CHAPITRE 4 : MATERIAUX POUR APPLICATION HAUTE TEMPERATURE
4. Sérigraphie de piézoélectrique pour application haute température
d’un transfert de la poudre de NBT sur la technique de dépôt par sérigraphie. Nous procédons donc à la préparation de l’encre suivant le même procédé que développé précédemment pour le PZT.
L’expérience nous a montré qu’il y a un rapport de trois pour les performances de d33, entre un élément massif de PZT [60] et un élément sérigraphié. De ce fait, il est attendu un maximum de d33 de l’ordre de 3-4 pC.N-1 pour le dépôt de NBT par sérigraphie.
4.1. Fabrication de l’élément sérigraphié
La poudre NBT, calcinée à 700°C, est incorporée au véhicule organique et au verre de frittage pour obtenir une encre de sérigraphie pour l’application à la sérigraphie. A la différence de l’encre PZT, il est nécessaire de modifier la proportion de véhicule organique pour obtenir une encre de bonne viscosité. La taille des particules issues de notre synthèse, est submicronique, la poudre Pz27 est à l’échelle du micron. De ce fait, il est nécessaire
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d’augmenter la proportion de solvant, donc de véhicule, pour obtenir une mouillabilité équivalente.
L’encre NBT est composée d’une proportion de poudre de 70% (94% de BIT en poudre, de 6% de verre de frittage) et de 30% de véhicule organique (pourcentage massif).
Nous réalisons ensuite un empilement de sérigraphie identique au précédent avec l’encre NBT en place du PZT.
Figure 112 : Schéma de l'empilement de NBT sérigraphié sur alumine.
Lors de la préparation des échantillons, un phénomène associé à la diffusion des électrodes ou à l’oxydation de la couche de NBT est apparue (cf Figure 113). Les tests de polarisation sur les échantillons ont confirmé l’instabilité de la mesure de courant. Nous avons pour autant obtenu un maximum de d33 de 1,46 pC.N-1, une permittivité relative de 54 et un tanδ de 0,243 à 100°C et 1,2 V.μm-1 de polarisation.
Figure 113 : Sérigraphie d'encre de base NBT présentant un phénomène de diffusion de l'électode d'argent.
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Afin de s’affranchir de l’impact du substrat et des électrodes pouvant être à l’origine des traces d’impureté visible sur les éléments sérigraphiés, présentés Figure 113, nous décidons de mettre en place une altération dans le protocole afin de décoller les dépôts du substrat.
Pour ce faire, un film transparent est disposé sur notre substrat d’alumine pendant tout le cycle d’impression et de recuit. Nous décollons les dépôts de couche épaisse et les déposons sur des plots dans un creuset d’alumine saturé en poudre de NBT.
4.2. Conductivité électrique
Les mesures de conductivité électriques, présentées Figure 114, révèlent que l’échantillon en couche épaisse de NBT, présente une meilleur résistivité que les pastilles précédemment traitées. Le facteur d’amélioration est de l’ordre de 10. Cela peut s’expliquer par un meilleur frittage du NBT dans la couche épaisse dû à la présence de verre qui abaisse la température de frittage.
Figure 114 : Résistivité du NBT sérigraphié en fonction de la température.
De même que pour les éléments massifs, La tension de polarisation est appliquée de façon progressive pour éviter de causer trop de stress sur les échantillons. Sur la Figure
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115, nous présentons les courbes de l’évolution de la tension de polarisation en fonction du temps.
Figure 115 : Courbe de polarisation de NBT couche épaisse avec électrodes couche mince Al. 4.3. Caractérisation et performance
La mesure des performances des échantillons de NBT issus des dépôts couches épaisses présentent, pour une polarisation de 14V. μm-1 à 200°C pendant 13 min, un maximum de d33 de 9,6 pC.N-1 (cf Figure 116).
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Les échantillons n’ont pu être soumis à des tensions de polarisation supérieure sans présenter des signes de claquage de la couche épaisse. Cependant, la valeur de d33 est supérieure au maximum qui était théoriquement attendu.
5. Conclusion
Pour les applications hautes températures supérieures à 300°C, nous avons été en mesure de synthétiser plusieurs poudres de Titanate de Bismuth (BIT) dopées ou non, ainsi qu’une poudre de Sodium bismuth titanate. A travers l’étude de la diffraction des rayons X, une température de frittage a été déterminée pour ces différents matériaux.
L’étude de la polarisation et la caractérisation d’élément massif, réalisées par compression de poudre et frittage à 1000°C, a permis de mettre en lumière les meilleures dispositions du NBT dans le processus de fabrication par sérigraphie.
La poudre de NBT avec du verre de frittage a donc été incorporée au véhicule organique pour en produire une encre adaptée au protocole de sérigraphie. La sérigraphie sur substrat a mis en évidence l’apparition d’impuretés dues soit à une réaction avec un des éléments de l’empilement soit à une réaction d’oxydation. Il a donc été fait le choix d’optimiser le protocole de sérigraphie afin de s’affranchir du substrat et des électrodes. Ce qui a permis de créer des couches épaisses de NBT révélant un d33 de 9,6 pC.N-1.
Le NBT présente un avenir très prometteur dans le développement de capteurs acoustiques pour applications hautes températures
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CONCLUSION ET PERSPERCTIVES
Conclusion
La recherche bibliographique entreprise sur les capteurs piézoélectriques a montré la diversité des applications qui nécessitent le développement d’élément de mesure pour les applications en environnement hostile. De plus, les recherches sur les couches épaisses sont en plein essor et le souci constant de miniaturisation de nombreux dispositifs leur promet un avenir certain.
Le choix de la sérigraphie s’est très rapidement imposé pour ses caractéristiques de multicouches, de multicapteurs et de facilité de mise en œuvre. La prise en main des différents équipements a été faite à travers une étude de l’optimisation des capteurs de type REMORA, permettant ainsi un meilleur contrôle de l’épaisseur de la couche de brasure entre le substrat acier inoxydable et l’élément massif de PZT.
Guidé par l’étude bibliographique, nous avons dans un second temps orienté notre étude sur la mise en place de couche épaisse pour les applications PZT. Le dépôt d’empilement de PZT entre deux électrodes d’argent palladium sur substrat alumine a permis de réaliser une grande quantité de tests sur les différentes potentialités d’optimisations. Les couches ont été caractérisées de manière systématique en mesurant le coefficient d33, la permittivité relative, les pertes diélectriques, le facteur de couplage kt et la constante de fréquence. De plus, des observations de film épais au microscope électronique à balayage, ont mis en évidence la structure des couches. Le procédé de densification associé à un verre de frittage broyé présente, dans le cadre de l’amélioration de la structure des dépôts après cuisson, une amélioration substantielle.
Cette étude a de plus mise en lumière différentes formulations permettant de créer des dépôts de sérigraphie pouvant atteindre 500μm, en adaptant la proportion de véhicule organique dans la formulation.
L’impression sur substrat a impliqué l’apprentissage d’un savoir-faire manuel sur la sérigraphieuse et la maîtrise de nombreux paramètres tels que la viscosité de l’encre, la vitesse de racle, la hauteur d’impression, la fabrication des masques et la fabrication des encres. De plus, il a été nécessaire de mettre en place les différents bancs de caractérisation dédiés à la polarisation et à la caractérisation des couches épaisses piézoélectriques.
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Les PZT sérigraphiés présentent un d33 et un kt au niveau de l’état de l’art à température ambiante, de respectivement 130pC.N-1 et de 0,44. Ils ont aussi présenté une potentialité d’utilisation pour des températures inférieures ou égales à 200°C pour des applications capteurs. Enfin, la mise en place de la mesure par ajustement permet un suivi des caractéristiques et des performances en temps réel, même en condition hostile, avec une bonne précision par rapport à la mesure directe.
Dans un troisième temps, en ce qui concerne le développement de piézoélectrique pour application hautes températures, le développement et la synthèse de poudres de base titanate de bismuth a révélé la problématique de polarisation. L’ajout de dopant dans le BIT permet d’augmenter la résistivité des matériaux permettant ainsi de procéder à de faible polarisation sous champ électrique continu.
Pour autant, la formulation de sodium bismuth titanate a permis d’obtenir un matériau sous forme de couche épaisse révélant un caractère piézoélectrique macroscopique de 9 pC.N-1 supérieure au prévision théorique. Ce matériau présente, de plus, une stabilité au niveau de la courbe d’impédance supérieur à 350°C. Les applications futures de ce matériau apparaissent au vu des résultats, très prometteuses dans le cadre de la mesure en milieu hostile.
Perspectives
Plusieurs axes de développement dans le cadre de l’élaboration de capteur acoustique sérigraphié sont à envisager.
Tout d’abord, concernant les PZT sérigraphiés, il est possible d’envisager :
Utiliser du verre de frittage de taille de grain plus réduite pour améliorer la structure des couches.
Déposer les couches sur un substrat autre que l’alumine tel que l’acier inoxydable.
. Déterminer l’évolution des couches épaisses de PZT en milieu radiatif grâce à notre mesure de l’impédance en temps réel.
Des améliorations peuvent également être apportées au capteur REMORA BIS telles que :
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L’augmentation de l’épaisseur de dépôt de la couche de brasure par l’utilisation de masque métallique d’épaisseur 100 μm.
L’ajout d’une couche d’accroche sur le substrat inox pour permettre une meilleure mouillabilité de la brasure.
Pour finir, le NBT apparaît comme l’élément le plus prometteur Ces perspectives sont:
La détermination de la limite d’application en température.
L’étude complète en température et sous irradiation.
Tester les performances expérimentales des couches fabriquées.
Le changement des électrodes argent palladium pour une encre de base or ou platine.
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Production scientifique :
F. VERY, P. COMBETTE, D. COUCOUEL, A. GIANI, E. ROSENKRANTZ, D. FOURMENTEL, J-Y. FERRANDIS 2013. Piezoelectric thick film sensors : Fabrication and characterization IEEE International Symposium , 287-290 -
F. Very, E. Rosenkrantz, D. Fourmentel, C. Destouches, JF. Villard, P. Combette1, J.Y. Ferrandis 2015. Acoustic sensors for fission gas characterization in MTR harsh environment. 2015 ICU International Congress on Ultrasonics , 70C pp.292-295
B. Charlot, D. Coudouel, F. Very, P. Combette, A. Giani 2015. Droplet generation for thermal transient stimulation of pyroelectric PZT element Sensors
and Actuators A: Physical , Volume 225, Pages 103–110
F. VERY, P. COMBETTE, E. ROSENKRANTZ, J-Y. FERRANDIS, D. FOURMENTEL, C. DESTOUCHE, JF. VILLARD 2015. Thick film acoustic sensors devoted to material testing environment measurements. ANIMMA 2015.
159
Bibliographie
[1] P. Fuirer, R. Newnham, T. Shrout R. Turner, "Materiel for high temperature acoustic and vibration sensors : A review," Appl. Acoust, pp. 299-324, 1994.
[2] A. Voleisis, B. Voleisiene R. Kazys, "High-temperature ultrasonis transducer : A Review," Ultragarasas, pp. 7-17, 2008.
[3] J G.W. Hunter and R.S. Okojie, P.G. Neudeck, G.C. Fralick, L. Chen, J. Xu, G.M. Beheim D. Wrbanek, "Development and application of high-temperature sensors and electronics for propulsion," In proceeding of the Defence and Security Symposium, April 2006.
[4] Y. Fei, B.H. Chai, E. Frantz, D.W. Snyder, X. Jiang, T.R. Shout S. Zang, "Characterization of piezoelectric single cristal YCa4O(BO3)3 for high-temperature application," Appl. Phys. Lett., 2008.
[5] J.F. Ferrandis, F. Augereau, T. Lambert, D. Fourmentel, X. Tiratay E. Rosenkrantz, "An innovative acoustic sensors for in-pile fission gas composition measurements,"
IEEE Transactions on nuclear science, vol. 60, April 2013.
[6] J. Du, C.A. Zorman, W.H. Ko D.J. Young, "High-temperature single crystal 3C-SiC capacitive pressure sensor," IEEE Sensors, vol. 4, pp. 464-470, 2004.
[7] Q. Liu, S. Pang, K. Xu, H. Tang, C. Sun X. Li, "High-temperature piezoresistive pressure sensor based on implantation of oxygen into silicon wafer," Sensors and
Actuators, pp. 277-282, 2012.
[8] P.M. Russler, R.S. Fielder W.J. Pulliam, "High-temperature High-Bandwidth Fiber Optic MEMS pressure-sensor technology for turbine engine component testing,"
Proceeding of Fiber Optic Sensor Technology and Applications, pp. 229-238, October
2001.
[9] J.P. Ebersohl, F. Le Hung, J. Baillieu, P. Rey, B. Diem, S. Renard, P. Caillat L. Zimmermann, "Airbag application : A microsystem including a silicon capacitive accelerometer, CMOS switched capcitor electronics and true self- capability," Sensors
and Actuators, vol. 46, pp. 190-195, 1995.
[10] D. Hwang, S. Moon, D.S. Moon, Y. Chung L.V. Nguyen, "High-temperature fiber sensors with high sensibility based on core diameter mismatch," Opt. Express, vol. 16, pp. 11369-11375, 2008.
[11] S.J. Zhang T.R. Shrout, "Lead free piezoelectric ceramics: Alternatives for PZT?,"
Journal of Electroceramic, 2007.
[12] O. Boubai, "Knock detection in automobile engines," IEEE Instrum. Meas. Mag., vol. 3, pp. 24-28, 2000.
[13] F. Chiara, D. Laforgia A. Carlucci, "Analysis of the relation between injection parameter variation and block vibration of an internal combustion diesel engine,"
Sound Vib., pp. 141-164, 2006.
160
for ultrahigh-temperature application," Appl. Phys. Lett., 2010.
[15] S. Khang, G. Salazar, X. Jiang K.Kim, "Design, fabrication and characterization of high-temperature piezoelectric vibration sensor using YCOB crystal," Sensors and
Actuators, pp. 40-48, 2012.
[16] Inc., Depew, New York, USA PCB piezotronics. http://www.pcbpiezotronics.fr/. [17] Dorset, Royaume Unis Meggit Sensing Systems. https://www.endevco.com/.
[18] T.T. Yen, V.V. Frlmetsger, M.A. Hopcroft, J.H. Kuypers, A.P. Pisano C.M. Lin, "Thermally compensated aluminum nitride lamb wave resonators for high-temperature apllication," Appl. Phys. Lett., vol. 97, 2010.
[19] V. Skarda, N.M. White, F. Krispel, P. Krempl, M. Binhack, W. Buff M.N. Hamidon, "high-temperature 434 MHz surface wave devices based on GaPO4," IEEE Trans.
Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control, vol. 53, pp. 2465-2470, 2006.
[20] R. J. Lad, T. Moonlight, S. Moulzolf, A. Canabal, R. Behanan, P. M. Davulis, D. Frankel, G. Bernhardt, T. Pollard, D. F. McCann M.P. Da Cunha, "Recent Advances in Harsh Environment Acoustic Wave Sensors for Contemporary Applications,"
Proceeding : à IEEE Sensors, pp. 614-617, October 2011.
[21] D. Hutson, K.J. Kirk, Y.Q. Fu R. Hou, "AlN thin film transducers for high-temperature non-destructive testing applications.," Journal Appl. Phys., p. 111, 2012. [22] S. Zhang, B.R. Tittmann D.A. Parks, "High-temperature (>500 °C) ultrasonic
transducers: An experimental comparison among three candidate piezoelectric materials.," IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control, vol. 60, pp. 1010-1015, 2013.
[23] A.M. Chertov A.N. Sinclair, "Radiation endurance of piezoelectric ultrasonic transducers : A review," Elsevier, November 2014.
[24] A.Y. Nikiforov, P.K. Skorobogatov, A.V. Sogoyan D.V. Boychenko, "Radiation effects in piezoelectric sensor," Proceeding : 9th European Conference on Radiation
an its Effects on Composents and Systems, September 2007.
[25] A.M. Chertov A.N. Sinclair, "Radiation endurance of piezelectric ultrasonic transducer : Review," Elsevier, 2015.
[26] J.Y. Ferrandis, J.F. Villard, D. Fourmentel, M. Dierckx, J. Wagemans F.P.J. Augerau, "Effect of intense neutrons dose radiation on piezoceramics," Acoustics-08, pp. 6473-6477, Juin Juillet 2008.
[27] S. Sankaranarayanan, S.S. McCready, D.R. Spearing K.E. Holder, "Response of lead mataniabate acoustic sensors to gamma irradiation," IEEE Trans. Nucl. Sci. 52, pp. 2583-2590, 2005.
[28] G. Teawee, R.D. Schrimpf, D.P. Birnie, D.R. Uhlmann, K.F. Galloway S.C. Lee, "Total-dose radiation on sol-gel derived PZT thin films," IEEE Trans. Nucl. Sci. 39, pp. 2036-2043, 1992.
[29] R.A. Moore, F.B. McLean, P.S. Brody, S.K. Dey J.m. Benedetto, "The effect of ionizing radiation on sol-gel ferroelectric PZT capacitors," IEEE Trans. Nucl. Sci. 37,
161 pp. 1713-1717.
[30] R.W. Smith, "Gamma radiaation effect in lithium niobate," IEEE 59, pp. 712-713, 1971.
[31] T.T. Anderson, A.P. Gavin, T. Grate S.L. Halverson, "Radiation exposure of a lithium niobate crystal at high temperatures," IEEE Trans. Nucl. Sci. 17, pp. 335-340, 1970. [32] S.S. McCready, A.S. Heger, T.H. Harlow, D.R. Spearing K.E. Holbert, "Performance
of piezoresistive and piezoelectric sensos in pulsed reactor experiments," Proceedong
: Fourth American Nuclear Society Research Topical Meeting on NUclear Plant Instrumentation, Controls and Human-Machine Interface Technologie, September
2004.
[33] B.R. Tittman D.A Parks, "Ultrasonic NDE in a reactor core," IEEE International
Instrumentation and Measurment Technology Conference, May 2012.
[34] A. Voleisis, R. Sliteris, R. Reimondas, L. Mazeika, R. Van Nieuwenhove, P. Kupschus, H.A. R. Kazys, "high temperature ultrasonic transducers for imaging end mesurements in liquid Pb/Bi eutectic aloy," IEEE Trans. Ferro. Freq. Cont. 52, pp. 525-537, 2005.
[35] G. Murphy J.J. Keating, "Gamma-irradiation effects in single-crystal barium titanate,"
Phys. Rev., pp. 476-480, 1969.
[36] T. Mitsui I. Lefkowitz, "Effect og Gamma ray and pile radiation on the coercive field of barium titanate," Appl. Phys. 30 , p. 269, 1959.
[37] L.P. Houssay, "Robotics an radiation hardening in the nuclear industry," Univ. of Florida, M. Sc. Thesis 2000.
[38] M. Decreton R. Sharp, "Radiation tolerance of composents and materials in nuclear robot applications," Relab. Eng. Syst. Syst. Safe. 53, pp. 291-299, 1996.
[39] J. Rempe, J. Palmer, P. Ramuhalli, R. Montgomery, H.-T. Chien, B. Tittman, B. Reinhardt, G. Kohse J. Daw, "NEET In-Pile Ultrasonic Sensor Enablement," INL/EXT-13-29-144, 2013.
[40] PENTAIR, "Mineral Insulated Heating Cable," Thermal Management Solutions. [41] H. MaclLean, E. Schley, D. Hurley, J. Daw, S. Taylor, J. Smith, J. Svoboda, D.
Kotter, D. Knudson, S.C. Wilkins, M. Guers, L.Bond, L. Ott, J. Mc.Duffee, E. Parma, G. Rochau J. Rempe, "New In-Pile Instrumentation to support fuel cycle research and development," Idaho National Laboratory Report, INL/EXT-10-19149, 2011.
[42] L. Adams A. Holmes-Siedle, "Handbook and radiation effects," OXford University Press, London, 2002.
[43] G.H. Broomfield, "The effect of low-fluence neutron irradiation on silver-electroded lead-zirconate-titanate piezoelectric ceramics," J. Nucl. Mater. 91, pp. 23-34, 1980. [44] O. Sisman W.W. Parkinson, "The use of plastics and electomers in nulear radiation,"
Nucl. Eng. Des. 17, pp. 247-280, 1971.
[45] R.L. Thomas, "Vibration instrumentation for nuclear reactors," IEEE International
162
[46] T.K. Bierney, "Instrumentation for the measurment of vibration in severe environments such as nuclear reactors," Endevo Technical Report TP272,
Endevo-Meggit Sensing Systems, 1977.
[47] F.T. Rogers, "Effect of pile irradiation on the dielectric constant of ceramic BaTiO,"
Journal Appl. Phys. 27, pp. 1066-1067, 1956.
[48] I. Lefkowitz, "Radiation inducedchanges in the ferroelectric properties of some barium titanate type materials," pp. 169-173, 1959.
[49] F.A. Sherrill M.C. Wittels, "Fast neutron effects in tetragonal barium titanate," J.
Appl. Phys., vol. 28, pp. 606-609, 1957.
[50] Kobayashi, "Effect of neutron irrasiation on dielectric properties of barium titanate ceramics," Electric. Eng. Jpn., vol. 94, pp. 213-219, 1974.
[51] G.H. Broomfield, "The effects of the temperature and irradiation on piezoelectric acoustic transducers and materials," UKAEA Report AERE-R 11 942, 1985.
[52] J.M. Benedetto, J.M. McGarrity, F.B. McLean R.A. Moore, "Neutron irradiation effects on PZT thin films for nonvolatile-memory applications," IEEE Trans. Nucl.
Soc. 38, pp. 1078-1082, 1991.
[53] A. Spule, L. Shebanovs, E. Birks, H.W. Weber, H. Klima, F. Sauerzopf A. Sternberg, "Phase state and structure of ferroelectric ceramics under irradiation," Key Eng.
Mater., pp. 1096-1099, 1997.
[54] S.P. Martynenko, A.I. Shrapa V.M. Baranov, "Durability of ZTL piezoceramic under action of reactor radiation," Soviet Atom. Energy 53, pp. 803-804, 1982.
[55] R.L. Thomas, "Vibration instrumentation for nuclear reactor," International
Symposium on vibration preblem in industriy, April 1973.
[56] B. Tittman, B. Reinhardt, G. Kohse, P. Ramihalli, R. Montgomery, H.T. Chien, J.F. Villard, J. Palmer, J. Rempe J. Daw, "Irradiation testing of ultrasonic transducer,"
IEEE Trans. Nucl. Sci. 61, pp. 2279-2284, 2014.
[57] K. Inokuchi, M. Shikama, J. Ukai, S. Onose, T. Maruyma T. Yano, "Neutron irradiation effects on isotope tailored aluminium nitride ceramics by a fast reactor up to 2.10e26n/cm²," J. Nucl Mater., pp. 1471-1475, 2004.
[58] M.R. Severon, "An experimental design for measuring in situ radiation damage to a piezoelectric transducer," Ohio, Master's Thesis submitted to Air Force Institu of Technology AFIT/GNE/ENP/04-06, 2004.
[59] J.F. Villard, J.Y. Ferrandis, F. Augereau, E. Rosenkrantz, M. Dierkx D. Fourmentel, "Acoustic Sensor for In-Pile Fuel Rod Fission Gas Release Measurement.," IEEE
Transactions on Nuclear Science, pp. 151-155, 2011.
[60] Ferroperm Corp, Catalogue Ferroperm.
[61] CEA. CEA - Centre de Saclay. [Online]. www-centre-saclay.cea.fr [62] Belgian Nuclear Research Centre. SCK.CEN. [Online]. www.sckcen.be
163
acoustique de surface pour environnement sévère haute température," Université de Bordeau, Thèse de doctorat 2009.
[64] R.W. Ward, "The constants of alpha quartz," 14th Piézoélectrique Devices
Conference and Exhibition, 1992.
[65] A. Vendramini, F.L. Zabotto, F. Guerrero, D. Garcia, J.A. Eirad M. Venet, "Piezoelectric properties of undoped and titanium or barium-doped metabionate ceramics," Journal of European Ceramic Society, 2005.
[66] G. Schleinzer, W. Wallnöfer P. Krempl, "Gallium phosphate : a new piezoelctric crystal material for high-temperature sensoric," Sensors and Actuators, 1997.
[67] D. Berlincourt, Ultrasonic transducer materials : Piezoelectric Crystals and
Ceramics, O.E. Mattiat, Ed. London, UK, 1971.
[68] S.J. Zhang, R. Eitel, C. Stringer, C.A. Randall T.R. Shrout, "High Performance, High Temperature Perovskite Piezoelectrics," IEEE International Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control , 2004.
[69] F. Yu S. Zhang, "Piezoelectric Materials for High Temperature Sensors," J. Am.
Ceram. Soc. 94, pp. 3153-3170, 2011.
[70] K.J. Kirk, A. Cochran A. McNab, "Ultrasonic transducer for high temperature application," IEEE Proceeding : Mesurement and Technology, vol. 145, pp. 229-236, September 1998.
[71] C.K. Jen, I. Ihara A.U. Rehman, "High temprature immersion type ultrasonic imaging probes. Review of Progress in Quantitative Nondestructive Evaluation," American
Institute of Physics, vol. 20, pp. 845-852, 2001.
[72] (2015, juin) GE Power Systems - Bubbler and couplants. [Online]. https://engineering.purdue.edu/FEND2/student_resources/GE_couplants_webpage.pdf [73] A. Cochran, K.J. Kirk, A. McNab G. Shepherd, "1-3 connectivity composite material
made from lithium niobate and cement for ultrasonic condition monitoring at elevated temperatures," Ultrasonic NDE/NDT, p. 12, July 2001.
[74] SORO Julien, "Elaboration par coulage en bande et caractérisation de composites fibreux à matrice à base de ciment alumineux," Université de Limoges, 2005.
[75] L. Lostec, "Oxydation et endommagement d'origine thermique, évaluation par techniques ultrasonores à haute température, de composites SiC/C/SiC non protégés," Université de Limoges, 1992.
[76] W. Pompe S. Lampenscherf, "Synthesis of lead zirconate titanate stannate antiferroelectric thick film by sol-gel processing," Journal of the American Ceramic
Society, vol. 82, pp. 306-312, 1999.
[77] LE DREN Sarah, "Elaboration de couches épaisses piézoélectriques déposées sur substrat pour des applications microtechniques," Institut National des Sciences Appliquées LYON, 2000.
[78] J. Akedo, A. Schroth, R. Maeda, Y. Ishikawa M. Ichiki, "X-Ray diffraction and scanning electron microscopy observation of lead zirconate thick film form by gas
164
deposition method," Japanese Journal of Applied Physics, vol. 36, pp. 5815-5819, 1997.
[79] M. Lebedev J. Akedo, "Microstructure and electrical properties of lead zirconate titanate (Pb(Zr52/Ti48)O3) thick films deposited by aerosol deposition method,"
Japanese Journal of Applied Physics, vol. 38, pp. 5397-5401, 1997.
[80] N. Ross, N.M.White S.P.Beeby, Thick film PZT/micromachined silicon
accelerometer, Electron ed., 1999, vol. Lett.35.
[81] Patrick GINET, "Conception et élaboration de microstructures en technologie hybride couche épaisse pour des applications MEMS.," Université de Bordeaux 1, Thèse de doctorat 2009.
[82] D. Coudouel, P. Combette, A. Giani B. Charlot, "Pyroelectric PZT sensors screen