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Nom :
Cours 10 (aprés) Physique des composants semiconducteurs
Choisissez toutes les bonnes réponses. Il peut y avoir plus d’une affirmation correcte.
1. Dans le régime « accumulation »
a. La tension de grille « chasse » les porteurs majoritaires.
b. La tension de grille attire les porteurs minoritaires.
c. La tension de grille attire les porteurs majoritaires.
d. A l’interface isolant/semiconducteur le dopage « local » est l’opposé du dopage « en profondeur » (en nature).
e. Le dopage « local » à l’interface isolant/semiconducteur est le même que le dopage « en profondeur » (nature et valeur).
f. Une partie ou la totalité de la charge dans le semiconducteur est due aux charges fixes.
2. Dans le régime « désertion »
a. La tension de grille « chasse » les porteurs majoritaires.
b. La tension de grille attire les porteurs minoritaires.
c. La tension de grille attire les porteurs majoritaires.
d. A l’interface isolant/semiconducteur le dopage « local » est l’opposé du dopage « en profondeur » (en nature).
e. Le dopage « local » à l’interface isolant/semiconducteur est le même que le dopage « en profondeur » (nature et valeur).
f. Une partie ou la totalité de la charge dans le semiconducteur est due aux charges fixes.
3. Dans le régime « inversion »
a. La tension de grille « chasse » les porteurs majoritaires.
b. La tension de grille attire les porteurs minoritaires.
c. La tension de grille attire les porteurs majoritaires.
d. A l’interface isolant/semiconducteur le dopage « local » est l’opposé du dopage « en profondeur » (en nature).
e. Le dopage « local » à l’interface isolant/semiconducteur est le même que le dopage « en profondeur » (nature et valeur).
f. Une partie ou la totalité de la charge dans le semiconducteur est due aux charges fixes.
2 4. Vrai ou faux :
a. La tension appliquée à la grille est égale à la chute de tension dans l’isolant.
b. Le potentiel de Fermi est lié au dopage.
c. La tension de seuil est la tension de grille à laquelle on passe du régime d’accumulation au régime de désertion.
d. A la tension de seuil la densité des porteurs minoritaires « en profondeur » est égale à la densité des porteurs majoritaires à l’interface isolant/semiconducteur.
e. A partir de la tension de seuil, la zone de déplétion augmente avec la tension appliquée.
