HAL Id: jpa-00223982
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Submitted on 1 Jan 1984
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CANON À ÉMISSION DE CHAMP POUR MICROANALYSE PAR SPECTROSCOPIE
D’ÉLECTRONS AUGER
P Morin, F. Simondet
To cite this version:
P Morin, F. Simondet. CANON À ÉMISSION DE CHAMP POUR MICROANALYSE PAR SPEC- TROSCOPIE D’ÉLECTRONS AUGER. Journal de Physique Colloques, 1984, 45 (C2), pp.C2-307- C2-308. �10.1051/jphyscol:1984268�. �jpa-00223982�
JOURNAL DE PHYSIQUE
Colloque C2, supplément au n02, T o m e 45, février 1984 p a g e C2-307
CANON A É M I S S I O N DE CHAMP POUR MICROANALYSE PAR SPECTROSCOPIE D'ÉLECTRONS AUGER
P. Morin e t F. ~ i m o n d e t *
Départment de Physique des Matériaux, Université CZaude Bernard, Lyon I, 69622 ViZZeurbanne Cedex, France
*ISA RIBER, 233-237 BouZevard National, 92503 RueiZ-MaZrnaison, France R é s u m é - Un c a n o n à émission d e c h a m p d e s t i n é à l a rnicroanalyse Auger a été développé. L a résolution spatiale d e l a sonde a été d é t e r m i n é e e x p é r i m e n t a l e m e n t e n fonction d e l ' i n t e n s i t é et d e l'énergie du f a i s c e a u électronique. Les possibilités d'analyse d e la microsonde o n t été t e s t é e s sur d e s îlots d ' a r g e n t déposés s u r une m a t r i c e d e silicium.
A b s t r a c t - An e l e c t r o s t a t i c field emission microscope h a s been built t o p e r f o r m e Auger analysis in small a r e a (0,l m ) in t h e 1 t o 10 keV e n e r g y range. Micro Auger analysis have been d e m o n s t r a t e d using silver c l u s t e r s in a silicon rnatrix a s a function of b e a m energy.
L e s canons à émission d e c h a m p g r â c e à leur f a i s c e a u électronique d e brillance é l e v é e o f f r e n t d e nouvelles possibilités e n rnicroanalyse Auger ; l a résolution s p a t i a l e d e s analyses é t a n t a c t u e l l e m e n t e s s e n t i e l l e m e n t l i m i t é e par les c a r a c t é r i s t i q u e s d e la sonde, c ' e s t à d i r e par le d i a m è t r e du f a i s c e a u pour une i n t e n s i t é et une é n e r g i e données.
L a microsonde q u e nous avons développée e s t e n t i è r e m e n t é l e c t r o s t a t i q u e . L e c a n o n à émission d e c h a m p e s t c o n s t i t u é :
- d ' u n e pointe d e t u n g s t è n e d ' o r i e n t a t i o n [l Il], - d ' u n e lentille d e t y p e Enzel,
- d'un p o r t e diaphragmes p e r m e t t a n t la sélection d e t r o i s diaphragmes, - d'un dispositif d e c o r r e c t i o n d e l'astigmatisme,
- d'un d é f l e c t e u r é l e c t r o s t a t i q u e pour le balayage du faisceau.
C e canon e s t m o n t é sur une bride d e 6" s a longueur e s t d e I I c m . L'échantillon incliné à 45' e s t s i t u é à 5 c m d e l ' e x t r é m i t é du canon. Un analyseur cylindrique à miroir e s t o r i e n t é perpendiculairement au f a i s c e a u électronique.
Pour résoudre l e p r o b l è m e d e s f l u c t u a t i o n s d ' i n t e n s i t é du faisceau i n h é r e n t e s à l'émission d e champ, nous s o m m e s intervenus à deux niveaux : d'une p a r t e n c h a u f f a n t m o d é r é m e n t l a pointe au c o u r s d e l'émission et d ' a u t r e p a r t e n normalisant l e signal Auger par un signal d é t e c t é sur un diaphragme. L e bruit résiduel correspondant mesuré sur les s p e c t r e s Auger est ainsi toujours inférieur à 1 % e t le canon peut fonctionner une journée sans interruption.
C e t appareil e s t a v a n t t o u t un microscope électronique à balayage p e r m e t t a n t d'observer l a s u r f a c e d e s échantillons e n d é t e c t a n t l e s é l e c t r o n s secondaires. L e s observations Fig.
1 s o n t e f f e c t u é e s sur un échantillon d e silicium p r é s e n t a n t d e s bandes d'aluminium obtenues par lithographie par faisceaux d ' é l e c t r o n s (échantillon fourni par M. P a n t e l et A. Georges du C.N.E.T. d e Grenoble). Fig. l a , l e s bandes d'aluminium s o n t e s p a c é e s d e 5 wn et leur largeur v a r i e d e 0,15 1~m à 1 m. Fig. I b l a largeur d e s bandes e s t environ 0 , l W. C e s observations m o n t r e n t q u e l a résolution e s t meilleure q u e 0,I p a v e c un f a i s c e a u a y a n t une i n t e n s i t é d e 3 n A et une é n e r g i e d e 1 0 keV.
L e s c a r a c t é r i s t i q u e s résolution-intensité o n t é t é t r a c é e s fig. 2 pour d i f f é r e n t e s énergies d e faisceau. C e s c o u r b e s donnent l a largeur à mi-hauteur d e l a distribution spaciaie d e s é l e c t r o n s d e la sonde. C e t t e largeur à mi-hauteur a é t é e s t i m é e par l'examen d e p e t i t s d é t a i l s observes s u r d e s i m a g e s o b t e n u e s e n mode secondaire.
L e s possibilités d'analyse d e p e t i t e s zones o n t été t e s t é e s sur d e s ilôts d ' a r g e n t déposés sur un s u b s t r a t d e silicium. Un e x e m p l e d e s p e c t r e N(E) obtenu s u r un ilôt d1argf?nt d e 0,I m d e d i a m è t r e e s t m o n t r é Fig. 3 pour un c o u r a n t d e sonde d e 10 nA, et une e n e r g i e Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/jphyscol:1984268
C2-308 JOURNAL DE PHYSIQUE
d e f a i s c e a u d e 10 keV e t une vitessse d l e n r e g i s t r e r n e n t d e leV/s. L e rapport piclfond continu d e 115 e s t plus f a i b l e q u e dans l e c a s d'un Cchantillon massif d ' a r g e n t (voisin d e 1).
Une proportion irnportante d'electrons secondaires sont crCks dans l a rnatrice d e s i l ~ c i u r n par l e s Clectrons rktrodiffuses a u t o u r d e l'i16t d l a r g e n t . En dirninuant I'Cnergie d e s e l e c t r o n s prirnaires, I'influence d e s rdtrodiffusPs e s t rkduite, rnais pour une optique Clectronique donnCe, l a taille d e la sonde augrnente, un cornprornis diarn&tre d e sonde 6 n e r g i e d e f a i s c e a u doit & r e trouve. Des s p e c t r e s sirnilaires i c e l u i d e l a f i g u r e 3 o n t e t 6 o b t e n u s a v e c d e s faisceaux d e 5 keV e t d e 3 keV s u r d e s il6ts d e 0,2 pm et d e 0,3 pm respectivernent.
F i g u r e I : Aluminium sur siliciurn
F i g u r e 2 : Diarn&tre d e l a sonde e n fonction d e I'intensitC et d e 116nergie du faisceau.
0.03 L F i g u r e 3 : S p e c t r e N(E) d'un
i16t d ' a r g e n t d e 0,1 pm d e dia- rn&tre dCpos6 s u r du siliciurn.
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