HAL Id: jpa-00213928
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Submitted on 1 Jan 1971
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POUVOIRS THERMOÉLECTRIQUES D’ALLIAGES DILUÉS DU NICKEL ET DU COBALT AVEC DES
ÉLÉMENTS DE TRANSITION
M. Cadeville, J. Roussel
To cite this version:
M. Cadeville, J. Roussel. POUVOIRS THERMOÉLECTRIQUES D’ALLIAGES DILUÉS DU
NICKEL ET DU COBALT AVEC DES ÉLÉMENTS DE TRANSITION. Journal de Physique Col-
loques, 1971, 32 (C1), pp.C1-335-C1-337. �10.1051/jphyscol:19711112�. �jpa-00213928�
JOURNAL DE PHYSIQUE
Colloque C I , supplkment au
1 2 ~2-3, Tome 32, Fburier-Mars 1971, page C 1 - 335
POUVOIRS THERMOELECTRIQUE s D'ALLIAGE S DILUES DU NICKEL ET DU COBALT AVEC DES ELEMENTS DE TRANSITION
M. C. CADEVILLE et J. ROUSSEL
Laboratoire de Physique des Solides (*), Institut de Physique, 67, Strasbourg, France
Resume. - Les pouvoirs thermo6lectriques (P. T. E.) d'alliages dilues du nickel et du cobalt avec des elements des trois premikreres series de transition ont kt6 mesurks dans deux domaines de temperature
:de 1,2 a 4,2 OK et de 77 a 300 OK.
Aux basses temptratures, le P. T. E. mesure
(SO)est proportionnel
ala temperature et generalement, independant de la concentration en impuretes
;on determine ainsi le P. T. E. associe a l'impurete seule
: So/T.Aux temperatures suffisam- ment elevees (contribution du
ccphonon-drag
))negligeable) le P. T. E. varie encore lineairement avec la temperature mais depend fortement de la concentration. On utilise cette dependance en concentration a une temperature donnQ
(295 OK)pour analyser les donnQs experimentales dans un modkle de conduction a deux bandes independantes s,
(rr =1., 4).
Ce modkle neglige toute variation de la structure Clectronique des impuretks avec la temperature. On en deduit, les P. T. E.
et les resistivitks associh a chaque bande sa a la fois pour la matrice et pour I'impurete. Les resultats obtenus confirment le schema d'etat lie virtuel stdt d6jB propose pour ces alliages a partir des mesures d'aimantation et de risistivitk.
Abstract. - Thermoelectric power (T. E. P.) measurements of dilute alloys of nickel and cobalt with transition elements have been carried out in two temperature ranges
:between
1.5and
4.2 OK,and between 77 and 300
O K .At low temperatures, the measured T. E. P.
( S O )is proportionnaI to the temperature, and generaIly independent of the impurity concentration
;the T. E. P. araising from the impurity alone
(SOIT)is deduced. At sufficiently high temperatures (phonon- drag contribution is negligible) the temperature dependence of T. E. P. is still linear, but depends on concentration. We used this concentration dependence at
295 OKto analyse the experimental datain an independent two-band conduction model, assuming as negligible the variation of impurity electronic structure with temperature. The T. E. P. and resistivities associated with each band
((sa
))for the matrix and the impurity are deduced. The obtained results check the previous model and the
((srdt u virtual bound state scheme.
Nous avons effectut des mesures de P. T. E. sur des alliages binaires et ternaires & basse temperature (T < 4 OK) [6,7] et des mesures sur des alliages binaires aux temptratures comprises entre 77 et 300 OK [S].
Nous montrons que l'on peut stparer les P. T. E.
et les rtsistivitts associCs B la matrice (S,,, p,,) et aux impuretts (So,, p,,) pour chaque bande s, (o
=r, 1)
[9] dans un mod&le simple de conduction B deux bandes.
La cohtrence des rCsultats obtenus et I'accord avec les rCsultats dCduits d'analyses analogues sur les mesures de rtsistivitks [3, 101 prouvent la validite du modkle choisi. Nos rksultats confirment le schtma de structure Clectronique dCj& propost pour ces allia- ges : existence d'un Ctat lit virtue1 s t d t dont nous prtcisons la position et la largeur.
I. Pouvoirs thermo6lectriques danr un mod6le de conduction A deux bandes. - 1. PRINCIPE. - AUX tr&s basses temperatures et pour des temptratures grandes devant la tempkrature de Debye le
c<phonon- drag
Dest ntgligeable ; le P. T. E. S et la rtsistivitt p sont alors relits par la relation [ l l ] :
Entre 1,5 OK et 4,2 OK le P. T. E. mesurC est dans tous les cas proportionnel A la tempkrature. Nous admettrons dans la suite de cet expos6 que cette rela- tion est encore valable aux temptratures voisines de l'ambiante : les rksultats de notre analyse justifient
indtpendants associis aux bandes et 1, le P. T. E.
est [12]
S
=(PL ST 4- PT SL) (PT + pi)-'. (1-2) Si l'intbieur d'une bande (i) les diffkrents inkca- nismes de diffusion (Clectron-phonon, Blectron-impu- reti) sont indkpendants (ii) les interactions entre impuretts sont ntgligeables (iii) la structure Clectro- nique de l'impurett ne varie pas avec la temperature, le P. T. E. dans chaque bande vaut
:p,,(T) et S,, sont les rtsistivitts et P. T. E. de la matrice dans la bande o a la temptrature T, cp,, et So,/T les rCsistivitts et P. T. E. de l'impurett, indB- pendants de la temperature. Les hypothbes ii et iii sont confirmCes par des mesures de rtjistivitCs [3, 41 et de R. M. N. [13].
1. CAS : T
=0. - En admettant que les P. T. E.
S,, et So, soient du m&me ordre de grandeur, aux basses temperatures on a :
et par constquent le P. T. E. d'un alliage binaire est indkpendant de la concentration en impuretts :
So
=(pol So7 + Pot SOL) (pot + pol)-'- (1-5) cette hypoth8se. L'indkpendance de So avec c est vtrifite exptrimen-
Si dans un mCtal
Ouun alliage ferrOmagndtique talement pour la plupart des alliages &tudits &
la rksistivitt rtsulte de deux mkcanismes de diffusion tion des NiRu, CoRu et a un degre moindre EiOs, alliages F u r lesquels l'approximation (1-4) n'est
(*)
Equipe de recherches associte au CNRS,
no100. plus valable.
Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/jphyscol:19711112
C 1
- 336 M. C. CADEVILLE ET J. ROUSSEL L'application de la formule (1-2) aux alliages ter-
naires montre que de mdme que pour les rtsistivitb rtsiduelles [7] le P. T. E. d'un alliage ternaire aux basses temperatures ne dtpend que du rapport A
=cl/c, des concentrations des impuretts 1 et 2 [9].
Nous avons dtja utilisB cette dtpendance de S avec
;1pour d6terminer les rtsistivitks et P. T. E. associts aux impuretts de cobalt et de chrome dissoutes dans le nickel [7].
2. CAS : T # 0. - Le P. T. E. dtpend fortement de la concentration d'impuretCs (Fig. 1). A l'aide des
FIG. I . - Dkpendance avec la tempkrature du P. T. E. des alliages CoMo entre 77 et 300 -
OKpour diffkrentes concentra-
tions d'impuret6s.
formules (1-2) (1-3) et des formules analogues pour la rCsistivitt, le P. T. E. s'exprime en fonction (1) de la rksistivitk rksiduelle cp, et du P. T. E. So dus
A l'impurett (2) de la rtsistivitt p, et du P. T. E. S, du mCtal pur, et (3) des param&tres a = pollpot, P
=PmlIPrnt,
TO =SOJISOTY zm
= S m ~ / S m t .A l'aide des mesures de rtsistivitk et de P. T. E.
des alliages binaires B 4,2 OK (p,, So) [3, 61 et des mktaux purs a 295
OK(p,, Sm) nous avons dttermin6 1es parambtres a et
p,par ittration a partir des valeurs de Durand [3] et les parambtres zo et
z,par une mkthode de moindres carrts sur les valeurs du P. T. E.
(S(c)) B 295
OK.Les rtsultats de notre analyse met- tent en evidence : (1) l'unicitt des parambtres relatifs B la matrice :
,uet z, ; ainsi pour les aliiages B base de cobalt on obtient :
p =8 zm
=0,4 f 0'1, pour les aIliages B base de nickel : p = 1'8 z ,
=- 0,5 3. 0,1.
Ceci est un test de cohtrence de notre modele ; (2) un bon accord entre nos valeurs de a et
pet celles qui ont Btt dkduites de l'analyse des rtsistivitts [3, 81 ; (3) des valeurs de Sot qui, comme nous allons le montrer, s'interprbtent bien dans le schtma de struc- ture CIectronique de ces alliages.
11. Structure Blectronique. Schema d'Btat 1% virtuel.
- Lorsque le potentiel perturbateur crtt par l'impurett est suffisant pour extraire un Ctat lit dt de la bande pleine du mttal, cet &tat entre en rtso- nance avec les Ctats de conduction st pour former un Ctat li6 virtuel selon 1e schtma propost par Frie-
del [14] : le passage de cet ttat au niveau de Fermi s'accompagne de modifications importantes des pro- priCtks de I'alliage ; on note en particulier :
- une dkcroissance de l'aimantation moyenne p(c) avec la concentration d'impuretts c : dji/dc
= -(2 + p) pB (p/2
=nombre d'ttats dt inoc- cupts),
-
un maximum de la densite d'ttats et par consk- quent un maximum de la resistivitt p(st) lorsque p
=5,
-