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Sur l'électroluminescence du sulfure de zinc (effet Destriau)

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HAL Id: jpa-00235547

https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00235547

Submitted on 1 Jan 1956

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Sur l’électroluminescence du sulfure de zinc (effet Destriau)

P. Zalm

To cite this version:

P. Zalm. Sur l’électroluminescence du sulfure de zinc (effet Destriau). J. Phys. Radium, 1956, 17 (8-9), pp.777-782. �10.1051/jphysrad:01956001708-9077700�. �jpa-00235547�

(2)

SUR L’ÉLECTROLUMINESCENCE DU SULFURE DE ZINC (EFFET DESTRIAU)

Par P. ZALM,

Laboratoires de Recherches Philips

N. V. Philips Gloeilampenfabrieken, Eindhoven, Hollande

Summary. - Theoretical and experimental study of a rectifier barrier between ZnS and Cu2S.

The luminance- voltage relation in exp(2014b/V1/2) derived is in good agreement with experiments.

Heating modifies the value of b.

PHYSIQUE 17, 1956,

I. Introduction. - L’émission lumineuse des ZnS électroluminescents en suspension dans un diélectrique [1, 2] se limite à de petites zones en

surface des grains. On admet l’existence, au contact

du ZnS et d’une couche superficielle conductrice

de CU2S, d’une barrière du type Mott-Schottky dans laquelle champ est élevé. Un modèle sim-

plifié montre que l’intensité du champ dans la

barrière peut être plusieurs dizaines de fois supé-

rieure à celle du champ dans l’intérieur du cristal.

Cet article traitera des conséquence’s pratiques

de ce modèle ainsi que de leur vérification expé-

rimentale. Il apparaît qu’il y a lieu de distinguer

nettement le moment de l’émission de celui de l’excitation.

I I. 1. - Preuve expérimentale de la présence de

barrières redresseuses dans du ZnS électrolumi- nescent. - Un ZnS électroluminescent en sus-

pension dans un milieu de faible conductivité, par

exemple du phosphate detricrésyle, est placé entre

deux verres conducteurs. Les monocristaux élec- troluminescents peuvent être excités par un champ pulsatoire de sens constant (signaux carrés, tension

variant de 0 à 100 volts) car la tension sur les cristaux peut suivre la tension appliquée (dans un

milieu isolant, la composante alternative est seule

efficace). La luminance est, dans ce cas, tout au

plus la moitié de celle qu’on obtient en excitant la

substance au moyen d’une tension alternative de même fréquence, de même forme et de même ampli-

tude totale (signaux carrés, la tension variant de - 50 à + 50 volts).

Dans le premier cas, l’émission lumineuse se

produit sur un seul côté des grains (côté négatif)

et dans le second sur les deux côtés. Cela n’est

explicable que s’il existe une barrière de potentiel

redresseuse.

11.2. --- Répartition du potentiel dans un cristal

de ZnS. - Considérons le mcdèle simplifié sui-

vant : cristaux de ZnS de même grandeur et de

même forme cubique d’arête d, recouverts d’une mince couche conductrice de Cu2S, enrobés dans

un milieu diélectrique de même constante diélec- trique que ZnS. Le niveau de Fermi du ZnS est au-dessus de celui de Cu2S; le contact ZnS-Cu 2S est

donc tel qu’il se forme dans ZnS une charge d’espace positive.

Cependant une étude plus approfondie montre

que la polarisation empêche la formation, sur l’en-

semble de la face négative, d’une charge d’espace

suffisamment grande capable de produire un champ

d’intensité sensiblement supérieure à celle du champ à l’intérieur du cristal. On observe au

microscope que l’émission se produit en des points

localisés de la surface. On peut expliquer ce phéno-

mène comme suit : dès qu’un électron, venant du CU2S et accéléré par le champ de la barrière, entre

dans le cristal, il y produit une ionisation, d’où une augmentation de la charge d’espace positive car

les électrons secondaires sont entraînés par le

champ vers l’autre face du cristal. Cette augmen- tation de la charge.d’espace accroît localement le

champ dans la barrière et le Cu2S fournira d’autres électrons, faisant naître de nouveaux électrons

secondaires, etc...

Partout dans le cristal, par suite de la polari- , sation, l’intensité du champ diminuera sauf à

l’endroit l’ionisation se produit. En ce lieu

l’intensité du champ augmentera et le processus d’avalanche se poursuivra. Faisant l’hypothèse

que les dimensions de cette zone à charge d’espace positive sont telles que la tension V sur la barrière est maximum, on peut calculer la distribution des

potentiels dans le cristal de ZnS d’où l’intensité du.

champ maximum Fbm dans la barrière. Pour ce

modèle [7] on trouve :

Dans cette expression, Fo est la valeur du champ

non perturbé, d l’arête du cristal et p = 8 Te eN /e (Ne densité de charge d’espace et e constante diélectrique du ZnS).

L’intensité du champ Fbm est donc à peu près proportionn elle à V"2 Vo étant la tension appliquée.

Pour Fo = 105 V/cm,d = 10-3 cm, e = 10 et

Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/jphysrad:01956001708-9077700

(3)

778

N = 1018 centres /cm3 on trouve Fbm - 1,8.

106 V /cm ; l’épaisseur de la barrière (c’est-à-dire

celle de la charge d’espace positive) étant d’envi-

ron 1 000 À, la tension sur la barrière est d’envi-

ron 9 volts.

I I. 3. - Variation de la luminance avec la ten- sion et la fréquence. - La quantité d’électrons secondaires produits par le processus d’avalanche

peut être calculée au moyen de la formule

dn représente la quantité d’électrons secon-

daires créés entre x et x + dx. Le facteur expo- nentiel donne la fraction des collisions qui pro- duisent une ionisation [9]. L J Le rapport pp F(x)

n dx

représente le nombre de collisions qui se produisent

entre x et x + dx, l1. est la mobilité, F(x) l’inten-

sité du champ et 1 /r la fréquence des collisions.

On a

et supposant que Ne est indépendant de x (1) on

trouve le nombre total d’ionisations n - no dans la barrière :

comme

no est le nombre d’électrons primaires.

Les électrons primaires proviennent de niveaux

donneurs situés en surface ionisés par le champ (ou du CU2S), no est uniquement fonction du

champ [8, 4b]. La luminance H est ainsi donnée

approximativement par

b est une Constante. Une étude plus appro- fondie [4b] montre que la répartition des énergies

de ces niveaux donneurs ne modifie pas sensi- blement b.

L’accord entre l’expérience et la relation (4)

est satisfaisant (fig. 1).

III. - Ondes de luminance. -- La distribution des potentièls donnée plus haut permet de déter-

miner la probabilité de recombinaison des élec- trons libérés avec les centres ionisés lors de l’exci- tation. Pour notre modèle, l’épaisseur de la bar-

(1) Cette hypothèse ne correspond pas exactement à la réalité. Il est toutefois permis de supposer que dans l’état stationnaire la densité de la charge d’espace ne dépend que faiblement de x. Pendant les premières périodes suivant l’application du champ N n’est certainement pas constant.

rière est d’environ 10-5 cm, le champ y est de 105 à 106 V/cm. En prenant y - 100 CM2 V-IS-1 les électrons libres resteront Ti N 10-12 à 10-13 sec

dans la barrière de potentiel pendant l’excitation.

FIG. 1. - Relation linéaire

entre le logarithme de la luminance H et V -1/2.

La probabilité de recombinaison avec les centres

ionisés est p ni -r, où ni est la concentration des centres N 1018 /cm3 et la constante de recombi- naison de l’ordre de 10-14 cm3 S-1. Il s’ensuit que la probabilité de recombinaison n’est que de 10-8

ou 10-9.

Ces résultats sont confirmés par les oscillo- grammes (fig. 2A) des ondes de luminance d’un

ZnS(Cu, CI) bleu. Un ZnS (Cu, CI) vert fournissait des oscillogrammes analogues.

Dans les deux cas la substance électrolumines- cente - en suspension dans du phosphate de tricrésyle - est excitée par un champ pulsatoire

de direction constante.

En accord avec la valeur très faible de la proba-

bilité de recombinaison avec les centres lors de l’avalanche électronique, l’émission de lumière

apparaît lorsque le champ est nul et que les élec- trons reviennent dans la zone excitée pour s’y

recombiner avec les centres ionisés. Ce processus d’émission n’a évidemment pas un bon rendement.

On observe au microscope que seules les faces des cristaux tournées vers la cathode émettent de la lumière.

Tout autres sont les oscillogrammes des sub-

stances comportant des activateurs du type « carac- téristique », c’est-à-dire dans lesquelles l’excitation n’aboutit pas à l’ionisation des centres, tels le ZnS

activé au Mn ou par une terre rare (fig. 2B) : ici,

(4)

hormis un léger retard dû à la durée de vie de l’état

excité, l’émission maximum de lumière se produit lorsque la tension sur la barrière est maximum et du seul côté négatif de la cellule.

FIG. 2. - Excitation en tension sinusoïdale de sens cons-

tant (tension variant de zéro à + V).

A) Oscillogramme d’un ZnS électroluminescent activé par Cu et Cl (bande bleue).

B) Oscillogramme d’un ZnS électroluminescent activé par Mn (Cu - Al), bande orangée.

Dans les deux cas ZnS en suspension dans du phos- phate de tricrésyle.

On rapprochera le meilleur rendement de l’élec- troluminescence excitée par champ de direction

constante lorsque l’activateur est du type carac- téristique du fait que seuls les sulfures présentant

ces aotivateurs montrent sous l’action des courants continus un renforcement de la luminescence excitée par les rayons U. V. [5].

Dans le cas les ZnS électroluminescents sont

en suspension dans un milieu isolant et si l’exci- tation provoque l’ionisation des activateurs, on

sait que les ondes de luminance sont en avance de

phase sur la tension appliquée lorsque celle-ci est

assez élevée [6]. En réalité, l’excitation maximum est à peu près en phase avec la tension maximum,

alors que l’émission de lumière est en retard ; on

peut le prouver expérimentalement en superposant

des pointes de tensions à une tension alternative sinusoïdale (fig. 3). L’influence, en phase, des pointes est conforme à l’idée que l’émission de lumière est liée à la recombinaison des électrons

ramenés vers la zone excitée ; selon le signe de l’impulsion de tension, l’émission momentanée de lumière est atténuée ou renforcée. Il y a lieu de

remarquer qu’une pointe à l’instant ta renforce,

avec un certain retard, l’émission de lumière aux in st ant s tb et tb.

FIG. 3. - Oscillogramme ’ d’un ZnS électroluminescent activé par Cu et Cl. L’effet produit par des pointes de tension est représenté en ponctué sur les ondes de lumi-

nance.

IV. Influence de la température. - La cons-

tante b de la formule (4) sera fonction de la cons-

tante diélectrique, du rapport des volumes de ZnS

et de diélectrique dans la cellule, de l’orientation,

de la forme et de la grosseur des grains de ZnS, etc...

En ce qui concerne l’action de la température il importe que b soit également in fluencé par :

a) la densité de charge d’espace positive dans la barrière ;

b) la présence de pièges dans le ZnS.

La densité de la charge d’espace positive dans la

barrière est liée à la possibilité de capture des trous

dans les centres. La libération thermique de ces

trous diminue la charge d’espace ainsi que la valeur de Fbm. Pour établir la relation (1) on a

FIG. 4. - Variations, avec la température, de l’électro-

luminescence d’un ZnS activé par Cu et Cl.

Courbe I Courbe expérimentale H = f (T).

Courbe II. Variations. de b en fonction de la tempéra-

ture. Les points expérimentaux sont reportés. sur la courbe.

Courbe III. Luminance déterminée, à diverses tempé- ratures, à partir de la courbe II (b fonction de T).

Les croix correspondent aux points expérimentaux de la courbe II.

(5)

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supposé que tous les électrons provenant de la

zone d’excitation sont entraînés vers le côté positif

des grains. Or, cela n’est plus’ le cas pour les élec- trons capturés par les pièges ; tout se passe comme si l’arête d diminuait. Ainsi, par capture des élec- trons, l’intensité du champ est réduite dans la barrière.

Ainsi la température agit sur la valeur du champ

dans la barrière et par suite sur b. La figure 4

donne les variations expérimentales de b et de la

luminance H en fonction de la température (courbes I et II). On peut par ailleurs déterminer,

au moyen de la formule (4), et par la courbe expéri-

mentale b(T), les valeurs théoriques de la lumi-

nance à diverses températures T (courbe III). La

concordance entre les courbes 1 et III montre que l’effet de la température sur la luminance est en

majeure partie un effet sur b, c’est-à-dire sur le

champ dans la barrière et pas seulement sur le nombre d’électrons primaires. Cependant ce

nombre intervient aussi [3].

La réduction de la luminance en A est due à la diminution de la charge d’espace par suite de la libération à cette température des trous capturés

par des centres bleus. La barrière de potentiel et le champ augmentent à nouveau en B car les pièges à

électrons se vident thermiquement et ne capturent plus les électrons. Enfin à température plus élevée

la luminescence. décroît à nouveau parce que les trous ne restent plus capturés dans les centres

verts. Ce modèle explique le déplacement de la

courbe H(T) vers les températures élevées lorsque

la fréquence croît ; en effet plus le laps de temps

s’écoulant entre l’excitation et la recombinaison est court, plus est réduite l’in fluence de la libération des trous par les centres.

DISCUSSION

1. Dr F. E. Williams (Schenectady). - Le

Dr Zalm et moi sommes en accord sur les principes physiques du mécanisme de l’électroluminescence, particulièrement sur l’influence de la température.

En résumé, les points d’accord sont les suivants : L’électroluminescence dans le sulfure de zinc croît

rapidement avec le champ électrique local: L’ioni- sation par le champ des électrons dans des donneurs

profonds - niveaux localisés en général - et

l’accélération des électrons de conduction

dépendent très fortement du champ local. Au contraire, les processus thermiques n’influencent pas directement l’électroluminescence, mais ils modifient la probabilité d’occupation des niveaux localisés et par là influent sur le champ local ; ils

déterminent en effet la charge d’espace positive

dans la barrière.

Nous avons publié une théorie détaillée pour

l’effet des pièges sur l’électroluminescence, basée

sur ces idées (JOHNSON, PIPER et WILLIAMS,

J. Electrochem. Soc. Amer., 1956). Zalm a considéré

cet effet, et en outre il a exprimé l’effet sur le champ local de la libération des trous positifs depuis les centres luminescents ionisés.

Dr P. Zalm. - Je suis heureux de l’accord entre le Dr Williams et moi sur les principes fonda-

mentaux de l’effet Destriau. Nous avons considéré

l’effet de la température sur l’électroluminescence résultant de l’influence de la charge d’espace posi-

tive (et négative) sur l’intensité du champ local (Phil. Res. Rep., 1955, 10, 205). Notre théorie est

une conséquence logique de la conception de Piper

et Williams concernant la présence d’une barrière cathodique à potentiel élevé (PIPER-WILLIAMS, Phys. Rev.,1952, 87, 151).

2. Dr R. Gofjaux (Charleroi). - La probabilité P

de production d’électrons d’énergie V dans un

réseau porté à T OK et soumis à un champ F est

selon Seitz : P = exp (- ATV/F). Cette pro- babilité P est liée au rapport V /F pour une sub- stance donnée portée à une température constante.

L’énergie de liaison W du ZnS est proche de

celle V1 d’ionisation des centres luminescents

(W N 3 /2 V1). On en conclut que si un champ F

ionise un centre luminescent, un champ 3 /2 F

ionise le réseau. Puisque le champ varie de 1 à 6 dans les expériences de Zalm, on en déduit que la

disruption électrique du ZnS aurait lieu avant d’avoir atteint le champ maximum.

Il semble par suite qu’on mette en jeu des énergies plus faibles (ionisation de pièges profonds

liés aux centres par exemple).

Dr P. Zalm. - Il faut tenir compte du fait que l’excitation par électrons accélérés est limitée à une

couche très mince (épaisseur d’environ 1 000 Â).

Dans cette couche le champ électrique est effecti-

vement tel que le réseau y soit ionisé ; mais avec

les champs les plus élevés qui sont appliqués lors

de l’électroluminescence, le facteur de multi-

plication reste si faible qu’il ne suffit pas à détruire le réseau (voir ZALM, Thèse, 1956).

3. Dr D. Hahn et Dr F. W. Seemann (Berlin). -

Le comportement des deux pics de l’onde de brillance, spécialement le rapport de leurs hauteurs,

est-il changé quand la tension varie ? D’après nos expériences et celles de Mattler nous nous attendons

à l’inversion du rapport de ces hauteurs quand la

tension appliquée diminue considérablement.

Serait-il possible d’expliquer aussi ce compor- tement avec la théorie des barrières de potentiel

redresseuses ?

Dr P. Zalm. - Je pense que le changement du rapport des hauteurs des deux pics de l’onde de

(6)

brillance lorsque la tension augmente peut être expliqué par l’émission Lilienfeld comme l’a pro-

posé le Pr DESTRIAU (voir Brit. J. Appl. Phys., suppl. 1954, 4, 49 et ZALM, Thèse, 1956).

4. Dr R. Nitsche (Erlangen). - Les calculs du Dr Zalm reposent sur l’observation d’une électro- luminescence issue de petits points lumineux vers

la surface des microcristaux. Frankl a rapporté des expériences sur des’ monocristaux de ZnS, qui

montraient une électroluminescence localisée quand

l’observation était faite dans l’air, mais semblaient

s’illuminer en entier quand ils étaient immergés

dans un liquide d’indice élevé. Je voudrais savoir si les points lumineux observés dans les expériences

de Zalm sont réels ou seulement dus à des effets de réfraction ou de réflexions multiples dans les

cristaux.

M. W. Lehmann (Westinghouse Electric Co., Bloomfield, N. J.). - La mémoire du Dr Zalm considère l’influence d’une barrière superficielle

entre le cristal de ZnS et une seconde phase (par ex. CU2S). Il y a cependant d’autres possibilités

de créer localement des champs très intenses. Il résulte des méthodes habituelles de préparation

des ZnS électroluminescents qu’une importante quantité d’une seconde substance (CU2S ou ZnO)

est toujours présente. Cette seconde substance n’est pas isomorphe de ZnS et il est raisonnable de la supposer dispersée, non seulement sur la surface,

mais aussi dans les dislocations et les cavités à l’intérieur des cristaux de ZnS. La couche superfi-

cielle peut être enlevée par lavage, mais non les dépôts situés à l’intérieur des cristaux. La présence

de ces dépôts bons conducteurs, à la surface ou à l’intérieur du ZnS faiblement conducteur, doit

causer de fortes distorsions du champ. En certains endroits très localisés (près des arêtes des sub- stances conductrices) le champ local peut être 103 à

104 fois plus élevé que le champ moyen.

Nous avons trouvé que cette situation peut être reproduite d’une manière très approchée par le simple mélange mécanique d’une poudre lumi- nescente, non électroluminescente, avec une poudre

de CU2S ou de quelque autre semi-conducteur ou

même avec une poudre métallique [9]. Ce mélange

est électroluminescent en beaucoup de petits points

et la dépendance envers la tension et la fréquence

de cette contact-électroluminescence est tout à fait semblable à celle de l’électroluminescence ordi- naire.

Il résulte de ces expériences que les produits en

contact avec les cristaux luminescents ne créent pas tant des barrières superficielles que de fortes distorsions du champ, dues simplement aux arêtes aiguës des cristaux et aux différences de conduc- tibilité. Cet effet ne serait pas à négliger dans

l’électroluminescence ordinaire.

Prof. G. Destriau (Paris). - Le Dr Zalm tient

grand compte de la présence d’une pellicule de Cu2S

en contact avec ZnS ; je rappellerai cependant que l’attaque énergique des cristaux par un mélange

HCl-N03H ne réduit pas appréciablement la sensi-

bilité de ceux-ci même après une attaque énergique

réduisant en moyenne de moitié la taille des cristaux (G. DESTRIAU, Symposium sur la lumi-

nescence, Polytechnic Institute of Brooklyn, sep- tembre 1955). Enfin même après une attaque

réduisant en moyennes des deux tiers la taille des

cristaux, le seuil d’électroluminescence visible de la

portion restante, non attaquée, n’a guère que

doublé (figure ci-contre). Ces résultats me laissent

quelque doute sur le rôle, à mon avis trop essentiel,

que l’on fait jouer à la nature de certains défauts ’ particuliers de surface.

M. Lehmann vient de montrer qu’en dehors de

touta hypothèse sur la formation de barrières il est

possible d’obtenir localement des champs très

intenses au voisinage de régions conductrices à bords aigus. Je suis tout à fait d’accord avec

M. Lehmann et j’ajouterai que les micro-cristaux ont leurs faces orientées au hasard par rapport aux

électrodes du condensateur électroluminescent.

Ainsi, toute question de conductibilité locale mise à part le champ électrique à l’intérieur des cristaux

ne saurait être uniforme qu’à la condition expresse que les constantes diélectriques des cristaux et de l’enrobant soient identiques. Cette condition n’étant pratiquement jamais réalisée, il est donc

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