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Les défauts ponctuels dans le fluorure de lithium

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Academic year: 2021

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HAL Id: jpa-00205524

https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00205524

Submitted on 1 Jan 1963

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Les défauts ponctuels dans le fluorure de lithium

Hubert Curien

To cite this version:

Hubert Curien. Les défauts ponctuels dans le fluorure de lithium. Journal de Physique, 1963, 24 (7),

pp.543-551. �10.1051/jphys:01963002407054300�. �jpa-00205524�

(2)

LES DÉFAUTS PONCTUELS DANS LE FLUORURE DE LITHIUM Par HUBERT CURIEN,

Laboratoire de Minéralogie-Cristallographie.

Faculté des Sciences de Paris.

Résumé.

2014

On donne une revue des travaux récents consacrés aux défauts ponctuels dans le

fluorure de lithium. Les défauts électroniques, les lacunes, les centres colorés et les défauts de plus grande taille sont successivement décrits. On montre comment ces défauts conditionnent les pro-

priétés électriques, optiques et mécaniques du fluorure de lithium. On décrit les effets de l’irradia- tion 03B3 ou X et de l’irradiation aux neutrons thermiques à la température du réacteur et à basse

eempérature.

Abstract.

2014

A review of recent work on point defects in lithium fluoride is given. The electronic defects, vacancies, colour centres and larger defects are described. It is shown how these defects determinine the electrical, optical and mechanical properties of the lithium fluoride.

The irradiation effects by X and 03B3 rays, and neutrons, at the reactor temperature or at low tempe- rature, are also reported.

PHYSIQUE 24, 1963,

1. Introduction.

-

Le fluorure de lithium a le double intérêt de présenter une structure atomique

très simple et d’être particulièrement sensible aux

effets d’irradiation. Sous l’impact de neutrons ther-

miques, les noyaux de 6Li (qui constituent 7,5 %

du Li naturel) sont sujets à la réaction nucléaire :

la particule oc recevant une énergie de 2,1 MeV et

le tritium 2,7 MeV.

Ces raisons, ajoutées au fait que le fluorure de lithium est d’une manipulation facile, justifient le grand nombre d‘e travaux entrepris sur les défauts

ponctuels dans ce cristal.

Notre intention n’est pas de rendre compte en

détail’ici de tous ces travaux (1), mais plutôt d’en

donner une classification, en citant à propos de

chaque type les résultats les plus marquants et

surtout d’analyser plus particulièrement les tra-

vaux réalisés en France.

Trois groupes de chercheurs français collaborent

en effet à cette étude : l’un à la Faculté des Sciences

d’Orsay (A. Guinier, M. Lambert et coll.), l’autre

au Centre d’Études Nucléaires de Saclay (P. Bergé,

P. Pério, M. Tournarie et coll.) et le troisième à la Faculté des Sciences de Paris (H. Curien et coll.).

Il est commode de classer les défauts ponctuels

dans LiF en allant des plus simples aux plus complexes. C’est le plan que nous avons adopté

pour cet exposé.

2. Défauts électroniques.

-

Dans un cristal ionique tel que LiF, des électrons ou des trous peuvent être trappés par des perturbations du

(1) On trouvera une très bonne introduction à l’étude des défauts ponctuels dans les cristaux ioniques et une revue

des travaux publiés jusqu’en 1959 dans le livre de H. G. van Bueren, Imperfections in Crystals, Amsterdam, 1960.

potentiels due à des défauts atomiques dans l’édi-

fice cristallin. Ces électrons ou ces trous forment

avec les défauts atomiques qui les retiennent des défauts ponctuels plus ou moins complexes que

nous décrirons ci-dessous dans le paragraphe consa-

cré aux centres colorés.

Mais Kânzig [1j a pu aussi mettre en évidence l’existence de trous autotrappés qu’il étudie par résonance paramagnétique. Un trou électronique peut en effet se localiser sur deux ions F", qui, de

ce fait, se rapprochent l’un de l’autre et forment

avec le trou capté un « ion moléculaire » F2 (voir fig: IA). Ce défaut est observable dans des cristaux de LiF irradiés aux rayons X à 77 OK. Par recuit à une température supérieure à 120 OK, ils dispa-

FIG. 1.

-

Les divers types de centre Y, d’après Känzig [réf. (1)].

A : le trou autocapté ; B : centre H ; C : le centre VF ;

D : le centre Vt.

Les cercles pleins représentent les ions fluor, les cercles vides les ions lithium. Les figures en forme de huit autour des ions fluor engagés dans les centres colorés

représentent les orbitales pour le trou.

,

Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/jphys:01963002407054300

(3)

544

raissent ou se transforment. Nous y reviendrons

(§ 4.2) à propos des centres colorés du type V qui comportent tous un trou trappé et provoquent une absorption dans la même région du spectre

(N 3 400 A)..

Les excitons, formés par l’association d’un trou et d’un électron, constituent un autre type de

défaut électronique. Ils se manifestent par des bandes d’absorption. Seitz [2] attribue à ces exci-

tons un rôle dans la formation des lacunes sous

l’effet de l’irradiation y. Cette irradiation y provo-

querait la formation, comme défaut primaire, d’excitons, qui, en venant s’annihiler sur des dou- bles crans chargés de dislocations, seraient cause de

l’émission d’une lacune de chaque signe. On peut ainsi justifier le’ fait que le taux de formation de centres F (lacune d’ion fluor associée à un élec-

tron) par irradiation y est fonction des traitements

mécaniques subis par le cristal. [Mitchell, Wie- gand et Smoluchôwski [3] proposent, pour la for-

mation des centres F dans KCI à température ordi- naire, un mécanisme faisant intervenir deux recom-

binaisons d’excitons sur un ion halogène placé sur

une ligne de dislocation coin].

Mais ces mécanismes ne sont certainement pas les seuls efficaces pour la formation des centres F et celui proposé par Varley [4] (voir § 4.1) joue un

rôle très important.

3. Les lacunes (étude des propriétés électriques

de LiF).

-

Considérons maintenant les lacunes,

c’est-à-dire les sites vacants dans l’assemblage ato- mique. Ces lacunes peuvent former, en s’associant entre elles ou avec des défauts tels que les atomes

d’impuretés en substitution, des défauts plus ou

moins complexes [nous ne décrirons pas dans ce

paragraphe les associations de lacunes avec des électrons ou des trous, qui seront étudiées au para-

graphe 4 sous le nom de centres colorés].

L’étude des propriétés électriques, conductibilité et permittivité, apporte des renseignements sur le comportement des lacunes.

3.1. ÉCHANTILLONS NON IRRADIÉS.

-

3.1.1. Con- ductibilité électrique.

-

La conductibilité électrique

de LiF est de nature essentiellement ionique. Les porteurs de charges responsables de cette conducti-

bilité sont les lacunes d’ions lithium, les lacunes

d’ions fluor étant beaucoup moins mobiles [5, 6, 7, 8]. La figure 2 représente une courbe de variation typique de la conductibilité électrique a en fonc-.

tion de la température dans un échantillon conte-

nant des impuretés divalentes. Les monocristaux

fabriqués industriellement ont une teneur moyenné

en impuretés divalentes de l’ordre de 10-4. Ces

impuretés divalentes sont essentiellement des ions

Mg+ + qui se substituent aux ions Li+ dans l’arran-

-

gement atomique.

Pour conserver l’équilibre électrique, chaque

ion Mg++ est assorti d’une lacune d’ion lithium,

l’associatiQn des ions magnésium avec les lacunes

ainsi induites étant régie par une réaction réver- sible [9] :

FIG. 2.

-

Variation typique, en fonction de la tempé- rature, de la conductibilité électrique du fluorure de lithium pur.

’A basse et moyenne température ce sont ces

lacunes induites qui assurent la conductibilité. La

partie II de la courbe (fig. 2) correspond au domaine

de température l’équilibre [1] est complètement déplacé vers la droite : toutes les lacunes indui- tes sont libres et la pente de la courbe log

a

=-

f(1lT), qui vaut 0,65 eV, donne la valeur de l’énergie d’activation pour le, saut d’une lacune

d’une position à la position voisine dans le

réseau [7]. A plus basse température (partie I) la

courbe a une pente plus forte : le nombre de lacunes libres est plus faible du fait de l’équi-

libre [1]. A plus haute température (partie III), par contre le nombre de porteurs devient beaucoup plus grand : les lacunes intrinsèques qui se forment

par paires F- J, défaut de Schottky)

en équilibre thermique dans le réseau sont alors en effet beaucoup plus nombreuses que les lacunes

enduites par les impuretés. On se trouve alors dans

le domaine de conductibilité intrinsèque. La pente de cette section de courbe correspondant à une énergie de 1,99 eV, Haven [7] en déduit la valeur

de l’énergie de formation d’un défaut de Schottky :

E

---

2(1,99

-

0,65)

=

2,68 eV.

Bergé [10] rencontre des difficultés en cherchant à exploiter quantitativement les données expéri-

mentales dans le domaine I. Aux températures les

plus basses, la courbe présente une partie rectiligne

(4)

dont la pente correspond à une énergie de 1,1 eV.

D’autre part, en supposant que l’équilibre [1] régit

le nombre des lacunes libres (dans ce domaine de température le nombre des lacunes intrinsèques est beaucoup plus petit que celui des lacunes induites),

les données relatives à la portion de courbe à la jonction des sections I et II lui permet d’évaluer l’énergie libre H de l’association Mg++ Li+ ’

La valeur ainsi déterminée est H

=

0,7 eV.

Mais, si l’équilibre [1] régissait le comportement

des lacunes induites dans tout le domaine I, on

devrait aussi avoir H j2 = 1,1- 0,65, soit

H

=

0,90 eV. Le désaccord entre ces deux valeurs

0,7 et 0,9 eV est trop grand pour qu’il puisse être

attribué à des erreurs expérimentales. C’est donc

que, à température inférieure à 150 °C environ, l’équilibre [1] ne décrit plus correctement le com-

portement des impuretés divalentes et des lacunes induites et que les associations Mg+ + Li+ sont

elles-mêmes soumises à un autre processus.

.

L’examen des propriétés diélectriques permet

de préciser ce dernier point.

3.1.2. Relaxation diélectrique.

-

Des monocris- taux de LiF, contenant un taux d’impuretés

divalentes de l’ordre, de 10-4, soigneiisement recuits, ne présentent aucune perte diélectrique appréciable dans un domaine de fréquences com- pris entre 50 et 105 Hz., pour des températures

allant de 0 OC à 100 OC.

Les mêmes échantillons, chauffés à une tempé-

rature supérieure à 150 OC et brusquement refroi- dis, présentent un domaine de relaxation diélec-

trique [11]. De la variation avec la température

de la fréquence pour laquelle les pertes atteignent

un maximum, on déduit l’énergie d’activation du processus de relaxation : 0,7 eV (fig. 3).

On attribue ce domaine de pertes diélectriques à

FiG. 3.

-

Variation, en fonction de la température, de la fréquence correspondant au maximum de l’absorption diélectrique, dans des monocristaux de LiF trempés.

La pente de la droite donne une énergie d’activation de 0,7 eV.

la relaxation, sous l’effet du champ électrique alter- natif, des dipoles constitués par les associations

Mg+ + Li+ .

L’étude, à température fixe (comprise entre

50 °C et 110 °C) après trempe, de l’évolution dans le temps de la valeur de l’absorption diélectrique,

montre que, au moins au début, la réaction condui- sant à la diminution progressive du nombre de

dipoles est approximativement d’ordre trois [12].

Ce résultat rejoint ceux que Dryden et coll.

obtiennent sur des échantillons de KCI ou de NaCI [13, 14]. A température inférieure à 150 °C les

dipoles ont donc tendance à s’associer en défauts

plus complexes ; l’énergie d’activation du proces-

sus d’association, qui est déduite de l’étude de la

cinétique de recuit vaut 0,75 eV.

D’autre part, la différence entre l’énergie libre

du dipole à l’état libre et à l’état associé peut être

déduite de la variation, en fonction de la tempé- rature, du nombre de dipoles libres en équilibre.

Cette différence est petite, de l’ordre du dixième d’électron volt.

Ces résultats permettent d’interpréter plus exac-

tement le comportement aux basses températures (domaine 1 de la figure 2) de la conductibilité élec-

trique. Dans la zone de raccordement entre les domaines I et II, l’équilibre [1] régit correctement le nombre des lacunes disponibles pour la conduc- tibilité. Mais, dans le domaine de température cor- respondant à la partie linéaire du domaine I, les dipoles sont en grande partie associés et le nombre

des lacunes disponibles se trouve ainsi diminué. La confrontation de l’ensemble des valeurs des éner-

gies déterminées par les mesures de conductibi- lité électrique et de relaxation diélectrique ne

conduit à aucune contradiction.

3.2. ÉCHANTILLONS IRRADIÉS.

-

3.2.1. Irra- diation y ou X.

-

Bergé et Blanc [15] ont étudié

l’effet des irradiations y faites à température

ambiante avec une source de 300 curies de cobalt 60.

Ils constatent qu’une irradiation de 7 X 107 ront- gen provoque une diminution dans un rapport 103

de la conductibilité électrique d’échantillons ordi-

naires, à la température de 86,3 OC (donc dans le

domaine I de la figure 2). Parallèlement, l’irradia-

tion aux rayons X a pour effet la diminution des

pertes diélectriques dans les échantillons trempés.

Donc, l’irradiation y ou X provoque, probablement

par « décoration électronique », une inhibition des associations Mg++ Li+ qui ne peuvent plus

jouer le rôle de sources de lacunes pour la conduc-

tibilité, ni le rôle de dipoles pour la relaxation

diélectrique. Mais l’interprétation du mécanisme de guérison présente des difficultés [16].

D’autre part, dans les échantillons très purs, ou

tout au moins réputés très purs parce que leur

(5)

546

conductibilité électrique dans le domaine non intrinsèque est environ mille fois plus faible que la conductibilité des échantillons ordinaires (dont le

taux d’impureté est de l’ordre de 10-4), l’irradia-

tion y provoque une légère augmentation de la

conductibilité. Le traitement thermique, après irradiation, de ces mêmes échantillons, conduit sui- vant la température à une augmentation ou à une diminution de la conductibilité. Les auteurs [16]

poursuivent des expériences dans ce domaine, mais

l’ensemble des résultats semble indiquer que les cristaux jugés purs sur le critère de la conductibilité

électrique très faible dans le domaine induit, ne paraissent purs que parce que leurs impuretés sont compensées et n’entrent plus dans le mécanisme de

l’équilibre [1]. D’où l’urgente nécessité de fabri-

quer, par des méthodes telles que la fusion de zone

déjà exploitée avec succès par Kanzaki et coll. [17]

pour KCI, des monocristaux très purs de LiF, 3.2.2. Irradiation aux neutrons thermiques à la température du réacteur [15, 16, 63].

-

Aux faibles

doses d’irradiation (1014-1015 nvt) les effets domi-

nants sont les effets d’ionisation : les résultats sont

comparables à ceux que provoque l’irradiation y.

L’effet spécifique des neutrons n’apparait qu’à des

doses supérieures. Cet effet consiste, en particulier,

dans l’apparition d’un grand nombre de paires de

lacunes F- Li+ . La dissociation de ces

paires de lacunes constitue une source de porteurs

pour la conductibilité électrique et l’étude de la variation de cette conductibilité en fonction de T

permet d’évaluer l’énergie d’association, qui est de

l’ordre de 0,7 eV, c’est-à-dire pratiquement égale

à l’énergie d’association des complexes Mg++

Li+ .

La concentràtion en paires de lacunes formées par une irradiation de 1018 nvt est d’environ 10-4.

Il en résulte que, pour cette dose, aux basses tem- pératures, la conductibilité a des échantillons irra- diés contenant un taux d’impureté « normal » de

10-4 est du même ordre de grandeur qu’avant jrra- diation [les sources de porteurs ont changé de

nature : au lieu d’être les associations Mg++

Li+ qui sont maintenant inhibées par les effets

d’ionisation, ce sont les associations de lacunes

J F- Li+ ; ; mais le nombre de ces sources est resté du même ordre].

Ces associations de lacunes disparaissent entre

300 °C et 380 OC, domaine de température pour

lequel ...la mobilité des lacunes F- devient

appréciable. Après recuit dans ce domaine de tem-

pérature, la conductibilité des échantillons les plus

purs coïncide avec la valeur de la conductibilité

intrinsèque, tandis que pour les échantillons impurs,

la courbe log a = f(1/T) présente une portion

jinéaire correspondant à une énergie de 1,35 eV. On peut donc penser [16] que le recuit entre 300 OC et

380 °C a favorisé la formation d’un nouveau type

de défaut complexe associant les impuretés Mg2+

aux lacunes 1

.

L’énergie âe liaison de ces complexes vaudrait 2(1,35 - 0,65) = 1,4 eV, (0,65 eV étant l’énergie d’activation de saut de la lacune dans le réseau).

Finalement, la guérison du cristal est obtenue

au-dessus de 450 OC ou 500 °C : il se décolore et sa

conductibilité redevient normale.

Les résultats de l’étude des propriétés diélec- triques des échantillons irradiés aux neutrons sont bien compàtibles avec les mécanismes suggérés

pour l’interprétation de la conductibilité.

En effet, des lames de fluorure de lithium, irra-

diées à la température du réacteur à des doses

comprises entre 1017 et 1018 nvt, présentent entre

102 et 105 Hz, deux domaines de relaxation diélec-

trique [20, 21]. L’un, celui de plus basse fréquence (qu’on désigne par les initiales LF2), coïncide avec

le domaine (désigné par LF1) mis en évidence dans les cristaux impurs avant irradiation (§ 3.1.2).

Mais l’irradiation fait apparaître ce domaine LF2

aussi bien dans les échantillons impurs que dans les échantillons purs, dans lesquels la trempe avant

irradiation ne faisait pas. apparaître le domaine LFI. Le domaine LF2 est donc indépendant des impuretés, et il est naturel de supposer qu’il est

à la relaxation des dipoles constitués par les paires

de lacunes 1 F- Li+ i créées par l’irradiation.

Les dipoles responsables de LF, et LF2 ont donc la

même partie mobile, la lacune de lithium, mais un

« pivot » différent (Mg++ pour LFI, F- pour

LF2). Le fait que la relaxation des deux types de dipoles ait, aux erreurs d’expérience près, la même énergie d’activation, montre que la mobilité de la lacune de lithium autour des deux « pivots » est pratiquement la même.

Le deuxième domaine de relaxation (noté HF)

est situé à fréquence plus élevée. Il lui correspond

une énergie d’activation de 0,4 eV.

L’évolution des défauts par chauffage à des tem- pérature conlprises entre 120 °C et 180 OC conduit

à une diminution du nombre des dipoles respon- sables du domaine LFZ, au profit des dipoles res- ponsables du domaine HF. Entre 180 OC et.300 OC,

l’intensité du domaine HF diminue elle aussi et, après un recuit à 300,DC, les cristaux ne présentent plus aucune perte appréciable dans tout le domaine

de fréquence exploré. Les échantillons ne sont

cependant pas entièrement guéris ; ils sont encore

colorés.

La véritable guérison n’intervient qu’après un chauffage aux environs de 500 °C. Alors, les cris-

taux impurs retrouvent par trempe le domaine de

relaxation diélectrique LF1 des cristaux non irradiés.

(6)

Les seules données diélectriques ne permettent

pas de proposer un modèle précis pour la structure des dipoles responsables du domaine HF. On peut

seulement dire qu’ils se forment très certainement à partir des couples de lacunes responsables du

domaine LF2.

3.2.3. Irradiation aux neutrons thermiques à

basse température [16, 18, 19].

-

Une série d’échan- tillons a été irradiée dans une « boucle f roide » à des températures échelonnées entre - 195°C et

-

10 OC. Les échantillons irradiés à une tempé-

rature inférieure à

-

60 °C ont, quant à la conduc-

tivité électrique, le même comportement que des échantillons irradiés au rayonnement y, donc un

comportement très différent de celui des échan- tillons irradiés aux neutrons à la température du

réacteur.

Or, la nature et le nombre des défauts « pri-

maires » créés par irradiation ne dépend certaine-

ment pas de la température d’irradiation. Ces défauts primaires se réarrangent sous rayonne- ment en défauts « secondaires », et le mode de

réarrangement dépend de la température d’irra-

diation. Ce sont les défauts secondaires qui condi-

tionnent les propriétés électriques des échantillons irradiés. Si la température d’irradiation est suffi- sante (supérieure à

-

60 OC) le réarrangement sous rayonnement conduit à la formation de couples de

lacunes et on observe le comportement électrique

et diélectrique décrit au paragraphe 3.2.2. Si la température d’irradiation est plus basse, les

lacunes primaires, trop peu mobiles, ne se rassem-

blent pas mais sont, sous rayonnement, neutralisées par décoration électronique, ce qui conduit à un comportement électrique identique à celui des

échantillons irradiés y. Les résultats des mesures

diélectriques [20] confirment cette interprétation.

Ces expériences soulignent l’importance de la

distinction entre défauts primaires créés par l’action directe des rayonnements et les défauts secondaires

qui résultent de l’établissement d’un équilibre sous rayonnement de l’ensemble des défauts possibles.

3.3. INFLUENCE DES DISLOCATIONS SUR LA

CONDUCTIBILITÉ.

---

a) Pour terminer ce para-

graphe consacré aux relations entre défauts ponc- tuels et propriétés électriques dans LiF, nous vou-

lons encore mentionner des travaux [22] prouvant

que la facile diffusion des cations dans les « canaux »

(pipes) formés dans l’assemblage atomique par les dislocations constitue aussi un mécanisme de conductibilité. C’est ainsi que des atomes de sodium diffusent facilement le long des disloca- tions dans LiF (énergie d’activation : 0,3 eV). On

constate que la conductibilité due à ce mécanisme est d’autant plus grande que le cristal a subi des traitements mécaniques qui ont eu pour effet

d’augmenter le nombre des dislocations.

b) Des expériences faites par Kanzaki et coll.

avec des échantillons de KCI très purs [23] montrent

que la conductibilité dépend de la densité de dislo- cations et qu’elle peut devenir anisotrope lorsque la répartition, en direction, des lignes de dislocations est anisotrope dans l’échantillon. Les auteurs en

concluent que, dans des cristaux très purs, les dis- locations coins sont entourées d’un nuage dense de lacunes d’ions positifs. Ici encore, il est très souhaitable de fabriquer des cristaux très purs de LiF pour pouvoir étudier cet effet.

c) Enfin, rappelons l’influence des dislocations

sur les phénomènes électriques transitoires lors de l’établissement du champ électrique, ou pendant

la déformation plastique des échantillons [24, 25,

26].

1

4. Les centres colorés.

-

Les travaux sur les centres colorés dans les halogénures alcalins ont

fait l’objet récemment d’un article de revue dans

ce même journal [27]. Nous nous bornerons donc à

souligner ici les résultats qui nous semblent les

plus importants pour le fluorure de lithium. Les

halogénures alcalins, normalement transparents

et incolores, se colorent, par création de défauts

ponctuels nommés centres colorés, sous l’effet des radiations ou sous l’effet d’un chauffage dans la

vapeur du métal alcalin. L’originalité du LiF parmi les halogénures alcalins est que ce deuxième mécanisme est pratiquement inefficace [28]. La

création des centres colorés dans LiF se fait donc seulement par irradiation.

Les centres colorés peuvent être divisés en trois

groupes principaux, correspondant à trois ensem-

bles de bandes d’absorption désignées par les lettres F, V et M. Les centres du type F (absorp-

tion autour de 2 500 À) sont des défauts compre- nant un électron « capté » par un défaut atomique.

Les centres V (absorption autour de 3 400 À) sont

formés par un trou positif capté par un défaut ato-

mique. Les centres M (absorption aux environ de

4 500 A) sont certainement formés par l’associa- tion de centres F.

4.1. LES CENTRES F.

-

On admet depuis long- temps [2, 29] que les centres F sont constitués par

un électron capté par une lacune d’un ion négatif

F-. Le spectre de structure, hyperfine de réso-

nance électronique (ESR) montre que l’électron se

partage symétriquement entre les ions qui entou-

rent la lacune. Ce résultat est confirmé par le spec- tre de double résonance électronique et nucléaire (méthode Endor) [30, 31]. Le centre F possède

donc la symétrie complète du site qu’il occupe dans le cristal ; nous verrons ci-dessous qu’il n’en est

pas ainsi pour les autres types de centres. Le spectre Endor permet en outre de conclure à un

léger déplacement des ions voisins vers la lacune,

Nous avons déjà évoqué, à propos des exci-

(7)

548

tons (§ 2), le mode de formation des centres F. Dans

un grand nombre d’expériences d’irradiation, on

constate en effet la formation de centres F, alors

que l’énergie des photons ou des électrons incidents est trop faible pour produire des lacunes par dépla-

cement ionique direct. Il faut donc évoquer un

mécanisme indirect. Varley [4, 32] suggère le

mécanisme suivant : les radiations ionisantes pro-

voquent une ionisation multiple de l’ion halogène ;

cet ion acquiert ainsi une énergie électrostatique

telle qu’il doit quitter son site et qu’il passe en

position interstitielle. On a discuté la probabilité

des divers mécanismes conduisant à cette ionisa- tion multiple. Le plus plausible de ces mécanismes

fait intervenir l’ionisation d’une couche interne suivie d’une transition du type Auger [33, 34].

La formation de centres F s’accompagne d’une

dilatation du cristal. Wiegand et Smoluchowski [35]

ont montré qu’il existe une corrélation entre l’aug-

mentation de volume et l’intensité de la bande F.

Cependant, les centres F ne sont pas seuls respon- sables de la dilatation : dans des échantillons irra- diés aux rayons X à 90 0 K une guérison partielle

de la dilatation à 130 OK ne s’accompagne pas d’une diminution du nombre des centres F (le

revenu à basse température pourrait être à une

modification de la configuration des interstitiels).

La bande F peut être « blanchie » par illumination de l’échantillon en lumière ultraviolette [36].

4.2. LES CENTRES V.

-

Les centres V offrent Une plus grande variété. Ces centres sont en géné-

ral formés par irradiation à basse température. Ils

sont instables à température ordinaire, et n’ont

pas tous le même domaine de stabilité, ce qui per- met une étude spécifique.

On a déjà évoqué (§ 2) une des variétés de centre V : le trou autocapté. Kânzig a mis en

évidence et étudié par résonance magnétique (1, 37)

trois autres types de centres V qui correspondent pratiquement à la même bande d’absorption, au voisinage de 3 400 A :

-

le centre H est chimiquement équivalent à

un atome F interstitiel, mais sa véritable structure

est celle d’un ion « moléculaire » F2 substituant un

ion F- dans l’édifice cristallin (fig. 1B) ;

-

le centre VF est chimiquement l’antiomorphe

du centre F (trou capté par une lacune Li+

mais sa structure réelle est bien différente. Le trou est en fait localisé sur deux ions fluor ( fig. 1C). On a, ici encore, un « ion moléculaire » F2 ;

-

le centre Vt ne peut plus être décrit à l’aide de l’ion moléculaire F2. Le défaut comporte une

lacune de fluor et deux lacunes de lithium. Le trou est localisé sur trois ions fluor ( fig. 1D).

Känzig donne dans l’ensemble de ses .publica-

tions une description détaillée de la structure de ces centres et de leurs domaines de stabilité. (On trou-

vera une bibliographie dans la référence [1]).

4.3. LES CENTRES M. - On a constaté que les intensités des bandes d’absorption F (2 500 À) et

M (4 500 À) dans les halogénures alcalins irradiés

étaient le plus souvent liées, faisant apparaître une proportionalité entre la concentration en centres M et le carré de la concentration en centres F. [Voir

par exemple [38] et [39] pour KCI]. On .peut donc

penser que le centre M est formé par la réunion de deux centres F [40, 41, 42] ; les résultats de Sibley

et Sonder [39] semblent indiquer de façon plus précise qu’il existe un équilibre sous radiation (dans KCl) entre centres F et M et que cet équi-

libre est gelé après cessation de l’irradiation.

La formation de centres M n’est d’ailleurs qu’un premier stade dans le rassemblement des centres F [43].

Les centres M dans LiF ont été en particulier

étudiés par Kubo et Ozawa [44] et par Kaufman,

Dover et Clark [28]. Il résulte de ces travaux que la situation est moins simple dans LiF que dans KCI. La bande à 4 500 comprend au moins

deux composantes. Le blanchiment à l’aide de lumière polarisée fait apparaître un dichroïsme correspondant à la direction 110 >.

La connaissance complète des centres correspon- dant à la bande M (4 500 A) dans LiF nécessite

encore de nouvelles études.

.

5. Les défauts de grande taille.

--

5.1. LES

CAVITÉS SUBMICROSCOPIQUES ET MICROSCOPIQUES

DANS LiF IRRADIÉ AUX NEUTRONS.

-

Lambert et

Guinier [45] montrent, par la technique de diffu-

sion centrale des rayons X, que des échantillons

ayant reçu des doses allant de 2 à 5 X 1018 neu- trons thermiques par cm2 présentent des hétéro-

généités de densité dont les dimensions sont de l’ordre de 20 à 40 Á. La discussion des résultats montre que ces hétérogénéités sont certainement des cavités vides ou remplies d’une matière peu dense. La concentration en volume des cavités croit

avec la dose d’irradiation. Elle augmente par recuit après irradiation jusque 300 OC, puis diminue rapidement jusqu’à la « guérison )) vers 400 °C. Le

volume relatif des cavités pour une irradiation de 5 X 1018 nvt, et après recuit à 300 ’OC, est de 1,2 X 10-3.

Ces cavités se forment vraisemblablement par coalescence des lacunes pendant l’irradiation, puis pendant le chauffage à température modérée (jusqu’à 300 OC).

Par recuit à plus haute température, les petites

cavités disparaissent, mais on observe la formation

de très grosses cavités parallélipipédiques, limitées

par les plans 100 j, dont les dimensions sont de l’ordre de quelques dizaines de microns [46].

5.2. RASSEMBLEMENTS D’ATOMES DE LITHIUM.

-

Les diagrammes de diffraction de rayons X par des

monocristaux de LiF irradiés aux neutrons présen-

(8)

tent des traînées de diffusion à partir de doses

d’irradiation de l’ordre de 1017 nvt [47, 48]. Ces

traînées se localisent le long des rangées 100 >

du réseau réciproque et présentent, aux environs de la position 1,4 X 1 1

,

un maximum qui s’accentue

a

par recuit à 250 °C. On peut en conclure à l’exis-

tence d’un défaut de périodicité dans l’empilement

des plans structuraux parallèles à 1100 } et au

rassemblement d’atomes de lithium en plaquettes parallèles à ces plans et dont le diamètre moyen est

de l’ordre de 100 A. Le maximum de diffusion cor-

respond à uns écartement de l’ordre de 3 A entre

plans structuraux : le diamètre des atomes neutres de lithium vaut 3 A.

Donc, parallèlement au rassemblement des lacunes en cavités, on assiste à une précipitation

en plaquettes des atomes de lithium mis par l’irra- diation en position d’interstitiels.

Lorsque la dose d’irradiation est supérieure à

1019 nvt [49], on peut observer sur les diagrammes

de diffraction de rayons X, outre les trainées dif- fuses, des taches de diffraction qui sont dues à des précipités de métal de lithium sous sa forme allo-

tropique de haute pression, cubique à faces cen-

trées. Ces taches de diffraction disparaissent sur les diagrammes pris à 200 °C, c’est-à-dire à une tempé-

rature supérieure à celle du point de fusion du

lithium. Après refroidissement, de nouvelles taches apparaissent : elles correspondent à des précipités

de lithium ordinaire, cubique centré, orienté par

rapport à la matrice de LiF.

Cette belle démonstration sur le mode de forma- tion des précipités de lithium métallique est confir-

mée par les résultats de microanalyses thermiques

différentielles [50] qui mettent en évidence la fusion

des précipités de lithium dans la matrice de LiF.

Des échantillons irradiés en pile à - 195°C ont également été étudiés [51, 52]. (Les diagrammes de

rayons X ont été réalisés à température ordinaire).

On observe alors dans le cristal des zones pertur-

bées dont les dimensions varient de 3,7 à 17,5 À,

mais il est difficile de savoir si les défauts observés sont le résultat direct de l’irradiation à froid ou

sont apparus pendant le réchauffement jusqu’à la température ordinaire. Des expériences sont actuel-

lement en cours pour l’étude par rayons X sans

réchauffement, en maintenant les échantillons à la

température de l’azote bouillant. La comparaison

des résultats de l’irradiation aux neutrons, en fonction de la température d’irradiation, est pré-

sentée par A. Guinier dans une communication au

prés,ent colloque [53].

5.3. DÉFAUTS MIS EN ÉVIDENCE PAR L’ÉTUDE

DU PROFIL DES TACHES DE DIFFRACTION DE RAYONS X [62]. - Cette méthode permet d’étudier des déf auts submicroscopiques en nombre trop

petit pour que la diffusion centrale ait une inten- sité mesurable. Par l’étude du profil des taches 200 et 400 de monocristaux irradiés aux neutrons à des doses relativement faibles (1017 à 5 X 1017 nvt)

Dubois et Tournarie [62] montrent l’existence de

zones perturbées qui ont les caractères suivants : leur nombre ne varie pas avec la dose d’irradia-

tion, ce qui fait penser qu’elles sont initiées ou

ancrées sur des défauts préexistant à l’irradiation.

Par contre, le volume de ces zones perturbées aug- mente avec la dose de neutrons. L’analyse précise

des profils de raies présente encore des difficultés,

mais on peut néanmoins conclure que les zones

perturbées mises en évidence dans ces expériences

sont constituées par des rassemblements organisés

de défauts ponctuels.

5.4. DÉFAUTS MIS EN ÉVIDENCE PAR TOPOGRA- PHIE AUX RAYONS X (MÉTHODE DE LANG).

-

Outre

les dislocations, les topographies aux rayons X

(clichés suivant la méthode de LANG [54], revèlent

la présence dans des cristaux de LiF non irradiés,

des défauts qui donnent des images localisées dont le diamètre est de l’ordre de quelques dizaines de

microns. Le caractère de ces images interdit de les

interpréteur comme provenant de boucles de dislo- cations isolées. Il s’agit de pertùrbations du réseau probablement dues à des ensembles de boucles

voisins de la surface.

6. Influence des défauts ponctuels sur les pro-

priétés mécaniques de LiF.

-

6.1. CRISTAUX NON

IRRADIÉS [55, 57].

-

Les cristaux de LiF sont

d’autant plus mous qu’ils sont plus purs. On

montre d’autre part que dans les cristaux les plus

purs, la limite élastique ne dépend, pas de l’histoire des traitements thermiques subis par les échantil- lons. Par contre, dans les cristaux impurs (conte-

nant environ 75 ppm de Mg), la limite élastique dépend fortement des traitements thermiques :

elles est beaucoup plus élevée dans les échantillons

chauffés, puis refroidis lentement, que dans les échantillons chauffés puis trempés, les mesures de

limite élastique étânt faites à température ordi-

naire (300 °K).

Or, on sait (cf. § 3.1) que l’état d’agrégation des dipoles Mg+ + Li+ est très sensible à la trempe :

les dipoles, isolés dans les cristaux trempés, s’agrè- gent dans les cristaux recuits. On peut en conclure qu’à température ordinaire les agrégats sont beau-

coup plus efficaces que les dipoles pour gêner les

dislocations dans leurs mouvements.

A basse température (20 °K), la situation est inverse les cristaux trempés sont les plus durs :

c’est qu’alors les dipoles isolés sont plus efficaces

que les agrégats pour entraver le mouvement des

dislocations.

(9)

550

6.2. CRISTAUX IRRADIÉS AUX RAYONS y OU Xl - Dans les cristaux irradiés au rayonnement y ou X [56, 57], on constate l’existence d’une bonne corré- lation entre le nombre de centres F et la valeur de la limite d’élasticité. La situation est la même pour

KCI, mais on constate pour ce composé que ]a limite élastique est pratiquement indépendante du

nombre des centres F créés, non par irradiation,

mais par chauffage dans la vapeur de K (nous avons

vu au paragraphe 4 que le chauffage dans la

vapeur de Li ne conduisait pas à la formation de centres F dans LiF, d’où la nécessité du recours à KCI pour ce type d’expérience).

On en conclut donc que la corrélation entre la variation de la limite élastique et celle du nombre

des centres F, ne correspond pas à une relation de

cause à effet, mais que la variation de la limite

élastique est liée à la formation d’un autre type de défaut, concomitante à celle des centres F, au

cours des irradiations y ou X. On peut invoquer par

exemple les ions halogènes en positions intersti- tielles, ou plutôt les paires de Frenkel (lacune + in- terstitiel).

Les centres VK créés par irradiation à 77 OK sont

également efficaces pour le durcissement de LiF.

D’une façon générale, les défauts ponctuels les plus eflicaces pour le durcissement sont ceux qui provoquent un champ de tensions non symétriques.

6.3. CRISTAUX IRRADIÉS AUX NEUTRONS [58, 53].

-

Pour des irradiations à la température du

réacteur à des doses inférieures à 3 X 1017 nvt, on

constate que la dureté des échantillons augmente

avec la dose tandis que la densité diminue. (Rap- pelons ici que la variation de la densité et du para- mètre cristallin sous l’effet de l’irradiation a été étudiée par divers auteurs [59, 60, 61]). L’irra-

diation crée donc des défauts qui s’opposent effi-

cacement au mouvement des dislocations.

Pour des doses supérieures à 3 X 1017 nvt, alors que la densité continue à décroître, la dureté, après

avoir atteint un maximum, décroît elle aussi. Les

plus gros défauts formés par rassemblement des

plus petits sont moins efficaces. Il semble donc exister une taille optimum pour les défauts en ce

qui concerne le bloquage des dislocations.

Des nouvelles expériences sont encore nécessaires pour établir une comparaison fructueuse entre les effets sur la dureté des irradiations aux rayons X

et y d’une part, et aux neutrons d’autre part.

.

7. Conclusion.

-

Cette revue des principaux

résultats récents obtenus dans l’étude des défauts

ponctuels du fluorure de lithium, montre que, si un

grand nombre de problèmes ont déjà trouvé des

solutions satisfaisantes, quelques points restent

encore obscurs. Nous avons, en particulier, souli- gné combien il serait utile de pouvoir disposer de

cristaux très purs pour séparer les effets intrin-

sèques de ceux qui sont liés aux impuretés.

DISCUSSION

M. F. PRADAL, Laboratoire de Physique des

Solides. Faculté des Sciences de Toulouse.

-

En

analysant les pertes d’énergie d’un faisceau d’élec- trons traversant des couches minces de LiF, nous

observons des raies pouvant correspondre à une absorption d’énergie par des centres colorés. En

particulier, il semble que c’est l’absorption par

des centres U qui est à l’origine de la raie observée à 9 eV, valeur qui est en bon accord avec la loi

d’Ivey. C’est là une technique qui peut donner des renseignements complémentaires sur les centres

colorés.

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