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Nous avons calculé pour toutes les combinaisons utilisées dans le codopage l’énergie totale pour les deux configurations parallèle et antiparallèle entre les spins des impuretés, nous avons déduit que l’état ferromagnétique (FM) est plus stable que l’état antiferromagnétique (AFM). Les densités d’états totales et partielles calculées montrent que ces systèmes sont demi- métal, cette demi-metallicité peut évaluer à partir de l’évolution de degré d’oxydation des dopants dans la structure hôte, cela peut nous donner des renseignements sur la vision ionique de telle sorte si il y a un transfert de charge entre les impuretés. Cette donnée est intéressante pour comprendre l’origine du ferromagnétique dans les oxydes magnétiques doublement dopés. Le succès du dopage double de TiO2 et SnO2 rutile apparait clairement dans l’optimisation

de la structure électronique et la phase magnétique de telle sort à savoir plusieurs avantages par rapport à la traditionnelle simple impureté :

- Pour tous les codopages la densité d’états permet de bien visualiser que les spins majoritaires et les spins minoritaires localisés dans le gap de la bande interdite, ce qui indique que la double impureté ne conduit pas à la distorsion de la nature de semi- conducteur hôte.

- Le caractère demi-métallique est favorisé avec une polarisation 100% des spin- majoritaire au niveau de Fermi.

- la possibilité d’éviter les lacunes en oxygène qui peut être conduit à la distorsion de la nature du matériau, Il peut être possible que la double impureté forment avec l’oxygène un complexe M1-O-M2 de large dimension donne une section efficace de diffusion plus

élevée.

- Le moment magnétique de tous les systèmes étudiés est suffisamment large.

- La double impureté est fortement couplée aux porteurs de charge, c’est-à-dire le couplage entre deux spins traduit l’action exercée sur le second spin par les porteurs qui ont été orientés par le premier spin.

La combinaison de tous ces aspects dans un oxyde semi-conducteurs dopé avec double impureté améliorent la qualité du matériau de tel sort qu’il devient très importante pour la fabrication de dispositifs de spintronique.

Une autre propriété magnétique souhaitable dans la fabrication des microscopies à effet tunel polarisé en spin est apportée à TiO2 rutile dopé doublement par Mo et OS et à la double pérovskite

Sr2FeMoO6 en substituant l’atome de Fer par Os. C’est la propriété demi-métal antiferromagnétique.

Ces matériaux demi-métaux antiferromagnétiques permettent de caractériser à une échelle sub-atomique la forme et l’état électronique des nanostructures.

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Dans l’ordre de faire une bonne description de la structure électronique de Sr2OsMoO6, on

réalise une étude avec le calcul GGA+U en traitant U comme un paramètre libre variant sur un intervalle de valeurs entre 2.040 eV et 4.08 eV. Ce paramètre prend par considération la corrélation entre les électrons des orbitales d. Les paramètres U et J sont appliqués uniquement aux orbitales 5d d’Os. Les propriétés magnétiques et la demi-métallicité antiferromagnétique du système sont bien conservées. Par conséquent, le mécanisme de super-échange entre le moment de spin d’Os et le moment intrinsèque du Mo est beaucoup plus faible pour parvenir à l’alignement antiparallèle du moment d’Os et du Mo. En effet, il est plus ou moins impossible de distinguer les deux mécanismes super-échange et double échange dans ce cas. Cependant, on peut faire l’hypothèse qu’un mécanisme de type double échange est plus fort que super- échange. Ainsi, provoquant un arrangement antiferromagnétique.

135

[1] A. Barthélémy, A. Fert, and F. Petroff. Giant magnetoresistance in magnetic multilayers. Handbook of Magnetic materials, 12 1 (1999).

[2] Y. Evgeny, O. Tsymbal, N. Mryasov, and P. LeClair. Spin-dependent tunnelling in magnetic tunnel junctions. J. Phys. Condens. Matter, 15 R109 (2003).

[3] D. D. Awschalom, D. Loss, and N. Sarmath. Semiconductor spintronics and quantum computation. NanoScience and Technology. (2002).

[4] S. Datta and B. Das. Appl. Phys. Lett., 56 665 (1990).

[5] S. Das Sarma. Spintronics. American Scientist, 89 516 (2001).

[6] W. Prellier, A. Fouchet, and B. Mercey. Oxide-diluted magnetic semiconductors: a review of the experimental status. J. Phys. Condens. Matter, 15 R1583 (2003).

[7] P. Wachter. The optical electrical and magnetic properties of the europium chalcogenides and the rare earth pnictides. Solid State Sciences, page 189 (1972).

[8] H. Munekata, H. Ohno, S. von Molnar, Armin Segmüller, L. L. Chang, and L. Esaki. Diluted magnetic III-V semiconductors. Phys. Rev. Lett., 63 1849 (1989).

[9] H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, and Y. Iye. GaMnAs : A new diluted magnetic semiconductor based on GaAs. Appl. Phys. Lett., 69 363 (1996). [10] H. Ohno, H. Munekata, T. Penney, S. von Molnar, and L.L. Chang. Phys. Rev. Lett., 68 2664 (1992).

[11] H Ohno, D Chiba, F Matsukura, T Omiya, E Abe, T Dietl, Y Ohno, and K Ohtani. Electric- field control of ferromagnetism. Nature, 408 944 (2000).

[12] R. Fiederling, M. Keim, G. Reuscher, W. Ossau, G. Schmidt, A. Waag, and L. W. Molenkamp. Nature (London), 402 787 (1999).

[13] C. Rüster, T. Borzenko, C. Gould, G. Schmidt, L.W. Molenkamp, X. Liu, T.J. Wojtowicz, J.K. Furdyna, Z.G. Yu, and M.E. Flatté. Very large magnetoresistance in lateral ferromagnetic (Ga,Mn)As wires with nanoconstrictions. Phys. Rev. Lett., 91 216602 (2003).

[14] K. Y. Wang, R. P. Campion, K. W. Edmonds, M. Sawicki, T. Dietl, C. T. Foxon, and B. Gallagher. Magnetism in (Ga,Mn)As thin _lms with Tc up to 173k. 27th Int. Conf. on Phys. of Semicon., Flagstaff, AZ, USA, page 333 (2004).

136

[15] A. M. Nazmul, T. Amemiya, Y. Shuto, S. Sugahara, and M. Tanaka. High temperature ferromagnetism in GaAs-based heterostructures with Mn delta doping. Condmat / 0503444v1 (2005).

[16] T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand. Zener model description of ferromagnetism zinc-blende magnetic semiconductors. Science, 287 (2000).

[17] Sanvito S., O. Pablo, and Hill N. First-principles study of the origin and nature of ferromagnetism in Ga1−xMnxAs. Phys. Rev. B, 63 165206 (2001).

[18] Dietl T, Ohno H, Matsukura F, Cibert J et Ferrand D, « Zener Model Description of Ferromagnetism in Zinc-Blende Magnetic Semiconductors », Science, 287(5455), 1019–1022 (2000)

[19] Matsumoto Y, Murakami M, Shono T, Hasegawa T, Fukumura T, Kawasaki M, Ahmet P, Chikyow T, Koshihara S y et Koinuma H, « Room-Temperature Ferromagnetism in Transparent Transition Metal-Doped Titanium Dioxide », Science, 291(5505), 854–856 (2001) [20] Ueda K, Tabata H et Kawai T, « Magnetic and electric properties of transitionmetal- doped ZnO films », Applied Physics Letters, 79, 988 (2001)

[21] Wang Z, Wang W, Tang J, Tung L D, Spinu L et Zhou W, « Extraordinary hall effect and ferromagnetism in Fe-doped reduced rutile », Applied Physics Letters, 83(3), 518–520 (2003) [22] Hong N H, Sakai J, Prellier W, Hassini A, Ruyter A et Gervais F, « Ferromagnetism in transition-metal-doped TiO2 thin films », Physical Review B, 70(19), 195204 (2004)

[23] Ogale S B, Choudhary R J, Buban J P, Lofland S E, Shinde S R, Kale S N, Kulkarni V N, Higgins J, Lanci C, Simpson J R, Browning N D, Das Sarma S, Drew H D, Greene R L et Venkatesan T, « High temperature ferromagnetism with a giant magnetic moment in transparent Co-doped SnO2-δ », Physical Review Letters, 91(7), 077205 (2003)

[24] Hong N, Sakai J, Prellier W et Hassini A, « Transparent Cr-doped SnO2 thin films : ferromagnetism beyond room temperature with a giant magnetic moment », Journal of Physics : Condensed Matter , 17(10), 1697–1702 (2005)

[25] Fitzgerald C B, Venkatesan M, Dorneles L S, Gunning R, Stamenov P, Coey J M D, Stampe P A, Kennedy R J, Moreira E C et Sias U S, « Magnetism in dilute magnetic oxide thin films based on SnO2 », Physical Review B, 74(11), 115307 (2006)

[26] Boilot J P, Chimie du solide, ´Ecole Polytechnique, 1999 éd.

[27] Rode K, Contribution à l’étude des semiconducteurs ferromagnétiques : Cas des films minces d’oxyde de zinc dopé au cobalt, Thèse de doctorat, Université Paris XI (2006)

137

[29] V. Eyert, The Augmented Spherical Wave Method – A Comprehensive Treatment, Lect. Notes Phys. 719, Springer, Berlin Heidelberg (2007).

[30] A. Fakhim Lamrani, M. Belaiche , A. Benyoussef , A. ElKenz , E.H. Saidi Exchange mechanism of half-metallic ferromagnetism of TiO2 doped with double impurities: A first- principles ASW study Journal of Magnetism and Magnetic Materials 322 (2010) 454–458 [31] A. Fakhim Lamrani , M. Belaiche , A. Benyoussef , A. ElKenz , E.H. Saidi First-principles study of electronic structure and magnetic properties of doped SnO2 (rutile) with single and double impurities Journal of Magnetism and Magnetic Materials 323 (2011) 2982–2986 [32] A. Fakhim Lamrani , M. Belaiche , A. Benyoussef , A. ElKenz , E.H. Saidi Ferromagnetism In Mo-doped TiO2 Rutile from Ab Initio Study J Supercond Nov Magn DOI 10.1007/s10948- 011-1317-z

[33] A. Fakhim Lamrani, M. Ouchri, A. Benyoussef, M. Belaiche and M. Loulidi Half metallic antiferromagnetic behavior of double perovskite Sr2OsMoO6: First principle calculations.

Journal of Magnetism and Magnetic Materials 345 (2013) 195–200.

[34] A. Fakhim Lamrani, M. Belaiche, A. Benyoussef and A. El Kenz Half-metallic behaviour in doped TiO2 (rutile) with double impurities: ab initio caclculation. Phase Transitions, 2013

Vol. 86 No. 12, 1178-1185.

[35] A. Fakhim Lamrani, M. Belaiche, A. Benyoussef, and El Kenz Electronic structures and ferromagnetism of SnO2 (rutile) doped with double-impurties: First-principal calculations Journal of Applied Physics 115, 013910 (2014); doi: 10.1063/1.4852475

[36] A. Fakhim Lamrani , M. Ouchri , M. Belaiche , A. El Kenz , M. Loulidi , A. Benyoussef Halfmetallic antiferromagnetic behavior in doped TiO2 rutile with double impurities (Os, Mo) from ab initio calculations. Thin Solid Films 570 (2014) 45–48

[37] A. Fakhim Lamrani, M. Ouchri, M. Belaiche, A. El Kenz, M. Loulidi, A. Benyoussef The effect of fluorine doping on electronic and magnetic properties of Os-doped TiO2 rutile phase from ab initio calculation. submitted to Chinese Physics B.

[38] A. Fakhim Lamrani, M. Ouchri, M. Belaiche, A. El Kenz, M. Loulidi, A. Benyoussef Half metallic ferromagnetism semiconductors of TiO2 Rutile doped with doubles impurities (V,Tc):

First principle calculations. submitted to Journal of Materials Science.

[39] Fukumura T, Yamada Y, Toyosaki T, Hasegawa T, Koinuma H and Kawasaki M 2004 Exploration of oxide-based diluted magnetic semiconductors toward transparent spintronicsAppl. Surf. Sci. 223 62–7

138

[40] A. Szabo et N.S. Ostlund, Modern Quantum Chemistry: Introduction to Advanced Electronic Theory, Ed. McGraw-Hill, New York (1989).

[41] L. H. Thomas, Proc. Cambridge Philos. Soc. 23 (1927) 542.

[42] E. Fermi, Z. Phys. 48 (1928) 73.

[43] W. Kohn et L. J. Sham, Phys. Rev. 140 (1965) A1133.

[44] M. Born et R. Oppenheimer, Ann. Phys. (Leipzig) 84 (1927) 457.

[45] J. Kurth et J. Perdew, Int. J. Quantum Chemistry 77 (2000) 814.

[46] N. W. Ashcroft et N.D. Mermin, Solid State Physics, Ed. Holt-Saunders, Japan (1981).

[47] D. M. Ceperley et B. J. Alder, Phys. Rev. Lett. 45 (1984) 566.

[48] P. A. M. Dirac, Proc. Cambridge Philos. Soc. 26 (1930) 376.

[49] E. Wigner, Phys. Rev. 46 (1934) 1002.

[50] L. Hedin et B. I. Lundqvist, J. Phys. C 4 (1971) 2064.

[51] U. von Barth et L. Hedin, J. Phys. C 5 (1972) 1629.

[52] S. H. Vosko, L. Wilk et M. Nusair, Can. J. Phys. 58 (1980) 1200.

[53] V. L. Moruzzi, J. F. Janak et A. R. Williams, Calculated Electronic Properties of Metals, Pergamon Press, New York (1978).

[54] J. P. Perdew, Density Functional Theory, Ed. par J. Keller et J. L. Gasquez, Springer- Verlag, Berlin (1983) page 122.

[55] J. P. Perdew, K. Burke et M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 7 (1996) 3865.

[56] W. Kohn et N. Rostoker, Phys. Rev. A 94 (1954) 1111.

[57] J.C. Slater, Quantum Theory of Molecules and Solids - Vol. 2, McGraw-Hill, New York (1965).

[58] V. Eyert, Int. J. Quant. Chem. 77 (200) 1007.

[59] http ://www.physik.uni-augsburg.de/ eyert/aswhome.shtml

139

[61] P. Blaha, K. Schwarz, P. Sorantin et S. B. Trickey, Comp. Phys. Commun. 59 (1990) 399.

[62] E. P. Wigner et F. Seitz, Solid State Physics - Vol. I, Ed. Seitz et Turnbull (1955)

[63] Ohno H, « Making nonmagnetic semiconductors ferromagnetic », Science, 281(5379), 951–956 (1998)

[64] Y.D. Park, A.T. Hanbicki, J.E. Mattson, B.T. Jonker, “Epitaxial growth of an n-type ferromagnetic semiconductor CdCr2Se4 on GaAs (001) and GaP (001)”, Appl. Phys. Lett. 81

(2002), 1471-1473.

[65] R. Goswami, G. Kioseoglou, A.T. Hanbicki, B.T. Jonker, G. Spanos, “Interfacial phase formation during growth of ferromagnetic CdCr2Se4 on AlGaAs and ZnSe/AlGaAs”, Acta

Materialia 55 (2007), 4625-4634.

[66] V. Zestrea, V.Y. Kodash, V. Felea, P. Petrenco, D.V. Quach, Joanna R. Groza ,Vladimir Tsurkan, “Structural and magnetic properties of FeCr2S4 spinel prepared by field-activated

sintering and conventional solid-state synthesis”, J Mater Sci 43 (2008), 660-664

[67] P.G. Steeneken, L.H. Tjeng, I. Elfimov, G.A. Sawatzky, G. Ghiringhelli, N.B. Brookes, D.J. Huang, “Exchange Splitting and Charge Carrier Spin Polarization in EuO ” Phys. Rev. Lett. 88 (2002), 047201-047204.

[68] Matsumoto Y, Murakami M, Shono T, Hasegawa T, Fukumura T, Kawasaki M, Ahmet P, Chikyow T, Koshihara S y et Koinuma H, « Room-Temperature Ferromagnetism in Transparent Transition Metal-Doped Titanium Dioxide », Science, 291(5505), 854–856 (2001) [69] Ueda K, Tabata H et Kawai T, « Magnetic and electric properties of transition metal-doped ZnO films », Applied Physics Letters, 79, 988 (2001)

[70] Wang Z, Wang W, Tang J, Tung L D, Spinu L et Zhou W, « Extraordinary hall effect and ferromagnetism in Fe-doped reduced rutile », Applied Physics Letters, 83(3), 518–520 (2003) [71] Hong N H, Sakai J, Prellier W, Hassini A, Ruyter A et Gervais F, « Ferromagnetism in transition-metal-doped TiO2 thin films », Physical Review B, 70(19), 195204 (2004) [72] Ogale S B, Choudhary R J, Buban J P, Lofland S E, Shinde S R, Kale S N, Kulkarni V N, Higgins J, Lanci C, Simpson J R, Browning N D, Das Sarma S, Drew H D, Greene R L et Venkatesan T, « High temperature ferromagnetism with a giant magnetic moment in transparent Co-doped 𝑆𝑛𝑂2−𝛿 », Physical Review Letters, 91(7), 077205 (2003)

[73] Hong N, Sakai J, Prellier W et Hassini A, « Transparent Cr-doped SnO2 thin films:

ferromagnetism beyond room temperature with a giant magnetic moment », Journal of Physics : Condensed Matter , 17(10), 1697–1702 (2005)

140

[74] Fitzgerald C B, Venkatesan M, Dorneles L S, Gunning R, Stamenov P, Coey J M D, Stampe P A, Kennedy R J, Moreira E C et Sias U S, « Magnetism in dilute magnetic oxide thin films based on SnO2 », Physical Review B, 74(11), 115307 (2006)

[75] Prellier W, Fouchet A, Mercey B, Simon C et Raveau B, « Laser ablation of co: ZnO films deposited from zn and Co metal targets on (0001) Al2O3 substrates », Applied Physics Letters,

82(20), 3490–3492 (2003)

[76] Venkatesan M, Fitzgerald C B, Lunney J G et Coey J M D, « Anisotropic ferromagnetism in substituted zinc oxide », Physical Review Letters, 93(17), 177206 (2004)

[77] Buchholz D B, Chang R P H, Song J H et Ketterson J B, « Room-temperature ferromagnetism in Cu-doped ZnO thin films », Applied Physics Letters, 87(8), 082504 (2005) [78] Kittilstved K R, LiuW K et Gamelin D R, « Electronic structure origins of polaritydependent high-TC ferromagnetism in oxide-diluted magnetic semiconductors », Nature Materials, 5(4), 291–297 (2006)

[79] Hong N H, Poirot N et Sakai J, « Evidence for magnetism due to oxygen vacancies in Fe- doped HfO2 thin films », Applied Physics Letters, 89(4), 042503 (2006)

[80] Philip J, Theodoropoulou N, Berera G, Moodera J S et Satpati B, « High temperature ferromagnetism in manganese-doped indium–tin oxide films », Applied Physics Letters, 85(5), 777–779 (2004)

[81] He J, Xu S, Yoo Y K, Xue Q, Lee H C, Cheng S, Xiang X D, Dionne G F et TakeuchiI, « Room temperature ferromagnetic n-type semiconductor in (𝐼𝑛1−𝑥𝐹𝑒𝑥)2𝑂3−𝜎 »,Applied Physics Letters, 86(5), 052503 (2005)

[82] Philip J, Punnoose A, Kim B I, Reddy K M, Layne S, Holmes J O, Satpati B, LeClair P R, Santos T S et Moodera J S, « Carrier-controlled ferromagnetism in transparent oxide semiconductors », Nature Materials, 5(4), 298–304 (2006)

[83] Hong N H, Sakai J, Huong N T, Ruyter A et Briz´e V, « Magnetism in transitionmetal- doped In2O3 thin films », Journal of Physics : Condensed Matter , 18(29), 6897–6905 (2006)

[84] Peleckis G, Wang X et Dou S X, « High temperature ferromagnetism in Ni-doped In2O3

and indium-tin oxide », Applied Physics Letters, 89(2), 022501 (2006)

[85] Stankiewicz J, Villuendas F et Bartolome J, « Magnetic behavior of sputtered codoped indium-tin oxide films », Physical Review B, 75(23), 235308 (2007)

[86] Tiwari A, Bhosle V M, Ramachandran S, Sudhakar N, Narayan J, Budak S et Gupta A, « Ferromagnetism in Co doped CeO2 : Observation of a giant magnetic moment with a high Curie

141

[87] Vodungbo B, Zheng Y, Vidal F, Demaille D, Etgens V H et Mosca D H, « Room temperature ferromagnetism of Co doped CeO2-δ diluted magnetic oxide : Effect of oxygen and

anisotropy », Applied Physics Letters, 90(6), 062510 (2007)

[88] Thurber A, Reddy K M et Punnoose A, « High-temperature magnetic-field-induced activation of room-temperature ferromagnetism in Ce1−xNixO2 », Journal of Applied Physics,

101(9), 09N506 (2007)

[89] Boilot J P, Chimie du solide, Ecole Polytechnique, 1999 .

[90] Rode K, Contribution a l’étude des semiconducteurs ferromagnétiques : Cas des films minces d’oxyde de zinc dopé au cobalt, Thèse de doctorat, Université Paris XI (2006)

[91] Roth W L, « Magnetic structures of MnO, FeO, CoO, and NiO », Physical Review, 110(6), 1333–1341 (1958)

[92] Kramers H, « L’interaction entre les atomes magnétogènes dans un cristal paramagnétique », Physica, 1(1-6), 182–192 (1934)

[93] Anderson P W, « Antiferromagnetism. Theory of superexchange interaction », Physical Review, 79(2), 350–356 (1950)

[94] Nagamiya T, Yosida K et Kubo R, « Antiferromagnetism », Advances in Physics, 4(13), 1112 (1955)

[95] Wollan E O et Koehler W C, « Neutron diffraction study of the magnetic properties of the series of perovskite-type compounds [(1−x)La,xCa]MnO3 », Physical Review, 100(2), 545–

563 (1955)

[96] Millis A J, « Orbital ordering and superexchange in manganite oxides », Physical Review B, 55(10), 6405–6408 (1997)

[97] Day P, Hutchings M, Janke E et Walker P, « Co-operative Jahn–Teller ordering in the crystal structure of Rb2CrCl4 : a two-dimensional easy-plane ionic ferromagnet », Journal of the

Chemical Society, Chemical Communications, 1979(16), 711–713 (1979)

[98] Kanamori J, « Superexchange interaction and symmetry properties of electron orbitals », Journal of Physical Chemistry of Solids, 10, 87 (1959)

[99] Goodenough J B, Wold A, Arnott R J et Menyuk N, « Relationship between crystal symmetry and magnetic properties of ionic compounds containing Mn3XS+ », Physical Review, 124(2), 373–384 (1961)

[100] Jonker G et Van Santen J, « Ferromagnetic compounds with manganese and perovskites structure », Physica, 16(3), 337–349 (1950)

[101] Zener C, « Interaction between the d-shells in the transition metals. ii. Ferromagnetic compounds of manganese with perovskite structure », Physical Review, 82(3), 403–405 (1951)

142

[102] Anderson P W et Hasegawa H, « Considerations on double exchange », Physical Review, 100(2), 675–681 (1955)

[103] de Gennes P G, « Effects of double exchange in magnetic crystals », Physical Review, 118(1), 141–154 (1960)

[104] Mauger A et Godart C, « The magnetic, optical, and transport properties of representatives of a class of magnetic semiconductors : The europium chalcogenides »,Physics Reports, 141(2-3), 51–176 (1986)

[105] Schliemann J, Konig J et MacDonald A H, « Monte carlo study of ferromagnetism in (III,Mn)V semiconductors », Physical Review B, 64(16), 165201 (2001)

[106] Sandratskii L M et Bruno P, « Exchange interactions and curie temperature in (Ga,Mn)As », Physical Review B, 66(13), 134435 (2002)

[107] Bouzerar R, Bouzerar G et Ziman T, « Why RKKY exchange integrals are inappropriate to describe ferromagnetism in diluted magnetic semiconductors », Physical Review B, 73(2), 024411 (2006)

[108] Kaminski A et Das Sarma S, « Polaron percolation in diluted magnetic semiconductors », Physical Review Letters, 88(24), 247202 (2002)

[109] Coey J M D, Venkatesan M et Fitzgerald C B, « Donor impurity band exchange in dilute ferromagnetic oxides », Nature Materials, 4(2), 173–179 (2005)

[110] Kikoin K et Fleurov V, « Superexchange in dilute magnetic dielectrics : Application to (Ti,Co)O2 », Physical Review B, 74(17), 174407 (2006)

[111] Yokoyama M, Yamaguchi H, Ogawa T et Tanaka M, « Zinc-blende-type MnAs nanoclusters embedded in GaAs », Journal of Applied Physics, 97(10), 10D317 (2005)

[112] Martinez-Criado G, Somogyi A, Ramos S, Campo J, Tucoulou R, Salome M, Susini J, Hermann M, Eickhoff M et Stutzmann M, « Mn-rich clusters in GaN : Hexagonal or cubic symmetry ? », Applied Physics Letters, 86(13), 131927 (2005)

[113] Jamet M, Barski A, Devillers T, Poydenot V, Dujardin R, Bayle-Guillemaud P, Rothman J, Bellet-Amalric E, Marty A, Cibert J, Mattana R et Tatarenko S, « High-curie-temperature ferromagnetism in self-organized ge1-xmnx nanocolumns », Nature Materials, 5(8), 653–659 (2006)

[114] Kuroda S, Nishizawa N, Takita K, Mitome M, Bando Y, Osuch K et Dietl T, «Origin and control of high-temperature ferromagnetism in semiconductors », Nature

Materials, 6(6), 440–446 (2007)

[115] Katayama-Yoshida H, Sato K, Fukushima T, Toyoda M, Kizaki H et Dederichs P, « Theory of ferromagnetic semiconductors », Physica Status Solidi A, 204(1), 15–32 (2007)

143

[116] Dietl T, « Origin of ferromagnetic response in diluted magnetic semiconductors and oxides », Journal of Physics : Condensed Matter , 19(165204), 165204 (2007)

[117] P. Bruno, C. Chappert, “Oscillatory coupling between ferromagnetic layers separated by a nonmagnetic metal spacer”, Phys. Rev. Lett. 67 (1991), 2592-2592.

[118] R. Skomski, J. Zhou, J. Zhang, and D. J. Sellmyer , “Indirect exchange in dilute magnetic semiconductors”. J. Appl. Phys. 99 (2006), 08D504.1-08D504.3.

[119] R.R. Dos Santos, L.E. Oliveira, J.D’Albuquerque E Castro, "Hole concentration in a diluted ferromagneic semiconductor", J. Phys : Condens. Matter 14 (2002), 3751-3757.

[120] J. Coey, M. Venkatesan, C. Fitzgerald, “Donor impurity band exchange in dilute ferromagnetic oxides”, Nature Materials 4 (2005), 173-179.

[121] T. Hahn, ed., International Tables for Crystallography, Vol. A (Kluwer Academic Publishers, Dordrecht/Boston/London, 1996).

[122] J. Burdett, T. Hughbanks, G. Miller, J. Richardson, and J. Smith, Journal of the American Chemical Society 109, 3639 (1987).

[123] L. Gerward and J. S. Olsen, J. Appl. Cryst. 30, 259 (1997).

[124] T. Arlt, M. Bermejo, M. Blanco, L. Gerward, J. Jiang, J. S. Olsen, and J. Recio, Phys. Rev. B 61, 14414 (2000).

[125] J. Muscat, V. Swamy, N. M. Harrison, Phys. Rev. B 65 (2002) 224112.

[126] M. Lazzeri, A. Vittadini, A. Selloni, Phys. Rev. B 63 (2001) 155409.

[127] P. J. D. Lindan, N. M. Harrison, Surf. Sci. 479 (2001) L375-L381.

[128] Giovanni Cangiani These N-2667 Ab-Initio Study of the Properities of TiO2 rutile and

antase polytypes

[129] Gao GY, Yao KL, Liu ZL. First-principles study on magnetism and electronic structure of V-doped rutile TiO2. Phys. Lett. A. 2006;359:523

[130] Pascual J, Camassel J, Mathieu H. Fine structure in the intrinsic absorption edge of TiO2.

Phys. Rev. B. 1978;18:5606

[131] Park MS, Min BI. Ferromagnetism in ZnO codoped with transition metals: Zn1-x(FeCo)xO

144

[132] Gao, GY, Yao KL, Liu ZL, Li YL. Half-metallic ferromagnetism of Cr-doped rutile TiO2: a first-principles pseudopotential study. Physica B. 2006;382:14–16

[133] Gao GY, Yaoa KL, Liu ZL, Zhang J, Li XL, Zhang JQ, Liu N. Magnetism and electronic

structure of Cr-doped rutile image from first-principles calculations. J. Magn. Magn. Mater. 2007;313:210–213

[134] J. Pascual, J. Camassel, H. Mathieu, Phys. Rev. B 18 (1978) 5606.

[135] J. C. Woicik, E. J. Nelson, L. Kronik, M. Jain, J. R. Chelikowsky, D. Heskett, L. E. Berman, and G. S. Herman, Phys. Rev. Lett. 89, 077401 (2002).

[136] Ohasawa T, Matsumoto Y and Koinuma H 2004 Combinatorial investigation of transition metal deposited on antase TiO2 surface Appl. Surf. Sci. 223 84–6

[137] A. Kaminski and S. Das Sarma. Polaron percolation in diluted magnetic semiconductors.

Phys. Rev. Lett., 88 247202 (2002).

[138] C. Zener. Interaction between the d shells in the transition metals. Phys. Rev., 81 440 1951.

[139] C. Zener. Interaction between the d-shells in the transition metals. Calculation of the Weiss factors in Fe, Co, and Ni. Phys. Rev., 83 299 (1951).

[140] Park, M.S., Min, B.I.: Phys. Rev. B 68, 224436 (2003) [141] Batzill, M.; Diebold, U. Prog. Surf. Sci. 2005, 79, 47.

[142] A. A. Bolzan, C.Fong, B. J. Howard, Acta Cryst. B53, 373 (1997)

[143] W. H. Baur and A. A. Khan, Acta Crystallogr., Sect. B Struct. Crystallogr. Cryst. Chem. 27, 2133 (1971).

[144] Gracia, L.; Beltran, A.; Andrés, J. J. Phys. Chem. B 2007,111, 6479

[145] A. Beltran; J. Andrés; J. R. Sambrano; and E. Longo, J. J. Phys. Chem. A 2008,112, 8943-8952

[146] J. M. Themlin, R. Sporken, J. Darville, R. Caudano, J. M. Gilles, and R. L. Johnson, Phys. Rev. B 42, 11914 (1990)

[147] M. A. Maki-Jaskari and T. T. Rantala, Phys. Rev. B 64, 075407 (2001).

[148] J.M. Themlin, R. Sporken, J. Darville, R. Caudano, J.M. Gilles, R.L. Johnson, Phys. Rev. B 42 (1990) 11914

[149] X.L. Wang, Z.X. Dai, Z. Zeng, J. Phys.: Condens. Matter 20 (2008) 045214 [150] Y. Zhang, W. Yang, Phys. Rev. Lett. 80 (1998) 890.

145

[151] Wei Wei , Yinig Dai , Meng Guo , Zhenui Zhang , Baibio Huang . Effects of oxygen vacancy on the magnetic properties of Cr-doped SnO2 Density functional investigation. Journal of solide state

chemistry 183 (2010) 3073-3077

[152] H. van Leuken, R. A. de Groot, Phys. Rev. Lett. 1995, 74, 1171.

[153] R. A. de Groot, Physica B 1991, 172, 45.

[154] W. E. Pickett, Phys. Rev. Lett. 1996, 77, 3185.

[155] W. E. Pickett, Phys. Rev. B 1998, 57, 10613.12

[156] J. H. Park, S. K. Kwon, B. I. Min, Phys. Rev. B 2002, 65, 174401.

[157] D. Kodderitzsch, W. Hergert, Z. Szotek, W. M. Temmerman, Phys. Rev. B 2003, 68, 125114.

[158] H. Akai, M. Ogura, Phys Rev. Lett. 2006, 97, 026401.

[159] M. S. Park, S. K. Kwon, B. I. Min, Phys. Rev. B 2001, 64, 100403(R).

[160] Y. M. Nie, X. Hu, Phys. Rev. Lett. 2008, 100, 117203.

[161] H.-Z. Luo, L. Ma, Z.-Y. Zhu, G.-H. Wu, H.-Y. Liu, J.-P. Qu, Y.-X. Li, Physica B 2008, 403, 1797.

[162] K. Ozdogan, I. Galanakis, J. of Mag. Mag. Mater. 2009, 321, L34.

[163] E. Sasioglu, Phys. Rev. B 2009, 79, 100406(R).

[164] N. H. Long, H. Akai, M. Ogura, J. Phys. Condens. Matter 2009, 21, 064241.

[165] M. Nakao, J. Phys. Conf. Ser. 2009, 150, 052182.

[166] S. J. Hu, X.Hu, J. Phys. Chem. C 2010, 114, 11614.

[167] W.-Z. Wang, X.-P. Wei, Compu. Mater. Sci. 2011, 50, 2253.

[168] C. Ritter, J. Blasco, L. Morellon, J.M. de Teresa, J. Garcia, and M.R. Ibarra. The in_uence of doping on the magnetic and structural properties of the double perovskite Sr2FeMoO6. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 226-230:1070-1072, 2001.

[169] O. Chmaissem, R. Kruk, B. Dabrowski, D.E. Brown, X. Xiong, S. Kolesnik, J.D. Jorgensen, and C.W. Kimball. Structural phase transition and the electronic and magnetic properties of Sr2FeMoO6. Physical Review B, 62 :14197-14206, 2000.

146

[170] D.D. Sarma, P. Mahadevan, T. Saha Dasgupta, S. Ray, A. Kumar, Physical Review Letters 85 (2000) 2549; T. Saitoh, M. Nakatake, A. Kakizaki, H. Nakajima, O. Morimoto, S.h. Xu, Y. Moritomo, N. Hamada, Y. Aiura, Physical Review B 66 (2002) 035112

[171] A.K. Azad, S.-G. Eriksson, A. Khan, A. Eriksson, M. Tseggai, Solid State Chemistry 179 (2006) 1303.

[172] K.-I. Kobayashi, T. Kimura, H. Sawada, K. Terakura, Y. Tokura, Nature 85 (2004) 266.

[173] K.-I. Kobayashi, T. Kimura, H. Sawada, K. Terakura, Y. Tokura, Nature 395 (1998) 677.

[174] X.F.Zhua,Q.F.Lia,b,L.F.Chena,Solid State Communications144(2007) 230–23

[175] Y. Tomioka, T. Okuda, Y. Okimoto, R. Kumai, K.-I. Kobayashi, Y. Tokura, Physical Review B 61 (2000) 422.

[176] L.l. Balcells,J.Navarro,M.Bibes,A.Roig,B.Martı´nez, J.Fontcuberta,Applied Physics Letters 78(2001)781

[177] J. Linden, T. Yamamoto, M. Karppinen, H. Yamauchi, T. Pietari, Applied Physics Letters 76 (2000) 2925.

[178] O.N. Meetei, O. Erten, M. Randeria, N. Trivedi, P. Woodward, Physical Review Letters 110 (2013) 087203

[179] Z. Fang, K. Terakura, J. Kanamoru, Physical Review B 63 (2001) 180407.

[180] H.-T. Jeng, G.Y. Guo, Physical Review B 67 (2003) 094438; H. Wu, Physical Review B 64 (2001) 125126.

[181] H. Akai and M. Ogura, Half-Metallic Diluted Antiferromagnetic Semiconductors Phys. Rev. Lett. 97 (2006) 026401

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