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Techniques expérimentales

II- 6 La diffraction des rayons X

La diffraction des rayons X est basée sur l'interaction d'un faisceau monochromatique de rayons X avec les atomes d'un matériau solide cristallisé (dont l'organisation atomique

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présente un ordre à longue distance). Les plans cristallographiques dans lesquels sont répartis les atomes ont la capacité, dans des conditions particulières, de réfléchir le rayonnement X. C'est le phénomène de diffraction. Ainsi, en orientant judicieusement un faisceau de rayons X par rapport à l'échantillon étudié et en positionnant judicieusement le détecteur, on peut capter le signal diffracté par une famille de plans cristallins de l'échantillon. Les conditions de diffraction sont données par la loi de Bragg:

n.λ = 2.d.sin(θ). (11)

n : ordre de diffraction

λ : longueur d’onde des rayons X d : distance inter-réticulaire θ : angle de diffraction

La diffraction des rayons X permet de mettre différentes applications en œuvre: ** Identification des phases, (quantification)

** Affinement de la structure cristallographique ** Mesure de la texture cristallographique ** Détermination des contraintes résiduelles ** Cartographie de l'espace réciproque

Dans le présent travail de thèse, les diagrammes de diffraction sur poudre ont été effectués à l’aide d’un diffractomètre Bruker D8 advance (Figure 28) muni d’une anticathode de cuivre fonctionnant à la longueur d’onde kα1 du cuivre (λCu (kα1) = 1,5406 Å). L’angle 2θ variant entre 10 et 70°. La surface de l’échantillon déposé sur une lame de verre est éclairée par un faisceau monochromatique (λ) de rayon X. Le faisceau incident est diffracté sur les seuls plans atomiques d’indices (hkl) vérifiant la relation de Bragg (relation 11).

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Figure 28: Diffractomètre RX utilisé dans le cadre de cette thèse.

III- Conclusion

Dans ce chapitre, nous avons présenté en détail la technique de croissance cristalline micro-pulling down, (μ-PD), utilisée dans le cadre de cette thèse de doctorat pour faire croitre des monocristaux de formats contrôlées par μ-PD. Nous avons discuté des principaux phénomènes de la croissance cristalline à partir du liquide, et nous avons présenté également les paramètres pour contrôler le processus de tirage afin d'obtenir un régime stable et stationnaire. Les barreaux de saphir non dopé et YAG :Ce ont été cristallisés dans le laboratoire ILM. Le découpage, l'usinage des cristaux et le polissage ont été effectués sur la plate-forme Cristalinnov à Montmélian.

Nous avons présenté les différents outils de caractérisation que nous avons utilisé pour classifier les cristaux élaborés dans le cadre de cette thèse.

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Références

[1] D.H. Yoon, I. Yonenaga, T. Fukuda, N. Ohnishi, Crystal growth of dislocation-free LiNbO3 single crystals by micro pulling down method, J. Cryst. Growth. 142 (1994) 339‑343. doi:10.1016/0022-0248(94)90342-5.

[2] K. Lebbou, Single crystals fiber technology design. Where we are today?, Opt. Mater. (Amst). 63 (2017) 13‑18. doi:10.1016/j.optmat.2016.08.043.

[3] O. Benamara, M. Cherif, T. Duffar, K. Lebbou, Microstructure and crystallography of Al2O3-Y3Al5O12-ZrO2 ternary eutectic oxide grown by the micropulling down technique, J. Cryst. Growth. 429 (2015) 27‑34. doi:10.1016/j.jcrysgro.2015.07.020.

[4] R.S. Feigelson, Pulling optical fibers, J. Cryst. Growth. 79 (1986) 669‑680.

[5] R. Ghez, H.G. Cohen, J.B. Keller, The stability of growing or evaporating crystals, J. Appl. Phys. 73 (1993) 3685‑3693. doi:10.1063/1.352928.

[6] T. Fukuda, V.I. Chani, Shaped crystal growth by micro-pulling-down technique, Springer B, NewYork, 2008.

[7] Y. Kawazoe, W. Yoshio, Structure and Properties of Aperiodic Materials, Tohoku , Sendai, Japan, 2003.

[8] G. Giridhar, R.K.N.R. Manepalli, A. Gudimamilla, Chapter 8 - Contact Angle Measurement Techniques for Nanomaterials Volume 3, in: S. Thomas, R. Thomas, A.K. Zachariah, K.M. Raghvendra (Éd.), Therm. Rheol. Meas. Tech. Nanomater. Charact., Elsevier, Amsterdam, Netherlands, 2017: p. 173‑195.

[9] Robert J. Good., Contact angle, wetting, and adhesion: a critical review, J. Adhes. Sci. Technol. 6 (1999) 1269‑1302.

[10] J. Zhou, F. Pan, J. Zhong, H. Liang, Q. Su, F. Moretti, K. Lebbou, C. Dujardin, Luminescence properties of Na3LuSi3O9:Ce3+ as a potential scintillator material, RSC Adv. 5 (2015) 102477‑102480. doi:10.1039/c5ra21880b.

[11] L. Liu, Y. Kagamitani, D. Ehrentraut, C. Yokoyama, T. Fukuda, Growth of shaped 12CaOx7Al2O3 crystals by the micro-pulling down method, J. Cryst. Growth. 311 (2009) 518‑521. doi:10.1016/j.jcrysgro.2008.09.032.

[12] Félix Gaffiot - Dictionnaire Illustré Latin-Français-Hachette (1934), (s. d.).

[13] N. Schäfer, T. Yamada, K. Shimamura, H.J. Koh, T. Fukuda, Growth of SixGe1-x crystals by the micro-pulling-down method, J. Cryst. Growth. 166 (1996) 675‑679. doi:10.1016/0022-0248(95)00988-4.

[14] H.J. Koh, N. Schäfer, K. Shimamura, T. Fukuda, Si1-xGex fiber crystals with functionally variant composition grown by micro-pulling-down technique, J. Cryst. Growth. 167 (1996) 38‑44. doi:10.1016/0022-0248(95)00997-3.

[15] S. Uda, J. Kon, K. Shimamura, T. Fukuda, Analysis of Ge distribution in Si1-x Gex single crystal fibers by the micro-pulling down method, J. Cryst. Growth. 167 (1996) 64‑73. [16] D. Maier, D. Rhede, R. Bertram, D. Klimm, R. Fornari, Dopant segregations in oxide

-100-

single-crystal fibers grown by the micro-pulling-down method, Opt. Mater. (Amst). 30 (2007) 11‑14. doi:10.1016/j.optmat.2006.10.023.

[17] A. Nehari, T. Du, E.A. Ghezal, K. Lebbou, Chemical Segregation of Titanium in Sapphire Single Crystals Grown by Micro-Pulling-Down Technique : Analytical Model and Experiments, Cryst. Growth Des. 14 (2014) 6492‑6496.

[18] W.A. Tiller, K.A. Jackson, J.W. Rutter, B. Chalmers, The redistribution of solute atoms during the solidification of metals, Acta Metall. 1 (1953) 428‑437. doi:10.1016/0001-6160(53)90126-6.

[19] S. Uda, J. Kon, K. Shimamura, J. Ichikawa, K. Inaba, T. Fukuda, Interface field-modified solute partitioning during Mn:LiNbO3 crystal fiber growth by micro-pulling down method II Radial distribution analysis, J. Cryst. Growth. 182 (1997) 403‑415. doi:https://doi.org/10.1016/S0022-0248(97)00351-5.

[20] R. Simura, A. Yoshikawa, S. Uda, The radial distribution of dopant (Cr, Nd, Yb, or Ce) in yttrium aluminum garnet (Y3Al5O12) single crystals grown by the micro-pulling-down method, J. Cryst. Growth. 311 (2009) 4763‑4769. doi:10.1016/j.jcrysgro.2009.07.012. [21] A. Djebli, F. Boudjada, K. Pauwels, V. Kononets, G. Patton, A. Benaglia, Growth and

characterization of Ce-doped YAG and LuAG fibers, Opt. Mater. (Amst). 65 (2016) 66‑68. doi:10.1016/j.optmat.2016.09.028.

[22] E. Scheil, Observations on the crystals film formation, Z. Met. 72 (1942) 70‑72.

[23] J.A. Burton, R.C. Prim, W.P. Slichter, The distribution of solute in crystals grown from the melt. Part I. Theoretical, J. Chem. Phys. 21 (1953) 1987‑1991. doi:10.1063/1.1698728.

[24] Z. Zeng, L. Qiao, Y. Liu, Y. Yokota, Y. Kawazoe, A. Yoshikawa, Numerical study on the radial dopant distribution in micro-pulling-down crystal growth, J. Cryst. Growth. 434 (2016) 110‑115. doi:10.1016/j.jcrysgro.2015.10.029.

[25] D. Kulig, W. Gieszczyk, I. Stefaniuk, I. Rogalska, B. Marczewska, P. Bilski, Study of impurities in alpha-Al2O3powders and crystals using EPR spectroscopy, Chinese J. Phys. 55 (2017) 2100‑2105. doi:10.1016/j.cjph.2017.08.024.

[26] Societé RSA le Rubis, à JARRIE (38560). www.rubisrsa.com.

[27] V.N. Kurlov, B.M. Epelbaum, EFG growth of sapphire tubes up to 85 mm in diameter, J. Cryst. Growth. 187 (1998) 107‑110. doi:10.1016/S0022-0248(97)00846-4.

[28] Y.G. Son, J.H. Ryu, W.J. Lee, Y.C. Lee, H.H. Jo, Y.H. Parka, Numerical study of three-dimensional convection due to buoyancy force in an aluminum oxide melt for Kyropoulos growth, J. Ceram. Process. Res. 16 (2015) 68‑73.

[29] H.S. Fang, Z.W. Yan, E.D. Bourret-Courchesne, Numerical study of the micro-pulling-down process for sapphire fiber crystal growth, Cryst. Growth Des. 11 (2011) 121‑129. doi:10.1021/cg101021t.

[30] N. Wang, F. Jiang, X. Xu, X. Lu, Effects of Crystal Orientation on the Crack Propagation of Sapphire by Sequential Indentation Testing, Crystals. 8 (2017) 3‑16. doi:10.3390/cryst8010003.

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Chapitre III

Croissance cristalline de barreaux de saphir