FACULTE DES SCIENCES DHAR ELMEHRAZ DEPARTEMENT DE PHYSIQUE

FACULTE DES SCIENCES DHAR ELMEHRAZ DEPARTEMENT DE ^PHYSIQUE

II ₃ 8

es m

SMPNG

S ₅

TRAVAUX DIRIGES

ELECTRONIQUE ANALOGIQUE

Pr Abdelilah ^RJEB

Ann é e Universitaire ^{2012 /2013}

al3abkari-pro.com

UniversitéSidi MohamedBen Abdellah Faculté desSciencesDhar ElMehraz

-

^Fès

Départementde physique

TD D’ ELECTRONIQUE ANALOGIQUE S 5 (SMP ^NG )

S é rie N°1

Exercice 1

l

On considère unpont de Weatstonepurement

r

^ésistif

^,

|

^{alimenté par} un générateur idéal de tension continue

|

(figure suivante)

.

|Quel estle générateur deTheveninéquivalent entre A

|etB.

L

Wv

R2

—

A

^rAA RI

^/

^{V —}

ⁿ

WrrAA

^{R4 B R}

^{/ V}

³

—

Eol !

^.

]

i h

:

X

Exercice 2

Soit le quadripole actif Q de la figure

|

^{suivante,définiparses paramètreshybrides}

hjj

^{, A}

^VI

I

^avec(h)2

⁼

^h22

^-

⁰⁾

^aux

^{bornesduquelon place}

^

|^une résistance

RB

^est

^une

^résistance

Ru

^.

;

§Déterminer les paramètres

Hjj

^{du nouveau}

|

quadripole équivalent

.

L

Exercice 3

5a)SoitZ

=

^{(C// xR),donnerl’}expression deVsen fonction de Z

,

R,

x,

R2,R3,e]5e2ete₃du montage ci

-

^dessus.

b) Pour e2 = Ve

,

ei

=

^e3 = 2Ve et R2

= R

3

= ^R,

donner l’expression de H(jco)

=

^{Vs/Veenfonction}

de

x

^,

R

, c et co

.

Mettre H(jco) sous la forme de

I

^{produit defonctions}élémentaires

.

_ys

I

^{c) Dans le cas} ou le curseur du potentiomètre est

| _I

^{exactement au milieu,que devient l}’expressionde

—

H(j<o) ?

Q

'^- :

4

rx ^{‘ t} î ^I

iU

²

_{^ <}

_{Ru *}

\

v

2

— _J

xRw

VA

R

— ^Wv

R2

©

4

al3abkari-pro.com

r

Exercice 4 :

On considère lesmontages àdiodesidéales delafigure suivante

,

où

Ve = VM

^smart.

R R

Vc

T

: Vc ^{(d) R}

:

__ET

Vs

V s

Ve (b) R:

T

Ve (e) C

-

^p

Vs

Vs

Ve _(c)

5

^"

Ve (f) C

—

J

Vs

Vs ?

I ^Pour

^{chaquemontage, donnerl'allure de}

Vs

dans le cas

o

ùE <

VM - I

r ^{Exercice ~ 5 :}

I Onconsidèrelecircuit de la figuresuivantequ'

on

appellecircuit_{à seuil :}

1

?

On suppose queladiodeest idéale.

1)Pourquellevaleur VQde

Vx

^ladiode commenceàconduire

.

2)Tracerla caractéristique

Vy =

^f(

Vx

⁾

^.

3) Si on voulait tenir compteduseuil EQ de ladiode,donner la nouvellevaleurdeVQ.

>

Exercice 6

On considère le montageredresseurdelafigureci

-

dessous

.

Lesquatrediodessontréelles. Ilsontune tensiondeseuil

Eo

^{etune résistance} interne nulle.

Latension d

’

^{entrée duGén}érateur,

Ve = VMsin

^{œ t}

.

Avec2

Eo

^<

VM -

a)

Dans

quel intervalledevariation_{de Ve les}diodes

Di

^etD3commencentàconduire ?Que devientlemontagedanscecas ? Donner l’expressiondeVs

en

fonction de R, Ve et

Eo.

b)Dansquelintervalledevariation_{de Ve les}

diodes

D2et D₄ commencentàconduire?Que devientlemontagedans ce cas ? Donner l’expressionde Vs

en

fonctionde R,Ve et

Eo .

c) Dans quel intervalle de variation de Ve les _quatre diodes sont bloquées?Que devient le montagedans ce

cas

?Donnerl

’

expressiondeVs

.

d) Sur un axe de variation de Ve résumer le comportementdes quatrediodes

.

e) Pour l^’intervalle de variation de Ve, tracer la variation deVs enfonction

de

Ve.

f)Sur

un

mê

me

graphe tracer lesvariations de Veet Vs

en

fonction dutemps

.

J

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I

UniversitéSidi MohamedBen Abdellah 2012/2013

FacultédesSciencesDharElMchraz

-

Fès Département de physique

TD D ’ ELECTRONIQUE ANALOGIQUE S5 (SMP NG) S érie N ^° 2

Exercice 1

I

^Lemontagede la figure suivante est formé dedeuxétages àtransistor.

Ti

^etT2sont deux|

|

transistors identiques de gain en courant

P

^{etdemêmetensionbase}

-

^émetteur

^. 11

^)Calculer

^IBI

en fonctionde

VE

^2M>

VBIM

^et

RB -

î

2⁾Calculer

VBIM ^en

fonction de

Ri

^,

p

,

IBi

^et

VBIEI -

^A

13

⁾ En supposant

IB

²

ⁿ

^{égligeable devant}

Ici ^,

^calculer

VE

^2M erf|

I

^fonctionde

VCc

^,

^R

²

^, P

^,

IBI

^et

VB

²E2

-

|4)

En

déduire l’expression de

IB

^{] en} fonction de

VCc

>

VBiEi

^,

f VB

²E2>

P

^>

RB

^,R2et

Ri .

Donner savaleurnumérique sachant que

I

^:

|

p

= 100 ;

VBIEI ⁼ VB

^2E2

⁼

⁰

^,

^{5V ;}

VCC ⁼

^{12V :}

RB ⁼

^180kQ;

I ^{Ri =}

^{lkO;R2= 8,2KO;}

^R

³

⁼

³

^,

^3kOetR4

⁼

^4,7KO

^.

^.

|

5) Calculer :

Ici

^{, et}

Ic

²

.

-

^6)Calculer

^VCEI

^;

^VCE

^2;

^VEIM

^et

^VE

^2M

-

B, Ri

!^'

(L

Exercice 2 :

Soit le montage émetteur

commun

à based’untransistor

.

I

^Onutiliseraon dynamique pourle transistor

hi

²

-

h22

=

⁰

|

figure suivante^:

11

^{)Donnerlesché}

^ma

^équivalentdu montage endynamique

I

etsimplifier cesché

ma.

^Rg

12

⁾Calculerle gain encornantdu montage.

13

^{)Calculerle gainen}tension du montage.

14

^{)Calculerl’impédance d’}entrée du montage

. 15

^{)Calculer l}’impédance desortiedu montage

.

Exercice 3 :

|

Un transistorbipolaire de paramètres hybrides h_2i

=

^80;

_hn

^{= 2kO ;}

hi

²

⁼

^{0 eth22}

=

^10’4est

\

|

utilisédans lemontagede la figuresuivante:

^ ^

11

^)Déterminerle point de fonctionnement du transistor

.

12

^{)Donnerle sché}

^ma

^{dynamiquedumontage.}

I

^{3)Calculerlaré}sistance d'entréedumontage^,

f

⁴⁾

^D

^éterminer le gain

en

tension

Av = Vs

^/

Ve .

l!

1 ⁱ

; 5)

D

éterminer larésistance de sortie si l^'onsuppose que

8larésistance interne dugén^érateur d'attaque estnulle

.

Ondonne :^Rj=30kO;R₂

=

^lOkO;

Rc =

^{l,2kO ;}

| ^{RE =}

^{2000 ;}

^R

^'E

⁼

^8000et

^{Ip =}

¹⁰

^IB -

o

0

*^{p f}

al3abkari-pro.com 1

Exercice 4 : ( Montage Darlington)

RB

I

I

Deux transistors Tj et T₂ sont montés comme

I

^{l'indique le schéma de la figure suivante}

^.

^{Le point de}

i

fonctionnement deT2est défini par : _M

!

^K.

I ^VCE

²

-

^5V;

^VBE

²

^{= VBEI}

^{=0,7V ;}

^IC

²

-

^10mA

^{. JH}

I

^{D’autre part}

Pi

^{= 70;}

p

₂

₌

50;

hi

²

⁼

^{0 et}

^I

122= 0

. ©

11

^{) Exprimer}puis calculer les courants continus dans les

|

I

differentes branches

.

12V

1

^Vs

i

;

2)Calculer

Rc

^et

RB ^.

§

³⁾

_Ti

^etT2formantuntransistoréquivalent

T .

Sachant que pourchaquetransistorona:

l

^[

le = PIB

^{+ (}

P

^{+ 1)}

^ICBO

^{],déterminer l'}expression ducourant

ICBO

^de

^T

^en fonctionde

ICBOI

^de

I ^Ti

^et

^ICBO

^2de

^T

²

^.

des courants

,

exprimeretcalculer

P

^dutransistor

^T

^enfonction de

Pi

^et

P

²

^.

I

⁴⁾

Consid

érant lescomposantes alternativesdes courants

,

exprimer et calculer les

nouveaux I

paramètres hybrides du transistor

T.

I 5)Calculer larésistance d^'entréedumontage,

son

gainen courant etsongainen tension

.

wars* ^iyjr*

Exercice 5

!

On considère l'amplificateur de la figure suivante, réalisé avec deux transistors NPN au

\

Silicium supposésidentiquesetayantunmê

me

point de fonctionnement:

| VBEI

^-

VBE

^{2 - 0,6V;}

VCEI

^~

VCE

^2~5V;

Ici — ^Ic

²

^-

^{1mA et}

^{IBi - IB}

^{2 -lOpA}

^.

j

^{Ondonne:Vcc = 12V;}

VRM

^{= 3V;}

VRE ⁼

^2Vet

^IRp

^{= 20pA}

^.

|

^A-Dansla première partie en suppose que le condensateur

CB

^{est ouvert}

^.

|

^I

-

^{Etudestatique :}

|

1⁾Calculer les courants

IB ^, IRCI ^, IJEI

^et

^IE

²

-

\

²⁾

^En

précisant très nettement les étapes du calcul, calculer les valeurs de toutes les|

I

^résistances du montage:

RE ^, RC

^2>

^Rp

^,

RB

^;

RM

^>

Rcb

^et

Ri -

J

^{VVV #}

_-AAAi ^:

^Rd

RB IB

£

TPI

_{c Rp<}^!

3

^Vs

4 -

J

1

RM

< .

VRM

:

^i»<

i f ^{> * = -}

^CE

^{! I}

* II

-

Etudedynamique^:

ï Les deux transistors peuvent ^{être repr}ésentés par un même sché

ma

équivalent hybride de

| i

mêmesparamètres

hi

i

=

^2kQ,h2t

⁼ P ⁼

^100et

^hi

²

⁼

^h22

—

⁰

^.

I

On admettraquele condensateurCest court

-

^circuité

.

4 -

al3abkari-pro.com

BSAf /W'^/Af/Jr/A

\

¹⁾Donner le schémaéquivalent dumontage.OnnoteraR=

Rci

^//Rp

I ^{2)Donnerl’expressionde}

iBi

^enfonction de

iB

^2.

\

I

^{3)Donnerl'expressiondugainentension}

Gv

⁼

Vs

^/

Ve

^.

|

B^-Danscettedeuxièmepartie lescondensateursCet

CB

^{sont court-circuit}és.

f

^Onutilisera lesvaleurs de

Rci

^,

Rc

2,Rp^,

RE

^,

RM

^etde

Ri

^{trouvéesdanslapremière partie.}

:

1)Donner le schémaéquivalentdumontage.OnnoteraR⁼

Rci

^//Rp

J

^{2) Donnerl’expressiondugainencourantAi}

^{= W isi} - l I

^{3)Donnerl'expressiondugain entension}

^Gv

^{= V$/}

Ve

^{, en}fonction desélémentsdumontage

J

etde x.(0 <x < 1).

4)Onadmettraque

p

+ 1 estpeudifférentede (3. Calculernumériquement, enfonctionde x,

j

legain

Gv

^{etvérifierque}

Gv

^{peutsemettresoulaforme:}

Gv

|

5) Calculerl^’impédance de sortie dumontage^.

*^V- ^«- ^• -^{y.-o'. ». ..J}

-

^{-..‘/O •r » - .}

Exercice 6

3,21

I

1,03 - x

r

^{Onconsidèrelemontagedelafiguresuivantedans}

I

^lequelles transistors

Tt

^{etT2sontidentiques.}

|Ondonne:

|

RD ⁼

^4kn;

Ri ⁼

^{lOOkQ;R= 500}

^kH

^;r=50Q;

|

^{E=30V;E‘= IV;Cj= InF; C2=10nF.}

f

^{gm=5.K)'3A/V ; p}

^-

^>•ooet

^Yn

⁼

^YI

²

⁼

^0.

II ^-

^{Etudestatique:}

j

^Les condensateurs

Ci

^{et C}2 sont considérés 1comme des circuitsouverts. Pour chaque transistorle

I

^{courantstatique}

ID

^satisfaitla relation:

avec

IDss

^=10mAet

^Vp

^=-2V

\

^{1) Donnerle schéma}équivalent statique dumontage

|^{2)Sachantque VQ$I}=VQS2et

VDSI VDS

^2etque

loi

⁼

IG

²

|^{a) Trouver}la relationentrelescourants

IDi

^;

ISi

^;

ID

^2et

IS

²

|b)Calculer

VGSI

^{etendéduire Lecourant}

IDi

^.

|

3)Calculerles tensionsauxpoints S2,D₂,etG₂.

\

^{4)Calculerlavaleurde R2,endé}duire la valeur ducourantI quitraverse

Ri

^etR2.

jj

^II

^-

Etude dynamique:

En régime dynamique^, les condensateurs

Ci

^{et C2} sont court-circuités. D^’après le

|

|

^{schéma é}quivalent de chaque transistorFETenrégimedynamique :

|

a)Donner le schémaéquivalentdumontage.

1

^{Vs §}

| b)Calculerl'expressiondugain en tension Av

= —

^.

0 ^_ _I ^L

1

P

X _

\

^{c)Calculerla résistanced'entréeReetlaré}sistance desortieRsdumontage.

5

al3abkari-pro.com

F

^FacultédesSciences Dhar El IVtehraz^mji

-

Fès Année:2012/2013 Département de physique

TD D ’ ELECTRONIQUE ANALOGIQUE SMP NG Série N° 3

Exercice 1

:

Contre réaction tension -

^courant

.

Soit le montage de réaction de la figure suivante où la grandeur pr é lev é

e

est un courant et la grandeur r é inject ée est une tension . La fonction de transfert de la chaîne de réaction est not é e K .

VPT _^ YiTi ^action

1 Tr ^reaction =

1 . Proposer un mod è le é quivalent pour l' amplificateur (chaî ne d ' action) .

2 . ^{Calculer l 'imp é dance d ' entr ée du montage à réaction . Conclure .}

3 . ^{Calculer les} admittances de transfert et de sortie . Conclure > _\

4 . ^{En faisant} intervenir les grandeurs qu ^' on vient de calculer , proposer un sché ma équivalent pour le circuit à réaction .

5 . Montrer que le montage de la contre r éaction tension - ^{courant se comporte}

comme un convertisseur tension - ^{courant .}

EXERCICE 2 .

R , R

₂

ms ^-

r^-mj-

cc

- V

A

Ve .

R

₃

R

₄

M

^/W^-

HWW

^-

Lrxv

^«

A

ve

^{2 EE}

:

Vs

D é terminer l'expression de la sortie . A quelle condition a -

¹

- ^on Vs ^{= K}

⁽

Ve

2

-

^Vej)

^?

al3abkari-pro.com 6

Exercice

_{3 :}

Réponse de comparateurs à divers signaux .

Le montage ci - ^{dessous ( figure} 1) constitue un comparateur simple

.

L ' A . O . est suppos é idé al ; la tension de sortie Vs ^{est limit é e par la} saturation aux valeurs extr ê mes - ^{Vsat et +} Vsat ^{(figure 2 ) . On donne} Eo ^{= 14 V ,} Vsat ^{= 12V}

^,

_Ro = ⁴⁰

^kQ

^et

R = 16kO

.

V e f ^* I

R ,

—

R

Vsat

%

D

"

Vsat

Figure 1

:

Comparateur simple Figure 2

:

Caractéristique de l ' A . O

.

id

é

al .

1 . ^Ré

^ponse

du

comparateur simple

à une tension continue . La tension Ve est continue et positive

^,

a

/

-

Calculer la tension diff é rentielle

8

.

b/ - ^On

^augmente

la tension Ve ^{de 0 à 10V ; repr é senter} la caractéristique d

é

transfert Vs ^{=f (} Ve ⁾ .

2 . R é

^ponse

du

comparateursimple

à un

signal triangulaire

.

La tension d ' entr é e Ve ^{est un signal} triangulaire sym é trique de p é riode T et d ' amplitude 6V ( figure suivante) .

AVe

6

V

- a

^/

2

T

ô / ^T

a / - ^{Repr é} senter en le justifiant le graphe Vs ^{= f (t) pour 0 < t< 2T}

^.

b/ - ^{D é terminer} le rapport des duré es des niveaux haut et bas .

3 . ^{Comment sont modifi} és les r ésultats pré c édents si on permute les entr é es ( - ^{) et}

(+ ) dans le montage é tudi é ?

al3abkari-pro.com ?

Exercice 4

:

On considè re le montage à r é action ^de la figure ci - dessous constitu ^é par un A . O . non inverseur est une cha îne de réaction form ée de deux bobines coupl é es par induction mutuelle , une capacité C et une r é sistance R .

1 - Exprimer la matrice impédance du quadripole form é e des deux bobines couplé es par induction ^mutuelle .

2 - ^{Calculer le taux de ré action .}

3 - Ecrire la condition d'oscillation .

A - Déduire la fréquence ^d 'oscillation

^©

o

^*

B - D éduire le gain à

^©

o -

C - Quel est le gain minimum de la chaîne ^d ' action ^pouvant amorcer l ^' oscillateur?

EXERCICE 5

^:

Oscillateur à pont de Wien .

On consid ^è re l'é

tage

amplificateur donné par le circuit de la figure suivante :

Vs

SJ L'amplificateur ^opé rationnel ^est suppos é id éal (gain en boucle ^ouverte infini ) . Donner l ^' expression ^{de l'} amplification ^en tension G

_ô ^,

al3abkari-pro.com «

II

^,

Etude du

^Quadripole

de

ré

action .

Soit le quadripole repr é sent é par la figure suivante :

c ^R

iMZZI r — _A

Ve ^{R C} ÿ Vs

J

1 . Calculer la fonction de transfert de ce montage (rapport PGco ^{) =} Vs ^/ Ve ⁾⁾ .

2 . D éduire le d éphasage Arg( Vs ^/ Ve ⁾ . Tracer le module et la phase de PG

^©

⁾ -

3 . ^{Quelle est} la valeur de pOœ ) lorsque l ' entré e et la sortie sont en phase .

X ^EXERCICE

^6:

^{Montage astable}

^.

Consid é rons le montage de la figure suivante où l ' A . ^O . est suppos é id éal .

R

T7T 777^"

1 . ^{Tracer les} chronogrammes de la tension Vc ^aux bornes de la capacit ^é et la tension de sortie Vcs ^en fonction du temps.

2 . ^{Calculer la duré e x} \ ^de l ' é tal - _Vsat ^{et la duré e}

ⁱ

2 de l' état Vsat - ^{En déduire la}

p é riode T de l' astable .

3 . Simplifier les résultats dans le cas o ù Vr éf = ^{0 .}

4 . ^{Comparer alors les rapports cycliques}

^

^et

al3abkari-pro.com 3

r

± ^{4 • L}

^.

Ïï il

X

/

itE 4 ^Q

ta ^{ï i}

w

K ^\

S

^

^1«•

^

ⁱ

^»

^«

^-

^*

⁴

^H

^{> ,}

= ^{< k -} ^ ^{* * Â * -}

| li , ^I _\ , _tia ^{l {}

= ^{1 Z} - ^{Hi , r , ,}

^.

^{/ / „}

= — ^{^ V}

⁾

^{- ^}

^*

^{* i}

^î

^- _^ ^{jn -}

c * p

^ ^{lsk î} _

^ ^{é a çà}

^.

^{UJ - k}

^'

^{. g} _^

* ^{$ >} -

: _*

K

= M

S

V , _{I = U}

© _^ î

/

777

^"

'

.

£ * ^c

î ^* * ^« . ^-

s

?

r

& ^, _ _C

1 ^«

« S

A K

^J

? Z

8 _*

^«

x K

^.

S : io _i ^£ (

^'

ⁱ - HZ

-

/ ? eg ~ ^{j ?} in ^{ï jz fi}

^„

^xR - ^{Â. jfc}

:

E .

* ^R

Vs - ^%

^»

^£

^/)

^{8 . _ CgA ~ e ^ - <}

^WK

^. _e ^{« * , « ,}

^

^e

fe

x

-

( & . ^{& ) + { 1 -}

^J(

^{) I ?}

^«

^{. . Z -}

= ⁴

rR

»

Vjc _»

/

2 _« - ^{* xR}

> ^X

i

_t

j< R eu

^/..

3+

ffia ,

^"

^{( yr} _{* x *} ⁾

+

j

^/

f 0

/

(

³

* ^{. / y}

H ( _< / u ^{/ )} = _ _lli _

^ ^_

4 - _* J ^{< •} / * ^/ ,

T

^!

1 _;

iv

. ^. _Cx

«

<

^ ^{) * c}

Lt ë

^{: r.}

: zt

al3abkari-pro.com

i

I^k~

—

^{i ^I1. '4| i l}

^ ^{» Mi} .

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^{_ -}

¹_.i^-

^- H ^T

^r

^»

! ; ⁱ

-

ⁱ

—

^r

^-

* ^C

^{T *}

W

,

^{-t .}

^{± IM k ,}

= *

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5 / ? c

^.

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^.

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^.

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^.

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f i c u

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^-

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^...₊

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^C.

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-_{T T}4

- — nrr

⁷

—

⁴

«

—

^{^}

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1

«T

+ ^44- _li

⁴

^-

' T

TT

T

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•^t

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al3abkari-pro.com

—

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