HAL Id: jpa-00208379
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Submitted on 1 Jan 1975
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Modèle pour la structure électronique des composés perovskites du manganèse
J.P. Jardin, J. Labbé
To cite this version:
J.P. Jardin, J. Labbé. Modèle pour la structure électronique des composés perovskites du man- ganèse. Journal de Physique, 1975, 36 (12), pp.1317-1326. �10.1051/jphys:0197500360120131700�.
�jpa-00208379�
1317
MODÈLE POUR
LASTRUCTURE ÉLECTRONIQUE
DES COMPOSÉS PEROVSKITES DU MANGANÈSE
J. P. JARDIN et J.
LABBÉ
C.N.R.S.,
LaboratoireP.M.T.M.,
UniversitéParis-Nord,
Place du8-mai-1945,
93206Saint-Denis,
France(Reçu
le20 juin 1975, accepté
le10 juillet 1975)
Résumé. 2014 Nous proposons un modèle théorique qui semble
pouvoir
expliquer les transitions de phase magnétiques et cristallines observées dans lescomposés perovskites
du type MMn3X (M = métal, X = N ou C). Enappliquant l’approximation
des liaisons fortes aux électrons d dumanganèse et aux électrons p de l’azote, nous trouvons une forte singularité dans la densité d’états
électroniques au niveau de Fermi. L’existence de cette
singularité
peutexpliquer
la nature des transi- tionsmagnétiques
et le comportement anormal de lasusceptibilité
dans la phase paramagnétique.Le changement de phase cubique ~ tétragonale est alors attribué à un effet Jahn Teller sur la structure de bande.
Abstract. 2014 A theoretical model is
proposed
which could explain the magnetic and structuralphase transitions which have been observed in
perovskite compounds
MMn3X (M = metal, X = Nor C). By
applying
the tight bindingapproximation
to d électrons of Mn and p électrons of N, we find a sharp singularity in the electronic density of states at the Fermi level. This singularity could explain the nature of the magnetic phase transition, and the anormal behaviour of the susceptibilityin the
paramagnetic
phase. The structuralphase
transition would be produced by a Jahn Teller type of effect.LE JOURNAL DE PHYSIQUE TOME 36, DÉCEMBRE 1975,
Classification Physics Abstracts
8.136
1. Introduction. - De nombreuses transitions de
phase magnétiques accompagnées parfois
de déforma- tions cristallines sont observées dans lespérovskites métalliques
dumanganèse
detype MMn3X
danslesquelles
M est un atomemétallique
et X un atomede carbone ou d’azote
[1, 2, 3].
Les transitions
magnétiques
de cescomposés
sontde différents types, la
phase magnétique
ordonnée pouvantprésenter
diverses structures(ferromagné- tique, antiferromagnétique, ferrimagnétique, ... ).
D’autre part le
comportement
en fonction de latempé-
rature de la
susceptibilité paramagnétique
sembleindiquer
que, du moins pour certainscomposés (SnMn3N, SbMn3N) [2], [4] (1),
la transition ferro >para n’est pas une transition ordre-désordre de type
Curie-Weiss,
mais sembleplutôt
due à unedisparition
des moments
magnétiques
individuels par élévation de latempérature.
Ces transitionsmagnétiques
sontassez souvent
accompagnées
de transitions dephase
structurales d’une
phase cubique
à unephase
tétra-gonale.
Cette coïncidence n’estcependant
passysté- matique,
ainsi le carbureSnMn3C [5] présente
unetransition
magnétique
tandis que la structure cristallinedemeure
cubique.
Pourexpliquer
cespropriétés magnétiques
et structurales nous nous sommes pro-posés
deprendre
encompte
le caractère conducteur deces
composés
et d’étudier enparticulier
leur structurede bande
électronique
auvoisinage
du niveau deFermi. De ce
point
de vue, des étudesexpérimentales
récentes donnent une indication sur l’état
électronique
de l’azote dans ces
composés [2], [6]
etsuggèrent
unfort
mélange
des états p de l’azote et des états d dumanganèse.
Des mesures du facteur de diffusion de l’azote pour les rayons Xpermettent
en effet d’attri- buer à cet atome une valence voisine de la neutralitéélectrique (les
mesures lesplus
récentesindiquent
N-
0,6).
Dans cet article nous proposons un modèle pour la structure
électronique
descomposés
de typeMMn3X
en nous appuyant sur les résultats
indiqués précédem-
ment. Nous supposons que les états p de l’azote se
mélangent
aux états d dumanganèse
pour constituerune bande
d-p
étroite auvoisinage
du niveau de Fermi.Cette bande se superpose à une bande de conduction
beaucoup plus large
formée àpartir
des états s dumanganèse
et des états de valence des atomes métal-liques
situés aux sommets de la maillecubique.
Nouscalculons la structure de la bande
d-p
étroite dans unmodèle de liaisons fortes. Pour certaines
positions
du87
(1) Fruchart, D., communication privée.
Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/jphys:0197500360120131700
niveau de Fermi dans cette bande la densité d’états
électroniques peut
être assez forte pourexpliquer,
d’une part, l’instabilité cristalline de la
phase cubique
par un effet de type Jahn Teller de bande
[7]
et, d’autre part,l’apparition
d’unmagnétisme
d’électrons itiné- rants. Defaçon plus précise,
les anomalies observées(instabilité cristalline,
comportement anormal de lasusceptibilité magnétique)
peuvent êtreexpliquées
par l’existence de
singularités
dans la densité d’étatsau
voisinage
du niveau de Fermi.Dans
l’approximation
des liaisonsfortes,
noussavons que la structure de bande est déterminée par deux types
d’intégrales :
lesintégrales
du typeet celles du type
où
VR
est lepotentiel
duréseau, Vn
et qJn sontrespecti-
vement le
potentiel
et la fonction d’ondeatomique
del’atome au site n. Les
intégrales
dutype
a décrivent l’effet duchamp
cristallin sur l’atome au site n etdéterminent les
positions
relatives des différentes sous-bandesd’énergie.
Lesintégrales
dutype fl (dites intégrales
derésonance)
déterminent leslargeurs
deces sous-bandes. Deux cas peuvent se
présenter
enfonction des ordres de
grandeur respectifs
des inté-grales
de type a etfi.
Dans lalimite 1 rx » ) 1 PIque
nous
appellerons
limite duchamp
cristallinfort,
lastructure de la bande étroite
d-p peut
êtreanalysée
en
plusieurs
sous-bandes bienséparées
enénergie.
Dans la
limite 1 oc « fi que
nousappellerons
limite du
champ cristallin faible
cette structure devient fortementdégénérée.
Il est
généralement
admis que, dans les métaux de transitionsimples
pourlesquels
lasymétrie
autourde
chaque
siteatomique
est trèsélevée,
la situationest celle d’un
champ
cristallinfaible (1 ce ) « 1 fi 1).
Cependant,
dans lescomposés
du typeMMn3X
lasymétrie
des sites des atomes demanganèse
situés aucentre des faces de la maille
cubique
estbeaucoup plus
basse. Il est alors raisonnable de supposer que les effets duchamp
cristallin sur les états d dumanganèse
sont sensiblement
plus
forts que dans les métauxsimples.
Dans leprésent
article nousanalysons
lastructure de bande dans
l’hypothèse
où lechamp
cristallin est assez fort pour conduire à une structure
électronique
en sous-bandes étroites bienséparées
les unes des autres en
énergie.
2. Structure de la bande
d-p
enphase cubique.
-Lés
composés
étudiés ont la structure cristalline desperovskites,
avec un atome d’azote(ou
decarbone)
au centre de la maille
cubique.
Un atome demanganèse
au centre de chacune des faces du cube et un atome de métal M sur chacun des sommets. Pour la
description
du modèle
proposé
nous situonsl’origine
des axes decoordonnées sur l’atome d’azote au centre de la maille
et nous
appelons Mn1, Mn2, Mn3
les trois atomes demanganèse qui
occupent les centres des facesrespecti-
vement situés sur les axes
OX, OY;
OZ(Fig. 1).
Lesorbitales px, p,, pz de l’atome d’azote
pointent
respec- tivement vers les atomesMnl, Mn2, Mn3.
.
FIG. 1. - Structure cristalline de MMn3X.
Nous utilisons
l’approximation
usuelle en liaisonsfortes
qui
consiste à ne conserver dans les calculs que lesintégrales
de résonance entre atomespremiers voisins,
ennégligeant
toutes les autres. Cette appro-ximation, quoique grossière,
est raisonnablepuisque
la distance entre atomes de
manganèse proches
voisinsest nettement
plus grande
dans cescomposés
que dans lemanganèse
pur(la
différence étantsupérieure
à20
%).
Ici lespremiers
voisins de l’atome d’azote situé au centre de la maille sont les atomes de manga- nèse situés au centre des faces. Des considérations desymétrie
évidentes montrent alors que,parmi
lesintégrales
de résonance entre atomes d’azote et demanganèse premiers voisins,
les seules non nulles sont celles dutype :
avec
V’ = V - R -i(V 2 N
+VMn),
oùVN
etVMn
sont lespotentiels atomiques respectifs
des atomes d’azoteet de
manganèse (Fig. 2),
ainsi que lesintégrales correspondantes
pour px et pyqui
se déduisent des troisprécédentes
parpermutation circulaire
des variablesX, Y,
Z et des indicessupérieurs
des orbi-tales d
(l’indice supérieur
d’une orbitaleatomique
dindique
l’atome demanganèse auquel appartient l’orbitale).
Les trois termes dutype ( Pa 1 V’ d3,,,’ - R2 >
avec a
= X, Y,
Z constituent des liaisons detype J
entre les atomes d’azote et de
manganèse,
les sixautres termes constituent des liaisons de type H.
Dans la
phase cubique
le site de l’azote a lasymétrie
Oh et chacun des sites des trois atomes de
manganèse
1319
FIG. 2. - Orbitales d couplées avec pz.
la
symétrie
D4h. Enconséquence
les trois orbitales p de l’atome d’azote demeurentdégénérées
enénergie
tandis que la
dégénérescence
descinq
orbitales d des atomes demanganèse
estpartiellement
levée. Dansl’hypothèse
d’unchamp
cristallinfort
les orbitales dse
regroupent
autour de trois niveauxd’énergie
bienséparés
que nousappellerons respectivement El, En’
Elu (Fig. 3).
Dansl’appendice
A nous montrons que ladisposition
relative de ces trois niveauxdépend
dusigne
de lacharge
effectiveportée
par l’atome d’azote.Le schéma
proposé
par Mekata[8]
pour lecomposé Mn4N supposait
unecharge
effectivepositive
surl’azote
qu’il expliquait
par un transfert d’électrons de l’azote vers lémanganèse.
Les mesures du facteurde diffusion
atomique indiquent
au contraire dans cecomposé
unecharge
effective sur l’azotelégèrement négative [2], [6].
Nous sommes ainsi conduit à admettre que laposition
relative des niveaux d des atomes demanganèse
est celleindiquée
sur lafigure
3. Dans laphase cubique
laconfiguration énergétique
des étatsatomiques
d estidentique
pour chacun des trois atomes demanganèse
de lamaille,
aussi nous avonsFIG. 3. - Diagramme d’énergie des niveaux d du manganèse dans le solide.
indiqué explicitement
sur lafigure
3 l’ensemble des orbitales d des trois atomesMn,, Mn2, Mn3
associésà chacun des niveaux
EI, 4,, Em.
Nous voyons ainsi que les niveauxEI, Eu, Em
ont desdégénérescences
orbitales
respectivement égales
àtrois,
six et six.Puisqu’un
atome demanganèse possède
à l’étatlibre 5 électrons
d,
il est raisonnable de penser que dans lecomposé
la bande d dans son ensemble est àpeu
près
à moitiéoccupée,
et donc que le niveau de FermiEF
est voisin du niveau intermédiaireEII.
D’autre part l’atome d’azote ne peut être dans un état
électronique proche
de la neutralitéélectrique
que sises états p ne sont que
partiellement occupés,
c’est-à-dire si le niveau de Fermi
EF
est très voisin du niveaud’énergie Ep
des états p de l’atome d’azote. Nous pouvons donc considérer que les niveauxd’énergie Eu
etEp,
tous deux très voisins du niveau de FermiEF,
sont eux-mêmes très voisins l’un de l’autre
(Fig. 4).
Nous sommes ainsi
amenés,
pour étudier la structureélectronique
de cescomposés
auvoisinage
du niveaude
Fermi,
à attribuer uneimportance
touteparticu-
lière à une sous-bande étroite
dn-p
résultant del’hy-
bridation entre les niveaux très voisins en
énergie Ep
et
Eu
et construite àpartir
des seules orbitales px, p,, pz,d1xz, dxy, d2 d2 d3 d3
Enpremière approxi-
PY’ PZ’
d1xz, d1xy, d2yx , d2yz, d3zx’ d3zy.
Enpremière approxi
mation nous
négligerons
les contributions des orbi- tales associées aux niveauxd’énergie 4
etE..u plus éloignés
du niveau de FermiEF.
FIG. 4. - Position relative des états p de l’azote et des états d du manganèse. Cas de figure où Ep - En > 0.
En
fait,
des considérations desymétrie
trèssimples
montrent
qu’à
l’intérieur du sous-espace défini par les neuf orbitalesprécédentes,
il n’existe d’interactionnon nulle entre atomes
premiers
voisinsqu’à
l’intérieur de chacun des trois sous-espaces de fonctions :La sous-bande
dII-p
sedécompose
donc en troissous-bandes associées chacune à l’un des trois sous-
espaces
Syz Szx, Sxy.
Enphase cubique
ces trois sous-bandes ont des
énergies
exactementégales,
et la sous-bande
dn-p
esttriplement dégénérée.
La structure de la sous-bande associée au sous-
espace
Sxy
est déterminée par la résolution del’équa-
tion séculaire :
avec
où
VR
est lepotentiel
duréseau, vN, VMnl’ VMn2
sont lespotentiels atomiques respectifs
de l’azote et des atomesMn,
etMn2, a
est leparamètre
de la maillecubique
et le vecteur k de composantes cartésienneskx, k,,, kz
est le vecteur d’onde. Naturellement enphase cubique Px = Py
=pi.
Les structures des sous-bandes associées aux sous-
espaces
SyZ
etSzx
sont déterminées par deséquations analogues.
L’éq. (1)
admet trois solutions1-1
La sous-bande associée au sous-espace
Sxy
se décom-pose donc
(Fig. 5)
en :1. Une sous-bande de
largeur
nulleE(k) = En (c’est-à-dire
en fait une sous-bande trèsétroite, compte
tenu des interactions d’ordreplus élevé).
2. Deux autres sous-bandes étroites dont les struc- tures sont déterminées par la valeur absolue de l’inté-
....
FIG. 5. - Structure de la bande du - p dans la direction ka de l’espace réciproque. En phase cubique la sous-bande du - p est
triplement dégénérée.
grale
de résonancefi
et l’écart enénergiea
=Ep - En
des niveaux
électroniques
de l’azote et des étatsdu
des atomes de
manganèse.
Dans chacune de ces deux sous-bandesl’énergie
d’un électron nedépend
que descomposantes kx et ky
du vecteur d’onde k.Nous obtenons donc pour chacune des sous-bandes associées aux sous-espaces
SyZ, Szx, Sxy
une structurede bande à deux dimensions. Ceci doit être lié au fait que nos
approximations
de liaisons fortes nous ont conduit ànégliger
les interactions entre les trois familles deplans atomiques perpendiculaires
associésaux trois sous-espaces
Sxy, Syz, Szx
etqu’à
l’intérieur dechaque
famille nous avonsnégligé
lescouplages
entre
plans parallèles.
Et pour chacune des sous-bandes la densité d’états
électroniques
par maille et par sous-bande est donnée par la formule usuelle :dans
laquelle l’intégrale curviligne
est calculée lelong
de la courbe
d’énergie
constantelk(E)
dansl’espace
à deux dimensions concerné
(par exemple
leplan kx ky
associé au sous-espaceSxy).
Le calcul de la densité d’états effectué à
partir
deséq. (3)
et(4)
en choisissant commeorigine
desénergies l’énergie 2(Ep
+EII)
et en posant L1 =Ep - En
nousdonne :
pour chacune des trois sous-bandes en
phase cubique
où
K(E)
estl’intégrale elliptique
où nous avons
posé :
La
figure
6représente
la densité d’étatn(E)
calculéenumériquement
àpartir
del’expression (6)
pour les valeursparticulières
desparamètres :
La densité d’états
n(E) présente
dessingularités
deVan Hove pour les valeurs de
l’énergie E(k) qui annulent V kE 1 (Fig. 6).
La sous-bandeE + (k) pré-
sente ainsi trois
singularités
pour les valeurs del’énergie :
1321
FIG. 6. - Densité d’états électronique en phase cubique pour la bande dII - p calculée à partir de (5) avec L1 = f3 = 1 eV. Cette
structure de bande est triplement dégénérée.
et la sous-bande
E- (k)
pour les valeurs del’énergie
La
figure
6 met en évidence une fortesingularité
dans les sous-bandes
E+ (k)
et E_(k)
pour les valeursE2
et
E2 qui correspondent
dansl’expression (5)
den(E)
ày2(E)
= 1. Undéveloppement
usuel de l’inté-grale elliptique K(E)
parrapport
à 1 -y2(E) permet d’exprimer analytiquement n(E)
dans levoisinage
deces
singularités (Appendice B).
Eneffet,
ledéveloppe-
ment
(B2)
limité aupremier
terme donne pourn(E) l’expression
suivanteavec
Cette
expression
fournit une excellenteapproximation
de la densité d’états
n(E)
auvoisinage
dessingularités d’énergie E2
etEz (Fig. 7).
Les
propriétés magnétiques
et l’instabilité de laphase cubique
à bassetempérature
peuvent êtreexpliquées simplement
si l’on suppose que le niveau de FermiEF
est très voisin de l’une dessingularités
de ’n(E)
associées auxénergies E2
etE2.
Auvoisinage
deces
singularités
nous pouvons utiliser pourn(E) l’expression approchée plus simple :
au
voisinage
deE2
=Eo
etFIG. 7. - Densité d’états calculée à partir de (10) et (11) rendant compte de la structure de bande au voisinage des singularités
d’énergie E2 et E2.
au
voisinage
deEZ
= -Eo
avecet
3. Instabilité de la
phase paramagnétique
pour T = 0. - Nous montrons dans ceparagraphe
que, pour descomposés qui présentent
la structure debande décrite
ci-dessus,
la localisation du niveau de FermiEF
auvoisinage
d’unesingularité logarithmique
de la densité d’états
n(E)
peut conduire à l’instabilité de laphase paramagnétique
à bassetempérature, compte
tenu de l’existence d’une interaction(même faible)
entre électrons despins opposés.
Pour cela nousappliquons
la théorie de Stoner à notre modèle etnous cherchons la condition
d’apparition
du ferro-magnétisme
àtempérature
nulle en calculant ladifférence
d’énergie
libre dusystème
entre laphase paramagnétique (populations
despins opposés égales)
et la
phase ferromagnétique (populations
despins opposés inégales).
Pour
simplifier
le calcul nous nousplaçons
dans lecas limite où le niveau de Fermi
EF
coïncide exacte-ment avec
l’énergie Eo
de lasingularité;
mais il estévident que les conclusions
physiques
que nous obtenons restent’qualitativement
valableslorsque EF
est très voisin de
Eo.
La différence
d’énergie
librepeut
être écrite sous la forme bien connue[9] :
Avec
m = n 1 - n i où n 1 et n
sontrespectivement
les nombres d’électrons de
spin 1 et J, ;
U estl’énergie
d’interaction moyenne entre deux électrons de
spins opposés,
elreprésente
la diminutiond’énergie
moyenne d’un électron de
spin 1
et E2l’augmentation d’énergie
moyenne d’un électron despin 1.
el et E2 sont dues à l’existence de l’interaction entre électrons despins opposés.
Les deux
premiers
termes del’expression (14) repré-
sentent
l’augmentation d’énergie cinétique dEc
résul-tant de l’accroissement du nombre d’électrons de
spin
ipartiellement compensée
par la diminution du nombre d’électrons despin!
enprésence
de l’in-teraction. Le dernier terme
représente
la diminutioncorrespondante
del’énergie
d’interaction entre élec- trons.La conservation du nombre d’électrons entraîne la relation :
entre les
paramètres
E1, E2 et m.Lorsque
le niveau de Fermi4
est très voisin del’énergie Eo
de lasingularité logarithmique
nouspouvons
remplacer
dans leséq. (14)
et(15)
la densitéd’état
n(E)
par sonexpression approchée (10) symé- trique
par rapport àEo.
Nous supposerons poursimplifier
que le niveau de FermiEF
coïncide avecl’énergie
de lasingularité Eo (Fig. 8).
Lasymétrie
locale de la densité d’état
n(E)
permet alors de sim-plifier
lesexpressions (14)
et(15)
en réduisant leFIG. 8. - Etat magnétique.
nombre des
paramètres, puisque
nous avons dans ce casEF
=Eo
et 81 = E2 = e. Nous obtenons alors :avec
et
La variation de
l’énergie
libreapparaît
ainsi commeune fonction du
paramètre
equi
est lui-même directe- ment relié au momentmagnétique m
par la relationLorsque
e tend vers zéro le terme dominant dans l’ex-pression (16)
est lepremier
terme, soit :Puisque
b estpositif,
cetteexpression
montrequ’au voisinage
de e = 0 la différence dFd’énergie
libreentre la
phase ferromagnétique
et laphase
parama-gnétique
esttoujours négative,
et celaquelles
que soient les valeurs desparamètres
U et C. Nous endéduisons que dans notre
modèle,
si le niveau de FermiEF
coïncide avec l’une dessingularités logarith- miques
de la densité d’étatsélectroniques,
laphase paramagnétique
est nécessairement instable àtempé-
rature nulle. Ce modèle
permet
doncd’expliquer
l’existence à basse
température
de momentsmagné- tiques
non nuls sur les atomes demanganèse
descomposés
étudiés. Enfait,
nous allons maintenant montrer quelorsque
le niveau de Fermi est situé sur unesingularité
de la densitéd’états,
une élévation de latempérature peut
entraîner unedisparition
desmoments
magnétiques
individuels pour destempé-
ratures pas nécessairement très élevées. Cela
pourrait expliquer l’existence,
observée dans certains de cescomposés,
d’une transition d’unephase magnétique
ordonnée à la
phase paramagnétique
dueplutôt
à unedisparition
des momentsmagnétiques
individuels des atomes demanganèse par élévation
de latempérature qu’à
une mise en désordre de ces moments, comme dans une transition de type Curie-Weiss.4. Influence de la
température
sur l’instabilitémagné- tique.
- Pour une valeur non nulle de latempérature
Tnous devons
appliquer
lastatistique
de Fermi-Diracaux électrons de la sous-bande considérée. La diffé-
rence
d’énergie
libre entre lesphases ferromagné-
1323
tique
etparamagnétique
a maintenant pour expres- sion :avec n 1 + n 1
= n(nombre
total d’électrons dans lasous-bande) n i + n 1
= m(moment magnétique
enmagnétons
deBohr)
Dans les
expressions (18), (19)
et(20)
nous avonsrepris
les notations du
paragraphe 3 ; li% désigne
le niveaude Fermi à la
température
T et lesénergies Eb
etEh représentent
les limites inférieure etsupérieure
dela sous-bande.
Il est facile de vérifier que,
lorsque
le niveau de Fermi est voisin del’énergie Eo
de lasingularité logarithmique
de la densité d’étatn(E),
les seules contributions nonnégligeables
àl’expression (18) proviennent
des valeurs del’énergie
E voisines deEo,
et que dans ce cas ces
expressions
nedépendent
pra-tiquement
pas des limitesEb
etEh
desintégrales.
Nous
simplifierons
alors les calculs enremplaçant Eb
etEh respectivement
par - oo et + oo etn(E)
par son
expression simplifiée (10).
Dans le cas limite où le niveau de Fermi
E,’
de laphase paramagnétique
àtempérature
nulle coïncideavec
l’énergie Eo
de lasingularité,
il résulte de lasymétrie
locale den(E)
parrapport
àEo
que 81 = 82 = 8 etEF
=EF
=Eo.
Endéveloppant
alorsl’expres-
sion
(18)
parrapport
à e, nous obtenonsoù nous avons
posé
et
où f ’(E)
est la dérivée parrapport
àl’énergie de
lafonction de Fermi-Dirac :
Le coefficient
A(T)
esttoujours positif. Donc, d’après l’éq. (21),
la condition pourqu’à
latempérature
T laphase ferromagnétique
soitplus
stable que laphase paramagnétique
s’écrit :La condition
(24)
est la condition pourqu’il
existe desmoments
magnétiques
individuels non nuls sur les atomes demanganèse
à latempérature
T.Si la densité d’états
n(E) pouvait
être considéréecomme constante au
voisinage
du niveau de FermiEF
nous obtiendrions
A(T)
=n(EF) et
la condition(24)
se confondrait à toute
température
avec la condition deStoner
habituelleUn(EF)
> 1 pour l’existence de momentsmagnétiques
non nuls. Par contre, dans nôtremodèle,
où le niveau de FermiEF
est situésur une
singularité
den(E),
le coefficientpositif A(T) dépend
trèscritiquement
de latempérature.
En pre- nant pourn(E) l’expression approchée (10),
etcompte
tenu du fait que le
paramètre
v esttoujours
trèsgrand
par
rapport
àkB T, l’éq. (23)
nous donne :Les relations
(24)
et(25)
montrent que dans notre modèle laphase ferromagnétique
n’est stable que pour les valeurs de latempérature
T inférieures à unetempérature critique Tc
donnée par la relation :où kB
est la constante de Boltzmann.Nous obtenons ainsi une valeur de
T, qui dépend
très fortement de la constante d’interaction U. Les
paramètres
C et v sont directement liés par leséq. (12)
et
(13)
auxparamètres
et L1qui
interviennent dans la structure de bande.Par
exemple,
enadoptant
pour cesparamètres
lesvaleurs
numériques
très raisonnablesnous trouvons comme ordre de
grandeur
deTc,
400 K.Nous trouvons ainsi que,
lorsque
le niveau deFermi
EF
est situé sur unesingularité
de la densitéd’états
n(E),
l’existence de momentsmagnétiques
individuels sur les atomes de
manganèse dépend
trèscritiquement
de latempérature ;
enfait,
ces momentss’annulent au-dessus de la
température critique Tc
que nous venons de calculer. Nos estimations numé-
riques
montrent que dans lescomposés
étudiés latempérature Tc
d’annulation des momentsmagné- tiques
individuels peut avoir le même ordre de gran- deur que latempérature
de Curie-Weiss de mise endésordre de ces moments. En
particulier lorsque Tc
est inférieure à la
température
de Curie-Weiss la transition dephase magnétique
est due à ladisparition
des moments et non à leur mise en désordre. En tout état de cause une
compétition
doit subsister entre les deuxphénomènes qui pourrait expliquer
uncomportement
anormal de lasusceptibilité
enphase paramagnétique.
Cette situation est très différente de la situationplus
usuelle où la densité d’étatsn(E)
varie assez lentement au
voisinage
du niveau de Fermi. Dans ce cas, une élévation detempérature
n’a pas d’effet
appréciable
sur la condition de StonerUn(EF)
>1, qui
est la condition habituelle pourqu’il
existe des moments
magnétiques
individuels non nuls dans les métaux. La transition dephase magnétique
est alors due à une mise en désordre de ces moments
magnétiques
individuels par élévation de latempéra-
ture, et non à leur
disparition.
5. Instabilité cristalline. - L’étude de la structure
électronique
pour laphase cubique
a mis en évidenceun
système
de bandes étroitestriplement dégénéré.
Il n’en est
plus
de même enphase tétragonale
où lestrois directions
d’espace
ne sontplus équivalentes.
Si le
paramètre
de la maille devient ai dans la direction Ox et a2 dans les deux autresdirections, l’inégalité
de ces deux
paramètres
faitapparaître
des modifica- tions dans la structure des trois sous-bandes associéesaux trois sous-espaces.
Considérons par
exemple
la situationphysique
cor-respondant
àa,la2
> 1. La distance entre atomes estaugmentée
dans la direction Ox parrapport
à ce
qu’elle
était enphase cubique.
Cela se traduit parune décroissance de la valeur absolue des
intégrales
de résonance pour les
couples
d’orbitales(py, d1xy)
et(pz, d;z)
dont l’axe de recouvrement estparallèle
àOx ;
nous
appellerons Pl
cesintégrales.
Au contraire la distance entre atomes est diminuée dans les deux autres directions. Il en résulte un accrois- sement des
intégrales
de résonance pour lescouples
d’orbitales
(px, d2yx), (px, dix), (py, dzy)
et(pz, d2yz)
dontl’axe de recouvrement est
perpendiculaire
à l’axe Oxde la
déformation ;
nousappellerons
cesintégrales.
Ainsi le cas
alla2
> 1correspond
àfil/fl2
l.Si,
enpremière approximation,
nousnégligeons
la
perturbation apportée
par la distorsion du réseau àl’énergie
des étatsélectroniques
des atomes d’azoteet de
manganèse,
les modifications de structure des trois sous-bandes sont seulement dues aux variations des termes de recouvrement. Cetteapproximation
peut être
justifiée
par le fait que la variation des inté-grales
de type a estcompensée
aupremier
ordre par les variations despotentiels
internucléaires.Seules la
largeur
des différentes sous-bandes et laposition
dessingularités
dans la densité d’états sont affectées par la distorsion du réseau. Un calcul de la structure de bandeanalogue
à celui effectué pour laphase cubique
donne pour chacun des trois sous-espaces
Syz, Szx, Sxy
les relations dedispersions
res-pectives :
.1
pour la sous-bande associée au sous-espace
SyZ,
pour la sous-bande associée au sous-espace
Szx,
pour la sous-bande associée au sous-espace
Sxy.
Les densités d’états
électroniques
associées à cesrelations de
dispersion
ont desexpressions approchées analogues
àl’expression (10)
enphase cubique,
soit :pour les sous-bandes associées à
Szx
etSxy qui
concer-nent des
plans
d’atomesparallèles
à l’axe OX de la déformationquadratique,
etpour la sous-bande associée à
Syz qui
concerne desplans
d’atomesperpendiculaires
à OX.Dans ces
expressions
nous avonsposé
La densité d’états pour la
phase tétragonale
1325
présente
deux fortessingularités
pour les valeursE’
etE"
del’énergie (Fig. 9).
Le passage de laphase cubique
à laphase tétragonale
se traduit donc par unelevée
partielle
de latriple dégénérescence
de lasingu-
larité
logarithmique d’énergie Eo qui
sedécompose
en deux
singularités d’énergies respectives Eb et E"
La
figure
9b montre la nouvelle structure de bandequi
résulte de la distorsionquadratique
pour le casalla2 >
1. Dans ce cas nous avonsEb Eo E"
puisque Pl P P2.
Si nous considérons la situation
physique
corres-pondant
àa 1la2 1, la
structure de bandeprécé-
dente est
inversée,
soitP2 P fli
etFo Eo E’ 0 (Fig. 9c).
1
FIG. 9. - Structure de la bande diI - p associée à E+(k) en phase cubique (a) et en phase tétragonale pour alla2 > 1 (b) et
alla2 1 (c).
Les modifications
qui
interviennent dans la struc- ture de bande lors duchangement
dephase cubique tétragonale
se traduisent par une nouvellerépartition
des électrons dans la bande
dII-p.
Il en résulte unevariation de
l’énergie
libre dusystème qui
peut être nonnégligeable
si le niveau de Fermi est très voisin de lasingularité
de la densité d’états. Une instabilité électro-nique
dutype
Jahn Teller permet alorsd’expliquer
la transition de
phase
cristalline[7].
En effet la levéede la
dégénérescence qui
résulte de la distorsion cristallinedécompose
lepic
de densité d’états en deuxpics,
l’und’énergie plus
basse et l’autred’énergie plus
élevée
(Fig. 9). Lorsque
lepic
initial n’est quepartielle-
ment
occupé,
les électronsqu’il
contientpeuvent,
à basse
température,
être tous transférés vers lepic d’énergie plus basse ;
il en résulte alors un abaissement del’énergie
à bassetempérature, qui
favorise ladistorsion cristalline.
Lorsque
latempérature
s’élèveune
partie
des électrons est transférée vers lepic d’énergie plus
élevée(Fig. 9b, 9c) ;
il en résulte unaccroissement de
l’énergie
libre de laphase quadra- tique
par élévation de latempérature.
Au-delà d’une certainetempérature critique
laphase cubique
peut redevenirplus
stable que laphase quadratique.
Une étude
plus
détaillée serapubliée
ultérieurement.APPENDICE A
L’effet du
champ
cristallin sur les atomes de manga- nèse est limité à l’effet des atomespremiers
et secondsvoisins. Le
potentiel
cristallin estdéveloppé
au secondordre,
ainsi pour l’atomeMn3 :
où q, q’, if’
sont lescharges
effectives attribuéesrespectivement
aux atomes du métalM,
aux atomes demanganèse
et aux atomes d’azote. a est leparamètre
de la maille
cubique
etl’origine
des coordonnées estprise
au coeur de l’atomeMn3 (Fig. 1).
L’effet du terme
V2
est de leverpartiellement
ladégénérescence
des états d de l’atomeMn3 ;
le calculdes
intégrales
du typeappliqué
à ces états avecYR - Yn
= V conduit auxrésultats suivants :
J est
positif
et laposition
relative des niveaux ato-miques
de l’atome demanganèse
dans le solidedépend
du
signe
del’expression (q - q’ -
2/ q").
Si l’on admet une
charge effective q positive
sur lesions
métalliques supérieure
à lacharge q’ portée
par le
manganèse,
les résultatsexpérimentaux qui
attribuent à l’atome
d’azote,
unecharge comprise
entre 0 et -
1,
conduisent au schéma de lafigure
3pour la
position
relative enénergies
des états d desatomes de
manganèse.
APPENDICE B
L’intégrale elliptique
depremière espèce
admet un
développement
de la formeLe
premier
terme de cedéveloppement
constitueune bonne
approximation
deK(E)
poury(E)
voisinde 1 c’est-à-dire
pour
voisin dessingularités
deVan Hove
correspondant
auxénergies E2
etE2.
En utilisant pour
y(E)
la relation(7), l’expression approchée
deK(E)
a pour formeBibliographie [1] MADAR, R., Thèse C.N.R.S., Paris (1970).
[2] BARBERON, M., Thèse C.N.R.S., Paris (1973).
[3] FRUCHART, D., BERTAUT, E. F., LE CLERC, B., LE DANCKHOÏ, VEILLET, P., LORTHÏOIR, G., FRUCHART, E. et FRUCHART, R., J. Solid State Chem. 8 (1973) 182;
FRUCHART, D.; BERTAUT, E. F., MADAR, R. et FRUCHART, R., J. physique Colloq. 32 (1971) C 1-876.
[4] FRUCHART, R., MADAR, R., BARBERON, M., FRUCHART, E. et
LORTHÏOIR, G., J. Physique Colloq. 32 (1971) C1-982.
[5] FRUCHART, E., LORTHÏOIR, G. et FRUCHART, R., C. R. Hebd,
Séan. Acad. Sci. C 275 (1972) 1415.
[6] NAGAKURA, S. et OTSUKA, N., International Crystallography Conference, Melbourne, Australia, August 1974.
[7] LABBÉ, J. et FRIEDEL, J., J. Physique 27 (1966) 153.
[8] ABÉ, H., MATSUURA, M., HIRAI, A., HARUNA, J., MEKATA, M.,
J. Phys. Soc. Japon 22 (1967) 558.
[9] GAUTIER, F., Ecole d’été de Royan, 1971.