HAL Id: tel-00767918
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Submitted on 20 Dec 2012
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Etude de la croissance de nanofils de Si Ge et caractérisation par microscopie à force atomique
Alexis Potié
To cite this version:
Alexis Potié. Etude de la croissance de nanofils de Si Ge et caractérisation par microscopie à force atomique. Autre. Université de Grenoble, 2012. Français. �NNT : 2012GRENT008�. �tel-00767918�
THÈSE
Pour obtenir le grade de
DOCTEUR DE L’UNIVERSITÉ DE GRENOBLE
Spécialité : Nano Électronique et Nano Technologies
Arrêté ministériel : 7 août 2006
Présentée par
Alexis POTIÉ
Thèse dirigée par Thierry BARON Et co-encadrée par Laurent MONTÈS
préparée au sein duLaboratoire des Technologies de la Microélectronique
et de l’Institut de Microélectronique Électromagnétisme et Photonique – Laboratoire Hyperfréquences et Caractérisation dansl'École Doctorale EEATS
Étude de la Croissance de Nanofils de SiGe et
Caractérisation par Microscopie à Force Atomique
Thèse soutenue publiquement le 5 janvier 2012, devant le jury composé de :
Pr Anne KAMINSKI
INP Grenoble,
Pr Georges BRÉMOND
INSA Lyon, Rapporteur
Dr Daniel BOUCHIER
CNRS Orsay, Rapporteur
Dr Dominique MANGELINCK
CNRS Marseille, Membre
Dr Thierry BARON
CNRS Grenoble, Membre
Dr Laurent MONTÈS
MCF INP Grenoble, Membre
Dr Bassem SALEM
CNRS Grenoble, Membre