Chapitre 3 Rsultats exprimentaux
3.2.4 Nanoindentation : Mesure de K Ic
Pour les tests de nanoindentations sur %-Ta2N3, nous avons observ la formation de fissures aux coins de lÕempreinte, visibles sur les images MEB de la figure 3.8. Les longueurs des fissures cres, l, en relation avec la longueur de la ÔÔdiagonaleÕÕ de lÕempreinte, a, (voir la figure 2.14) peuvent tre utilises pour calculer la tnacit. Les autres valeurs ncessaires sont la duret et le module de Young du matriau tudi, la force applique lÕchantillon utilis
pour raliser les tests de nanoindentations. Le calcul ncessite aussi un facteur gomtrique dpendant de la forme de lÕindenteur. LÕutilisation de la nanoindentation pour mesurer la tnacit nÕest pas la meilleur mthode (chapitres 1.3.3, 2.4.1 et 2.4.2), mais permet une estimation de la tnacit des chantillons disponibles en quantit microscopique ou sous forme de couches minces. Pour des chantillons macroscopiques, il est prfrable, lorsque cela est possible dÕutiliser lÕindentation de Vickers (chapitre 3.2.5) ou dÕautres mthodes (chapitre 1.1.3). Dans le cas prsent, nous utilisons les formules dites de Lawn et de Laugier, adaptes une gomtrie de pointe Berkovich pour calculer la tnacit (chapitre 2.4.1) [Cuadrado, 2012 ; Schiffmann, 2011]. DÕaprs [Cuadrado, 2012], lÕquation de Laugier est adapte aux fissures de type Palmqvist tandis que celle de Lawn est plus adapte aux fissures half-penny (chapitres 2.4.1 et 2.4.2).
LÕtude des images MEB des empreintes la fois sur la surface polie mcaniquement et sur la surface traite par faisceau dÕions Ar+ a permis la mesure des fissures cres. Les rsultats prsents dans le tableau 3.4 montrent la moyenne des mesures. Une large diffrence de rsultats peut tre reconnu entre les deux quations : lÕquation de Laugier conduit de plus grandes valeurs de la tnacit par rapport celles obtenues avec lÕquation de Lawn. Nous avions dj observ ceci sur un autre matriau PtAs2 [Tschauner, 2013]. Les mesures ont montres que, indpendamment de lÕquation applique, KIc est 10-20% plus grand lorsque la surface de lÕchantillon est densifie. En dÕautres mots, les fissures se propagent plus loin lorsque la surface est traite par le faisceau dÕions Ar+ (la couche densifie est absente) que lorsque la surface est polie mcaniquement. Ceci implique que la valeur de KIc pour le matriau dense devrait dpasser celle du matriau poreux de plus de 10-20%. En effet, la profondeur des tests de nanoindentations est de 1600 nm (Figure 3.10 a et b) soit plus de 4 fois la profondeur estime pour la partie densifie/ rpare, infrieure 400 nm.
DÕaprs le tableau 3.4, nous observons que, pour lÕquation de Lawn, nous obtenons une plus petite diffrence entre les valeurs de KIc pour les diffrents tats de la surface. CÕest probablement parce que dans lÕquation de Laugier, nous utilisons a et l et pas uniquement c. Comme cela a t expliqu dans la partie 2.4.1.6, a correspond la longueur moyenne de la diagonale de lÕempreinte, l est la longueur moyenne des fissures et c est la somme des deux (se reporter notamment la figure 2.14). Les valeurs de l mesures pour la surface polie mcaniquement sont donc plus petites, expliquant en partie la plus grande diffrence de KIc
entre les deux surfaces lorsquÕon utilise lÕquation de Laugier. Nos mesures montrent que % -Ta2N3 associe une grande duret une grande tnacit, comparable celle dÕautres matriaux tels que &-Si3N4 et SiC, considrs comme des matriaux structuraux prometteurs [Krstic,
2012 ; Park, 2002 ; Hosemann, 2013]. Il faut cependant reconnatre que les donnes disponibles obtenues par nanoindentation pour &-Si3N4 et &-SiC sont limites et non cohrentes, comme nous le voyons dans le tableau 3.4. De plus, les auteurs de ces articles nÕutilisent gnralement quÕune seule mthode dÕindentation. Par exemple, dans lÕarticle de [Park, 2002], la tnacit obtenue en utilisant un indenteur de Vickers est de 2.1 MPa!m1/2 (voir le tableau 3.5), mais celle obtenue avec un indenteur Berkovich est de 5.7 MPa!m1/2. La mme quation, celle de Lawn, est applique dans les deux cas, en adaptant les coefficients gomtriques aux diffrences de gomtrie des indenteurs. Le rsultat avec lÕindenteur de Vickers est 2 fois plus petit, mais il nÕest pas possible de connatre les raisons de cette diffrence avec les informations de lÕarticle. Enfin, lÕinfluence de la qualit du matriau produit dans ces travaux ne peut pas tre valu. Ainsi, une variation de KIc entre 1.6-5.9 MPa!m1/2 est reporte pour un unique chantillon &-SiC par [Hosemann, 2013] dmontrant combien les caractristiques de gomtrie, dÕorientation et de texture du matriau influent fortement sur cette proprit de tnacit.
Tableau 3.4 : Tnacit KIc de lÕchantillon poreux %-Ta2N3 avec p=0.14(4) partir des tests de nanoindentation. Ces valeurs sont compares avec celles publies dans la littrature pour des matriaux de rfrences (&-Si3N4, &-SiC).
Composs %-Ta2N3 poreux p=0.14
&-Si3N4 &-SiC
KIc (MPa!m1/2) quation de Lawn 3.2(7) a 3.5(7) b 1.8(7) d 5.7(1.5) c 1.6-5.9 e KIc (MPa!m1/2) quation de Laugier 6.9(1.3) a 8.5(1.3)b 1.0 f 3.5(4) g
a cette thse, aprs avoir trait la surface par faisceau dÕions Ar+;
b cette thse, aprs avoir poli mcaniquement la surface;
c
&-SiC polycristallin obtenu par procd CVD, des fissures de type radiale et mdiane ont t assumes [Park, 2002] ;
d valeurs pour des films SiNx:H sans contrainte, obtenus via PECVD. Les nanoindentations sont raliss avec un indenteur coin-cube en diamant [King, 2010];
e chantillon obtenu par dposition chimique en phase vapeur lit fluidifi (FB-CVD). Pour rendre la comparaison possible, les donnes originales ont t recalcul en utilisant le facteur gomtrique (R=0.026 au lieu de 0.016 [Hosemann, 2013] ;
f la plus haute valeur obtenue pour des films Si3N4 par dpt chimique en phase vapeur assist par plasma [Huang, 2014] ;