CHAPITRE I : Généralités sur le silicium dopé et les siliciures
I.3 Conclusion générale du chapitre
Ce premier chapitre pose les bases de la diffusion du bore dans le silicium et du mécanisme de siliciuration du nickel dans plusieurs systèmes Ni/Si, Ni/Si(B) et Ni(Pt)/Si.
La diffusion du bore dans le silicium à l’échelle atomique est relativement complexe. L’état de l’art sur les mécanismes de diffusion a montré que le bore diffuse dans le silicium par un mécanisme interstitiel. A l’échelle macroscopique, la diffusion du bore est décrite par les lois classiques de la diffusion, données par les deux lois de Fick.
Un autre phénomène, que nous avons présenté dans la première partie de ce chapitre, est l’implantation ionique. Elle conduit à la création des défauts ponctuels, comme les lacunes et les auto-interstitiels de silicium (Si-I). Nous avons présenté qu’une formation des défauts étendus (comme les défauts {113} et les boucles de dislocation) est possible, seulement si la concentration des Si-I dépassent leurs limite de solubilité dans le silicium. Nous avons également décrit la précipitation du B dans le silicium monocristallin, sachant que le B peut se trouver en sursaturation dans le silicium après une implantation ionique d’une forte dose de bore.
Dans la deuxième partie de ce chapitre, nous avons exposé la formation des phases entre un film mince de nickel et le substrat de silicium monocristallin, ainsi que la redistribution des dopants (bore dans Ni/Si(B)) ou éléments d’alliages (platine dans Ni(Pt)/Si). L’addition des dopants ou éléments d’alliage permet d’améliorer les propriétés des siliciures. Généralement, la redistribution des dopants dans les structures siliciure/silicium est proche de celle des éléments d’alliages.
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