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Modélisation théorique et simulation numérique de l'effet du désordre dans les systèmes ternaires à base de bore partiellement miscibles

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Academic year: 2021

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Texte intégral

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UNIVERSITE DJILLALI LIABES

FACULTE DES SCIENCES EXACTES

SIDI BEL ABBES

Thèse de Doctorat

Nom et prénom : GUEMOU M'hamed

Spécialité: Physique

Option: Sciences des Matériaux

Intitulé :

Modélisation théorique et simulation numérique de l'effet du

désordre dans les systèmes ternaires à base de bore partiellement

miscibles

Soutenu le 14 Mars 2013

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Résumé : Les borures attirent l’intention de plusieurs laboratoires et équipes de

recherches ces dernières années dans le monde. Nous avons voulu par ce modeste travail explorer quelques propriétés importantes de cette classe des matériaux et particulièrement BxGa1-xAs et BNxAs1-x.

Dans le cadre de la fonctionnelle de densité (DFT) nous avons mené notre travail en utilisant la méthode des ondes planes augmentées avec un potentiel total (FP-LAPW) et dans le but d’étudier les propriétés structurales, électroniques et optiques de BxGa1-xAs et BNxAs1-x. Nos résultats de calculs sont en bon accord avec d’autres travaux théoriques et les données expérimentales disponibles et montrent que ces derniers possèdent des propriétés électroniques et optiques importantes pour différentes applications optoélectroniques.

Mots clés : FP-LAPW, DFT, Wien2k, Borures, GaAs, BAs, BN, BxGa1-xAs , BNxAs1-x

Abstract: in recent years, boron compounds attract several laboratories and research

teams in the world. We wanted by this modest work exploring some important properties of this class of materials, particularly BxGa1-xAs and BNxAs1-x.

In this work, we present a density-functional theory study of structural, electronic and optical properties of Bas, GaAs and BN compounds and their ternary BxGa1-xAs and BNxAs1-x alloys, using the all-electron full potential linear augmented plane-wave method (FP-LAPW) as employed in WIEN2k code. The results obtained for structural, electronic and optical properties compared with experimental and other computational data, results are in good agreement and show that they have electronic and optical properties important for various optoelectronic applications.

Keywords: FP-LAPW, DFT, Wien2k, Boron compound, GaAs, BAs, BN, BxGa1-xAs ,

BNxAs1-x ﺺﺨﻠﻣ : ﺪﻋ مﺎﻤﺘھا ﺖﻠﻐﺷ ﺔﯾﺮﯾرﻮﺒﻟا داﻮﻤﻟا ةﺮﯿﺧﻷا تاﻮﻨﺴﻟاا ﻲﻓ ﻢﻟﺎﻌﻟا ﺮﺒﻋ ﺚﺤﺑ ﺮﺑﺎﺨﻣو قﺮﻓ ة . ﻞﻤﻌﻟا اﺬﮭﺑ ﺎﻧدرأ ﺔﺻﺎﺧو داﻮﻤﻟا ﻦﻣ ﺔﺌﻔﻟا هﺬﮭﻟ ﺔﻣﺎﮭﻟا ﺺﺋﺎﺼﺨﻟا ﺾﻌﺑ فﺎﺸﻜﺘﺳا ﻊﺿاﻮﺘﻤﻟا BxGa1-xAs و BNxAs1-x . ﺔﯾﺮﻈﻧ رﺎﻃإ ﻲﻓ DFT ماﺪﺨﺘﺳﺎﺑ و ﺎﻨﻠﻤﻋ ﺎﻨﯾﺮﺟأ FP-LAPW ﺔﯿﺋﻮﻀﻟاو ﺔﯿﺋﺎﺑﺮﮭﻜﻟا ،ﺔﯾﻮﯿﻨﺒﻟا ﺺﺋﺎﺼﺨﻟا ﺔﺳارد فﺪﮭﺑ ـﻟ BxGa1-xAs و BNxAs1-x . ةﺮﻓﻮﺘﻤﻟا ﺔﯿﺒﯾﺮﺠﺘﻟاو ﺔﯾﺮﻈﻨﻟا ﺞﺋﺎﺘﻨﻟا ﻦﻣ ﺎھﺮﯿﻏ اﺪﯿﺟ ﻖﻓاﻮﺗ ﺎﮭﯿﻠﻋ ﺎﻨﻠﺼﺤﺗ ﻲﺘﻟا ﺞﺋﺎﺘﻨﻟا ﺚﯿﺣ ﻢﮭﯾﺪﻟ ﻦﯿﺒﻛﺮﻤﻟا ﻦﯾﺬھ نأ ﺮﮭﻇ ةدﺪﻌﺘﻣ ﺔﯿﻠﻤﻋ تﺎﻘﯿﺒﻄﺘﻟ ﺎﻤﮭﻠھﺆﺗ ﺔﻣﺎھ ﺔﯾﺮﺼﺑ و ﺔﯿﻧوﺮﺘﻜﻟا ﺺﺋﺎﺼﺧ . ﻜﻟا ﺔﯿﺣﺎﺘﻔﻤﻟا تﺎﻤﻠ :

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Résumé

Les borures attirent l’intention de plusieurs laboratoires et équipes de recherches ces dernières années dans le monde. Nous avons voulu par ce modeste travail explorer quelques propriétés importantes de cette classe des matériaux et particulièrement BxGa1-xAs et BNxAs1x.

Dans le cadre de la fonctionnelle de densité (DFT) nous avons mené notre travail en utilisant la méthode des ondes planes augmentées avec un potentiel total (FP-LAPW) et dans le but d’étudier les propriétés structurales, électroniques et optiques de BxGa1-xAs et BNxAs1-x. Nos résultats de calculs sont en bon accord avec d’autres travaux théoriques et les données expérimentales disponibles et montrent que ces derniers possèdent des propriétés électroniques et optiques importantes pour différentes applications optoélectroniques.

Mots clés : FP-LAPW, DFT, Wien2k, Borures, GaAs, BAs, BN, BxGa1-xAs , BNxAs1-x

Abstract

In recent years, boron compounds attract several laboratories and research teams in the world. We wanted by this modest work exploring some important properties of this class of materials, particularly BxGa1-xAs and BNxAs1-x.

In this work, we present a density-functional theory study of structural, electronic and optical properties of Bas, GaAs and BN compounds and their ternary BxGa1-xAs and BNxAs1-x alloys, using the all-electron full potential linear augmented plane-wave method (FP-LAPW) as employed in WIEN2k code. The results obtained for structural, electronic and optical properties compared with experimental and other computational data, results are in good agreement and show that they have electronic and optical properties important for various optoelectronic applications.

Keywords: FP-LAPW, DFT, Wien2k, Boron compound, GaAs, BAs, BN, BxGa1-xAs ,

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ﺺﺨﻠﻣ ةﺮﯿﺧﻷا تاﻮﻨﺴﻟاا ﻲﻓ ﻢﻟﺎﻌﻟا ﺮﺒﻋ ﺚﺤﺑ ﺮﺑﺎﺨﻣو قﺮﻓ ةﺪﻋ مﺎﻤﺘھا ﺖﻠﻐﺷ ﺔﯾﺮﯾرﻮﺒﻟا داﻮﻤﻟا . ﻊﺿاﻮﺘﻤﻟا ﻞﻤﻌﻟا اﺬﮭﺑ ﺎﻧدرأ ﺳا ﺔﺻﺎﺧو داﻮﻤﻟا ﻦﻣ ﺔﺌﻔﻟا هﺬﮭﻟ ﺔﻣﺎﮭﻟا ﺺﺋﺎﺼﺨﻟا ﺾﻌﺑ فﺎﺸﻜﺘ BxGa1-xAs و BNxAs1-x . ﺔﯾﺮﻈﻧ رﺎﻃإ ﻲﻓ DFT ماﺪﺨﺘﺳﺎﺑ و ﺎﻨﻠﻤﻋ ﺎﻨﯾﺮﺟأ FP-LAPW ـﻟ ﺔﯿﺋﻮﻀﻟاو ﺔﯿﺋﺎﺑﺮﮭﻜﻟا ،ﺔﯾﻮﯿﻨﺒﻟا ﺺﺋﺎﺼﺨﻟا ﺔﺳارد فﺪﮭﺑ BxGa1-xAs و BNxAs1-x . ﻦﻣ ﺎھﺮﯿﻏ اﺪﯿﺟ ﻖﻓاﻮﺗ ﺎﮭﯿﻠﻋ ﺎﻨﻠﺼﺤﺗ ﻲﺘﻟا ﺞﺋﺎﺘﻨﻟا ةﺮﻓﻮﺘﻤﻟا ﺔﯿﺒﯾﺮﺠﺘﻟاو ﺔﯾﺮﻈﻨﻟا ﺞﺋﺎﺘﻨﻟا ﺚﯿﺣ ﻢﮭﯾﺪﻟ ﻦﯿﺒﻛﺮﻤﻟا ﻦﯾﺬھ نأ ﺮﮭﻇ ةدﺪﻌﺘﻣ ﺔﯿﻠﻤﻋ تﺎﻘﯿﺒﻄﺘﻟ ﺎﻤﮭﻠھﺆﺗ ﺔﻣﺎھ ﺔﯾﺮﺼﺑ و ﺔﯿﻧوﺮﺘﻜﻟا ﺺﺋﺎﺼﺧ . ﺔﯿﺣﺎﺘﻔﻤﻟا تﺎﻤﻠﻜﻟا :

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