Les pièges dans les HEMTs AlGaN/GaN et leurs conséquences

Les phénomènes parasites de piégeage limitent fortement le fonctionnement RF des tran-sistors HEMTs AlGaN/GaN. Ces défauts étant en général déjà présents à l'état initial, on ne peut donc pas à proprement parler de dégradation. Cependant, leur état est susceptible d'évoluer pendant le vieillissement, ce qui posera un problème du point de vue de la abilité. Les constantes de temps associées aux retards de courant observables sont inclues dans une large gamme de temps : De quelques µs [95] à quelques heures ou jours [96,97].

Les mesures de pièges utilisées dans la littérature ont permis de mettre en évidence en moyenne 1 à 2 pièges diérents par décade temporelle au sein du GaN. D'importants travaux de synthèse ont été menés an de répertorier les défauts présents dans ces transistors (tableau

1.32, [98]).

Parmi les divers défauts potentiellement observables, l'énergie d'activation associée au Fer dans le buer de GaN (utilisé comme dopant) à EC-0.57 eV est couramment observée [99101]. Ce défaut peut aussi se retrouver à EC-0.5 eV [102] à 0.72 eV [103], à EC-0.34 eV [104] et à

E_V+2.5/3 eV en piège accepteur [105].

Les techniques de dépôt des couches à base de GaN demandant encore du travail pour ne pas présenter de défauts, les lacunes de gallium présentes dans les couches de GaN et d'AlGaN sont autant de centres de piégeage possibles. Le gallium, par exemple, peut avoir plusieurs énergies d'activation associées : On peut l'observer à EC-0.6/0.64 eV et EC-1.118 eV [106] dans le cas d'une lacune formant un complexe avec une impureté d'oxygène (centre V Ga+O),

E_V+0.85/0.94 eV [102], EC-0.96 eV (lacunes de gallium ou azote en interstitiel) [107], EC -2.47/2.49 eV [108] et EC-2.6/2.64 eV [109,110] en formant un complexe avec une impureté d'hydrogène (complexe VGa-H ou VGa-2H).

L'azote étant un élément relativement petit par rapport au gallium (présent deux lignes au dessus du Ga dans le tableau périodique), il aura une facilité à se placer en site interstitiel avec une énergie d'activation de EC-0.76 eV [107] et EC-0.89 eV [111] et EC-0.96 eV [107].

La pollution de carbone d'hydrogène et d'oxygène au sein du composant, provenant par exemple d'un mauvais vide dans le bâti lors de la croissance des couches de matériau, va

Figure 1.32  Recensement des pièges observés dans le GaN [98].

générer de potentiels centres de piégeages. Outre les complexes formés avec les lacunes de gallium par exemple, il est possible de retrouver des impuretés EC-0.44/0.49 eV C/O/H à [112] situées possiblement dans des sites d'azotes en substitution ainsi qu'à EC-0.14 eV [113]. En plus des autres impuretés possibles, les états de surfaces comme les liaisons pendantes vont participer à ces phénomènes parasites : EC-0.12 eV [114] EC-0.68 eV [115] et EC-2.3 eV [116]. La maîtrise de ces défauts n'est pas chose évidente, de même que leur mesure, comme nous le verrons dans le chapitre 3. Les principales localisations des pièges dans les HEMTs AlGaN/GaN sont présentées dans la gure 1.33. Les défauts situés aux interfaces tels que

E_{T 1} et ET 2 peuvent être liés à des liaisons pendantes (irrégularités des liaisons chimiques le long de l'interface), des nanovoids, etc... Les défauts formés dans les couches de GaN et d'AlGaN (ET 3 à ET 5) sont quant à eux potentiellement liés à des lacunes de gallium/azote, des défauts liés à des atomes polluants (O, H, C, ...), des dislocations ou bien originaires d'atomes de dopants (substrat en particulier).

Les pièges de surface prennent en compte les états d'interface à la surface de la couche d'AlGaN (liaisons pendantes) ainsi que les défauts entre cette surface et la passivation (utilisée

source drain Grille Al_xGa_1−xN GaN Couche de nuclation Substrat Passivation Pi`eges de surface

D´efauts de l’interface passivation/AlGaN Pi`eges aux coins de grille

D´efauts de l’interface Schottky

D´efauts cristallographiques du buffer

G´en´eration de pi`eges par ´electrons chauds

E_{T 4} E_{T 3} E_{T 3} ET 2 E_{T 1} E_{T 5} G´en´eration de pi`eges par l’endommagement de la structure (T,^−→E, σ)

Figure 1.33  Localisation des défauts de la structure du HEMT susceptibles de piéger des charges.

en partie pour justement limiter ce genre de problèmes). Leur origine peut provenir d'un mauvais dépôt de la couche de SiN ou d'une délamination de celle-ci (comme nous l'avons vu dans la section précédente). Ces pièges, lorsqu'ils sont remplis, apporteront une déplétion localisée qui va réduire localement la densité de porteurs dans le canal (gure1.34). Cet eet dit de grille virtuelle va donc réduire le canal selon la tension de grille appliquée, à la manière d'une électrode de grille supplémentaire : La tension de pincement va être modiée.

source drain

Grille

Al

Ga

N

GaN

E

Grille virtuelle

Passivation

Diminution localis´ee

des porteurs dans le canal

due `a la d´epl´etion

Figure 1.34  Représentation schématique de l'eet de grille virtuelle induite par les pièges de surface à l'interface passivation/AlGaN.

dégra-dation de la couche de passivation en vieillissement génèrera le phénomène. Une évolution recouvrable de la tension de pincement avec la tension de grille sera donc l'une des signatures de ce genre de défauts. Les pièges de surface sont donc en grande partie responsables de l'eondrement du courant de drain, phénomène très couramment observé dans les HEMTs AlGaN/GaN. En eet, le décalage de la tension de pincement vers les valeurs positives va décaler la caractéristique entrée/sortie du composant vers la droite, en contribuant à l'aai-blissement de ID.

Ce phénomène de retard de courant suite à un changement de polarisation de grille est observé très couramment dans ce genre de composants [95,118] ; il est appelé gate-lag. Ce phénomène peut aussi se traduire par une variation de la transconductance (gm) en fonction de la fréquence.

Les pièges de surface ont été identiés comme responsables en grande partie du gate-lag. Cependant, l'observation de pièges lents (dont les constantes de temps atteignent plusieurs heures voire quelques jours [97]) montre l'existence de pièges situés en profondeur dans les couches d'AlGaN et de GaN. Faquir et. al. a conrmé cette hypothèse en simulation [119] : la présence seule des pièges de surface ne peut pas expliquer la totalité des dégradations observées. Selon Meneghesso et ses collaborateurs, l'application d'un fort champ dû à VGD

peut générer deux mécanismes d'injection de porteurs à partir de l'électrode de grille via un eet tunnel assisté par pièges [120] : l'un dans la couche donneuse d'AlGaN et l'autre dans les pièges de surface ou dans la passivation.

L'eet de coude (appelé Kink eect) visible en mesures IV pulsé a été attribué aux pièges situés en profondeur de la couche d'AlGaN ou dans celle de GaN, sous la grille [121123]. Cet eet parasite commence par une accumulation de charges suivie de leur libération brusque à une tension VDS donnée (dépendant de VGS, voir la gure 1.35), ce qui provoque une augmentation rapide de ID sur les caractéristiques IDS(V_DS) pulsées.

Les défauts situés en coin de grille et à l'interface Schottky vont quant à eux générer des courants de fuite assistés par pièges (gure1.36). En eet, les électrons pourront être capturés par les niveaux profonds et passer de proche en proche vers une zone où ils pourront assister à la conduction. L'eet de passage du courant, possiblement par les coins de grille, se verra sous la forme d'un ventre sur la caractéristique IV de la diode Schottky [124], comme nous le verrons dans le chapitre 2.

Les pièges de surface sont aussi le lieu de chemins de fuites assistés par pièges de proche en proche le long de l'interface AlGaN/passivation (gure1.37). Ce genre de courants de fuite est généralement observé quand la diode est en inverse [125]. Des modèles complémentaires de courants thermoïoniques et tunnels assistés par pièges ont été développés [126] an de modéliser ces eets parasites.

Figure 1.35  Eet de coude visible en IV pulsé sur un HEMT AlGaN/GaN [121] EF,M M´etal EC EV EF,SC Semi-conducteur qV EC ET 1 ET 2

Figure 1.36  Diagramme de bandes et schéma du courant de fuite assisté par piège inter-venant au niveau de la diode Schottky du composant.

Nous avons vu que l'eet piézoélectrique inverse pouvait induire de fortes contraintes mécaniques sous forte tension VGD. Les dégradations de la structure qui en résulteront (cracks, dislocations, pits) au coin de grille vont aussi contribuer à la génération des pièges dans l'AlGaN.

Kuball et ses collaborateurs ont mis au point une méthode de caractérisation des pièges en combinant des analyses électriques et une préparation des états de pièges à l'aide d'un éclairage UV [127]. Ils ont montré que lors de vieillissements réalisés en OFF-state (Vgs très négatif), une dégradation précoce peut être attribuée à de la diusion d'atomes (impuretés comme le carbone et l'oxygène) le long de dislocations sous la grille (Ea ≈ 0.26 eV), avec

une possible contribution additionnelle de l'eet piézoélectrique inverse (gure1.38) qui aura tendance à accroître la formation de défauts cristallins.

Al_xGa_1−xN GaN

source ^Grille _drain

Passivation

E_{T ET}

Figure 1.37  Représentation des courants de fuite assistés par pièges pouvant apparaitre dans un HEMT AlGaN/GaN.

Figure 1.38  Génération de pièges au niveau des dégradations en coin de grille côté drain [127] : accumulation de charges dans les dislocations (à gauche), centres générés par les contraintes (au milieu) et charges piégées dans des lacunes à droite.

manière que ceux-ci : Elles vont apparaître à partir d'un champ électrique critique lors du vieillissement [128].

Comme nous l'avons vu dans la section sur les dégradations d'origine électrique dans les semi-conducteurs, les eets des porteurs chauds sont un cas à ne pas sous-estimer dans les HEMTs GaN. Les fortes tensions de drain atteignables vont grandement impacter la génération de pièges due aux impacts de ces porteurs fortement accélérés.

Sozza et. al. ont eectué un test de vieillissement en conditions on-state (Vds = 25V,

PDISS = 6W/mm) et o-state (VDS = 46V, VGS=-6V) sur des HEMTs AlGaN/GaN. En mesurant la présence de pièges et d'électrons chauds à l'aide de techniques de mesures comme le bruit basse fréquence (voir le chapitre 3 pour plus de détails sur la technique), ils ont montré que la plus forte dégradation correspond au stress ON-state, imputée à l'eet des électrons chauds sur la structure [80] car sa localisation pointe vers la zone grille-drain.

Les dégradations dues aux porteurs chauds peuvent aussi être observées en analyse d'élec-troluminescence (EL) : L'intensité lumineuse étant un bon indicateur de concentration de porteurs chauds [73]. En eet, lorsque VDS se rapproche de VDSAT, l'intensité lumineuse par rapport au courant circulant dans le composant va augmenter linéairement. La mesure de

l'intensité lumineuse en fonction de VDS et VGS va donc permettre d'évaluer la sévérité de l'eet des électrons chauds (gure1.39). Les images EL permettront quant à elles de mettre en évidence les uniformités de densité de courant ainsi que la présence éventuelle de courants de fuite.

Figure 1.39  Intensité lumineuse par analyse EL en fonction de VGS à plusieurs VDS d'un HEMT AlGaN/GaN [73]. Le comportement non-monotonique typique de l'eet des électrons chauds est observé.

Les eets des électrons chauds ont aussi été observés par Kim et ses collaborateurs : Leurs composants ont été vieillis avec un stress à fort champ électrique sur des HFETs AlGaN/GaN non dopés. Une baisse du courant de drain et du maximum de la transconductance et une augmentation de la résistance parasite de drain, de la fuite de grille et du courant sous le seuil ont été observés [75].