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Nom :
Cours 2 (après) Physique des composants semiconducteurs
Choisissez toutes les affirmations correctes. Il peut y en avoir plusieurs.
1. La bande de valence est :
a. la bande de plus haute énergie complète à T=0K.
b. la bande de plus haute énergie complète à T=300K.
c. la bande d’états juste en dessous de la bande de conduction.
d. la bande d’états juste au-dessus la bande de conduction.
2. La masse effective d’un électron dans un cristal semiconducteur :
a. Est la masse qu’on mesurerait effectivement si l’on pouvait mettre un électron sur une balance.
b. Est lié à la courbure de la bande de conduction à son minimum sur un graphique E(k) (énergie de l’électron en fonction de son vecteur d’onde).
c. Est toujours plus grande que la masse d’un électron libre.
d. Est toujours plus petite que la masse d’un électron libre.
e. Est toujours la même que la masse d’un électron libre.
f. Est la masse qui prend en compte les forces du cristal exercées sur l’électron.
g. Est la masse à utiliser dans l’équation Fintérieur ma (càd, les forces existantes dues au cristal).
h. Est la masse à utiliser dans l’équation Fextérieur ma (càd les forces d’origine extérieure du cristal).
i. Est la masse à utiliser dans l’équation Ftotal ma (forces extérieures et intérieures).
3. Quand on parle d’un « trou » dans le contexte de la physique des semiconducteurs, il s’agit …
a. …de l’espace créée quand une impureté de petite taille existe dans le semiconducteur.
b. …d’une particule réelle chargée positivement, similaire à un positron c. ...d’un état électronique inoccupé dans la bande de valence
d. …d’une particule « virtuelle » de la même masse mais avec la charge opposée d’un électron
e. …d’une particule « virtuelle » qui n’existe que dans les semiconducteurs dopés p.
f. …de quelque chose qui empêche un courant électrique à circuler
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g. …d’un endroit dans l’échantillon où il y a du matériau qui manque.
h. …du fait d’avoir oublié quelque chose.
4. Le dopage …
a. N’a aucun effet sur la résistivité de l’échantillon.
b. Consiste en le remplacement d’une faible proportion d’atomes de (par ex.) Si par un autre élément.
c. Consiste en l’ajout de n’importe quelle impureté pendant la croissance.
d. Change les propriétés de l’échantillon, peu importe la température.
e. Permet de contrôler les caractéristiques électroniques de l’échantillon semiconducteur.
f. Permet de contrôler les caractéristiques optiques de l’échantillon semiconducteur.
g. Est illégal en France.
