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Étude des imperfections d'un monocristal à l'aide de la diffusion de la lumière

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Academic year: 2021

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HAL Id: jpa-00236166

https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00236166

Submitted on 1 Jan 1959

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Étude des imperfections d’un monocristal à l’aide de la diffusion de la lumière

Lucienne Taurel

To cite this version:

Lucienne Taurel. Étude des imperfections d’un monocristal à l’aide de la diffusion de la lumière. J.

Phys. Radium, 1959, 20 (11), pp.919-920. �10.1051/jphysrad:019590020011091901�. �jpa-00236166�

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919

d’autant plus serrées et moins nettes que la couche est plus épaisse. On sait que, pour les rnaxima de lumière observés en incidence normale, 2ne

=

(a + e)X

a entier et E compris entre 0 et 0,5 dépendant de

la différence des déphasages dûs aux réflexions siir

les deux faces de la couche ; lorsque les conches ne

sont pas trop minces, on peut négliger s devant a

dans la limite des erreurs expérimentales. On en déduit

pour les intervalles de À et les épaisseurs de 0,3 à 1 y

utilisées les valeurs moyennes suivantes :

(la précision des pointés des bandes d’interférence ne

permet pas d’étudier les variations de n avec À).

Les valeurs moyennes de k déduites des mesures

de transmission à la températnre de l’azote liquide

sont k ~ 0,21 £ 0,05 pour des couches de Na deo 0,1

à 0,4 ~ d’épaissenr aux environs de 1 800 A et k

=

0,08 :1: 0,01 pour des couches de K de 0,3 à 0,7 ~

aux environs de 2 800 A (comme on se trouve aux

environs de maxima de transparence [3], les valseurs de k varient peu aux environs de ces ~).

Les valeurs ainsi trouvées diffèrent de celles qlll peuvent être calculées par la théorie électromagné-

tique [5] à partir du pouvoir réflectenr de couches totalement opaques de plusieurs microns d’épaisseur.

Pour K aux environs de 2 800 À par exemple, les pouvoirs réflecteurs à température de l’azote liquide

sont d’environ 20 % en incidence normale et 60 ~{,

sans l’incidence de 45°, ce qui correspond à n

=

0,39

et k

=

0,17, valeurs voisines de celles obtenues précé-

demment par d’autres méthodes à température ordi-

naire [6]. Des écarts comparables entre les valeurs

trouvées pour des couches minces et épaisses de même

nature ont été observées dans de nombreux cas [1], [7]

et attribuées à une variation de la structure de la couche avec l’épaisseur ; une étude plus complète des

couches épaisses est actuellement en cours.

Lettre reçue le 28 septembre 1959.

BIBLIOGRAPHIE

[1] MAYER (H.), Physik dünner Schichten, Stuttgart, 1955.

[2] WOOD (R. W.), Phys. Rev., 1933, 44, 353.

[3] ROBIN (Mme S.) et ROBIN (S.), J. Physique Rad., 1958, 19, 913.

[4] ROBIN (Mme S.) et ROBIN (S.), Rev. Opt., 1958, 37, 161.

[5] ROBIN (Mme S.), Rev. Opt., 1954, 33, 193 et 377.

[6] IVES (H. F.) et BRIGGS {H. B.), J. Opt. Soc. Amer., 1936, 26, 238.

[7] ROUARD (P.), Rev. Opt., 1938, 17, 1, 61, 89.

ÉTUDE DES IMPERFECTIONS D’UN MONOCRISTAL

A L’AIDE DE LA DIFFUSION DE LA LUMIÈRE

Par Lucienne TAUREL,

Laboratoire des Recherches Physiques de la Sorbonne, Paris,

De nombreuses méthodes ont été mises au point

afin de mettre en évidence la structure réelle des cristaiix, en particulier les lignes de dislocation [1].

Lorsque le seul but clu’on se propose est l’étnde de

la structure réelle du monocristal examiné, la meilleure méthode consiste à le « décorer », c’est-à-dire à fixer les impuretés au voisinage des dislocations, et à ohser-

1.

-

Montage utilisé pour l’observation des cristaux par ultramicroscopie.

S Lampe OSRAM HBO 500.

Li Condenseur f 1

=

7 cm.

F Fente de spectrographe.

L2 Lentille f z

=

20 cm.

C Cristal.

U Objectif du microscope.

Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/jphysrad:019590020011091901

(3)

920

ver une lamelle obtenue par clivage en utilisant les

techniques usuelles de l’oltramicroscopie [2].

Lorsqu’il s’agit de tester la qualité d’un mono-

cristal en vue de son utilisation ultérieure, la méthode généralement employée consiste à former des figures

de corrosion. Il est en effet hien établi que les points d’émergence des lignes de dislocation à la surface du

Fic.2.

---

Préparatioii du cristal

pour l’observation par ultramicroscopie.

112 Lamelles couvre-objet eollées ait bauine de Canada.

P Couche de peinture noiro mate.

F Faisceau lumineux incident.

cristal sont des points d’attaque privilégiés. Une ét,ude

de cette méthode a été faite récemment par lB1oran [3] ;

ce procédé nécessite la recherche de liquides adaptés

à la nature du cristal étudié et, de toutes façons ne

fournit des renseignements que sur la surface du cristal.

Nous utilisons depuis plusieurs années une méthode plus simple, extrêmement pratique lorsque le cristal

contient déjà des impuretés qui, au cours de la crois-

sance se sont bloquées sur ses défauts de réseau, en particulier sur les joints de grain. Ce cas est en effets beaucoup plus fréquent qu’on le pense généralement.

Cette méthode consiste à éclairer le cristal à l’aide d’un faisceau lumineux de faible épaisseur ; on observe

le faisceau diffusé à 900 par les imperfections du cristal

à l’aide d’un microscope. Les détails du montage sont indiqués (fig. 1), et le mode de préparation du cristal (indispensable pour l’élimination de la lumière para- site) ( fig. 2). Ce dispositif a l’avantage de permettre l’exploration du cristal et l’observation d’un plan qni

n’a pas été pertnrbé ni par le polissage ni par le clivage.

A titre d’exemple nous indiquons des résultats

obtenus avec un monocristal d’iodure de potassium synthétique.

Les clichés A et B montrent ce que l’on observée par

ultramicroscopie d’un plan (100). Le cliché A. montre l’intersection de trois joints de grains. Le cliché B montre l’existence de joints de flPxinn consistant Pn

lignes de dislocation parallèles.

Cliché A.

-

Jonction de trois jnints de grains dans 1ln

cristal d’iodiire de potassium.

Cliché B.

---

Joints (le llexjon clanq lin cristAl d’iodure dp, potassium.

Ie 9 octobre 1959.

.

BIBLIOGRAPHIE

[1] WEILL (A. R.), Mise au point bibliographique. J. Phy- sique Rad., 1959, 20, 712.

[2] AMELINCKX, Phil. Mag., 1956, Ser. 8,1, 269.

[3] MORAN (P. R.), J. Appl. Phys., 1958. 29, 1768.

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