M I N I S T E R E D E L ’ E N S E I G N E M E N T S U P E R I E U R E T D E L A R E C H E R C H E S C I E N T I F I Q U E UN I VER SI TE D JI LLALI LI ABES SI D I BEL ABBES
F A C U L T E D E T E C H N O L O G I E
▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬
RESUME DU THESE DE DOCTORAT
Nom & Prénom(s) BELOUFA Abbès
E-mail (obligatoire) [email protected]
Spécialité Électronique
Titre Contribution à l’étude des propriétés électroniques, structurales et optiques des
matériaux nitrures (AlN, GaN et InN) et de leurs alliages ternaires (AlGaN et InGaN) utilisés dans les diodes lasers
Date d’inscription 2004
Nom, prénom(s) et grade de l’encadreur
BENSAAD Zouaoui/Professeur
Résumé :
Les nitrures d’éléments III forment une famille de semi-conducteurs aux propriétés remarquables qui les rendent attractifs pour des applications dans le domaine de l'optoélectronique. C’est dans ce contexte que s’inscrit notre travail de thèse de doctorat. Nous nous sommes donc intéressés dans un premier temps à apporter une contribution à travers l’étude des propriétés structurales, électroniques, optiques et élastiques des alliages binaires : GaN, InN et AlN et ternaires : AlGaN et InGaN avec la méthode du FP-LMTO en utilisant les approximations LDA et GGA. Ensuite, nous avons utilisés les paramètres obtenus pour étudier, optimiser et comparer deux types de structures laser à savoir : la structure hétérojonction et double hétérojonction par rapport à la densité de courant minimale et au gain maximal et ceci pour différents paramètres intrinsèques et extrinsèques (température, dopage, épaisseur de la cavité etc.). Les résultats obtenus sont très encourageants surtout pour la structure à double hétérojonction.