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Figures de croissance du sulfure de cadmium de synthèse

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Figures de croissance du sulfure de cadmium de synthèse

A.R. Weill

To cite this version:

(2)

FIGURES DE CROISSANCE DU SULFURE DE CADMIUM DE

SYNTHÈSE

Par Mme A. R.

WEILL,

Ingénieur contractuel

des Constructions et armes navales.

LE JOURNAL DE PHYSIQUE ET LE RADIUM. TOME

1:1,

NOVEMBRE

UI;)~,

PAGE ÎÙ17.

L’examen des

figures

de croissance du sulfure de

cadmium,

préparé

par voie

synthétique

au

Labora-toire de

Physique

du Professeur Léauté à

l’École

Polytechnique

nous a amené à faire des

rapproche-ments entre la

morphologie

de ces cristaux et ceux

de

beryllium

ou de titane

préparés

par voie

électro-lytique.

En

effet,

si nous examinons au

microscope

par

Fig.

i. -

Plaquette hexagonale

de sulfure de cadmium portant des pyramides

tronquées

à six pans ( X ~

io80).

réflexion sous de3

grossissements

de 5oo à 1000

ou

i5oo,

soit les faces

planes

hexagonales

des cris-taux

agglomérés,

soit les

plaquettes

de même forme

déposées

sur les

paillettes,

il

apparaît

toujours

une ou

plusieurs pyramides

à six pans terminées par un

plateau

hexagonal

( fig.

i).

On trouve

également

parmi

les cristaux de

synthèse

longues

aiguilles

à six pans,

parfois

perpendiculaires

aux tablettes

hexagonales.

Pour tenter

d’expliquer

ces formes

cristallines,

on ne

peut

manquer de

penser

au processus de

crois-sance fondé sur le rôle des dislocations en

hélice,

dont

Burton,

Cabrera et Frank ont donné l’étude

quantitative

[11.

Même si nous n’avons pas réussi

jusqu’ici

à faire

apparaître

la

spirale

élémentaire,

les

rapprochements

qui

s’imposent

suffisent à montrer

l’application

de cette théorie au cas

qui

nous occupe.

En

effet,

d’une

part Jaeger

[2]

obtient par

électro-lyse

de chlorures fondus une série de cristaux de

beryllium

dont les

aspects :

plaquettes

hexagonales,

aiguilles plus

ou moins

pyramidales

à six pans,

pavés

de

figures hexagonales,

sont en bien des

points

identiques

ou

analogues

aux cristaux de sulfure de cadmium obtenus par réaction à haute

température

des vapeurs de soufre et de cadmium.

D’autre

part,

les travaux de

Steinberg [3]

sur le titane

électrolytique

montrent non seulement des

figures

de croissance

hexagonales

tout à fait compa-rables aux

précédentes,

mais encore des

spirales

élémentaires au centre de celles-ci : leur enroule-ment

caractéristique

prouve l’intervention du méca-nisme de Frank dans le processus de croissance. Le

départ

de la

spirale apparaît

dans ces

figures

hexagonales

comme celui que nous avons observé dans les

plaquettes triangulaires

de l’alumine

[4].

La théorie de

Burton,

Cabrera et Frank a

déjà

fait

l’objet

de très nombreuses confirmations

[5], [6], [7], [8]

par des méthodes variées et à différentes

échelles,

on voit ici un

exemple

saisissant de la

parenté

entre la croissance

ménagée

de cristaux

métalliques

et celle de cristaux

homopolaires

obtenus dans des conditions bien différentes.

[1]

BURTON K., CABRERA N. et FRANK F. C. -

Trans. Roy. Soc. A., 243, ~99.

[2]

JAEGER G. - ;~. IVIetallkuiide,

19’50, 41, ’)43.

[3]

STEINBERG. 2013 Nature

(sous presse).

[4]

iiiEiLL A. R. - C. 1?. Acad. Sc., rg5.~, 235,

[5]

FRANK F. C. -- Phil. Mag.,

1952,

Suppl. 1, QI.

[6]

VERMA A. R. Phil. 1Bilang., 1 g5?, 43, ~

[7]

AMELINCK S. -- C;. R. Acad. Sc.,

1952, 234, Pliil. Maag., 93 ), 43, 5~) ’.

[81

FORTY A. J. -- Phil.

Mag.,

1902,

43,

Manuscrit reçu 1 c fi septembre

1 0J ).

MODULATION DE LA CONDUCTANCE

D’UN SEMI-CONDUCTEUR PAR UN CHAMP

ÉLECTRIQUE

Par P.

AIGRAIN,

J. LAGRENAUDIE

et G.

LIANDRAT,

Laboratoire de

Physique

E. N. S.

En

1935,

l’un d’entre nous

[1]

avait

prévu

que la conductance d’une mince couche semi-conductrice

pouvait

être modulée par un

champ électrique

normal à la surface. En

effet,

la

charge électrique

induite à la surface du semi-conducteur est

due,

soit à une

augmentation,

soit à une diminution du nombre de

porteurs

libres au

voisinage

de la

surface,

selon le

signe

de la

charge

de ces

porteurs

(-

pour des

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