WW AA

COS M

4 À

1 r

AA WW

TRANSISTORS Si ^{CIRCUITS INTEGRES}

1968 TRANSISTORS Ge

Compagnie gé n é rale des Semi ^- conducteurs

G R E N O B L E S.A.A U C A P I T A L D E 1 8 4 0 00 0 0F S I E G E S O C I A L : S T-E G R E V E⁽I S E R E) R.C.N *6 0 B 4 4

7 8,A V E N U E M A R C E A U

-

^{7 5}

-

^{P A R I S (8}°⁾

-

^{T E L.3 5 9 07}

^-

⁸⁹

S E R V I C E SC O M M E R C I A U X

TRANSISTORS SILICIUM ^SILICON TRANSISTORS

USAGE G ^É N É RAL ^- STRUCTURE PLANE

GENERAL PURPOSE - PLANAR TRANSISTORS

I

Polarité P o l a r i t y

Ptot

^max

VCEO fT

VCER

^max

*

l e

max a

Boîtier C a s e

T y p e _{tomb = 250C} h_21E ^a

l e

m1n

(W) ( V)

PNP NPN (m A) (MHz⁾ (mA )

150 10

2

0/3 75

-

²²⁵

TO

-

¹⁸

BSW 21 25

150 10

0,3 50 75- 225 2

BSW 21 A TO

-

¹⁸

10 180

-

^{540 2} 150

0,3

TO

-

^{18 25}

BSW 22

150 10

180- 540 2

TO

-

^{18 0,3 50}

BSW 22 A

2 150 10

RO- 110 0,3 25 75- 225

BSW42

10

2 150

0,3 50 75

-

²²⁵

RO

-

¹¹⁰

BSW42 A

150 10

180- 540 2

RO-110 0,3 25

BSW 43

150 10

0,3 50 180-540 2

RO

-

¹¹⁰

BSW 43 A

150 10

RO

-

^{110 0,3 25 75- 225 2}

BSW44

10

0,3 50 75

-

^{225 2} 150

RO

-

¹¹⁰

BSW44 A

150 10

0,3 180

-

^{540 2}

RO

-

^{110 25}

BSW 45

150 10

180- 540

0,3 50

RO-110 2

BSW45 A

30- 90 150 10

0,3 2

RO

-

^{110 18}

BSW 92

150 10

0,3 25 75

-

²²⁵ 2

BSX 51 TO

-

¹⁸

2 150 10

0,3 50 75-225

BSX 51 A TO- 18

150 10

180- 540 2

BSX 52 TO-18 0,3 25

2 150 10

0,3 50 180- 540

TO-18 BSX 52 A

40

*

^{40 50}

0,6 20-60 150

2N 696 T0- 5

40

*

⁴⁰

-

^{120 150 50 50}

0,6 2N697 TO

-

⁵

50

*

^{40-120 150 60 50}

TO- 5 0,8

2N 1613 A

50

*

¹⁰⁰

-

^{300 150 70 50}

0,8 2N 1711 TO

-

⁵

A

20

0,8 30 40

-

^{120 150} 250

2N 2218 TO

-

⁵

150 250 20

40-120

2N 2218 A TO

-

^{5 0,8 40}

100

-

^{300 150} 250 ²⁰

2N 2219 TO

-

^{5 0,8 30}

300 20

0,8 100- 300 150

2N 2219 A ^TO-5 ⁴⁰

150 250 20

TO

-

^{18 30 40}

-

¹²⁰

2N 2221 ^0,5

H

150 ²⁰

40

-

^{120 250}

TO- 18 0,5 40

2N 2221 A H

0,5 250 20

TO-18 30 100- 300 150

H 2N 2222

300 20

TO- 18 0,5 100- 300 150

2N2222 A 40

H

150 200 50

2N 2904 TO

-

^{5 0,6 40 40}

-

¹²⁰

2N 2904 A TO- 5 0,6 60 ⁴⁰-120 150 200 50

100

-

^{300 150 200} 50

2N 2905 TO

-

⁵ 0,6 40

200 50

2N 2905 A ^TO

-

^{5 0,6 60 100}

-

^{300 150}

200 50

2N 2906 ^TO

-

^{18 0,4} 40 40

-

^{120 150}

200 50

2N 2906 A TO

-

^{18 0,4 60} 40

-

^{120 150}

2N 2907 TO

-

¹⁸ 0,4 40 100

-

^{300 150 200 50}

2N 2907A TO

-

^{18 0,4 60 100}

-

³⁰⁰ 150 200 50

H ^:HOMOLOGATION C

.

^C

.

^T

.

: C

.

C

.

^Q

.

^{(ContrôleCentralisé deQualité ) en 1968}

A

ELEMENTS NOUVEAUX

TRANSISTORS SILICIUM ^SILICON TRANSISTORS

i i AMPLIFICATION FAIBLE NIVEAU ^- STRUCTURE PLANE

SMALL SIGNAL AMPLIFICATION - PLANAR TRANSISTORS

f

' ^c

Polarité P o l a r i t y

Ptot

^{m a x}

tamb 25

°

^C

T a

h_{21 E} ^a

le

Boîtier Case

VC

E0

Type m a x

m i n

(MHz) (m A) (mA)

(W) ( V)

PNP NPN

0,01 150 10

0,

3

²⁰

>

¹⁰⁰

TO

-

¹⁸

BCY 69

60

30- 100 5

0,5 60 5

TO

-

¹⁸

2N 735 A

100 5

0,5 60 60-200 5

2N 736 B TO- 18

0,5 40-120 0,01 30

0,3

TO-18 45

2N 929 H

0,5 100

-

^{300 0,01} 30

0,3

2N 930 ^{T O}

-

^{18 45}

H

0,5

0,01 60

40

-

¹²⁰

60

TO

-

^{18 0,36}

2N 2483

60 0,5

>

30 0,001

0,36 60

2N 2484 TO-18

III HAUTE TENSION - STRUCTURE PLANE

HIGH VOLTAGE - PLANAR TRANSISTORS

Polarité P o l a r i t y

f Pt o t m a x

t a m b ⁼ 2 5

°

^C

VC

E0

c VC

ER

a

m a x T

Boftier Case

Type ^{m a x}

^*

^{h2 1E a}

'

^{C m i n}

(m A) (MHz) (mA )

(W) (V)

P N P N P N

135

*

^{30 70 30}

0,8

>

25

SF.T 187 T O-5

40 50

20-60 150

0,8 60

2N698 TO- 5

80

*

⁴⁰

^-

^{120 150 50 50}

0,6 2N 699 T O- 5

50 50

0,8 80 40

-

^{120 150}

2N1893 TO^-5

75

*

³⁰

2N 1990 TO

-

^{5 0,6}

>

²⁰

75

*

³⁰

0,25 > 20

2N 1990 R TO-18

75

*

³⁰

2N 1990 S TO

-

⁵ 0,6

>

20

75

*

³⁰

2N 1990 W RO-110 0,3

>

²⁰

COMMUTATION FAIBLE COURANT - STRUCTURE PLANE ^ÉPITAXIQUE

LOW CURRENT COMMUTATION

IV

PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

Polarité P o l a r i t y

ts

+

⁽t f) à _{\ ç}

P t o t

^{m a x}

t a m b = 2 5 0 C

Vc

E0 ^{m a x}

V c E R

^{m a x}

*

Boftier Case

h_{21 E}

le

Type a

m a x (n s) (mA) (m A )

( W) (V)

PNP N P N

20

* ^>

^{20 10 60 10}

TO

-

^{18 0,3}

2N 706 ts

25 10

0,3 15 20- 60 10

2N 706 A TO -18

H t s

10

10 25

30

-

¹²⁰

2N 708 ^{T O}-18 0,3 6 ¹⁵

H tS

0,3 20- 60 24 10

TO-18 12 10

2N 743 ts ^{+ t f}

24 10

TO-18 0,3 40- 120 10

2N744 12 ts + _tf

2N 753 ^{T O-18} 0,3 ¹⁵ 40

-

^{120 10} l s ^{35 10}

TO- 18 0,36

2N 914 15 30- 120 10 ts 20 20

2N 2368 TO-18 0,36 1 5 20- 60 10 10 10

H t s

T O

-

^{18 40}

-

^{120 13 10}

2N 2369 0,36 15 10

H s

10

TO- 18 0,36 15 40-120 10 13

2N 2369 A t s

2N2894 TO-18 0,36 12 40- 150 30 t s + ^{t f} 90 30

0,36

2N3013 T O-18 15 30- 120 30 1 8 10

H t s

2N 3250 ^TO-18 0,36 40 50

-

^{150 10} t s ^{175 10}

2N 3251 T O

-

¹⁸ 0,36 ⁴⁰ 100

-

300 10 ^{t s} 200 10

HOMOLOGATION C

.

^C

.

^T

.

H :

ELEMENTS NOUVEAUX

TRANSISTORS SILICIUM SILICON TRANSISTORS

V COMMUTATION FORT COURANT - STRUCTURE PLANE ÉPITAXIQUE PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

HIGH CURRENT COMMUTATION

Polarité P o l a r i t y

ts

+

⁽

tf

^{) à}

lc

P_tôtm a x B oît i e r

C a s e

T y p e

tamb

^{= 25}

°

^C

^{V c E O}

^{m a x}

^

^{2 1E a}

^{l e}

m a x

(m A ) (n s)

(W ) ( V)

P N P N P N (A)

H 2N 2410 T O

-

^{5 0,8 30 25}

-

^{100 0,5}

_{ts +}

t f ^{65 500}

2N 3252 TO- 5 1 30

>

25 1 U 40 500

2N 3253 T O

-

^{5 1 40}

^>

^{20 1} ts 40 ⁵⁰⁰

500

1 1 40

2N 3444 T O

-

^{5 50}

>

¹⁵ tS

VI TRANSISTORS VHF ET UHF VHF UHF TRANSISTORS

STRUCTURE PLANE NPN PLANAR NPN TRANSISTORS

P f o t

^{m a x}

tamb ⁼²⁵

°

^C

=25

°

^C

**

B oît i e r C a s e

fy

Gp

à f

V C

E O h_{2 1E} 6 !_C

T y p e ma x a C

tease ^{m i n min}

(M H z⁾ (MHz) (m A ) ( d B)

(W) ( V) (m A )

10

50

-

^{T50 24 100}

B F X 77 T O

-

⁷² 0,2 30 ¹⁰ 300

12

**

¹⁰⁰

SF

.

^{T 443 A T O-60 80}

>

^{15 100 125 8 125}

T O- 72 0,2

2N 918 ¹⁵

>

^{20 3 600 4 15 200}

20 500 50 250

2N3137 T O-5 0,6 20

-

^{120 50} 6

30 250

2N3309 T O-39 1 30 5-100 30 300 7

*

^{2N 3570}

_*

^{0,2 15 20}

-

^{150 5 1500 5}

*

^{E n} dé veloppement

,

^{s e r a fourni e n} boît i e r s T O

-

^{72 e t T O}

-

⁵¹

VII TRANSISTORS DOUBLES NPN

h 21 E l

AVBE

h_{2 1 E} a C

B oît i e r Case

h_{2 1E}2

T y p e

VC

^{E0 m a x} _{m a x}

a a

(V)

' ^c

100fi^A

lc

^{= 100 /xA (mV) (}

^fiA

⁾

2N2060 ^{F 97} 60 30

-

⁹⁰ 0,9

-

1 ^{5 100}

2N 2060 A ^{F 9 7} 60 30- 90 0,9

-

^{1 3 100}

2N2223 F97 60 25

-

^{150 0,8}

-

^{1 15} 100

2N2223 A F 97 60 25

-

150 0,9

-

^{1 5} 100

2N2642 F 97 45

>

¹¹⁰ 0,9

-

^{1 5} 10

2N 2643 ^F97 45

>

110 0,8

-

^{1 10 10}

VIII TRANSISTORS CERATAB

f i

B oît i e r Case

Polarité P o l a r i t y

h_{2 1 E}

>

C

Type VC E O m a x a T a C

m i n

(mA) (MHz)

(m A) ( V )

P N P N P N

100

-

³⁰⁰ 150 ^{250 20}

T B2222 T B 30

40

-

^{120 500}

T B2369 T B 15 10 10

100

-

^{500 0}

^,

⁰¹ 60 ^0,5

T B2484 T B 60

200 50

T B2907 ^{T B} 40 100

-

^{300 150}

400

12 40

-

^{150 30 30}

T B 2894 T B

H:HOMOLOGATION C

.

^C

.

^T

.

P r i n t e di n F r a n c e

C S F

-

S e r v i c eI n d u s t r i e l d'E d i t i o n

-

M u r a t ELEMENTS NOUVEAUX

NCYRTK2019

T R A N S I S T O R S H A U T E F R E Q U E N C E A U S I L I C I U M

P max

V-^* t

25°

C

amb

P max

t 25°C

case

h21E

V^_ max

Type Boîtier Nature f

CB T h

(V) ⁽W⁾ (W) (MHz) 2 1e

*

SF.T186 TO

5

N Si ME 140 1 180 15/ (30 mA^- 10 V)

2N 696 TO^-5 N Si ME 60 0,6 2 160 15J (10mA- 10 V⁾ 2N 697 TO^-5 N

Si

ME 60

0.6

2 160 30A ⁽10mA^- 10 V⁾ 2N 698 TO^-5 N

Si

ME 120 0^,6 2 70 20 A ⁽150mA - 10 V) 2N 699

TO

^-

5

N Si ME 120

0.6

2 100 40J (150mA -10 V⁾ 2N 699 B

TO

^-

5

N Si ME 120 0,87 5 60 \ 40A (150 mA- 10 V⁾ 2N 734 T

0

^-1 8

N

Si ME 80 0,

5

^{1 30T} 20

*

^{A (}

⁵

^mA-

⁵

^{V-1 kHz)}

2N 735

TO

^-18 N Si ME 80 0^,5 ^{1 60 J} 40

*

^{J (}

⁵

^{mA-5 V- 1kHz)}

2N 736 TO 18 NSi ME 80 0,5 ¹ 60 A 80

*

^{J (5 mA-5 V-1kHz)}

N 738 T

0

^-18 N Si ME 125 0^,

5

^{1 30J} 20

*

^{J (5 mA- 5 V- 1kHz)}

2N 739

TO

^-18 N Si ME 125 0^,

5

^{1 60 A} 40

*

^{A (5 mA-5 V-1kHz)}

2N 740 TO 18 ^{NSi ME} 125 ^{•0,-5 1 60 A} 80

*

^{A (5 mA-5 V-1 kHz)}

12J (50 mA^- 10 V⁾

2N 1047 MT-5 NSi ME 80 1 40 2J

120 12 J ⁽50 mA^- 10 V⁾

2N 1048 MT^-5 N Si ME 1 40 2J

2N1049

MT

^-5 N Si ME 80 1 40 2A 30 A ⁽50 mA^-10 V⁾ 2N 1050 MT^-5 N Si ME 120 1 40

2

A 30 A ⁽50 mA-10 V)

2N 1338 TO^-

5

NSi ME 80 0,8

2

,8 200 7 A ⁽30 mA-10 V) 2N 1340 TO-5 N Si ME 150 0^,8

2.8

5A ⁽50mA-1V⁾ 2N1342 TO^-

5

NSi ME 150 0^,8 2^,8 180 7 A⁽10mA- 12 V) 2N 1505 TO^-5 N Si ME 50 0,8 3 150 7 A ⁽100mA^-28V⁾

-2N 1506 TO^-5 N Si ME 60

0.8

3 200 10 A ⁽100 mA-28V⁾

TO^-5 N Si ME 80 20

*

^{A (5 mA-5 V- 1kHz)}

2N 1564 0^,6

1.2

30 A

80

2N1565

TO

^-5 N Si ME 0,6

1.2

60 A 40

*

^{A (5 mA-5 V-1kHz)}

T

0

^-

5

80

2N1566 N

Si

ME 0^,6

1.2

^60J 80

*

^{A (}

⁵

^mA-

⁵

^{V -1kHz)}

2N 1572 TO^-

5

N Si ME 125 0,6

1.2

^{30A 20}

*

^{A (5 mA-5 V-1kHz)}

2N 1573 TO^-5 N Si ME 125 0,6

1.2

^{60 A} 40

*

^{A (5 mA-5 V- 1kHz)}

125

2N 1574 TO^-

5

N Si ME 0^,6

1.2

^{60 A} 80

*

^{A (5 mA- 5 V-1kHz)}

2^,5 13 7 A ⁽

350

mA^-28 V⁾

2N 1709 TO^-8 N

Si

ME 75 100

60 2^,5

2N 1710 TO^-8 N

Si

ME 13 100 A 7 A ⁽350 m A-2 8V⁾ 60 A ⁽150 mA^- 10 V⁾

0^,6 2 40 A

N

Si ME 50 2N1986 TO^-

5

20

A

⁽150 mA- 10V⁾ 40 A

50 0^,6 2

T

0

-

5 N

Si ME 2N 1987

20

A

⁽

30

mA ^- 1 0 V⁾ 2

100 0^,6 T0^-5

N

Si ME

2N 1990

A

—

Minimum

ME= Mesa N =NPN