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Nom :
Cours 5 (après) Physique des composants semiconducteurs
Choisissez toutes les bonnes réponses. Il peut y avoir plus d’une affirmation correcte.
1. Tracer des lignes entre la colonne de gauche et la colonne de droite :
Régime d’ionisation des impuretés T élevée
Régime d’épuisement des impuretés T basse
Régime intrinsèque n=ND+
n=ni
T moyenne n=p n=ND
n=0 n=ND-
2. La dérive est
a. le fait de s'écarter de la voie normale, d'aller à l'aventure, de déraper b. un déplacement incontrôlé d'un objet flottant ou immergé dû à l'action
du vent et des courants
c. le mouvement des particules d’une région à haute concentration de particules vers des régions à basse concentration de particules d. le mouvement d’une particule chargée en réponse à l’application d’un
champ électrique
3. La mobilité d’un électron ou d’un trou
a. est indépendante du champ électrique appliqué b. est indépendante de la masse effective
c. est indépendante de la température d. augmente lorsque le dopage augmente e. joue un rôle dans la résistivité du matériau
f. change de signe selon qu’il s’agit d’un électron ou un trou
2 4. Vrai ou faux :
a. Dans un semiconducteur dopé uniformément, un courant de diffusion existe.
b. Si l’on applique un champ électrique sur un barreau de semiconducteur, un courant de dérive existe.
c. Dans un semiconducteur dopé n, seuls les courants d’électrons peuvent exister.
d. Dans un semiconducteur dopé p, seuls les courants de trous peuvent exister.
