HAL Id: hal-00994380
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00994380
Submitted on 21 Jul 2014
HAL is a multi-disciplinary open access archive for the deposit and dissemination of sci- entific research documents, whether they are pub- lished or not. The documents may come from teaching and research institutions in France or abroad, or from public or private research centers.
L’archive ouverte pluridisciplinaire HAL, est destinée au dépôt et à la diffusion de documents scientifiques de niveau recherche, publiés ou non, émanant des établissements d’enseignement et de recherche français ou étrangers, des laboratoires publics ou privés.
In depth static and low-frequency noise characterization of n-channel FinFETs on SOI substrates at cryogenic
temperature
H. Achour, Bogdan Cretu, Jean-Marc Routoure, Régis Carin, Rachida Talmat, A. Benfdila, E. Simoen, C. Claeys
To cite this version:
H. Achour, Bogdan Cretu, Jean-Marc Routoure, Régis Carin, Rachida Talmat, et al.. In depth static and low-frequency noise characterization of n-channel FinFETs on SOI substrates at cryogenic temperature. Solid-State Electronics, Elsevier, 2014, 8 p. �hal-00994380�
