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Nom :
Cours 11 (après) Physique des composants semiconducteurs
Choisissez toutes les bonnes réponses. Il peut y avoir plus d’une affirmation correcte.
1. Afin de mesurer le caractéristique Capacité-Tension d’une capacité MOS a. On applique une tension continue.
b. On applique une tension alternative.
c. On applique un courant continu.
d. On applique un courant alternatif.
e. On mesure une tension continue.
f. On mesure une tension alternative.
g. On mesure un courant continu.
h. On mesure un courant alternatif.
2. Vrai ou faux :
a. La capacité d’une MOS en accumulation est la même que la mesure soit réalisée à haute fréquence ou pas.
b. La capacité d’une MOS en désertion ne varie pas avec la tension de grille.
c. A VG=0, on n’est jamais en désertion.
d. Le travail de sortie d’un semiconducteur varie avec le dopage.
e. Le travail de sortie d’un semiconducteur varie avec la tension de grille.
3. Le canal d’un MOSFET est « ouvert » quand on est dans le régime de …. ?
