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Phénomènes d'électroluminescence

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Academic year: 2021

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HAL Id: jpa-00235546

https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00235546

Submitted on 1 Jan 1956

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Phénomènes d’électroluminescence

E. Nagy

To cite this version:

E. Nagy. Phénomènes d’électroluminescence. J. Phys. Radium, 1956, 17 (8-9), pp.773-776.

�10.1051/jphysrad:01956001708-9077300�. �jpa-00235546�

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773

PHÉNOMÈNES D’ÉLECTROLUMINESCENCE

Par E. NAGY,

Hungarian Academy of Sciences, Budapest.

Summary. - The impact excitation mechanism of electrbluminescence is used in connection with Shockley’s idea of an electronic temperature depending on the field. The different relaxation processes involved are discussed. An expression for the field- brightness relation is derived and

checked with experiment.

LE JOURNAL DE PHYSIQUE ET LE RADIUM TOME 17, AOUT-SEPTEMBRE 1956, PAGE 773.

I. Introduction.

--

Le , phénomèné d’électro- luminescence, observé par Destriau avec un champ

alternatif de quelques 10 000 V /cm [1], s’inter- prète [2, 3] en admettant que quelques-uns des

électrons libres du cristal acquièrent du fait du

champ électrique une énergie suffisante pour l’excitation des centres par chocs, c’est-à-dire

q charge de l’électron ;

E intensité du champ ;

l libre parcours de l’électron, sous l’effet du champ, dans le sens du champ ;

hv énergie de la transition optique.

Le nombre des électrons dont l’énergie est plus grande que hv, le parcours plus grand que l, est d’après la statistique de Maxwell-Boltzmann

où 1 est donné par (1), donc:

Nous admettrons ce mécanisme au cours du pré-

sent travail, mais nous allons discuter l’origine

des équations (1) et (2).

On a supposé que le libre parcours moyen 10 est

une constante indépendante du champ, ce qui

n’est valable que dans le cas l’excès d’énergie acquis par le champ est petit devant kT. C’est le

cas où la loi d’Ohm est valable, comme l’a montré

’ Lorentz [4]. On suppose pour cela qu’aux champs

faibles la fonction de répartition f n’est que peu modifiée par le champ, ce qui permet de lui donner

la forme

où f o est la fonction de répartition à symétrie sphé- rique en l’absence de champ. La valeur de

qElo/kT est pour les métaux de l’ordre de 10-5,

mais pour les semi-conducteurs elle peut dépasser

l’unité.

La déviation de la loi d’Ohm dans le germanium

fut observée par Ryder [5] déjà sous 1 000 V/cm.

Il en résulte qu’en électroluminescence, on emploie généralement des intensités de champ supérieures à 104V/cm, l’approximation de Lorentz

n’est plus valable. La fonction de répartition ci-

dessus ne peut servir à l’interprétation de l’élec- troluminescence ; cela résulte aussi du fait que l’électroluminescence serait alors très faible et

indépendante de l’intensité du champ.

De même l’hypothèse d’un équilibre thermique

entre les électrons et le réseau ne serait justifiée

que dans le cas stationnaire où l’électron n’est pas

capable d’acquérir de l’énergie sous l’action du champ. Comme l’expérience montre qu’au contraire

les électrons prennent réellement de l’énergie, leur

vitesse moyenne doit être plus élevée que sans

champ, il faut leur attribuer une température supérieure à celle du réseau. A notre connaissance cette idée a été introduite d’abord par Shockley [6].

De cette façon il a réussi à expliquer les déviations à la loi d’Ohm observées dans le germanium. Dans

cette étude, nous étendrons cette idée à l’électro-

luminescence.

II. Théorie de l’éleetrolumineseenee.

-

L’élec-

tron de conductibilité pourrait se mouvoir libre-

ment s’il n’était soumis à des chocs. L’effet des chocs sur les défauts du réseau est d’arrêter au

bout d’un certain temps l’accélération de.l’électron

sous l’action du champ. L’interaction entre les défauts du réseau et l’électron peut être caracté- risée dans tous les cas par un temps de relaxation T.

Quand plusieurs sortes de défauts peuvent inter- venir, le temps de relaxation effectif peut être déter-

miné simplement à partir des temps de relaxation des processus séparés. Dans le cas présent il peut,

se produire [3, 7] :

,

1) diffusion sur les vibrations thermiques du

réseau (,rth) ;

2) dans les substances polaires (ce qui est le cas

du ZnS), diffusion sur les vibrations optiques du

réseau (Top) ;

3) diffusion sur les impuretés ionisées (Ti) ;

Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/jphysrad:01956001708-9077300

(3)

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4) diffusion sur les impuretés neutres (Tn) ; 5) transfert de l’énergie à un centre lumino- gène (Tc) ; d’où :

Donnons l’expression de chacun de ces temps de relaxation.

Pour la diffusion thermique, il est bien connu [6]

que

où m est la masse de l’électron, [.Lü sa mobilité sous

l’action des seules vibrations thermiques.

Pour déterminer la diffusion sur les modes

optiques de vibration, il faudrait connaître exac-

tement le spectre des vibrations optiques du

réseau. Ce n’est pas le cas et nous emploierons l’approximation usuelle utilisant une seule fré- quence caractéristique vop. Si la température est

assez élevée (kT > h vap) et si dans chaque choc

un seul photon est émis ou absorbé, l’équation d’énergie serait, en ne tenant compte que de la

diffusion optique [6] :

Étant donné que

nous avons

La diffusion Rutherford sur les. impuretés ioni-

sées a été étudiée par Conwell et Weisskopf [8] ;

pour les électrons thermiques, de vitesse

moyenne PT à la température T, ils obtiennent :

K est la constante diélectrique du milieu ;

N la densité des atomes ionisés ;

d leur distance moyenne.

Pour la diffusion par les impuretés neutres nous

ne disposons que de très peu de données, mais il

est sûr qu’elle est faible devant celle due aux impu-

retés ionisées ; aussi nous la négligerons dans ce qui suit, de même que la perte d’énergie par exci- tation de l’électroluminescence.

Si au temps de relaxation T on applique l’équa-

tion (6), on définit une mobilité résultant

donnée par

-

L’équation (11) montre que la mobilité de l’électron est réduite par rapport à lLo. Cette mobi- lité réduite indique une interaction plus forte avec

le réseau, dont on tient compte en introduisant

avec Shockley une température électronique supé-

rieure à celle du réseau. La résolution exacte du

problème exigerait naturellement la résolution de

l’équation de transport de Boltzmann dans les

champs forts, l’équation cesse d’être linéaire.

L’hypothèse de Shockley suppose que le gaz d’élec- trons présente une répartition de Maxwell-

Boltzmann. C’est une supposition grossière, mais

actuellement c’est le seul moyen d’aller plus loin.

Supposons donc que le gaz électronique soit à

une température Te, pour laquelle son interaction

thermique avec le réseau équivaut à toutes les

interactions ensemble à la température plus

basse T. La vitesse des électrons est proportion-

nelle à la racine carrée de la température, le

nombre de chocs également (l’amplitude des

vibrations du réseau est fixe). Ainsi la mobilité,

est donnée par

Posons

Substituons (15) dans (11) et résolvons en y :

(16) montre que la température électronique aug- mente avec le champ.

Pour obtenir l’intensité lumineuse introduisons la densité n des porteurs d’énergie supérieure à

hv. Si no est la densité totale des électrons,

Cette intégrale vaut approximativement

L’intensité lumineuse B s’obtient en multi-

pliant cette expression par le nombre des chocs par unité de temps et par la probabilité d’excitation du centre luminogène avec émission lumineuse.

On a une relation de la forme :

III. Comparaison avec les résultats expéri-

mentaux.

-

Dans les ZnS électroluminescents, la

mobilité et la teneur en impuretés ne sont géné-

(4)

ralement pas connues, aussi on ne peut déterminer

à l’avance les constantes figurant dans (20). En pratique on portera log B en fonction de (1 + cE)-2,

et on cherchera le paramètre c donnant la droite la meilleure. A partir de la pente pi de cette droite, à

l’aide de P connu par le spectre et de la valeur sup-

posée de vop, on peut calculer les mobilités figurant

dans (16).

Nous utiliserons le travail de Roberts [9] qui

relie la brillance au champ (et non à la tension appli- quée). Les mesures de Roberts sont représentées figure 1.

La substance est excitée dans un champ alter-

natif de fréquence 50 ou 1 000. On choisit c

=

1 /3 quand l’intensité du champ effectif est mesurée en

V Ifl. La figure,2 indique la précision avec laquelle

on peut assujettir c ; on voit que l’ordre de gran- deur doit en être correct.

La pente de la droite expérimentale pour 50 périodes (émission verte) est 13,6. Admettant

on en déduit :

La moyenne harmonique (mobilité effective

dans les champs faibles) sera ,

=

235 CM2V-IS-1.

Le principal appui à notre hypothèse est le sui-

vant : A 1 000 périodes la bande bleue à 2,68 eV

est prédominante [10], la bande verte à 2,30 eV

tend vers une saturation. On prévoit donc une multiplication de p par 2,60 /2,38 ==.1,17, soit une multiplication de la pente par 1,17 enture les fré-

quences 50 et 1 000. Or c’est précisément ce que

montre l’expérience.

Les calculs ci-dessus ne sons - rigoureusement applicables qu’en champ continu. En champ alter-

natif il faudrait considérer la moyenne de la bril- lance dans le temps. Cela ne donnerait rien de très

nouveau parce que la brillance dépend surtout de

la valeur maximum du champ.

Jusqu’à présent nous ne nous sommes pas occupés

de la provenance des électrons dans la bande de conductibilité. Comme dans l’obscurité le produit

de la densité des électrons libres par celle des trous libres est une constante

il n’y a pas alors assez d’électrons.et de.trous libre8.

Nous pouvons surmonter cette difficulté en admet- tant que la production des électrons libres (région

où n est grand), et la recombinaison dans les trous

(région où p est grand) ont lieu en des endroits différents du cristal.

Les électrons libres se produisent en surface

cause des états de surface ou de la position plus

favorable du niveau de Fermi) et de là ils sont

amenés dans le cristal par le champ électrique.

L’énergie nécessaire pour cela ne peut guère dépas-

ser 3 eV et peut être aisément fournie par le

champ. Cette hypothèse (Curie [3]) paraît conforme

aux expériences. La plus caractéristique est peut-

être celle de Klasens [11] montrant que l’électro- luminescence apparaît par précipitation d’ions métalliques à la surface de là substance.

Il est clair qu’avec ce mécanisme la brillance est -

jusqu’à l’apparition des phénomènes de satu-

ration,- proportionnelle à la fréquence employée.

DISCUSSION

Nota : Le Dr Nagy n’a pu être personnellement présent au Colloque mains il a aimablement demandé que les discussions aient lieu cependant.

1. Dr D. Curie (Paris).

-

Je voudrais appuyer

par un exemple numérique l’identité signalée par le

Dr Nagy entre la formule des probabilités continues

qui est à la base de la conception de Destriau

(5)

776

et la statistique de Boltzmann

Il suffit de poser

kT e

=

qEdo

=

énergie moyenne des électrons rapides.

Avec les valeurs utilisées dans mes articles de 1952-1953.

lo N 10-5 cm E ~ 40 000 V /cm il vient

Ryder et Shockley (mais dans le germanium)

ont trouvé des températures électroniques de cet

ordre ’ pour des champs qui n’atteignaient

pas 105 V /cm.

L’analogie entre le problème des probabilités

continues et la statistique de Boltzmann avait été

signalée par Paul Langevin (Conférence faite à la

Société française de Physique, 27 novembre 1913),

mais pas sur l’exemple de l’électroluminescence ! !

2. Dr R. Go§aux (Charleroi).

-

Le mécanisme

de l’électroluminescence repose sur la production

d’électrons rapides. A ces électrons rapides on ne peut appliquer les relations sur la mobilité obtenues pour les électrons lents. Shockley a estimé la

mobilité des électrons rapides dans le cas d’un

semi-conducteur soumis à un champ électrique

intense. Shockley a obtenu

où v représente la vitesse dans la direction du

champ, Ec un champ critique déterminé par

l’égalité de v et de la vitesse des ondes longitu-

dinales du réseau.

-

La loi d’Ohm n’est donc plus

vérifiée pour les champs électriques intenses. La

relation (20) devient alors

BIBLIOGRAPHIE

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Références

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