre modes est de 2Å.
Pour atteindre leslongueurs
d’onde voulues(7 802, 4 Å et 7 759, 7 Å),
il est nécessaire de lesmaliser à une
température
différente de l’ambiante. Surgrande échelle,
la dépen-dance de lalongueur
d’onde entempérature
est de2,5 Å/°C.
Latempérature
de la diodepouvant
varier entre - 50 et + 50 °Cenviron,
on arrive à mettre les diodes à la bonnelongueur d’onde,
même si les tolérences de fabrication n’assurent pas l’exacte valeur nominale delongueur
d’onde à l’ambiante. Il est nécessaire alors deplacer
les diodes sous vide dans des boîtes étanches.Néanmoins,
cet accordest
compliqué
par la variation par sauts de lalongueur
d’onde en fonction de latempérature :
dans la gamme destempératures autorisées,
leslongueurs
d’ondesont couvertes par morceaux et il est nécessaire d’effectuer
plusieurs
essais avecdes diodes différentes pour obtenir finalement la
longueur
d’onde voulue.(Il
estpossible
d’obtenir une variation de lalongueur
d’onde sur desplages plus larges,
en utilisant une cavité externe
qui
force la diode à laser dans sesmodes ;
mais il n’a pas été nécessaire dans cetteexpérience
de recourir à un telmontage [84]).
La
fréquence
émise est stable et est facilement contrôlée par la valeur ducourant. Dans un domaine où la diode
lase,
salongueur
d’onde varie entem-pérature
de + 350mÅ/°C ,
et en courant de + 65mÅ/mA.
Lalargeur
des raiesatomiques
est d’environ 10MHz ,
du même ordre que lalargeur
de la diode(20 MHz),
cequi impose
à latempérature
d’être stable au millième dedegré,
et au courant de l’être à 10
03BCA près.
Latempérature
de la diode est mesuréeavec une thermistance fixée sur son
support,
dont la résistance varie d’environ100
03A9/°C.
Larégulation
detempérature
de la diode et de sonsupport
est assuréepar un module Peltier
alimenté, après amplification,
par le courant dedéséquili-bre d’un
pont
derésistances,
danslequel figure
la thermistance. Parailleurs,
l’utilisation de batteries de 6 V assure au courant une stabilité à mieux que le
03BCA.
La
longueur
d’onde1, 264 41
03BCm du troisième échelon5d5/2
~40p3/2
estproche
de la valeur1, 3
03BCm couramment utilisée pour la télécommunication par fibreoptique.
Les aléas de fabrication ontpermis
dedisposer
de diodes émettant directement à1, 26
03BCm vers latempérature
ambiante. Ces diodes sont aussistables et accordables que les
précédentes,
mais elles ontcependant
l’inconvénient d’être multimodes.L’énergie émise,
du même ordre que celle des autresdiodes,
est
répartie
dans une dizaine demodes,
deux ou trois d’entre eux dominant lesautres en intensité.
L’avantage
est que toutes leslongueurs
d’ondespeuvent
êtreatteintes,
iln’y
aplus
de "sauts". Mais il n’est pastoujours possible
d’obtenirun mode
énergétique
à la bonnelongueur d’onde,
et un tri des diodes s’avère làaussi nécessaire. La variation de la
longueur
d’onde en fonction du courant a été estimée à 50mÅ/mA.
La distance entre modes a été trouvéeégale
à6, 6 Å.
Les
fréquences
des deuxpremiers
lasers sont asservies sur deux fluorescencesdistinctes, qui
sont observées sur lejet
annexe(cf. figure 2.7).
La transition5s
fluores-cence
correspondante (à
lalongueur
d’onde de780 nm).
La structurehyperfine
des états
5s1/2
et5p3/2
est résolue et la raie de fluorescence laplus
intense est celle de la transition F=3 ~ F=4(le spin
nucléaire est5/2),
cequi
révèle un effet de pompageoptique
et confirme le caractère saturant de lapremière
excitation laser. C’est sur cette raiequ’est
réalisée la stabilisation de lapremière
diode. Salargeur
de ~ 50 MHz est due à lalargeur
de la diode laser(~
20MHz),
à lalargeur
naturelle des niveauxatomiques (~
10MHz)
et à l’effetDoppler
sur les vitessesatomiques
transverses aujet (~
20MHz).
La deuxième transition
5p3/2
~5d5/2
est détectée sur la fluorescence à 420 nm6p
3/2
~5s1/2 qui
intervientaprès
une désexcitation de5d5/2
vers6p3/2.
Elle estdétectée par un
photomultiplicateur, qui
est insensible à la fluorescenceinfra-rouge du
premier
échelon. La structurehyperfine
du niveau5d5/2
n’est pas sélec-tionnée par le deuxièmeéchelon, qui
est par ailleurs saturant lui aussi. Lalargeur
de la raie est ici aussi de l’ordre de 50 MHz.Les
fréquences
des deuxpremières
diodes sont amenées à résonance en deuxtemps :
le courant est d’abord varié pourajuster grossièrement
lalongueur
d’ondeémise,
lue au lambdamètre(modèle
conçu et réalisé aulaboratoire),
à celle de latransition ; puis
leréglage
fin du courant est effectué sur lesignal
de fluorescence. Une fois amenées àrésonance,
les deuxpremières
diodes y restent untemps
de l’ordre de
quelques
secondes. Un asservissement par détectionsynchrone
estutilisé : le courant est modulé à la
fréquence
de 10 kHz et sacomposante
continueest
ajustée
de manière à annuler(sommet
de laraie)
le taux des variations à 10 kHz de la fluorescence. Les dérives enlongueur
d’onde sont assez lentes pourque les 50 Hz de bande
passante
de la rétro-action suffisent.Le troisième échelon à
1, 26
03BCm est thermaliséprès
de latempérature
am-biante. Il est amené finement à résonance de la transition
5d5/2
~40p3/2
enmaximisant le
signal
de détection du niveau40p3/2.
Une fois accordé à la bonnelongueur d’onde,
il y reste de manière stable durantplus
d’unedemi-heure,
cequi
permet
de l’utiliser sans stabilisation. La raie est ici aussi delargeur
50MHz,
sans structure résolue. Cette troisième transition n’est pas saturante. Le nombre d’atomes
préparés
estcependant suffisant,
et l’ondispose
ainsi de la facilité dele varier en atténuant
plus
ou moins le faisceau laser. Un dernierajustement
des
alignements
des trois faisceaux laser est effectué sur lesignal
d’ionisation du niveau40p3/2.
Bien que la
première
transition soit la seule à résoudre les structures de niveauxatomiques,
des lames03BB/4
sont mises sur les trois faisceaux. Les deuxpremiers
sepropagent ensemble,
et leurpolarisation
03C3+ estajustée
sur la tran-sition5s1/2
~5p3/2
faite par lepremier.
Lapolarisation
03C3- du troisième estajustée
en maximisant lesignal
d’excitation du40p3/2.
La dernière transition micro-onde40p3/2
~39s
est induite par une source YIG stabilisée et
multipliée
enfréquence (harmonique
15).
Elle a lieu dans le tunnel d’entrée de lacavité ;
safréquence
n’est pasré-sonnante avec le mode et le
champ
à199,830
GHz n’entre pas dans la cavité. Aucune structure du39s1/2
n’est résolue dans cettepréparation.
Lapopulation
de