HAL Id: jpa-00215339
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00215339
Submitted on 1 Jan 1973
HAL is a multi-disciplinary open access archive for the deposit and dissemination of sci- entific research documents, whether they are pub- lished or not. The documents may come from teaching and research institutions in France or abroad, or from public or private research centers.
L’archive ouverte pluridisciplinaire HAL, est destinée au dépôt et à la diffusion de documents scientifiques de niveau recherche, publiés ou non, émanant des établissements d’enseignement et de recherche français ou étrangers, des laboratoires publics ou privés.
PHOTOÉMISSION DANS LES DIÉLECTRIQUES : MESURE DU LIBRE PARCOURS MOYEN DES
ÉLECTRONS ET APPLICATION A LA
DÉTERMINATION DES PROFILS DE CHARGES
N. Szydlo, R. Poirier
To cite this version:
N. Szydlo, R. Poirier. PHOTOÉMISSION DANS LES DIÉLECTRIQUES : MESURE DU LI- BRE PARCOURS MOYEN DES ÉLECTRONS ET APPLICATION A LA DÉTERMINATION DES PROFILS DE CHARGES. Journal de Physique Colloques, 1973, 34 (C6), pp.C6-78-C6-78.
�10.1051/jphyscol:1973618�. �jpa-00215339�
JOURNAL DE PHYSIQUE Colloque C6, supplément au nv 11-12, Tome 34, Novembre-Décembre 1973, page 05-78
PHOTOÉMIS SION DANS LES DIÉLECTRIQUE s :
MESURE DU LIBRE PARCOURS MOYEN DES ÉLECTRONS
ET APPLICATION A LA DÉTERMINATION DES PROFILS DE CHARGES
N. S Z Y D L O et R. P O I R I E R
LCR Thomson-CSF, Domaine de Corbeville, 91-Orsay, France
Résumé. - La diffusion des photoélectrons, émis dans le diélectrique d'une structure MOS, par Ies phonons optiques est appliquée à la détermination du libre parcours moyen 1 des électrons et du profil de charge aux deux interfaces dans l'isolant. L'effet des forces images sur I'électron injecté dans le diélectrique se traduit par l'existence d'une barrière de potentiel que l'électron doit franchir, située à une distance x, de l'interface considérée. Berglund et Powell ont montré que la diffusion des porteurs sur cette distance x, module le pnotocourant par le facteur exp - x,/l.
Dans une structure W-A1203-Si, les courbes de Fowler tracées pour différentes polarisations mettent en évidence l'abaissement de barrière dû à l'effet Schottky et permettent de déterminer le libre parcours moyen de I'électron dans l'alumine normalement à la surface (2,9 A). L'alumine (300A) et le tungstène (150 a) sont obtenus par pyrolyse successive de AI-CI3 et WCI6.
Le libre parcours moyen dans la silice (35 A) a été déterminé par photo-émission interne à polarisation variable et par photo-émission dans le vide à épaisseur de silice variable.
La présence d'une distribution spatiale p(x) de charges dans le diélectrique modifie le champ électrique et par suite x,. L'étude comparative des courbes de photo-émission 1-V, sous illumina- tion constante, dans une structure Au-Sioz-Si avant et après implantation de B:, montre un déca- lage A V = f (1) qui permet d'atteindre à la distribution de charge produite p(x). Pour une épais- seur de silice de 4 700 A, une distribution de charges négatives de la forme 2 x 1 0 1 9 exp(- x/40 A) a été observée à partir des interfaces Si-Sioz et Au-SiOz.
Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/jphyscol:1973618
