Avantages technologiques des nanofils

Les nanofils présentent de nombreux atouts par rapport aux couches planaires nitrures : ils possèdent une prédisposition naturelle à l'extraction de lumière, une relaxation efficace des contraintes ainsi que des facettes non polaires. De plus, ils peuvent être adaptés à des systèmes flexibles.

1.3.3.1 Prédisposition naturelle à l'extraction de lumière

De nombreuses études portent sur l'amélioration du rendement d'extraction de la lumière des couches planaires qui, rappelons-le, n'atteint que 5 % si rien n'est fait (cf. paragraphe 1.2.3.2). Aujourd'hui, elles permettent d'atteindre des valeurs proches de 80 % mais en contrepartie de nombreuses étapes technologiques sont nécessaires. [46]

Les nanofils, s'ils sont suffisamment petits (r < 50 nm), offrent naturellement une meilleure extraction de la lumière. En effet, si l'on considère un ensemble de nanofils de faible dimension, il est possible de traiter le milieu comme un milieu homogène auquel on associe un indice optique effectif plus faible que dans le cas du massif. En une seule étape technologique, l'angle critique donné dans l'équation 1.12 est donc augmenté. Dans le cas d'une structure axiale comme présentée sur la Figure 1.31, des simulations ont montré qu'un rendement d'extraction d'environ 40 % peut être obtenu si l'on considère un facteur de remplissage de nanofils de 23 %, valeur typique d'échantillons de nanofils obtenus par MBE. [101]

Figure 1.31 - Rendement d'extraction théorique de la lumière en fonction du facteur de remplissage de nanofils à structure axiale. Issue de [101]

Pour un facteur de remplissage de 23 % typiquement observée lors de la croissance de nanofils par MBE, les nanofils présentent un rendement d'extraction d'environ 40 %.

Dans le cas de nanofils de rayons plus importants [102]–[104] (quelques centaines de nanomètres) voire même de microfils [105], [106], il est possible d'observer un guidage de la lumière. On assiste alors à une émission plus directionnelle et donc à une extraction plus aisée.

1.3.3.2 Relaxation efficace des contraintes

Nous l'avons vu au paragraphe 1.2.3.3, les différences de propriétés structurales et thermiques entre le matériau épitaxié et le substrat engendrent des contraintes. Ces dernières peuvent se relaxer de deux manières : élastique ou plastique.

Dans le cas où les nanofils présentent un rapport de forme (rapport hauteur sur diamètre) suffisamment important, une étude a montré que les surfaces libres permettaient une relaxation des contraintes purement élastique et donc sans création de défauts. En effet, des mesures optiques et structurales réalisées sur des nanofils de GaN gravés à partir d'une couche indiquent que, quelle que soit la contrainte imposée par le substrat, les fils reviennent à leur état standard pour des longueurs supérieures à 300 nm (cf. Figure 1.32). Qu'il s'agisse d'une croissance sur silicium (contrainte en tension) ou d'une croissance sur saphir (contrainte en compression), le paramètre de maille c atteint la valeur de 5,185 Å, valeur d'un matériau non contraint. [107]

Dans le cas de microfils, les dislocations seront bien présentes à la base du fil mais s'incurveront pour disparaître en surface latérale ; elles ne se propageront pas le long du fil. [108]

Figure 1.32 - Evolution du paramètre de maille c de nanofils GaN selon leur longueur. Issue de [107]

Pour des longueurs de nanofils supérieures à 250 nm, le paramètre de maille des nanofils de GaN atteint la valeur d'un matériau non contraint : on assiste à une relaxation élastique.

Les principaux avantages des nanofils que l'on peut extraire d'une relaxation efficace des contraintes sont : l'utilisation de substrats à bas coût, la croissance d'hétérostructures libres de défauts ainsi qu'une potentielle solution au green gap. Ces points vont maintenant être développés.

™ Utilisation de substrats bas coût

Nous l'avons vu au paragraphe 1.2.3.3, le GaN est principalement épitaxié sur saphir et sur SiC. Les substrats GaN sont coûteux et de faible taille et ceux en silicium présentent des désaccords paramétrique et thermique avec le GaN engendrant d'importants défauts. La relaxation efficace des contraintes dans les nanofils permettrait alors la croissance sur substrat silicium qui présentent de grande dimension, un faible coût et une bonne conductivité. [109] Contrairement au saphir qui est isolant, le contact électrique pourrait donc se faire directement.

1.3 Une alternative aux limitations de l'InxGa1-xN : les nanofils

™ Obtention d'hétérostructures exemptes de défauts

Dans le cas de DELs nitrures, on épitaxie des puits quantiques d'InxGa1-xN sur du GaN. Or, ces

derniers présentent des dislocations à partir d'une certaine épaisseur critique dont les valeurs, dans le cas de couches planaires, sont données dans la littérature [71](cf. paragraphe 1.2.3.5).

Lors d'une hétéroépitaxie axiale de nanofils de rayon suffisamment faible, des calculs ont montré que l'on pouvait repousser les valeurs de l'épaisseur critique (cf. Figure 1.33). Prenons un exemple : sachant qu'un désaccord de maille entre l'InN et le GaN est d'environ 11 % pour une croissance selon l'axe c, il est possible de considérer un désaccord de 1,1 % tous les Δx = 0,1. Un ternaire composé de 40 % d'indium (émission dans le rouge) présentera donc un désaccord avec le GaN d'environ 4,5 %. Il sera alors possible d'obtenir des puits quantiques d'In0.4Ga0.6N d'une épaisseur

typique de 2-3 nm sans aucun défaut si le nanofil de GaN possède un rayon de 50 nm. [110]

En revanche, nous noterons que dans le cas d'une hétéroépitaxie radiale (cf. Figure 1.34 (a)), les prédictions sont moins favorables : pour un rayon de cœur GaN de 50 nm, la coquille devra posséder une épaisseur critique inférieure au nanomètre et ceci, pour 20 % d'indium seulement. Néanmoins, on constate qu'en réduisant le rayon du cœur, l'épaisseur de la coquille peut être augmentée : contrairement aux couches planaires, le cœur pourra être déformé, l'énergie stockée ne sera pas suffisante pour engendrer des dislocations. Nous noterons que dans le cas d'une croissance d'une coquille de GaN sur un cœur d'InxGa1-xN, les résultats sont similaires (cf. Figure 1.34 (b)).

[111]

Figure 1.33 - Détermination de l'épaisseur critique hc et du rayon d'un matériau hétéroépitaxié axialement

sur un nanofil avant l'apparition d'une dislocation pour différents désaccords de maille. Issue de [110]

Pour une croissance axiale d'un puits quantique, il est possible d'hétéroépitaxier de l'In0.4Ga0.6N sur une

épaisseur typique de 2-3 nm de GaN sans aucun défaut si le nanofil a un rayon r0 inférieur à 50 nm.

L'intérêt d'une relaxation efficace des contraintes dans les nanofils permettrait dans ce cas d'améliorer le rendement quantique interne : l'absence de champ piézoélectrique favorise les recombinaisons radiatives et l'absence de dislocations empêcherait les recombinaisons non radiatives de type Auger assistées par les défauts. Une étude a en effet montré que le coefficient de recombinaison Auger pour les structures sans défaut était deux ordres de grandeurs inférieurs à celui d'hétérostructures 2D. [112]

Figure 1.34 - Détermination des dimensions critiques dans le cas de deux hétérostructures radiales de type InxGa1-xN / GaN ou GaN / InxGa1-xN pour différentes compositions en indium.Issue de[111]

Dans le cas d'une croissance radiale et pour un rayon de cœur GaN de 50 nm (a), la coquille d' InxGa1-xN

devra posséder une épaisseur critique inférieure au nanomètre pour 20 % d'indium seulement. ™ Solution au green gap

Pour réaliser des lampes blanches à DELs à base de nitrures, il faut pouvoir incorporer jusqu'à 40 % d'indium environ dans les structures. Or, dans le cas de structures planaires, il y a une perte importante d'efficacité au delà de 575 nm (cf. paragraphe 1.2.3.1). L'absence de DELs à forte composition d'indium s'explique par l'augmentation de dislocations ainsi que par la séparation de phases. A cela s'ajoute l'effet du champ électrique interne.

En l'absence de relaxation plastique, les dislocations au sein du matériau ne devraient plus être présentes (cf. paragraphe 1.2.3.5) et la solubilité de l'InN dans le GaN devrait être améliorée à température ambiante (cf. paragraphe 1.2.3.6). C'est ce que semblent montrer les études réalisées sur des nanofils d'InxGa1-xN épitaxiés par HVPE : l'accommodation des contraintes dans le domaine

élastique ainsi que la faible température de croissance ont permis de couvrir toute la gamme de composition en indium. Pour des concentrations d'indium inférieures à 70 %, des images réalisées par Microscopie Electronique à Transmission n'indiquent pas de forts contrastes ni de dislocations traversantes aussi apparentes que dans les couches (cf. Figure 1.35). [113]

Figure 1.35 - Images par Microscopie Electronique à Transmission de nanofils d'InxGa1-xN épitaxiés par

HVPE. Issue de [113]

Pour des compositions inférieures à 70 %, le matériau ne présente pas de dislocations traversantes comme dans les couches.

1.3 Une alternative aux limitations de l'InxGa1-xN : les nanofils

De la même manière, si les contraintes sont réduites, le champ électrique interne et particulièrement celui lié à la polarisation piézoélectrique diminue. Une étude réalisée sur des hétérostructures axiales GaN / AlN montre une réduction de l'effet Stark par rapport aux hétérostructures planaires : ce serait dû à une réduction de l'effet piézoélectrique.[114]

1.3.3.3 Facettes non polaires

Les principaux substrats disponibles pour la croissance de nitrures donnent lieu à une croissance selon l'axe c. Or, suivant cet axe, les couches à base de nitrures présentent un champ électrique interne qui diminue le rendement quantique interne (cf. paragraphe 1.2.3.3). Dans le cas des nanofils, nous venons de voir que les hétérostructures axiales permettent de diminuer fortement la polarisation piézoélectrique (cf. paragraphe 1.3.3.2). Mais, il faut savoir que les hétérostructures radiales épitaxiées selon le plan m (plan ne présentant pas de polarité) permettent de s'affranchir totalement de la polarisation piézoélectrique (cf. Figure 1.36) mais aussi de la polarisation spontanée. [115]–[117]

Figure 1.36 - Polarisation piézoélectrique selon l'orientation cristallographique des nitrures. [116]

Le plan m (plan non polaire) permet de s'affranchir, dans ce cas, des effets de polarisation piézoélectrique mais aussi de polarisation spontanée.

1.3.3.4 Adaptation à des systèmes flexibles

Il est possible d'imaginer des luminaires ou des écrans flexibles constitués avec des DELs. Plusieurs tentatives ont été engagées pour fabriquer ces dernières à base de nitrures sous forme de couches minces. Cependant, la fabrication de tels dispositifs est un vrai challenge et, pour améliorer leur flexibilité, il est avantageux de réduire les dimensions des éléments actifs. Très récemment, une équipe de chercheurs a proposé une technologie innovante : réaliser une DEL avec des nanofils nitrures sous forme de cœur - coquille qui émettent dans le vert et dans le bleu. Ils sont épitaxiés par MOCVD et encapsulés dans une matrice de polymère (cf. Figure 1.37). Les contacts sont réalisés grâce à une couche de Titane et d'Or (Ti /Au) au niveau du substrat et grâce à des nanofils d'argent au sein de la structure permettant de la rendre totalement transparente. [118] Les nanofils offrent donc finalement de belles perspectives pour les dispositifs du futur.

Figure 1.37 - Schéma de principe (a) et photographies (b) et (c) d'une DEL flexible réalisée à base de nitrures sous forme de nanofils. Issue de [118]

La faible dimension des nanofils couplée à une matrice de polymère permet d'améliorer la flexibilité de DELs bleues et vertes.