HAL Id: jpa-00221768
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00221768
Submitted on 1 Jan 1982
HAL is a multi-disciplinary open access archive for the deposit and dissemination of sci- entific research documents, whether they are pub- lished or not. The documents may come from teaching and research institutions in France or abroad, or from public or private research centers.
L’archive ouverte pluridisciplinaire HAL, est destinée au dépôt et à la diffusion de documents scientifiques de niveau recherche, publiés ou non, émanant des établissements d’enseignement et de recherche français ou étrangers, des laboratoires publics ou privés.
MODELISATION DE LA HAUTEUR DE BARRIERE DES JOINTS DE GRAINS DANS UNE JONCTION -
INFLUENCE DE L’ÉCLAIREMENT
J. Dugas, J. Crest, J. Oualid
To cite this version:
J. Dugas, J. Crest, J. Oualid. MODELISATION DE LA HAUTEUR DE BARRIERE DES JOINTS
DE GRAINS DANS UNE JONCTION - INFLUENCE DE L’ÉCLAIREMENT. Journal de Physique
Colloques, 1982, 43 (C1), pp.C1-83-C1-88. �10.1051/jphyscol:1982112�. �jpa-00221768�
MODELISATION DE LA HAUTEUR DE BARRIERE DES JOINTS DE GRAINS DANS UNE JONCTION - INFLUENCE DE L'CCLAIREMENT
J. Dugas, J . P . Crest e t J . O u a l i d X
Laboratoire de P h o t o e ' l e c t r i d t d , FacuZtd des Sciences e t Techniques de Saint-JgrGme, U n i v e r s i t l Aix-Marsei Zle 111, 13397 Marseille Cedex 13, France
*Laboratoire des Mate'riaux e t Composants d Semi-conducteurs, Ecole Nationale Supe'rieure de Physique de Marseille, Centre U n i v e r s i t a i r e de Saint-Je'rGme,
13397 MarseilZe Cedex 13, France
Resume.
-
Cette communication presente une etude de l a v a r i a t i o n de l a m r de b a r r i e r e d ' u n j o i n t de g r a i n s dans une j o n c t i o n 8 l ' e q u i l i b r eou sous p o l a r i s a t i o n d i r e c t e . L ' i n f l u e n c e du niveau d ' e c l a i r e m e n t s u r l a hauteur de b a r r i P r e e t par consequent s u r l a v i t e s s e de recombinaison i n t e r f a c i a l e e s t analysee en f o n c t i o n du type de d i s t r i b u t i o n e t de l a d e n s i t e des @ t a t s d ' i n t e r f a c e a i n s i que du dopage au voisinage des j o i n t s de grains. I 1 a e t 6 v e r i f i e , qu'au dela d ' u n c e r t a i n niveau d'eclairement, 1 a hauteur de b a r r i e r e dimi nue 1 in e a i rement avec 1 a d i f f e r e n c e d ' e n e r g i e e n t r e l e s quasi niveaux de Fermi. La v i t e s s e de recombinaison i n t e r f a c i a l e e f f e c t i v e d ' u n j o i n t de g r a i n s augrnente exponentiellement avec l a hauteur de b a r r i e r e .
Abstract.
-
This paper presents a study o f t h e v a r i a t i o n o f t h e g r a i n b a r r i e r h e i g h t i n a j u n c t i o n under e q u i l i b r i u m o r d i r e c t biased.The i n f l u e n c e o f t h e e x c i t a t i o n l e v e l on t h e b a r r i e r h e i g h t and consequen- t l y on the e f f e c t i v e i n t e r f a c i a l recombination v e l o c i t y depends on t h e d i s - t r i b u t i o n and d e n s i t y o r i n t e r f a c e s t a t e s and a l s o on t h e doping a t t h e v i c i n i t y o f g r a i n boundaries. I t has been v e r i f i e d t h a t t h e b a r r i e r h e i g h t decreases l i n e a r l y w i t h the d i f f e r e n c e o f t h e quasi-Fernii l e v e l s f o r h i g h i n j e c t i o n . The e f f e c t i v e i n t e r f a c i a l recombination v e l o c i t y o f a g r a i n boundary increases e x p o n e n t i a l l y w i t h t h e b a r r i e r height.
1. I n t r o d u c t i o n .
-
Les p r o p r i e t e s 6 l e c t r o n i q u e s des j o i n t s de g r a i n s dans l e s semi- conducteurs p o T y c r i s t a l l i n s dependent de lacharge des e t a t s d ' i n t e r f a c e q u i prcvoque une courbure des bandes e t une b a r r i e r e de p o t e n t i e l . Le c a l c u l de l a hauteur EB de c e t t e b a r r i e r e depend du modele de d i s t r i b u t i o n des @ t a t s d ' i n t e r f a c e dans l a bande i n t e r d i t e ; ces @ t a t s peuvent C t r e l o c a l i s 6 s sur un seul niveau d'energie E t ( d i s t r i - b u t i o n monoenerg6tique) /1/ ou d i s t r i b u e s uniformement .3 1'
i n t e r i e u r d'une bande pouvant occuper t o u t e l a bande i n t e r d i t e ( d i s t r i b u t i o n uniforme) /2/ pour ne c i t e r que l e s d i s t r i b u t i o n s l e s p l u s simples. Le c a l c u l de EB depend aussi de l a p r o b a b i l i t e d'occupation f t des niveaux d ' i n t e r f a c e ; .3 l ' e q u i l i b r e , on peut e c r i r e ft = fo( f o n c t i o n de Fermi-Dirac) ou f t = fo
-
1/2. Ce cas correspond au modele de l a bande demi-pleine ( H a l f - F i l l e d Band) q u i e s t l e p l u s u t i l i s e dans l a d e s c r i p t i o n des d i s l o c a t i o n s /3/ ou dans c e l l e des surfaces de semi-conducteurs /4/ l o r s q u e l e s @ t a t s s o n i e s s e n t i e l 1 ement a t t r i bues aux 1 i a i sons pendantes.La b a r r i G r e aux j o i n t s de g r a i n s a m p l i f i e consid6rablemcnt l ' a c t i v i t * recombinante des j o i n t s de g r a i n s , b i e ~ mise en evidence par E.B.I.C. / 5 / ou p a r
L.B.I.C.
/6/ e t c a r a c t e r i s e e p a r une v i t e s s e de recombinaison i n t e r f a c i a l e e f f e c t i v e s. El l e e s t responsable de l a degradation des p r o p r i e t e s e l e c t r o n i q u e s e t photovoltatques des semi-conducteurs p o l y c r i s t a l l i n s .Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/jphyscol:1982112
JOURNAL DE PHYSIQUE
Dans ce t r a v a i l , nous presentons une contribution
a
l ' e t u d e de 2 problemes concernant l a h ~ u t e u r de barriere EB aux j o i n t s de grains : dans unc jonctiona 1
'equilibre ou sous polarisation e t en fonction du niveau d ' e c l airement.2. I-lauteur de barriere d'un j o i n t de grains dans une jonction.
-
La figure 1 donne l e schema d'une jonction abrupte u n i l a t e r a l e r e a l i s e e s u ru n
j o i n t de grains suppose i n f i n i dans l a directionv. On
~ e u t distinauer l a reaion neutref N R 1
dans l a s u e l l e l a hauteur de b a r r i e r e e s t constante e t e g i l e i E g , i a region deTcharge d1espace(SCR)
oil l e champ e l e c t r i q u e au voisinage du j o i n t de grains resul t e de l a composition duchamp propre
a
l a jonction e t de celui dQ aux e t a t s d ' i n t e r f a c e charges e t l a regionzfi
quasi-neu-tre ( Q N R ) , lorsque l a jonction e s t hors d l @ q u i l i b r e , 00 l a hauteur de barriere varie 2 cause de l a variation de densi t e EfP E des porteurs en exces, Nous avons admisque l e s quasi-niveaux de Fermi ne dependent que de l a distance ?I l a jonction, ce qui revient supposer que la recombinaison aux j o i n t s de grains e s t suffisanunent f a i b l e /7/.
F i g . 1 . a ) J o n c t i v n s u r u n b i c r i s t a l , b ) e t c ) c o n -
.--
w11
: d i t i o n s a u x l i m i t e s l o i n d u j o i n t d e g r a i n s e t d a n s E i 1- .. . . A . . - E c- .- l a r e g i o n .
- E f
.. . .
' ' E, a ) J u n c t i o n o n a b i c r y s t a l , b ) and c ) u o u n d a r y c o n - d i t i o n s f a r f r o m t h e g.b. and w i t h i n t h e n e u t r a l
- / ,?\-- E" r e g i o n .
I
I??ql?n-nex~;re_.
La hauteur de barriere dans c e t t e region e s t donnee par l a condition de n e u t r a l i t 6 au voisinage d'un j o i n t de grains
a
1 'e q u i l i b r e . Elle a Pait 1 'o b j e t d'un grand nombre de travaux /1/,/8/,/3/. [\lous reproduisons, figure 2 , l a variation de l a hauteur de barriere d'un j o i n ta
l ' e q u i l i ~ r e en fonction de l a densite d ' e t a t s d ' g t a t s d ' i n t e r - Pace dans l e cas d'un seul niveau s i t u e au milieu de l a bande i n t e r d i t e , pour divers dopages, l a probabilite d'occupation des e t a t s etant donnPe par l a fonction de Ferni f o . Cet abaque pcrmet de deduire l a densite des 6 t a t s d ' i n t e r f a c e s i l a hauteur de barrierea
l ' e q u i l i b r e e s t determinee experimentalement. On remarque que, pour chaque valeur du c'opage des grains, i l e x i s t eun
f a i b l e i n t e r v a l l e de variation de l a densite d ' e t a t s dans lequel l a hauteur de barriere varie cvnsiderablement. Pouru n
dopage de 1016 cm-3, habitue1 pour l e s applications photovolta5ques, l e s dens, tes d ' e t a t s corres- pondant 8 l a variation brutale de l a hauteur de barriPre sont comprises entre 1011 e t 1012 cm-2, densites niesur6es exp6rimentalcment par a i l l e u r s / l o / .F i g . 2. H a u t e u r d e b a r r i e r e d ' u n j o i n t d e Fi y . 3 . 1 ) I l o n o c n e r g e t i c d i s t r i b u t i o n ( E t t E . ) g r a i n d 1 ' e q u i l i b r e . 2 ) U n i f o r m d i s t r i b u t i o n ( n e u t r a l l e v e l E
= B . )
g. b. e q u i l i b r i u m b a r r i e r h e i g h t . 3 a n d 4 ) u n i f o r m d i s r r r i b u t i o n (EO=l?,+Eg/3?
i n n - S i and p - S i .
d ' i n t e r f a c e , l a hauteur de barriere diminue avec l e dopage, ce qui permettrait d'envi- sager une methode de passivation des j o i n t s de grains.
!Cslon_9e_charse_9le_sea~e.
La population des e t a t s d ' i n t e r f a c e e s t modifiee considerablement 6 cause de la cour- bure c'es bandes due au chaLip e l e c t r i q u e de l a jonction.
Au
voisinage du j o i n t de grains, l e pctentiel depend de x e t de z.11 e s t donc necessaire de t r a i t e r une equa- tion de Poisson 3 2 dimensions qui ne peut P t r e resolue que numeriqucment puisque l a charge des e t a t s d ' i n t e r f a c e depend de l a hauteur dc barriere au j o i n t de grains /11/.La hauteur de barriere 6 l ' e q u i l i b r e , calculee ci-desscs, e s t une des conditions aux limites u t i l isees pour l a resolution numerique.
La f i g ~ : r e 4a donne une r e p 6 s e n t a t i o n s p a t i a l e du diagramme de bandes d'energie au voisinage du j o i n t pour une jonction ptn 6 1 'e q u i l i b r e , r e a l i s e e s u r
u n
b i c r i s t a l de silicium, l e s e t a t s d ' i n t e r f a c e etant de type acccpteur e t l o c a l i s e s sur un seul n i - veau au milieu du gap. 11 apparait clairement que l a hauteur de barriere diminue f o r - tement de la region neutre vers la jonction. Cette diminution e s t encore plus brutale e t se produit plus pres de l a jonction lorsque celle-ci e s t polarisee en d i r e c t ( f i g . L b ) .4
i i
1 %
" L . 1 -
_- - _ - - - -J
INTRINSIC LEVEL=h.
C* b. 6 pm
F i g . 4 . Diagramme d e b a n d e d ' u n e j o n c t i o n s u r un b i c r i s t a l . a ) d I ' e q u i l i b r c , b l s o u s p o l a r i s a t i o n d i r e c t e V, = 0 , 3 V .
Band d i a g r a m o f a j u n c t i o n o n a b i c r y s t a l . a ) E q u i l i b r i u m , b) Forward b i a s e d V f = 0 . 3 V .
N~ = 1016 cm-3 N~ = 1012 cm-2
Lorsque l a jonction e s t polarisee en d i r e c t , l e s quasi-niveaux de Fermi s e rejoignent 6 travers la region quasi-neutre dont l a profondcur depend de l a polarisation e t de l a longueur de d i f f u s ~ o n des porteurs minoritaires. Lorsque l a polarisation augmente,
*
r--- 1
une p a r t i e des e t a t s d ' i n t e r f a c e e s t neutralisee Dar l e s ~ o r t e u r s - ~- minori- t a i r e s i n j e c b s e t l a barriPre de po- t e n t i e l decroit considerablement. La figure 5 donne l a variation de l a hau- teur de barriere en fonction de l a distance, rapportee 6 l a longueur de diffusion des porteurs minoritaires, dans l e cas d'un seul niveau d 1 6 t a t s4
d ' i n t c r f a c e s i t u e au milieu du gap pour diverses polarisations directes. Pourm I ce c a l c u l , l a probabilite d'occupation
des e t a t s e s t deduite du principe du
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 0
Z/LP bilan d e t a i l l e /12/.
F i g . 5 . E ~ u t c u r d e k a r r i e r e d u j o i n t d e g r a i n s d m s l a r e g i o n q u a s i - n e u t r e e n f o n c t i o n d e l a d i s t a n c e n o r m a l i s C e .
g.b. b a r r i e r h e i g h t i n t h e q u a s i n e u t r a l r e g i o n v e r s u s t h e n o r m a l i z e d d i s t a n c e . Nt = 6 . 1 0 1 J cm-2, NG = l o z 6 cm-3
,
L p = I 0 Lvn.JOURNAL DE PHYSIQUE
3. I n f l u e n c e du niveau d ' e c l a i r e m e n t s u r l 1 a c t i v i t & e l e c t r o n i q u e des j o i n t s de grains.- I 1 e s t i n t e r e s s a n t d ' e t u d i e r l ' i n f l u e n c e du niveau d ' e x c i t a t i o n s u r l a v i t e s s e de recombinaison i n t e r f a c i a l e des j o i n t s de g r a i n s pour :
-
e v a l u e r l ' a c t i o n recombinante des j o i n t s de g r a i n s s u r l e s performances des p h o t o p i - l e s r e a l isees s u r s i l i c i u m p o l y c r i s t a l l i n dans des c o n d i t i o n s d ' e c l a i r e m e n t s o l a i r e , -determiner l a v a r i a t i o n de l a hauteur de b a r r i e r e avec 1 '&clairement,-
en deduire l a d i s t r i b u t i o n e t l a d e n s i t e des P t a t s d ' i n t e r f a c e .Dans c e t t e etude, nous avons adopte l e modele de l a bande demi-pleine a f i n de cornparer nos r E s u l t a t s concernant l a v a r i a t i o n de l a hauteur de b a r r i e r e avec 1 'eclairement avec ceux de C.11. S1i:GAL. Ce modele conduit, e v i d e m e n t , ii des hauteurs de b a r r i c r e p l u s f a i b l e s que 1emodGle u t i l i s e dans l e paragraphe precedent 00 nous avons admis que
l e s & t a t s d ' i n t e r f a c e prcsentent un caractere uniquement donneur oO accepteur s u i v a n t que l e semi-conducteur e s t de type P ou ?I. Cette observation peut se v e r i f i e r en com- parant l e s f i g u r e s 6 e t 2. Dans l a f i g u r e 6, nous avons represent6 l a v a r i a t i o n de l a hauteur de b a r r i e r e , en f o n c t i o n de l a d i f f e r e n c e des quasi-niveaux de Fermi, c a l c u l e e pour une d i s t r i b u t i o n ~nonoenergetique des e t a t s d ' i n t e r f a c e ( E t = E i ) , dont l a d e n s i t e e s t comprise e n t r e 1011 cm-2 e t 1012 r!ous avons admis
a
nouveau que l e s quasi- nivepux de Fermi sont p l a t s /7/. L!ous pouvons r ~ o t e r que l a hauteur de b a r r i e r e d e c r o i t 1 ineairement avec 1 'e c l airement comme l e p r e v o i t l e modele simple de J . G . FOSSUt4 e t F.A. LIWDHOLH /7/. Ce niveau d ' e c l a i r e m e n t c r i t i q u e depend du type de d i s t r i b u t i o n des e t a t s d ' i n t e r f a c e , de l a p o s i t i o n du niveau moyen p a r r a p p o r t au m i l i e u de l a bande i n t e r d i t e , de l a l a r g e u r de l a bande des e t a t s d ' i n t e r f a c e a i n s i que de l a d e n s i t e des impuretes dopantes /2/.Efn-Efp (-V) Efn-Efp ( e V )
F i g . 6 . Hauteur d e b a r r i d r e d ' u n j o i n t d e F i g . 7. V i t e s s e d e r e c o m b i n a i s o n i n t e r f a - g r a i n s e n f o n c t i o n d e 1 'ecl a i r e m c n t . c i a l e e n f o n c t i o n d e 1 ' e c l a i r e m e n t . g.b. b a r r i e r h e i g h t v e r s u s l i g h t b i a s . I n t e r f a c i a l r e c o m b i n a t i o n v e l o c i t y v e r s u s
l i g h t b i a s .
l 6 a = 10 - 1 5 m-2 N o n o e n e r g e t i c d i s t r i b u t i o n ( E t = Ei), PiA = 10
dernieres dPpendent de llPclairement dont I'absorption a ete supposee uniforme (grande longueur d'onde). Nous n'avons pas tenu compte dans un premier temps, de l a variation de ces densites dans une directjon perpendiculaire au j o i n t de grains.
L a connaissance de l a densi t& des porteurs permet de determiner l e taux de recombinai -
son au j o i n t de grains donne dans l e cas d'un semi-conducteur de type
Pe t d'une d i s t r i b u t i o n mono@nergetique (Et
=E i ) par
:av+
NtHAexp
( A )- 1
us
= A A2 exp
(!exp
(7) ch(7
+ c B-
(3)+ 1
i l A
e s t l a densite des impuretes acceptrices. Rous avons admis que les sections e f f i - caces de capture par l e s e t a t s d ' i n t e r f a c e e t l e s yitesses thermiques des electrons e t des trous sont SgaIes
( o =10-15 cm-Z , v t
=10 cm/s).
La figure
7donne les variations de l a vitesse de recombinaison i n t e r f a c i a l e e f f e c t i v e s q ~ i i s'en deduit en fonction du niveau d'excitation repere par l a difference d'energie entre les
quai-niveaux
deFermi pour differenlies densites d ' e t a t d ' i n t e r f a c e compri- ses entre 1013 cm-2 e t 1012 c N 2 . Nous pouvonr observer l a trPs grande dependance de s avec l a densite d 1 6 t a t s d ' i n t e r f a c e Nt, ce qui pertnet de determiner c e t t e densite avec precision, meme s i s e s t nesuree avec une e r r e u r r e l a t i v e importante
Acondition toutefois q1;ele type de d i s t r i b u t i o n e t l a section efficace de capture soient connus.
-
?.
E f n - E f p (eV) H.AUTEUR DE BARRIERE (eV)
Fig. 8. 9. b. recombination velocity versus Pig. 9. y. b. r c c o m b i n a t i ~ n velocity versus light bias for monoenergetic distribution 9. b. barrier hcight.a) From the t r u e ex- o f interfacial states (Bt=Ei),Nt=5.l0Ilcm-2 pression of the recombination rate.
0=1 0-15crn-~. b)From Card and Yang / 9 / .
C1-88 JOURNAL DE PHYSIQUE
La d e t e r m i n a t i o n de i.It e x i g e a u s s i
l a .
nlesure p r e c i s e ciu dopage au v o i s i n a g e des j o i n t s de g r a i n s . La f i g u r e 8 montre en e f f e t que pour une d e n s i t e donnee d ' e t a t s d ' i n t e r f a c e ( N t = 1012 c r 2 ) l a v i t e s s e de recornbinaison i n t e r f a c i a l e depend de f a c o n c r i t i q u e du dopage au v o i s i n a g e du j o i n t de g r a i n s d o n t l a mesure l o c a l e e s t t r e s d i f f i c i l e . Ce dopage depend du dopage moyen dans l e s g r a i n s , mais a u s s i de l a segre- t a t i o n e t de l a d i f f u s i o n i n t e r g r a n u l a i r e des impuretes.En f a i t , il a p p a r a i t que l a v 6 r i a t i o n de l a v i t e s s e de recombinaison i n t e r f a c i a l e r e p r o d u i t l e s v a r i a t i o n s de Eg dvec l ' e x c i t a t i o n . La f i g u r e 9 montre que s v a r i e e x p o n e n t i e l l e m e n t avec Eg c o m e p r e v u p a r H.C.CARD e i E.S. YANG /9/ q u i o n t propose un modele s i m p l e q u i permet de d e t e r m i n e r s avec une assez bonne p r e c i s i o n .
4. Conclusion.
-
Dans ce t r a v a i l , nous avons montre que l a h a u t e u r de b a r r i e r e d ' u n j o i n t de g r a i n s e s t p l u s f a i b l e qtie l a v a l e u r d l l @ q u i l i b r e l o r s q u e l e j o i n t tie g r a i n s e s t s i t u e dansla r e g i o n de charge d'espace e t dans l a r e g i o n q u a s i n e u t r e d ' u n e j o n c - t i o n . Le comportement de l a h a u t e u r de b a r r i e r e e t p a r consequent de l a v i t e s s e de recombinaison i n t e r f a c i a l e avec l e n i v e a u d ' e c l a i r e m e n t depend de facon c r i t i q r i e du t y p e de d i s t r i b u t i o n e t de l a d e n s i t e des e t a t s d ' i n t e r f a c e a i n s i que du dopage au v o i s i n a g e des j o i n t s de g r a i n s .Remerciements.
-
Rous tenons d r e m e r c i e r 1.1. l e P r o f e s s e u r C.I1. SIKGAL de 1 ' U n i v e r s i t e a e Roor!:ee ( I n d e ) pour l e s c o n s e i l s e t l e s c r i t i q u e s f o r m u l @ s . ./1/ G. BACCARIHI e t B. RICCU, J.Appl.Phys.43 (1978) 5565.
/2/ C.:l. SIhGAL, Conference l l a r s e i 1 l e (1982) d p a r a i t r e .
/3/
I!.
SCHROTER, E l e c t r o n i c s t r u c t u r e o f c r y s t a l d e f e c t s dnd o f d i s o r d e r e d systems ( S u m e r School Aussois) 1980, 129./4/ S.ii. SZE, P h y s i c s o f semi conductor devices, I ! i l e y I n t e r s c i e n c e (1981).
/5/ Jay ii. ZEIiEL, ::on d e s t r u c t i v e e v a l u a t i o n o f seniconciuctor m a t e r i a l s and devices, Plenum Press (1978).
/6/ J . OUALID, H. ZCHAF, II. AI:ZIL, J.P. CREST, G. IRTHIAII, J. DUGAS, J . GERVAIS, F. IIINARI
,
B.PICIIAUD, S. ;IARTIl\IUZZI, J . FALLY, 4tll Photovol t a i c S o l a r Enerqy -- Conference, S t r e s a (1982)./ 7 / J.G. FOSSUM e t F.A. LIHDHOLI.1.IEEE Treans.Electron.Dev. ED27. 4 11980) 692. , , /8/ C.H. SEAGER e t T.G. C A S T N C R , ' J . A ~ ~ ~ .?hys. 46 (1975) 1240.
/I/ H.C. CARD e t E.S. YAIIG, IEEE T r a n s . E l e c t r o n Oev. ED24 (1977) 397.
/ l o /
J . OUALID, ti. AIZZIL, J.P. CREST, J. DUGAS, G . IlATIIIAN, il. ZEHAF and S. liARTII!UZZI P r o p r i e t G s 6 l e c t r o n i q u e s des j o i n t s de g r a i n s dans l e s i l i c i u r n p o l y c r i s t a l l i n , Colloque CNRS, semi-conducteurs p o l y c r i s t a l l i n s , 2-4 Septembre 1982 (Perpignan)./11/ J. DUGAS, J.P. CREST, J. OUALID, 161St l l e e t i n g o f t h e C l e c t r o c h e m i c a l S o c i e t y X o n t r e a l (1982).
/12/ E. S. YAt!G, Fundamental o f semi conductor devices, tlc. Graw H i 1 1 Eook Company (1978).