Mise en évidence d'un effet de taille quantique pendant la croissance par plans atomiques successifs de couches ultra-minces d'indium et d'étain sur des films d'or

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Mise en évidence d’un effet de taille quantique pendant la croissance par plans atomiques successifs de couches

ultra-minces d’indium et d’étain sur des films d’or

J.P. Chauvineau, C. Pariset

To cite this version:

J.P. Chauvineau, C. Pariset. Mise en évidence d’un effet de taille quantique pendant la croissance par

plans atomiques successifs de couches ultra-minces d’indium et d’étain sur des films d’or. Journal de

Physique, 1976, 37 (11), pp.1325-1330. �10.1051/jphys:0197600370110132500�. �jpa-00208529�

MISE EN ÉVIDENCE D’UN EFFET DE TAILLE QUANTIQUE

PENDANT LA CROISSANCE PAR PLANS ATOMIQUES ^SUCCESSIFS

DE COUCHES ULTRA-MINCES D’INDIUM

ET D’ÉTAIN SUR DES FILMS D’OR

J. P. CHAUVINEAU et C. PARISET

Institut

d’Optique (*),

Université Paris

XI,

⁹¹⁴⁰⁵

Orsay,

^France

(Reçu

^{le 4 mai}

1976, accepte

^le

15 juin 1976)

Résumé. ²⁰¹⁴ Pendant la croissance de films ultra-minces d’indium ou d’étain condensés sur des couches minces d’or à basse température, ^{on a} observé des oscillations de la conductibilité électrique

en fonction de

l’épaisseur

^{du film}

superficiel.

^Un premier type d’oscillations est attribué à la variation

périodique

de la densité des défauts

superficiels

résultant de la croissance par

plans atomiques

^succes-

sifs du dépôt métallique. ^{Un second} phénomène ^d’allure

pseudo-périodique qui

^se superpose ^au

précédent

dans certains _cas, est analysé ^{en terme d’effet de taille} quantique ^à partir d’un modèle

simplifié ^du

potentiel

dans la couche double ; les variations de conductibilité électrique ^{sont reliées}

aux discontinuités

périodiques

que présente la densité d’état au niveau de Fermi dans le système lorsque

l’épaisseur

du film d’indium ou d’étain augmente.

Abstract. ²⁰¹⁴ Ultra-thin In or Sn

overlayers

^are grown by ^vapor

deposition

^{at low} temperature

on

polycrystalline gold

films. The electrical conductivity of these double

layers

^shows oscillations when the thickness of the outer layer is increased. A first group of oscillations is related ^to the

periodic change

ⁱⁿ density of surface defects when In or Sn films grow

by

successive

monolayers.

^{A second} type of oscillations

having

larger

period

^{is ascribed to} quantum size effects in the double

layer.

A simple model is used to relate the electrical conductivity variations to the discontinuities

perio-

dically

appearing

^{in the} density ^{of states} when the thickness of the

overlayer

^increases.

Classification

Physics ^Abstracts

8.136 ^- 8.362

1. Introduction. ^- Au cours d’une etude

syst6mati-

que de

l’adsorption

^d’atomes

m6talliques

^{sur des films}

minces

d’or,

nous avons examine le

comportement

de la conductibilit6

electrique

de couches doubles

In/Au

^et

Sn/Au pendant

la formation du film _super- ficiel d’indium ou d’6tain.

Lorsque 1’epaisseur

moyenne de la couche adsorbee est inferieure a 10

A _environ,

son influence sur la conductibilit6

electrique

^est

approximativement 6qui-

valente a une modification de la reflexion des electrons de conduction de 1’or sur la surface recouverte par 1’adsorbat. Dans ces conditions la resistance

electrique

est sensible aux d6fauts de la couche

superficielle

dont la densite

depend

des facteurs

agissant

^{sur la}

croissance du

depot

^tels que la

temperature,

^{la vitesse}

de condensation ou la nature et la

pression

^des gaz residuels.

Pour des

6paisseurs

moyennes

plus 6lev6es, I’analyse

de la conductibilit6

electrique

de la couche double devient

plus complexe.

^On doit tenir compte ^de l’interaction des electrons avec

l’interface,

la surface

libre et les d6fauts en volume de la couche adsorbee.

L’6tude d’un tel

systeme

^a ete faite _par Lucas

[1]

dans le cadre de la th6orie de Fuchs-Sondheimer

[2],

mais ce

modele simplifi6

^ne

permet

pas de rendre

compte

des oscillations de conductibilit6

electrique

que nous avons observ6es avec des couches doubles

In/Au

^et

Sn/Au, lorsque 1’epaisseur

moyenne du

depot superficiel

^varie de 10,i 50

A

environ. La

p6riode

de ces oscillations 6tant d’un ordre de

grandeur comparable

a celui de la

longueur

d’onde associee

aux electrons de conduction du metal

adsorb6,

^nous

proposons de les attribuer a un effet de taille

quantique

dans les couches doubles.

L’apparition

^{de ce}

pheno-

mene est li6e a la formation a basse

temperature

^de

couches ultra-minces d’indium ou d’6tain

qui pr6-

sentent une bonne structure interne et une faible

dispersion d’epaisseur.

2.

Preparation

^des couches doubles. ^- Les

6vapora-

tions et les mesures sont faites dans une enceinte à ultra-vide

6quip6e

^d’une pompe

ionique.

^La

pression

est

comprise

^entre

^10-9

^et

^{10- 10}

^torr

pendant

^les

evaporations.

^Le

porte-6chantillon

^a

temperature

variable est enti6rement entour6 par ^un écran refroidi (*) Laboratoire associe au C.N.R.S.

Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/jphys:0197600370110132500

1326

par de 1’azote

liquide.

^{Les m6taux sont}

6vapor6s

^à

partir

^{de creusets en}

tungstene

^chauffes par effet Joule.

Une balance a quartz ^oscillant

placee pres

^du porte- 6chantillon permet ^{de mesurer la masse de metal} condensee et la vitesse de

depot

^{sur le}

substrat;

elle est 6talonn6e

p6riodiquement

^avec des couches d’or dont

l’épaisseur

^{est mesur6e} par des methodes interferentielles de _{rayons X} dont la

precision

^atteint

1 % [3].

2.1 COUCHES MINCES D’OR. - Elles sont

d6pos6es

sur des supports ^{en verre}

( fl’oat-glass)

^{à 20}

OC, puis

recuites a 150 °C

pendant

^une heure environ. Leur

6paisseur

^est

g6n6ralement comprise

^{entre 200 et}

300

A ;

^{ces couches sont}

continues, d’6paisseur

^rela-

tivement

homog6ne

^avec des cristaux dont les surfaces voisines d’un

plan compact (111)

^ont pour les electrons de conduction un taux de reflexion

sp6culaire

^assez

élevé

(p ~- 0,8) [4]. L’6paisseur

^6tant de l’ordre de

grandeur

^{du libre} parcours moyen des electrons de conduction a la

temperature

^{ambiante on}

peut

par l’interm6diaire de 1’effet dimensionnel sur la resistance

electrique

^6tudier

simplement

les variations du taux de r6flexion

sp6culaire

^en fonction des modifications de 1’etat des surfaces

(structure, impuret6s adsorb6es).

2.2 COUCHES MINCES D’INDIUM OU D’TTAIN. ^- Le second metal est ensuite

depose

^{sur la} couche d’or maintenue a

temperature fixe;

la vitesse de conden- sation n’est _que de

quelques

^centiemes

d’angstrom/

seconde,

^ce

qui permet

^{de controler avec}

precision

^la

masse

deposee.

^On

enregistre

simultan6ment les variations de resistance

electrique

de la double couche

pendant

^le

depot. Apres

^ces mesures, les films sont sortis de 1’enceinte ! ultra-vide _{pour etre} examines par diffraction de _{rayons X} et par

microscopie

^elec-

tronique

^en transmission.

3. R6sultats

[5].

^{- Les} courbes de la

figure

¹

montrent les variations de resistance

electrique

^obte-

FIG. I - ^- Variation de la resistance electrique de deux couches doubles Au/In enregistree pendant la croissance du film d’indium.

Courbe I : = - 190 °C ; Courbe II : t N - 250 °C. Résistance initiale de la couche d’or : t = 20 OC, Ro = 1,20 Q/D; t = - 190°C,

Ro = 0,37 Cl/O; t= -250°C, Ro = 0,17 Q/D.

nues par

superposition

^{d’indium sur} deux couches d’or de meme

6paisseur

moyenne e - ²¹⁵

A.

La

temperature

^{du film d’or est}

respectivement

^de

- 190 °C et - 250 °C dans les

experiences

^{I et II.}

Qualitativement,

^on observe dans les deux cas une

augmentation

^assez

rapide

de la resistance

electrique qui

^{atteint un maximum} pour ^{une masse} d’indium

6quivalente

^{a une}

6paisseur

moyenne de 10

A

environ

(region A).

^La resistance

electrique

de la double couche est alors

6quivalente

^a celle d’une couche d’or seule dont la surface libre diffuserait _presque tota- lement les electrons de conduction

(p ~ 0).

^Cette

diffusion due a la

presence

^{de l’indium} peut intervenir :

1)

^A l’interface

Au-In,

^{au niveau}

duquel le potentiel

n’a

plus

^la

periodicite

de la surface libre de l’or en

raison du d6saccord entre les r6seaux cristallins des deux

metaux ;

2)

^Dans la couche

d’indium,

du fait d’6ventuelles

imperfections

^{de structure;}

3)

^A la surface libre du film

d’indium,

si elle contient

6galement

des d6fauts

(lacunes, adatomes,

^amas

bidimensionnels).

Cet accroissement de resistance ^est fortement module a - 250 °C _par deux oscillations dont les minima

correspondent respectivement

^{a des}

6pais-

seurs

6quivalentes

^{a une et} deux couches monoatomi- ques du

type (111)

^{dans le}

syst6me quadratique

^à

faces centr6es

(q.f.c.)

de l’indium. On observe

pr6ci-

s6ment _par diffraction de _{rayons X}

qu’une

^couche

d’indium

plus 6paisse, d6pos6e

dans les memes condi- tions sur un film d’or est orientee avec les

plans ( 111 )

sensiblement

parall6les

^aux

plans (111)

^{de l’or et} par

consequent

^{aux surfaces. Nous} attribuons ces oscil- lations du

parametre

^de

specularite

a la variation de la densite des d6fauts

superficiels

^{au cours de la}

croissance _par

plans atomiques

successifs du film d’indium en

6pitaxie

^{sur l’or}

[6].

Au-dela du second

minimum,

^{la diffusion des} electrons de conduction par la couche d’indium devient

pratiquement totale,

et la formation du troisieme

plan atomique

^n’entraine

plus

de variation

appreciable

de la resistance elec-

trique.

Cependant,

^a

partir

^{d’une masse d’indium}

6qui-

valente a une

6paisseur

moyenne de 10

A,

^{on observe}

une

brusque

diminution de resistance suivie de nou-

velles oscillations dont

1’amplitude

^decroit

lorsque 1’epaisseur

du film d’indium

augmente,

^et

qui dispa-

raissent au-delà de 50

A

^environ

(Fig. 1, region B).

Ces dernières

observations, ajout6es

a la valeur de la

pseudo-p6riode

^du

phenomene

voisine de 10

A,

nous font supposer que ^ces oscillations ont pour

origine

^un effet de taille

quantique

dans la double couche constituee _par le film ultra-mince d’indium et son substrat d’or.

Avant de _proposer un modele a

1’appui

^{de cette}

hypothese,

mentionnons

1’apparition

^{sur la courbe}

enregistree

^{a -}

250 °C,

d’une modulation du

pheno-

mene

precedent

par ^un second

syst6me

d’oscillations

dont la

periode

coincide sensiblement avec la distance interr6ticulaire

d111

de l’indium

q.f.c. ;

^on peut ^donc supposer ^comme dans la

region

^A que ^ces oscillations sont dues a une variation

p6riodique

de la densite des d6fauts

superficiels

^{au cours} de la croissance par

plans atomiques

successifs de la couche d’indium.

On d6nombre une

vingtaine

^{de ces} demières oscil-

lations ;

^en

consequence 1’epaisseur

^{de la couche}

d’indium doit rester bien

homog6ne pendant

^sa

croissance,

^{au moins}

jusqu’a

^une valeur de l’ordre de 50

A.

En

particulier,

si les fluctuations

d’6paisseur

restent inferieures a la

longueur

^d’onde

AF

des electrons de

conduction,

^{on sera dans une} situation favorable a l’observation d’effets de taille

quantiques [7].

Jaklevic et Lambe

[1 S]

^ont

cependant

^montre que ^cette condition

pouvait

^etre relax6e dans leurs

experiences

d’effet tunnel entre films minces. Ce type ^{de croissance}

indique

que la mobilite des atomes

d’indium,

^{des la}

temperature

^{de - 250}

^OC,

^est suffisante _pour permettre la formation d’un reseau cristallin relativement bien ordonn6. Si on

augmente

la vitesse de diffusion _super- ficielle en 6levant la

temperature jusqu’a - 190 °C,

on constate que

pour

^{la m8me} vitesse de condensation des atomes, la variation

p6riodique

de la densite de d6fauts

disparait

^alors que le

phenomene

^d’oscilla-

tions de

grande p6riode

subsistc. 11 est donc

probable qu’a

^cette

temperature

les defauts

superficiels

^s’elimi-

nent très

rapidement;

la croissance du film se fait de

faqon

^uniforme par

simple deplacement

lateral des marches de la surface libre. Un

phenomene

^semblable

a ete obtenu en superposant de 1’etain sur des films d’or a basse

temp6rature (Fig. 2);

^a

1’exception

^{du mini-}

FIG. 2. ^- Variation de la resistance electrique de deux couches doubles Au/Sn enregistree pendant la croissance du film d’etain.

Courbe I : t ~- - 190 OC; Courbe II : t N 230 °C. R6sis- tance initiale de la couche d’or : t = 20 °C, Ro 1, 17 fl/ n

. t = - 190 °C, Ro ⁼ 0,35 Q/D; ^{t = - 230} °C, Ro = 0,20 K2/ D.

mum de conductibilit6

electrique qui correspond

^{a la}

formation de la

premiere

monocouche

d’6tain,

seules les oscillations de

plus grande p6riode

^attribu6es

6galement

^{a un} effet de taille

quantique apparaissent

nettement aux différentes

temperatures

^choisies pour

ces

experiences.

4. Modèle de 1’effet de taille

quantique

^{dans les}

couches doubles. ^- On suppose que dans une couche double le

potentiel

^{suivant 1’axe z}

perpendiculaire

aux surfaces a la forme

indiqu6e

^{sur la}

figure

^{3. Les}

FIG. 3. ^- Modele de puits ^de potentiel pour ^une couche double.

6paisseurs

^{des films} sont e et t et

correspondent respectivement

a la sous-couche d’or et a la couche

superficielle

^{d’indium ou} d’6tain. Les niveaux de Fermi des deux m6taux 6tant mis en

coincidence, Vo repr6-

sente la difference

d’6nergie

^entre les niveaux les

plus

bas de chacune des bandes

considerees ;

pour

l’indium,

les electrons

pris

^en

compte correspondent

^{a la}

portion

de la surface de Fermi situee dans la troisi6me zone

de Brillouin. Avec des barri6res de

potentiel

^infinies

sur les surfaces z = - e et z = t, la fonction d’onde dans la direction ^z a la forme :

avec :

kil ,et

qll ^{sont les}

composantes

^{des vecteurs K et}

Q paralleles

^{aux surfaces. La} condition de continuite

I dTf I

i’interface z = 0 s’ecrit :

deY dz

^a 1’interfacc z ⁼ 0 s’6crit :

Dans le cas

particulier ofi q k,

^en

posant :

les

equations (1)

^et

(2)

deviennent

respectivement :

1328

avec :

et

On

peut

^r6soudre

graphiquement

^ou

num6riquement

ce

systeme d’equations

pour ^une valeur fix6e de t ;

on obtient des

couples

^{de valeurs}

ki et qi correspondant

aux niveaux

d’6nergies Ei(z) = h’ kf /2

^{m. Dans 1’es-}

pace des vecteurs d’onde les 6tats _propres du

systeme ,

de double couche sont situ6s sur des

plans perpendi-

culaires a 1’axe

KZ

^{= k.}

En

realite,

^{dans nos}

experiences 1’epaisseur t

^du

film

superficiel

^est

variable ; il

^{est donc}

plus

int6ressant de determiner les valeurs de ce

parametre

pour les-

quelles

^{un des}

plans

d6finis ci-dessus devient tangent ^à la surface de Fermi du metal

massif,

^de rayon qF.

On a alors : ^-

d’ou :

so it :

ou :

Ainsi,

^{comme dans le cas} d’une couche

unique d’6pais-

seur variable t la densit6 d’6tats _pour une

energie

fix6e

N(E) pr6sente

^{en fonction de}

1’6paisseur

^{t des}

discontinuit6s

p6riodiques d’amplitude

d6croissante

qui

donnent lieu a des oscillations de differentes

propri6t6s macroscopiques

^du

systeme

^telle que la conductibilit6

electrique [7, 8] (Fig. 4). Cependant,

FIG. 4. ^- Densite d’etats en fonction de 1’6paisseur pour ^une energie fix6e, ^{dans un} puits ^de potentiel symetrique ; to ⁼ AF/2. (D’apres

Elinson et coll. [8]).

il

apparait

^dans

1’expression (5)

^{un terme} to ⁼

OF(e)IqF qui

^n’existe pas pour le

puits symetrique simple,

^et

qui depend

^de

1’epaisseur

locale e de la couche d’or :

La

dispersion d’6paisseur

dans la couche

d’or,

^mesu- rable _par des methodes interferentielles de _{rayons X}

[3]

^est

superieure

^{a la}

p6riode

^{De =}

n/kF ~ 2,6 A

de

F(e) ;

par

consequent

la valeur de to varie notable- ment d’un

point

^{a un autre} de la couche d’or. Mais

on

peut

^{constater sur la}

figure

5 que

lorsque

qF

kF,

FIG. 5. ^- La fonction 4i(.) ^{= Arc}

tg - kF [-

^{F tg} (k,,. ) representee

I

pour

03A6F(e)

^reste

petit

^{dans un}

large

domaine de variation de

1’epaisseur e

par

rapport

^{a la}

p6riode

^{Ae. On aura}

donc une contribution

pr6pond6rante

^des

regions

de la couche _pour

lesquelles

^{le terme} to de la relation

(5)

sera faible devant la

p6riode

^{bt =}

AF/2.

Ce r6sultat

explique

que

malgre

^la

dispersion d’6paisseur

^{dans la}

couche

d’or,

^les oscillations de la conductibilit6 en

fonction de

1’epaisseur

du film d’indium peuvent n6anmoins etre observ6es

exp6rimentalement,

^avec

cependant

^une

perte

^{de contraste due au}

brouillage

par les domaines du film d’or _pour

lesquels :

De

plus,

^dans

I’hypoth6se

d’une croissance _par

plans atomiques

successifs du film

d’indium, 1’6paisseur t augmente

localement de

faqon

discontinue

(bt

⁼

d1 11)

et varie d’une

region

a t’autre de la couche ce

qui

contribue

6galement

^{a r6duire}

l’amplitude

des oscil-

lations de la courbe

NE(t)

^en

plus

^{des causes habi-}

tuellement cit6es telle _que la duree de vie des 6tats propres du

syst6me.

Il reste a examiner comment la conductibilit6 mesur6e

depend

de la densite d’6tat du

systeme

^de

double couche.

La conductibilit6 _propre du fihn d’indium est tres faible _par

rapport

^a celle du film

d’or,

^en

particulier

dans le domaine

d’6paisseur

⁰ t ²⁰

A

ou l’on observe les

plus grandes

variations de la resistance

electrique.

^{Dans ce}

domaine,

^le

parametre

determinant est le taux de r6flexion

speculaire

des electrons du film d’or sur la surface recouverte d’indium. Les 6tats propres calcul6s

pr6c6demment

^{sur le mod6le}

simplifi6

de double couche

correspondent

^a des electrons r6fl6chis

sp6culairement

c’est-a-dire

qui, après

^leur

s6j our

dans le film

d’indium,

reviennent dans la couche d’or en conservant leur

composante KII.

^{Le nombre}

de ces electrons

depend

de deux facteurs :

1)

La densite d’6tat

N(EF).

^{On a vu} que celle-ci oscillait avec

1’6paisseur

^{du film}

^d’indium,

^ce

qui correspond

^aux oscillations de

grande p6riode

2)

^{Le taux} de reflexion

sp6culaire

^{sur la surface}

libre du film

superficiel ;

^{a - 250}

^OC,

^{la croissance}

par

plans atomiques

successifs entraine des oscillations de ce

param6tre,

^de

p6riode dt1 =- dlll ^{= 2,71 A}

pour l’indium.

Ce mod6le

simplifi6

^rend compte ^de 1’allure des courbes

exp6rimentales

de la variation de conduc- tibilit6

6lectrique

de la couche double en fonction de

1’epaisseur

^{du film}

superficiel.

^{Des modeles}

plus

61abor6s ont ete utilises _pour d6crire les 6tats elec-

troniques

^en utilisant la th6orie des bandes dans un

film

unique [9, 10];

^les auteurs ont montre _que leurs r6sultats étaient sensibles a la forme du

potentiel

au

voisinage

des surfaces. Avec des couches

doubles,

il serait de

plus

n6cessaire de

prendre

^{une forme}

plus

exacte du

potentiel

^a l’interface des deux m6taux.

La surface de Fermi de l’indium a 6t6 6tudi6e

exp6rimentalement,

^en

particulier

^par

Hughes

^et

Shepherd [11] qui

^ont utilise 1’effet de Haas-van

Alphen. D’apres

^les

caracteristiques

^{de cette surface}

dans la troisieme zone de Brillouin ou elle ^est constituee par des anneaux de quatre ^bras

/3,

^on

peut

^determiner

une

longueur

d’onde associee de l’ordre de 30

A, qui

est

superieure

a la valeur

AF ~

²⁰

^A

^{6valu6e a}

partir

des courbes de la

figure

^{1. On doit}

cependant

^noter

qu’au voisinage

^{de la direction}

[lllJ

le diametre

des

bras p

^{varie assez}

rapidement

^en fonction de

1’orientation,

^et que pour

1’or,

^{dans cette meme}

direction,

la surface de Fermi

pr6sente

^{des cols}

qui

rendent assez peu r6aliste un modele d’61ectrons libres. On constate par ailleurs _que la

pseudo-p6riode

des oscillations

quantiques

peut etre mesur6e avec

plus

^de

precision

^{dans le}

syst6me

^Au-In que dans le

systeme

Au-Sn. Dans ce dernier _cas, les variations de conductibilit6

electrique

^sont

plus complexes

^et

correspondent sch6matiquement

^{a la}

superposition

de deux

syst6mes

d’oscillations de

p6riodes

diff6rentes a -

250 °C ;

^cette observation s’accorde

qualitati-

vement avec les determinations

exp6rimentales

^{de la}

surface de Fermi faites _par Gold et

Priestley [Etain

blanc

quadratique; [12]]

^{et avec} les effets de taille

quantique

^observes par Komnik et coll.

[16]

^{dans des}

films minces

d’etain ;

^{mais nos r6sultats sont insuf-}

fisamment

precis

pour foumir des valeurs

qui puissent

etre

compar6es

^de

fagon significative

^{avec ces dernières}

mesures.

5. Conclusion. ^- Dans 1’etude de

1’epitaxie

^de

metaux sur des films minces

d’or,

^{la mesure de la}

conductibilit6

electrique peut

fournir des

renseigne-

ments int6ressants sur la structure et les

propri6t6s

de la couche

superficielle :

1)

^Elle permet ^un

rep6rage

^de

1’6paisseur pendant

la croissance du film

lorsque

la densite des d6fauts

superficiels

^{oscille avec une}

p6riode correspondant

a la distance entre les

plans atomiques qui

^{se forment}

successivement. Avec de nombreux

m6taux,

^{seul le} minimum associ6 a la

premiere

monocouche

apparait [13]

mais dans le ^cas

particulier

^de l’indium a -

250 °C,

on a pu observer une

vingtaine

d’oscillations de cette nature. On

peut

^{donc conclure} que ^ce film croit selon le m6canisme de Frank-Van der Merve

[14]

^{et conserve}

une

6paisseur

^{bien uniforme.}

2)

^La realisation d’une couche

superficielle

^continue

et

homog6ne,

^dont

1’epaisseur

^est

comparable

^{a la}

longueur

d’onde associ6e aux electrons de conduction entraine la

quantification

^de

1’energie

^{du mouvement}

transversal de ces electrons dans la couche double.

A cet effet de taille

quantique

^sont associ6es des discontinuit6s

p6riodiques

^{de la} densite d’6tats dans la couche double en fonction de

1’epaisseur

^{du film}

superficiel;

^{elles se} traduisent _par des oscillations de conductibilité

electrique

^de

période

sensiblement ^cons- tante

(6t

⁼

ÀF/2)

^et

d’amplitude

d6croissante

qui apparaissent

a - 250 OC et - 190 °C

lorsque 1’epais-

seur du film d’indium ou d’6tain croit de 10 a 50

A

environ.

1330

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