Étude d'un faisceau de plasma de synthèse

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Submitted on 1 Jan 1965

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Étude d’un faisceau de plasma de synthèse

G. Spiess

To cite this version:

G. Spiess. Étude d’un faisceau de plasma de synthèse. Journal de Physique, 1965, 26 (8-9), pp.448-448.

�10.1051/jphys:01965002608-9044800�. �jpa-00205994�

448.

ÉTUDE D’UN FAISCEAU DE PLASMA DE SYNTHÈSE

Par G. SPIESS,

Centre d’Études Nucléaires de Saclay, ^{Service de} Physique Appliquée.

Résumé. 2014 Un plasma ^de synthèse ^est constitué par ^un faisceau d’ions neutralisé _par injection

d’électrons thermoioniques. ^{Le milieu est} microscopiquement ^neutre (n-

n+) ^et le courant total transporté ^{est nul} (j- = j+),

déduit que les vitesses moyennes ^des ions et des élec- trons sont égales (v+

v-). ^Les collisions binaires sont négligeables, ^le champ électromagnétique

extérieur est nul.

Les paramètres fondamentaux de

plasma ^{sont connus et} ajustables par réglage ^{de la} décharge

dans la source ionique. ^Ces propriétés spécifiques ^offrent

plasmas ^de synthèses de nombreuses

possibilités d’études de base parmi lesquelles

d’abord retenu la formation d’une insta- bilité longitudinale ^de type double-faisceau par création d’une vitesse relative électrons-ions. De nombreux recoupements ^entre la théorie et l’expérience éclairent le mécanisme d’amplification qui résulte d’un transfert de l’énergie cinétique ^{des électrons}

bénéfice du champ électrique ^de

l’onde. Enfin, l’influence des collisions électrons-neutres

l’amortissement de l’onde a été mise

en

évidence par injection d’hydrogène moléculaire dans le plasma.

LE

JOURNAL

PHYSIQUE

26, AOUT-SEPTEMBRE 1965,

OSCILLATIONS ET DISTRIBUTION NON MAXWELLIENNE DES ÉLECTRONS DANS ^UN PLASMA DE CÉSIUM

Par J. B. MOREAU,

Conservatoire National des Arts et Métiers et Compagnie Française Thomson-Houston.

Résumé. 2014 Nous

construit une diode à plasma ^de césium munie d’une sonde plane.

Nous

mis

évidence

inversion du signe ^des gaines

^niveau de l’émetteur ou du collecteur suivant le point ^de fonctionnement de la diode. Si la gaine

^{niveau de} l’émetteur est

électronique, la distribution des électrons est maxwellienne. Si la gaine ^est ionique, ^des oscillations apparaissent ainsi que deux groupes d’électrons de vitesses différentes.

Abstract. 2014 We have developed

^caesium plasma ^with

Langmuir probe incorporated. ^{We have}

been able to show

inversion of the sign ^{of the sheaths at the collector}

^at the emitter depen- ding

^{the diode} working point position. ^{When the sheath at} the emitter is electronic, ^{the elec-}

tron distribution is Maxwellian. When the sheath is ionic, oscillations appear

well

two groups of electrons having différent velocities.

LE JOURNAL DE

PHYSIQUE

26, AOUT-SEPTEMBRE 1965,

Nous ^avons construit une diode de géométrie plane munie d’une sonde de Langmuir. ^L’6metteur

en tantale de 10 mm de diam6tre est situe a 5 mm

du collecteur. Celui-ci est perc6 ^{en son centre d’un}

trou par lequel p6n6tre ^{une sonde} plane ^en tung-

st.ene de 0,3 ^{mm de} diam6tre. L’enceinte c6ramique-

metal contient du cesium dont la pression ^de

vapeur ^est déterminée par la temperature ^d’un

reservoir mesur6e par ^un thermocouple. ^La temp6-

rature de 1’emetteur de l’ordre de 2 000 OK est d6duite des valeurs du courant de saturation élec-

tronique ^{mesure avant} l’introduction du cesium.

Cette temperature determine le taux d’ionisation de la vapeur de cesium ^sur la surface de 1’emet- teur [1].

Nous avons relev6 des caractéristiques ^I I(Y)

de la diode pour differentes temperatures ^du

cesium. Pour chacune de ces caractéristiques ^de diode, nous avons trace un reseau de caracteris-

tiques ^{de sonde en} différents points de fonction- nement de la diode. Le tableau suivant indique ^les

valeurs des différents param6tres ^du plasma ^d6duits

de ces mesures de sonde lorsque ^la pression ^de

vapeur du cesium est voisine de 10-2 torr,

Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/jphys:01965002608-9044800