HAL Id: hal-01987673
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Submitted on 21 Jan 2019
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Effects of negative bias stress on trapping properties of
AlGaN/GaN Schottky barrier diodes
Philippe Ferrandis, Matthew Charles, Charlotte Gillot, René Escoffier, Erwan
Morvan, Alphonse Torres, Gilles Reimbold
To cite this version:
Philippe Ferrandis, Matthew Charles, Charlotte Gillot, René Escoffier, Erwan Morvan, et al.. Effects of negative bias stress on trapping properties of AlGaN/GaN Schottky barrier diodes. Microelectronic Engineering, Elsevier, 2017, 178, pp.158-163. �hal-01987673�