notices techniques

notices techniques notes d'applications

optoélectronique

R. T .C. LA RADIOTECHNIQUE - COMPELEC

édition 1976

Numérisé par F1CJL en Mars 2020 . 600dpi

2

liste alphanumérique

3 - BPW 22 3 - BPW 71 3-BPX25 3-BPX29 1 - BPX 40-41-42 2-BPX47A 3 - BPX 70 3 - BPX 70 C/O/E 3-BPX71 3- BPX

72

3 - BPX

72

C/O/E 3 - BPX 95A 1 -BPY 13 1 - BPY 13A 7 - CNY 22 7 - CNY 23 7 - CNY 42 7 - CNY 43 7 - CNY 44 7 - CNY 46 7 - CNY 47/47A 7 - CNY 48 6 - COX 85 4 - COY 11 B 4 - COY 11 C 5 - COY 24N61 B 5 - COY 24N1/2/3 4 - COY 49B/49C 4- COY 50 4- COY 52 5 - COY 53 5- COY 54 5 - COY 54-1/2/3 4- COY 58 6 - COY 81/81A 6 - COY 81 B 6-COY81C/O 6 -COY 82/8?A 6 - COY 82B 6 - COY 82C/O 6- COY 82E 6 - COY 84 5 - COY 88 4- COY 89 5 - COY 94 5-COY95 5 - COY 96 5 - COY 97 8-F467/471 1 - OAP 12 7-0NA101 5 - ONA 102 4-0NA 103 8-0RP10

8 - RPY 75/75N76/76A 8 - RPY 77/78/79/80 4 - RTC 757/758 8 - 61 SV/62SV 8 - 802 CPY

phototransistor phototransistor phototransistor phototransistor photodiodes module solaire phototransistor phototransistor phototransistor phototransistor phototransistor phototransistor photodiode photodiode photocoupleur photocoupleu r photocoupleur photocoupleur photocoupleur photocoupleur photocoupleurs photocoupleur

afficheur numérique (rouge)

diode électroluminescente (infrarouge) diode électroluminescente (infrarouge) diodes électroluminescentes (rouge) diodes électroluminescentes (rouge) diodes électroluminescentes (infrarouge) diode électroluminescente (infrarouge) diode électroluminescente (infrarouge) diode électroluminescente (rouge) diode électroluminescente (rouge) diode électroluminescente (rouge) diode électroluminescente (infrarouge) afficheurs numériques (rouge)

afficheur numérique (rouge) afficheurs numériques (jaune) afficheurs numériques (rouge) afficheur numérique (rouge) afficheurs numériques (jaune) afficheur numérique (jaune) afficheur numérique (rouge) diode électroluminescente (rouge) diode électroluminescente (infrarouge) diode électroluminescente (vert) diode électroluminescente (vert) diode électroluminescente (jaune) diode électroluminescente (jaune) détecteur infrarouge

photodiode

applications des photocoupleurs

applications des diodes électroluminescentes applications des diodes infrarouges

détecteur infrarouge détecteurs infrarouge détecteurs infrarouge accessoi res

détecteurs infrarouge détecteur infrarouge

25 31 37 39

5

17 41 45 47 51

55

57

9

1 1 193 197 201 205 207 213 217 229 165 61 65 125 131

69 75 79 133 135 139 83 167 1 71 175 177 181 185 187 189 141 89 145 149 153 155 249 13 237 157 93 251 255 257 91 261 265

définition des symboles utilisés en optoélectronique

Aapp Ae Ar As

BV

C Cc Cd Cin/out

D*

E Ee Ev Fco 1 IC IC/IF ICEG ICM le IF IF (P) IFRM IF (5) IFSM IF (T) IL Ip I_pc IR Iv Le Lv NEP P PL = Pp Ptot R RD Riso Rth j-a Rth j-case Rth j-mb

S T

Tamb td tf Tj toff ton t p tr t

s

Tstg V

: surface apparente : surface émissive : surface réceptrice : surface sensible : tension de tenue : capacité

: capacité collecteur : capacité diode

: capacité entrée-sortie ou primaire-secondaire : détectivité

: éclairement

: éclairement énergétique : éclairement visible : fréquence de coupure

: intensité du courant électrique

: courant collecteur (= Ip = IL si VCE et E sont définis)

: rapport de transfert dans un photo-coupleur (courant de sortie/courant d'entrée) : courant d'obscurité collecteur

: courant collecteur crête : intensité énergétique : courant direct dans une diode

: courant direct dans le point d'un afficheur numérique : courant de crête répétitif

: courant dans un segment d'un afficheur numérique : courant de crête non répétitif

: courant total dans un afficheur numérique

: courant sous éclairement (= Ip = IC si VCE et E sont définis) : courant sous éclairement (= IL = IC si VCE et E sont définis) : courant de court-circuit sous éclairement

: courant inverse dans une diode : intensité lumineuse visible : luminance énergétique : luminance visible

: puissance équivalente de bruit : puissance électrique

: puissance délivrée sous éclairement : puissance totale dissipée

: résistance électrique : résistance dynamique

: résistance d'isolement entre entrée et sortie : résistance thermique de la jonction à l'ambiante : résistance thermique de la jonction au boîtier : résistance thermique de la jonction au fond de boîtier : sensibilité

: température

: température ambiante : temps de retard à la montée : temps de descente

: température de jonction

: = t s + tf : temps de descente total : = td + tr : temps de montée total : durée de l'impulsion

: temps de montée

: temps de retard à la descente : température de stockage : tension électrique

3

4

V(BR) VCB VCBO VCC VCE

: tension de claquage : tension collecteur-base

: tension collecteur-base (émetteur ouvert) : tension d'alimentation

: tension collecteur-émetteur

VCE sat : tension de saturation collecteur-émetteur VCEO : tension collecteur-émetteur (base ouverte) VEBO : tension émetteur-base (collecteur ouvert) VECO : tension émetteur-collecteur (base ouverte) VF : tension directe diode

Viso (d.c.) : tension d'isolement en continu Viso (RMS) : tension d'isolement en alternatif VL = V p : tension sous éclairement

Vpo : tension en circuit ouvert sous éclairement VR : tension inverse diode

o :

rapport cyclique

" : pic de la fréquence d'émission

~ " : largeur à mi-hauteur de la courbe spectrale 0 e : puissance énergétique

0 v : puissance visible

e :

angle formé par le vecteur correspondant au maximum d'émission ou de réception et le vecteur correspondant à

50 %

de ce maximum.

Certaines normalisations n'étant pas encore intervenues à ce jour, on trouvera ici l'emploi de plusieurs symboles pour une même définition.

Cette liste pourrait donc évoluer en fonction des décisions de Comités Européens.

1

photo-diodes

photodiodes au silicium

BPX 40-41-42

usage général

Photodiodes planar au silicium pour usage général.

Caractéristiques principales

BPX 40 BPX 41 BPX 42 VR . . . . max 18 18 12 V IL (VR

=

15 V:

E

=

1 000 lx) . . . . typ 10 30 :lA IL (VR

=

^{10 V}

E= 1 000 lx) . . . . typ 120 :"A IR(VR=15V) . . . . max 0,5 /A IR (VR 1 0 V ) · · ·

,\

... .

max 5

:J

A

typ 800 800 800 nm

Brochages

(dimensions en mm) BPX41

2,15 1,85

BPX40

1,~5 J+ ^{2,2 ·1} or

b::z. ::jj .§,

^{k 1}

! ^0,15 1_ ³⁰ ~l.- ^{3,35 __} l~ ^{30 _ _}

¹

• •

[

a ~ J k '0,15

~ • +

30~1_47---1- ^{, 3 0 -}

• k

015 --, ====lb==::;===:::!J

' • 1---- ^{30 ----}

1. - - - - -

7, 0 - - ...

^!.

t •

¹

5,0

3,7 1

+ t

BPX 42

1--- ^{6, 7 -} ----1

6=~~

Epaisseur: 0,27 mm

Valeurs à ne pas dépasser (Limites absolues)

BPX 40 BPX 41 BPX 42

VR .. , . . . " . max 18 18 12 V

4

1 F . . . , . . . " . . . max 5 1 0 50 mA IR ... , . . . " . . . , . . . max 2 5 20 mA Tstg . . . -65à+125°C Ti . . . max 125°C

Résistance thermique

Rthj-amb . . . , ...

{~~~:~.: .B.~~

.4.1. : ::

~gg :g~~

5

6

Caractéri~tiques (T amb 25°C)

...

...

IR(VR== 15V;Tam b== 100°C)

VF (1 == 0; E == 1 000 lx ; Tc == 2 700 OK) 1 L (VR == 1 5 V ; E == 1 000 lx ; Tc == 2 700 ° K)

IL (VR == 10 V , E == 1 000 lx ; Tc == 2700 OK) . . . .

:\ ... .

Cd (VR == 15 V ; f == 500 kHz) . . . . Cd (VR == 10 V ; f == 500 kHz) . . . . Cd (VR == 0 ; f == 500 kHz) . . . .

Courbes caractéristiques

N (°10 )

)

r

^{max yp}

C

^{max yp}

r

^{max yp}

{tvP

_max

{min typ {min

typ { min

typ {min

typ typ typ typ typ

•. Fi--

BPX40-41-42-Page2/4

BPX 40 BPX 41 BPX 42

0,01 0,02 :~A

0,5 1 _i1A

0,1

:1

A

,-

.) :~ A

0,6 1,2 ',lA

4 8 :~A

6 :~A

40 ',lA

7,5 20 80 _:~ A

9 25 100 :J.A

330 330 330 mV

350 350 350 mV

8,5 25 :~ A

10 30

:1

A

100

:1

A

120

:1

A

800 800 800 nm

90 250 pF

1000 pF

300 800 3000 pF

Valeurs typiques Tomb=2SoC ef'T'Yt). de couleur

2700K -

- - - - ^-

100 E=50001x

50

o

250

10

1, (IJAI

10-¹

typ

500 750 1000 1250

,,(nm)

Réponse Spectrale relative

l=

~v

)

^...

mai---..

_ 1 :

-j ~

-

^V

"':-IV ¹

v

BPX40

10

10

- - 1 - - -

- - - -

10' ^t

-

- -

10 1---+

--- - 1--"

- t 1 ^----

1

10

20001~ _r--

1000J

r\

- -1-- --

500lx - - - -

t

----

-+

1 ^Ir

¹

VF (mVI

BPX40

- -

Valeurs typiques Tamb = 25°C emp de couleur

2700K

-- --

-

r---

typ 1-,,,

E_ 5000 lx 1---

2000 lx

"~-

¹

^{-+ 1+}

10061X

t

1 -

- 500 lx 1--

1 ~

1 1 ~~ ¹

BPX40

Courbes caractéristiques (suite)

BPX41

la

1

1 10

la

E= 5000 lx

20001.

1000 lx 500 lx

1-...

103

BPX41

E = 5000lx

2000Ix

10001)

500lx

la

Valeurs t i ues

~

•. Fi __

BPX 40-41-42 - Page 3/4

l Valeurs typiques TCrnb :: 2SoC emp_ de couleur

2700K

1 ! 1

~i J ^~

··~+i- -

-

- 1 - - - - - -----

1 1

... =

^~ _{t - -}

_ff

'~r+

1 1

10' VF (mVI

BPX41

Tamb=2SoC e~. de couleur

2700K

il

-t

,

1

~!!II.

~

7

8

Courbes caractéristiques (suite)

E~ 5000lj

) 20001~

1000J

500'lx

10

10

)

10 ³

E~50001x

2000lx

10 ² 100diX

500 lx

10

10 10²

Réf.

2552 SC-

102 BPX42

1-

"

...

~

103 BPX42

1\

TQmb~25"C empdecoul ....

2700K VaLeurs typiques

VF (mV)

Valeurs t; i ues Tamb=2SoC efll).decouleur

2700K

~

~~

III

..

--Fi-- BPX 40-41-42 - Page 4/4

25 50 75 TVr'b 1 () 100

BPX42

photodiode au silicium

HPY 13

détection de rayonnements visibles et proche infra-rouge

La BPY 13 est une photodiode au silicium de grande surface, sensible aux rayonnements visibles et au proche infrarouge. Le boîtier (JEDEC TO-5) est rempli de résine stratyl pour la protection mécanique du cristal, et la robustesse de l'ensemble.

Caractéristiques principales

Ip (VR

=

20 V à 1 000 lux) . . . .. min 40

:~A

VBR ... min 50 V IR (VR

=

20 V) . . . .. max 1

:~A

Brochage ^{TO -5}

(Dimensions en mm)

Caractéristiques (à T amb

⁼

25° C)

VBR . . . · · · . min 50 V IR (VR

=

20 V) ... . max 1

:~A

Ip (VR

=

20 V ; E

=

1 000 lux) . . . .

À . . . .

min 40

:~A typo

0,92

:~m

C (VR

=

0) ... . max 30 pF C (VR

=

20 V) ... . max 35 pF fco (VR

=

20 V ; R

=

500 n) ... . ^mm 10 MHz Ar . . . .

typo

12

mm²

(1)

Le fil de sortie repéré par un point rouge doit être relié

à

la borne positive de l'alimentation.

(2) Mesuré à l'aide d'une lampe à filament de tungstène porté à la température de couleur de 2 850

OK.

9

10

Courbes caractéristiques

1 102

'0'

1

a2

i

"

1

, ,

Il,;

^{1\1: ;}

'.

Il!II:II l,:!

Ilih

_III

_{li:! liii}

T'"~;

Il

li I! ,

, 1

1 0,6

Réf. : SC 1767-

. IT. tiitt

, : ,

..

^'

:Iii :i i ⁱ _typ

;111111 11!1111 i

ili

1\1

!II ^!II! _{id "} ^'II

t

1 1

0.8

,. (pm)

102 C (pF )

'0 ^I

1 1

1

1

, •

10-¹

• • Ul

10

•. Fi __

BPY 13 - Page 2/2

tttt +tt-t .

il ^,

, , ,

..

lm 1 il,'

i iil ^{VR~ 20V} l' 1 _"

1 " ¹ _{1\ 11i\1}

;!!

¹ \

K

^{~ ; j}

il!

^{. 1}

\,11 1111 ₁

, Illi';

^il!

!

li

^{'l' ji!}

, 1.'

ii!

,

,

,

' ... I!/o ^{1 ,}

1

~~ _{Il iill!l:} ^{il li}

^l,

^,

^,

i i

,

1 1

i

^{1 ,III}

,1 , II/i!l!

°

^{25 50 15 Tamb 100 (OC)}

~

-...

1"'-0"

f"-

1 10 .2

photodiode au silicium

HPY 13A

détection de rayonnements visibles et proche infra-rouge

La BPY 13 A est une photodiode au silicium de grande surface, sensible aux rayonnements visibles et au proche infrarouge. La tension de fonctionnement correspond à la tension de désertion de la jonction; il en résulte une faible capacité et une très basse résistance série (typ. 10 il).

EUe est utilisée pour des applications à très hautes vitesses, tel que la détection de rayonnement laser. Le boîtier (JEDEC TO-5) est rempli de résine stratyl pour la protection mécanique du cristal et la robustesse de l'ensemble.

Caractéristiques principales

Ip (VR

=

100 V à 1 000 lux) ... . VR ... . IR (VR

=

100 V) ... .

Brochage

(Dimensions en mm)

(1) Le fil de sortie repéré par un point rouge doit être relié à la borne positive de l'alimentation.

6,1;

rfft:'~

..

^,~

~ 1

~ ~

) )-

Caractéristiques (à Tamb = 25° C)

VR ... . IR (VR

=

100 V) ... . Ip (E

=

1 000 lux) (2) ... .

À . . . • . . . tr . . . .

fco (VR

=

20 V; R

=

500 ü) ... .

mm.

40

flA

typo 100 V typo 2

flA

TO-5

typo 100 V

typo 2

flA mlll

40

[J.A

typo 0,92

[J.m

typo 2 ns

typo 300 MHz Ar ... { %~~ fi ::~

(1) La tension de fonctionnement correspond à la tension de désertion et varie avec chaque produit.

La tension de désertion applicable est indiquée sur la feuille de test qui accompagne chaque photodiode (2) Mesuré à la tension de désertion.

4

4

11

12

Courbes caractéristiques

10 2 (pF C )

1 1

Réf. SC-1766-

,

10

"~,

tvp" ' i"

1 10 ,2

" '

10 1

.~

1 Q2

--Fi--

BPY 13A-Page2/2

,

, , , ,

"

",,

, l' ii

^,

T

^{, I l ! tvp 1}

ⁱ

^{,!i ,"}

1 1111 ¹

1 i

,!

li ,

i

,

" '!

r il

^"

,i li]1

"

l' ,II

,

1 ,

, 1:

'ill '

^,l,

II" :

il ^i,

^{1 111i}

il :il' ^il!li!, !iil'

^!,

0,6 0,8 1 }.(jJm) 11

photodiode au germanium

OAP12

usages généraux

Photodiode au germanium en boîtier métallique destinée, grâce à sa sensibilité aux rayonnements visibles et infra- rouge,

à

de multiples applications industrielles comme la lecture de bandes sonores.

Caractéristiques principales

Ip (VR

=

10 V ; E

=

1000 lux) ... . min 50 flA IR (VR

=

10 V) ... . max 15 fLA

À . . . • . . . • . . . . • . . . • . . . • . . .

typ l,55 fLm

Brochage

(Dimensions en mm)

Le point vert indique l'anode (reliée au ( - ) de la batterie).

Valeurs à ne pas dépasser (Limites absolues)

max 30 V V R · · · .

IR . . . max 3 mA •

Ptot ... max 30

mW •

Résistance thermique

Tamb ... . max 45 Oc

13

14

--Fi--

OAP 12 - Page 2/2

Caractéristiques

Ip (VR = 10 V ; E = 1000 lux) (1) . . . min 50 pA Ar (surface sensible) . . . typo 1 mm

²

lobs (courant d'obscurité) (- VR = 10 V) . . . , . . . max 15 p.A Beff (bruit du courant d'obscurité) (- VR = 10 V; f = 10 kHz;

fi[

= 1 Hz) . . . .. max 3 X 10-

¹²

A/Hz Z (impédance interne entre - 0,5 et - 30 V) . . . min 3 Mn

À

(réponse spectrale) . . . . typo 1,55 p.m seuil 2 p.m Fco (fréquence de coupure) (- VR = 10 V). . . .. min 50 kHz

100%

75

50

25

r---.~""~---~~----ï ~5AIW

Ultra

violet Infrarouge

oL....---l<:~=<:l...---''---'---lIO

o

^{0,5 1,5 2} fi

( ).. en microns)

(1) Mesurée avec une lampe à filament de tungstène à la température de couleur de 2856 oK.

Réf. TSC-1 940-

- - - NOTES DE L'UTILISATEUR - - - .

15

16

2

module solaire

1

4

module solaire

BPI 47 A

documentation provisoire

"\:' Module pour la conversion directe de l'énergie solaire en énergie électrique

\.

Le module BPX 47 A est constitué de 34 cellules solaires au silicium d'un diamètre de 57 mm montées en série.

Les cellules solaires et les connexions électriques sont moulées dans une résine comprise entre deux plaques de verre.

L'encapsulation transparente assure un faible échauffement des cellules au rayonnement solaire et confère au BPX 47 A un fonctionnement adapté aux températures des pays les plus chauds.

Le modèle BPX 47 A répond aux normes d'essais I.E.C. 68 (voir page 6) comprenant les essais au gel et aux températures élevées

au vent de sable au brouillard salin.

Caractéristiques principales

Pour un éclairement de 1 kW/m¹ au sol (A M 1) et 25 oC.

PL (15,5 V) Puissance sous éclairement à 15,5 V .. , . , . . . .

VL··· .

IL . . . , . . . .

Caractéristiques mécaniques

(voir rlétail page 7) (Dimensions en mm)

+

15±0,B

Poids:

2,4 kg

typ 11 Watts typ 15,5 V typ

700

mA

~8,O--~

17,O __

I\: ⁺

Dimensions extérieures: 468 mm x 365 mm

Epaisseur:

468±2

+ +

16 min 1

21,0 I~ . . o - - - -365±2 _ _ _ _ _ • ^30±3

--

15 mm

Câble bifilaire - sortie face arrière - longueur 1 m

- polarité noir

=-

rouge

=

⁺

17

18

•. Fi+

BPX47 A- Page 2/8

Caractéristiques générales

⁽¹⁾

Tj(2) 0 oc 25 oc 60 oc

Puissance optimale . . . . PL 12 W 11 W 9,7 W Tension optimale . . . . VL 18 V 15,5 V 14,3 V Courant optimal . . . . IL = 665 mA 700 mA 680 mA Tension en circuit ouvert . . . . VLo = 22,2 V 20,5 V 18,2 V Courant de court-circuit . . . . 1 Lc = 700 mA 720 mA 740 mA Ecart entre la température de cellule

et la température ambiante pour E = 1 kW/m²

Températures maximum de stockage . . . .

Tj-Tamb= 15°C - 40 oC et

+

85 oC

Caractéristiques du BPX 47 A en fonctionnement sur batterie 12 V

Les caractéristiques électriques du BPX 47 A sont définies pour l'éclairement, la tension et la température correspondant aux conditions d'utilisation les plus fréquemment rencontrées, telles que:

ECLAIREMENT

- TENSION 1 E= 1 kW/m²

La tension de fonctionnement (VL) du module est celle de la batterie.

Pour une batterie au plomb de 12 V nominal, la tension fin de charge est de 2,25 V par élément, soit une tension de 13,5 V à laquelle s'ajoute la chute de tension VF aux bornes de

la diode, soit:

1

VL = 14,3 V

1

A cette tension de batterie V = 14,3 V, le module doit fournir le courant 1 nécessaire à l'alimentation directe de l'utilisation.

- TEMPERATURE

L'encapsulation transparente du B PX 47 A lui confère un échauffement particulièrement faible aux rayons solaires.

Pour un éclairement de 1 kW/m2 : T J-T amb= 15 oC , . . - - - , et pour une température ambiante T amb telle que:

1

T amb= 45 oC

la température de fonctionnement des cellules est: T J

=

60 oC (3).

Dans ces conditions d'utilisation les caractéristiques du BPX 47 A sont:

PL= 9,7 W VL= 14,3 V IL = 680 mA

Il) Les caractéristiques sont établies pour un éclairement de 1 kW/m'au sol lair masse: 1). Elles sont typiques et sont données à

2:.

10%.

(2) Les caractéristiques sont données en température de cellule ITJ) car c'est la seule condition contrôlab!e en fabrication.

(3) Pour un module constitué de cellules montées sur un circuit imprimé TJ = 80 oC.

-.Fi+

BPX47A-Page3/8

1 L \ \ 1\ [\ \ \ \

(mA)

I---+---+---l-+-+-+---+-\-\ *\--t-1\H+-\ H\--H\r+-\---I\ -+---+-+---t----t-t---+---t-t---t--t---t---r---1

\ \ \ , ^{' ,}

, \ \ 1\

900 J-+-+-+-+---+-+-+-4--+\--II[\l---f\-\~\H-\-\-H\r+-I--t--+--+--+-+-+-+--+-+-+---t--t

\ \ \ \ ' ^\

\ \ ' \ \ \

800 1--+-+--+---+--+--+-+--+~\~-+\++-'\~\I-\-+-I~--t-+-+--+---+-t--t--t-+-+---1

~ \ \ \

^\

[\ \

[\ \ ' ^{~ \ \ ~}

\ , l\ \ 1\ \

700H-++=+=9=H=*==F=~~\A==\~I'-~I~\~~~'T'~--rhr--tIIIH

\ \ 1\ 1\\ ~ ~ \

3001--t--+--+--+-~--+-+--+-+--t--+--+--+-+---"f--+++-~I+-++--t~---..,..-.d--+"""""---P~~

9 ... ~ ... 8

200t--+-+---+--+--+----i--+-__+_-+--+---!--+---+--+--~I__+_++___+__+_+_++__+__+__+_~r____t

10~+--;--+--+--+-+--1___+--+--+-+--1--+_+__+_+_t__I_+___++__+_t___I___+_+__+_+_I

o 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 ₂₆

V

L[VO L TS]

1 L

=

f (VL) à différentes températures Tj pour E

=

1 kW/m".

10.3

19

--Fa+

BPX 47 A - Page 4/8

(mA )

1\ 1\ ~ 1\ 1\ 1\ 1\

\ \ \ \ \ \ \

\ _, \ \ ^\ , ^{, ,}

~

~ 1\ 1\ 1\ 1\ \ \

900

1\ \ \ \ \ '

\ , \ , ~ 1\ \ \ Ï\ ^\ \ ,

1\ \ \ \ , _{~ 1\}

BOO

E

=

^{1 kW} 1 m2

\ \ , _{1\ 1\ \}

\

,

\ , _{~ \}

1\ \ N _\ " ^\

1\ \ ^1\ ~ ,

\. '

700

\

^~

\ ~ , ^\. \. \

E

=

800 W 1 m2

1\ \

^\

\

^~

, _f'-

\ \ \ ~ , , _~

... \

^~

,

1\. " r\: ^~

BOO

\ ^{'\ :\} '1\. ^'\ "- ^{~ "-}

\ \\ ^'\ _{'\ ~}

'" ^'"

\ \ '\1\

" ^1" " ^{~ ~}

, r\ "-

" ^{" " "}

500

\ y~ ' '" ^{r\ "} "'"

^{~ ... ~ ~ 13}

'" "" "'"

^~

... i'... Î'

¹²

E

=

500 W 1 m2

\ ^... ~ ^...

^~

i'... ^['...

"- '" ^i'... ""'"

...

1-...

400 11

" ^{"- ...}

^~

...

1-... ~

10

\ ^... 1'-.. ...

1-... 1'-...

" ^{~ r-.... ....} _'" ^'"

^i'oo...

^{l " -....}

⁹

300

8

\ , ^{~ ....}

⁷

ZOO

1\

\ ,

100

o

2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 VL[VOLTS]

1 L

=

f(VL) à différents éclairements E pour Tj

=

60 oC

20

12 11

10 9.85

9

8

7

6

p

L

(Wl

12

11 -1

10 9.7

9

8

7

6

....

o

' / r/

8

10 20

II"

1./ II'

r.,,1I"

.~

II"

~ IJ'

·~IJ '~

-

1/

r/

~

1-' r/.

r-' II"

1/.

10 12

10.15 W

~

V

30 40 50

.... ....

iII"'"

~ IJ'

""'"

Y

" _"

IJ'

"

•. Fi--

BPX 47 A - Page 5, 8

V

t-

~

....

60

T. 1

Il:

9.72W

[7 17

i"'-

70

ODC

T. (D Cl J

~v

"

^Tj

⁼

^25DC

r~

"

P'7' ^,

r~

1"- ~ I l

\ 1'-

i\

\. 1\ """{

1

\

+-

"""{

1

" Tj

=

^{60 DC TT}

,

\. I\.

-\.

I\. TT

"

I\.

""""'

~

,

14 16 18

1

^{20 22} 1

VL(V)

18.2 20.6 22.2

PL = f(VL) à différentes températures Tj

21

22

-.Fi __

BPX47 A- Page 6/8

Tenue aux conditions climatiques

Le BPX 47 A répond aux essais de la norme I.E.C. 68.

PUBLICATION

2-1 essai A 2-14 essai Na 2-2 essai B

interne 2-38 essai

zJ

AD 2-11 essai Ka Norme AIR 7303

ESSAIS

Tenue aux essais thermiques stockage

variation rapide de température stockage

glaçage avec pellicule d·eau Résistance à I·humidité Brouillard salin Vent

Vent de sable sur verre de protection

Diagramme d'un cycle 2-14 essai Na Variation rapide de température

+85

-40

3 30 3

2-38 essai

zJ

AD Résistance à l'humidité (humidité relative 95 %)

interne

+65

+25

-9

Glaçage T +25

-40

0.25 16

30

CONDITIONS

16 h à - 40 oC

10 cycles - 40 oC + 85 oC 16 h à

+

85 oC

16 h à - 40 oC

10 cycles + 25°C,+ 65°C,-9°C 48hà35°C

Pression équivalente à 280 kmlh

durée en minutes

0.25 du rée en heu res

•. Fi"

BPX47 A- Page 7/8

Caractéristiques dimensionnelles

365 324

15 20

aluminium anodisé verres

-r~~m ^{AGS T 5 COUPE AA}

ceinture de resine

protection

Sortie électrique

par câble bifilaire

longueur m

(2) ext. du câble 5,5 mm (2) ext. des fils 2 x 1,8 mm polarité noir = -

rouge=

+

23

24

•. Fi--

BPX 47 A - Page 8/8

Recommandations de montage

ELECTRIQUES

Le montage des modules en groupement série-parallèle, sera effectué suivant les schémas électriques recommandés par R.T.C.

THERMIQUES

Le montage des BPX 47 A sur leur support sera tel que la température maximale admissible de 85

oc

en tout point du module ne soit pas dépassée.

Le support du générateur solaire sera tel que un espace d'au moins

50

cm, nécessaire à la ventilation, sera ménagé à l'arrière des modules.

MECANIQUES

_ Les modules peuvent être montés sur tout support ne présentant pas de couple électrique avec l'aluminium de la ceinture du type A-GS.

Les principaux matériaux recommandés sont un aluminium adéquat ou un acier galvanisé.

la fixation du BPX 47 A doit se faire par les profilés en aluminium de la ceinture et non par les angles.

Le câble électrique devra sortir librement au droit du module.

Le surmoulage, assurant la jonction entre le câble et le module ne devra pas être plié.

Réf. 4111-

3

phototransistors

pholotransistor au silicium

NPN BPW22

Le BPW 22 est un phototransistor NPN au silicium. Il se présente dans une encapsulation tout plastique de diamètre 3 millimètres avec sorties axiales au pas de 2,54 mm.

La base n' est pas accessible.

Ce produit a été particulièrement étudié pour réaliser avec la diode électroluminescente CQY 58 un couple de très haute performance.

Caractéristiques principales

VCEQ··· . VECQ··· . IC··· . IC (VCE

=

5 V ; E

=

4,75 mW/cm2 ) (1 000 lx) . . . .

.\ ... .

Ptot(Tamb=25°C) ... .

Brochage

(Dimensions en mm)

3,3 max 3.10· 3.40

,

W

^{0.56 max}

J ^{.. II ..}

^{0.56 max}

0.56 max

max 30 V

max 5 V

max 25 mA

min 2 mA

typ 800 nm

max 50 mW

SOD 53 B

25

26

-.'i __

BPW 22 - Page 2/6

Valeurs à ne pas dépasser (Limites absolues)

Tensions

VCEO··· . VECO··· . Courants

I C · · · . ICM (tp

<

^{50p.s; Ô}

<

0,1) . . . . Puissance

Ptot . . . . Températures

Tstg . . . . Tj . . . . T (température de soudage de connexions à 3 mm min de l'extrémité du corps pendant 7 secondes max.) . . . .

Résistances thermiques

max max max max max

max max

Rth j-amb (phototransistor soudé sur circuit imprimé) . . . max

Caractéristiques (T j

min V(BR) CEO (lc= 1 mA;E=O) . . . . 30 V(BR) ECO (lC= 0,1 mA; E= 0) . . . . 5 VCEsat (lc=4mA;E=5mW/cm²)(1) . . . . IC (VCE=5V;E=5mW/cm²)(1) . . . . 6 ICEO (VCE=20V;E=0) . . . . À . . . .

L\.\ ... .

e ... .

tr(lC= 1 mA;Vcc=20V;RE= 1 kU;Tamb= 25°C) . . . . tt (lc = 1 mA; VCC = 20 V ; RE = 1 k

n ;

T amb = 25 OC) . . . .

(1) Eclairement donné par une diode électroluminescente émettant à 875 nm.

30 V 5 V 25 mA 50 mA 50 mW - 55 à

+

^{100 oC}

100 oC 230 oC

1 500 °C/W

typ max

V V 0,4 V

15 mA

100 nA

800 nm

400 nm

±5 ⁰

7,5 p.s

7,5 p.s

.·F' __

BPW 22 - Page 3/6

(2) Pour la mesure des temps de réponse, le schéma suivant est utilisé avec Ic= 1 mA. Vcc = 20 V, RL = 1 k Q.

90%

Courbes caractéristiques

I~~~O ~~f4r11:=~ 4~!1t

^{1, :j:::!o'}

m+H~...t-~':::::t':t ^.. t-t-+-i-tt:~--::.-+-t-::t=R=1

10 3

102

:- -;-- ---+

t-+~:-+-+'l+-f-+--,H!"llf----~Ir+..--r.,-, -H

: 1 ¹

1 ,

f----i

1-- ' r .

1-+

r; T: j

^t

^j

1

1

1

Il

1 1

..!

·ii

+

.1-+

, 1

+-+-f+-l--HH

1

1:

Il

^{1 1 l '}

1-+-4-H-II-H-+~rl-Tt

101L..l.l...J...'~

_o

1J....L.L.~"'-'-I~...J....IJ...I':-:!::-"-l...l....l....1~~

_{25 50 75 100 Ti (0 CI}

Courant d'obscurité en fonction de la tension collecteur-é metteur.

COV58

r - - - - -

VCC

L

'CEO (nAl

0.1

90%

' - '

lL

r - - -

r-- - r--

--j---

c-

[

1

v !LV

1

j-

r .

~.

L

"'

,+

^{_ . . .} -

l ^{" ' -}

!

i

"

, i

i

10

l

1

.+l

1-,

_' ,

/

^{1 1 1}

ⁱ

_ . -

~. ^--typ

~

r

i

c-

r-- 1=

E = 0 TJ = 25°C

V CE

i

1 )

Courant d'obscu'rité en fonction de la température de jonction.

27

28

Courbes caractéristiques

(mAl 'e

50

40

30

20

10

Plot = 50 m~

T

t 1

I-l

q:

ft

~+:

'typ

- Source A :0 875 nrr

Tj :0 250C

10 -t-J.- ' , 0 > -

...

~ ~:.

: : . t.r -

....

7

4l-

E'" 1 mW/cm2

Courant collecteur en fonction de la tension collec- teur-émetteur.

'e

(mA

,~ ~

t= ~~ --~

i

¹

1

/

^{1 1}

i

i

il ~yp

^{1 1} 1

1

1 ^{! (}

10

~.

V 1

1---

1

1/ ¹

j, ! 1 , i ¹

/

^,

i' l'

¹

ⁱ

^!

_i

-7

^{1 1 , 1} 1

ⁱ

^{1 1}

^Il

! !

₁ ^T

^{1 1 ' ' ,}

^TT:

1:7= -+=L-l--:±~±f:I: ^t-

~-+-, t i +

^---

100

10'

f.---l="---t---,--t

^Il - - - 4 ----1-__

, -~

'I

^{VCE = sv}

- 1 ,

. __ ton = 10 fJs

..;.

, l' il

loff - 1000,..5

d =10mm

+

~-+--t----,.

,

- - . - Ti .. ;.mb 0 25'e,

l'

1 ¹

Iii Il

^:

i

^! j, ^{1 1} 1

10 100

Courant collecteur typique dans le phototransistor BPW 22 lorsqu'il est couplé avec la diode électro- luminescente COY 58 en fonction du courant 1 F de la diode.

-.Fi+ BPW 22 - Page 4/6

I---~I-I--_--t l. ;..;

^{1- .}

--t--t--.--+I--++l'~

ⁱ

1 1

--J.-.U.

^{lyp _ _ '} ---l'---i-f--i-l--l ¹

I----~

^{1 1}

i,{ ! ) i

¹

I l i A Il -+

^{r i !}

l'

"~I

^{1 !, i} ! 1 1

. , ' 1 l ,

Courant collecteur en fonction de l'éclairement.

l' 1 1

~-i-_+----+--ti:" : -l----I---I-H--'~,

1

1 . I I \ . l, T

Courant collecteur typique dans le phototransistor BPW 22 lorsqu'il est couplé avec la diode électro- luminescente COY 58 en fonction de la distance entre les deux produits.

,

,

1 f1~!

Courant collecteur typique dans le phototransistor BPW 22 lorsqu!1 est couplé avec la diode électro- luminescente CQY 58 en fonction de la températu- re ambiante.

---+-1

Temps de descente en fonction du courant collecteur.

"-Fi __ BPW 22 - Page 5/6

Temps de montée en fonction du courant collecteur.

+-lt

_{-·.c·f .~}

•. ~t

1

j

l

t, '1 '

1:0~t

, .. ; -j .

t +--'--+ t •

:...:

~:1;

: 1+-= i,'1

^{-+ ~-+ t}

rf

^{-1-- -1}

.

^,-,~ -+- " 1

90

-r--:--;" ^t . · I f ! .

~.~~

,

_{! t '}

:!

~

- tJ

i

80

_~

1+

-:-::- ^If

'0

l,: \ i ;: l' : i : ~: ^{l, ::}

; 1

+

-I·~ : :

j

-:~4: :+':"'r--

:t-:-:

4- ^-±

60

^~

^..

~- 1 ! .

50

^{J. [-:-_}

'0

^1-7

, t t t~

TfF$='

1

^-+

+-+-t=-

^T

. , Il,\: t

~t

^{t- j}

30 h'

~+-

t

j ^{1 i · j}

20

r

nt

~ ~l1l!ff§§1ftfff~l{fffê~Ji~fê§j~+ -fJ

10

Irr r +-

°oJ.~ ,m:±oj;. 5±±±±:0 .Ç6 :±:±±o~. ,±tttJ o .8t±±±.t,0~.9i..!:..:t±J:i±±t,~. 1 ~),:;g(

^nm)

Sensibilité en fonction de la longueur donde.

29

30

Courbes caractéristiques

Ptot (mW)

50

40

30

20

10

o

\.

I\.

25

1'- .p

~' ~.

Q)"

,-~ ~ -

1\'2..

l'

^~~ _\.

l'-

!, ,

\.

I\.

50

,

Puissance totale dissipée en fonction de la températu- re ambiante.

Réf. 3294

JO" ~ A

.-Fi-- BPW 22 - Page 6/6

Diagramme de réceptivité.

phototransistor darlington NPN

Le BPW 71 est un phototransistor Darlington au silicium en boîtier miniature SOT 71.

Sa petite taille permet de le monter en matrice sur circuit imprimé.

BPW 71

Associé à la diode électroluminescente CQY 50, il est parfaitement adapté à la lecture des cartes et des bandes perforées.

Il se caractérise par une sensibilité très élevée.

Caractéristiques principales

VCEO . . . . max 30 V ICM (ton';;; 100p.s;d=0,1) . . . . max 150 mA IC (VCE= 5 V; E= 1 mWjcm² (1) . . . . min 15 mA ICEO(VCE=10V;E=0) . . . . max 100 nA :\ (E = 1 mWjcm2 ) • • . • . • . • . • • . • . . . • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • . . • . • • . • • • • • • • • • typ 800 nm

Brochage

^{SOT 71 A}

(Dimensions en mm)

l ,Emetteur

..1°,4

t-..

Collecteur 0,5

(11 L'émetteur est une diode à l'arséniure de gallium émettant à 930 nm.

Valeurs à ne pas dépasser (Limites absolues)

Tension

VeEO . . . . max 30 V VECO . . . . max 7 V Courants

le ... , . . . . max 100 mA ICM (tp ';;; 100 ^[1 s; CI ,;;; 0,1) . . . . max 150 mA Puissance

Ptot (T amb';;; 55 oc produit monté sur circuit imprimé) . . . . max 100 mW Températures

Tstg . . . . - 65 à

+

150 oC Tj . . . .

T (temps de soudage';;; lOs) . . . .

max 150 oC

max 240 ⁰

e

Résistances thermiques

Rth j-a . . . , . . . , ..

Rth j-a (produit monté sur circuit imprimé)' ... , ... , . . . .

max 2000°C/W

max 950°c/W

4 4

31

32

--Fi--

BPW 71 - Page 2/6

Caractéristiques (Tj ⁼ 25 OC)

V(BR)CEP (lc = 1 mA) . . . . V(BR)ECO (lc= 0,1 mA) . . . . VCEsat (IC =2 mA; E = 1 mW/cm² (1) . . . . IC(VCE=5V;E=1 mW/cm²(1) . . . . CEO (VCE= 10V;E=0) . . . .

ICEO (VCE = 10 V; E = ) ; Tj= 100 OC) . . . . temps de réponse

(lC = 5 mA; VCC = 5 V; RL = 100n ) tr (lC = 5 mA; VCC = 5 V; RL = 100 n) (2) tf (lc = 5 mA ; VCC = 5 V ; RL = 100 n) (2) td (lc = 5 mA; VCC = 5 V; RL = 100 n) (2) t s (lc=5mA;Vcc=5V;RL= 100 n)(2)

À (E = 1 mW/cm2 ) • • • • . • • • • . • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • •

À

Ll ... .

e ... .

Ar . . . .

(1) L'émetteur est une diode à l'arseniure de gallium émettant à 930 nm, (2) La mesure relative aux temps de réponse est faite selon le circuit ci-dessous,

T

emps e r d éponse

-

90%- --

^{_ . . J}

^-

/ \

10%--

--- - -_. ^-

Courbes caractéristiques

'e

Ta 250~

ource, 0950 nm 50

E 1 mW/cm2

typ

VO,9mW/cm 40

~, 0,8mW<~~

30 E 007mW C 2

E D,6mW/cm

...

20 E 0,5mW/cm

E OAmW/cm E 0,3 mW/èift02.- 10

E 0,2mW/crn 2 E O,lmW/c";Z-

2 3 4 5 6 7 8 9 V CE (V)

o

Circuit de mesure

'e

ImA)

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

tJ

COy 50

Ion = 500/,s loff= 10 ms

E 3mW/ cm

typ

2 3 4 5

Courant collecteur typique en fonction de la tension collecteur-émetteur

min min max min typ

typ max typ

typ max typ max typ typ typ typ typ typ

E 2,5 mW/ cm E 2mW/ 2

E 1,5mW/ c

E 1 mW/cm

E -, 0 . 5 mW / cm

S a u,-e -330 m

Faibles éclairements Forts éclairements

30 V 7 V 1,1 V

15 mA 37 mA 25 nA 100 na 200

P.

A

60

P.

s 300 p. s 40

P.

s 200 p. s 25

P.

s 2p.s 800 nm 400 nm

±10⁰ 1,7 mm~

Courbes caractéristiques

1 C (mA )

100

10

/

V /

1 0,1

J

--F' __ BPW 71 - Page 3/6

tVD

./

1/

Il 1

V

V CE = 5V Source =930 nm

1

E (mW/cm 2 )

Courant collecteur typique en fonction de l'éclairement

1 CEG (nA)

100

10

1

1

Il

V

Iyp

/

/ /

/

Ti = 25'(

10

Courant d'obscurité typique en fonction de la tension collecteur-émetteur

I CEO (nA)

10

!

1

o

Il

,

,

i

,

1

l ' l ' ,

\

1

l'

~

:

25

1 i

: ^!

~11

^{1 1}

typ

1

0

CE =10V [

1

50 75

Courant d'obscurité typique en fonction de la température de jonction

33

34

•. Fa+ BPW71-Page4/6

Courbes caractéristiques

1 C

(mA ) )

typ "\.

r\

" ^{r-h tt-h r::::t:l rl-h}

10 100

, ,

.--..

d

'"

\

^:.-~

~

^d

\

\

^{10 typ}

~

\

\

V CE -5V

\

\

"'CE=' 5V

\ ^IF=20m~1

T = 25 oc

a ( 1 1 1 IF = 10mA

T~= 25"C

Il

¹

0.1

1 10 d (mm) 1 10 d(mm)

Courant collecteur typique de transfert COY 50-BPW 71 en fonction de la distance diode-transistor

'c

(mA)

100

10 -50

i-'

-25

o

typ

V CE =5V IF =20mA

1 ^{l'tiTi 1}

+25 +50 +75 Ta (OC)

Courant collecteur typique de transfert COY 50 - BPW 71 en fonction de la température ambiante.

)

1000 tH

-

^{- 1 kA}

'" ^...

RL = 500A 100

"1 -- 100

1

1

T a=250 (

V CC =5 10

III

1 10 ICi mA)

Temps de retard à la montée typique en fonction du courant collecteur pour différentes résistances de

charge

t s

100

10

IR ₌

tYD

kn

II:IL =50

10

)A ~~10 ^OJl

-

^{T a=25'C}

V CC = 5\1 IC ImA)

Temps de retard à la descente typique en fonction du courant collecteur pour différentes résistances de

charge

)

1000

100

10 1

f'- _i'-

t-..

...

i'

.-Fa+

BPW 71 - Page 5/6

typ

T a = 25°C

RL - kA VCC25V

"L - 500A

...

1-- - ^r-o-

^{RL ~ 100}

10 IC lmA )

Temps de montée typique en fonction du courant collecteur pour différentes résistances de charge

100~~$ljm

LVI'

\ 100JII

1 1 II

T = 25°C a VCC = 5V 1oL1----~--L-~~-L~10~--~---L'ILC~I~m~A~)UJ

Temps de descente typique en fonction du courant collecteur pour différentes résistances de charge

35

36

100 90

80

70

60

50 40

30

20 10

o

0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.1 À (nml Sensibilité relative en fonction de la longueur d'onde

d' éclairement

Distribution spatiale

Réf. 4005-

P tot (mWI

50

o

4.Fi+

BPW 71 - Page 6/6

1\

1\

"

l\. ~

Il ... .,, l z.

~

\

1\ Il \

J ^<Sl

Il ;,

~\

,

^~

Il

"

l

1\

l

1\

,

50 100 150 Ta (OCI

Puissance totale dissipée permise en fonction de la température ambiante

détecteur de radiations

photolransistor au silicium NPN

Phototransistor planar épitaxial NPN de grande sensibilité, en boîtier JEDEC TO-18, avec lentille frontale.

Caractéristiques principales

BPX 25

VCEO ... . IC ... . ICEO (D) (VCE =24 V; lB = 0) ... . S (V CE = 6 V ; E = 1 000 lux) ... .

À ...•..••••••.•••....••...•...•.•.•...•...•..•...•.•..•..

max 32 V max 100 mA max 0,5 fLA mm 5 fLA/lux max 800nm

Brochage ^TO-18

(Dimensions en mm)

6 12.7min

5.83 max

Valeurs à ne pas dépasser (Limites absolues)

VCBO ... . VCEO ... : ... . VEBO .... : ... . IC··· . Ptot (T amb

=

25 OC) ... . Tstg ... . Tj ... , ... .

max 32 V

max 32 V

max 5 V

max 100 mA

max 300mW

- 65 à + 150 oC max 150 oC

Résistances thermiques

Rthj-case ... . Rthj-amb ... .

37