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Étude du mécanisme de basculement sous champ constant du ferroélectrique YMnO3

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Academic year: 2021

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(1)

HAL Id: jpa-00206524

https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00206524

Submitted on 1 Jan 1967

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Étude du mécanisme de basculement sous champ constant du ferroélectrique YMnO3

Ph. Cœuré

To cite this version:

Ph. Cœuré. Étude du mécanisme de basculement sous champ constant du ferroélectrique YMnO3.

Journal de Physique, 1967, 28 (3-4), pp.339-343. �10.1051/jphys:01967002803-4033900�. �jpa-

00206524�

(2)

ÉTUDE

DU

MÉCANISME

DE BASCULEMENT

SOUS CHAMP CONSTANT

DU

FERROÉLECTRIQUE YMnO3

Par Ph.

C0152URÉ,

Laboratoire de Diffraction Neutronique, C.E.A.-C.E.N.G.

Résumé. 2014 Nous avons étudié le renversement de la

polarisation

du

ferroélectrique YMnO3

en mesurant le courant de basculement

i(t)

en fonction du

temps

t.

La théorie de E. Fatuzzo

permet d’expliquer

de

façon

cohérente le mécanisme de bas- culement. Nous avons trouvé que le

déplacement

de

parois

est le

phénomène prépondérant

pour des

champs appliqués

élevés. La forme de la courbe

i(t)

varie avec

l’amplitude

du

champ appliqué

et avec la valeur du

temps

d’attente entre

champs

de

polarités opposées.

Abstract. 2014 We have studied the reversal of the

spontaneous polarization

in ferroelectric

YMnO3 by measuring

the current

i(t)

which flows

during switching,

as a function of time t.

The process of

polarization

reversal is well

explained by

Fatuzzo’s

theory

of

switching.

We have found that the wall motion is the

important

mechanism when

high

fields are

applied.

The

shape

of the

i(t)

curve is a function of

applied

field and of

spacing

between

field

pulses

of

opposite polarity.

1. Introduction. - 11 est

possible

d’étudier le

renversement de la

polarisation

dans un

ferroélectrique

en mesurant le courant de basculement i en fonction du

temps

t. La forme de la courbe

i(t) depend

du

materiau et des conditions de renversement de la

polarisation.

Pour

expliquer

la forme de

i(t),

de nombreux

auteurs ont

propose

des modeles

qui

tiennent

compte

du

deplacement

des

parois

mais

negligent

en

general

la surface des germes a leur naissance. Cette

approxi- mation,

valable pour le Titanate de

Baryum,

conduit

a des résultats erron6s pour d’autres

ferroélectriques.

C’est

pourquoi

nous avons

adopt6

la m6thode de calcul

plus complete

de E. Fatuzzo

[1].

Les résultats

exposes

ici ont 6t6 obtenus avec des electrodes en metal

6vapor6

sous vide. Ils

compl6tent

ceux

qui

ont ete établis avec des electrodes en

laque d’argent [2].

2. Calcul de

i(t).

- On suppose que les germes

se forment a la surface du cristal selon un processus al6atoire avec une

probabilité R

par unite de

temps ( fig.

1

a).

Des

qu’un

germe est

form6,

il croit et

atteint la deuxi6me electrode en un

temps td (fig. 1 b)

FiG.l.

Schema montrant la croissance d’un domaine.

(ce temps td

est

n6gligeable

dans le cas 6tudi6

ici,

celui des cristaux minces

d’6paisseur

inferieure à 100

microns).

Puis les

parois

du domaine form6 se

d6placent

lat6ralement

(, fig.

1

c).

On

distingue

deux

types

de

deplacement

de

parois, appel6s

«

d6place-

ment vrai » et «

deplacement apparent

».

Dans le cas du

deplacement vrai,

le rayon r d’un domaine

suppose cylindrique

varie suivant la loi :

Dans le second cas, les

parois

des domaines

déjà

existants favorisent la creation de germes nouveaux

( fig.

1

d).

Si R* est la

probabilite

pour un germe de rayon ro de

grandir lat6ralement,

de la

quantite 2rc

on

peut

écrire :

A

partir

de ces

hypotheses,

on

peut

calculer la

charge

par unite de surface

Q ( t)

bascul6e au

temps t [1] :

, - -

Dans cette formule donnant

f(z),

T est

egal

a R , i.

Dans le cas d’un

deplacement apparent, k prend

Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/jphys:01967002803-4033900

(3)

340

la valeur et dans le cas d’un

deplacement vrai, k prend

la valeur -

""""’0

Le coefficient k caractérise les parts relatives

prises

par la nucleation et le

deplacement

de

parois

lors du

basculement.

Quand

il

n’y

a pas de

deplacement

de

parois, k

est nul. Par contre,

quand

ce dernier

pheno-

mene est

prédominant, k

est tres

grand.

Nous avons

simplifi6 1’expression (4)

en posant :

s’ecrit alors :

Le courant de basculement par unite de surface

est donne par :

II est facile de tracer les courbes i =

g( ’1’)

en

utilisant les formules

(7)

et

(8).

En faisant varier le

param6tre k,

on obtient un reseau de courbes. La forme de

g(’1’) depend uniquement

du coefficients k.

Le courant

io

au

temps

zero vaut

2Ps R quel

que soit k.

3. Observation du courant de basculement. - 3.1. CONDITIONS EXPERIMENTALES. - Nous avons uti- lis6 comme materiau des monocristaux de

YMn03 prepares

par M. G. Buisson du Laboratoire de Dif- fraction

Neutronique

du Centre

d’Etudes

Nucl6aires

de Grenoble.

Les

manganites

des Terres Rares

Ho, Er, Tm, Yb,

Lu et de l’Yttrium cristallisent dans le groupe hexa-

gonal

non

centrosymétrique P63

cm. La structure, d6crite par

Yakel, Koehler,

Bertaut et Forrat

[4], poss6de

la

particularite

d’avoir des

poly6dres

de

coordinence de 5 atomes

d’oxygene

autour de

Mn,

et de 7 atomes

d’oxygène

autour de la Terre Rare.

Ces

composes

sont

ferroélectriques

a la

temperature

ambiante

[5].

Les electrodes sont en or

depose

sous un vide de

10-6 Torr. Leur surface est de l’ordre de 5 X 10-4 cm2.

Les mesures sont effectuees a la

temperature

de 25 °C.

Nous avons utilise deux m6thodes. La

premiere

consiste a

appliquer

au cristal des cr6neaux de tension

sym6triques

dans le temps et de duree tres

sup6rieure

au

temps

de basculement. La seconde consiste à

appliquer

au cristal des

impulsions

de tension dis-

sym6triques

dans le

temps

et de duree

16g6rement sup6rieure

au temps de basculement.

3.2. UTILISATION DES CRENEAUX DE TENSION

( fig. 2).

- Le

montage

permet d’avoir un

temps

de montee du

champ

de l’ordre de la nanoseconde. Le courant

de basculement est observe aux bornes d’une faible resistance

plac6e

en s6rie avec le cristal. Le

champ

E’

FIG. 2. - Forme des cr6neaux

sym6triques.

6tant

garde

constant, on fait varier E et on trace les courbes :

Ces

quantités

sont définies sur la

figure

3. La

mesure de

io

est delicate car, au courant de bascule- ment,

s’ajoute

le courant du a la

capacite

propre du cristal. Ce dernier courant est mesure en annulant E’

( fig. 4).

Les résultats sont les suivants :

A

faible champ :

Les lois de variation sont expo- nentielles

( fig. 5).

OC2 et OC4 sont

égaux.

Leur valeur commune est

sensiblement

6gale

a celle trouvee avec des electrodes

en

laque d’argent.

FIG. 3. - Forme du courant de basculement.

Compa-

raison de courbes

theoriques

et

experimentales :

(4)

FIG. 4. - Mesure des

param6tres

définissant

i(t)

a l’oscil-

loscope :

a =

pic capacitif (E

=

0).

b = courant de basculement

(E

= 86

kV/cm).

échelles : horizontale : 40

ns/div.

verticale : 10

mA/div.

FIG. 5. - Variation des

param6tres

en fonction de 1’inverse du

champ

pour un cristal de 20 microns

d’epaisseur.

Nous avons

compare

les courbes

i(t) exp6rimentale

et

théorique.

Par un choix

judicieux

du facteur k de la courbe

theorique g(T)

on aboutit a un bon accord

entre les deux courbes

( fig. 3,

4 et tableau

I).

La

figure

6 donne la variation de k avec E.

TABLEAU I

COMPARAISON

DES COURBES

THEORIQUE

ET EXPERIMENTALE

FIG. 6. - Variation du facteur k

en fonction de l’inverse du

champ.

La loi est

exponentielle :

On en deduit que le

produit

R. k varie exponen- tiellement avec l’inverse de

champ

L’examen des formules

(5)

et

(6)

montre que le

deplacement

de

parois

est du

type

« apparent ». Le

deplacement

de

parois

est le

phenomene predominant

pour

A

champ

élevé : C’est-a-dire

pour E sup6rieur

a

a2j2,

les lois de variation des

param6tres

d6finissant

i(t)

ne

sont

plus exponentielles.

La

figure

7 montre la va-

riation

de ir

et

tB

avec E :

iM(E)

et

tB(E)

sont

des droites. Le facteur k

augmente

encore, ce

qui signifie

que le basculement s’effectue de

plus

en

plus

par

deplacement

de

parois quand

le

champ augmente.

Il devient alors

plus

difficile de

distinguer

entre le

deplacement

« vrai » et le

deplacement

«

apparent

» des

parois.

(5)

342

c

FIG. 7. - Variation de iM et tB pour un cristal de 20 microns

d’6paisseur.

3.3. UTILISATION D’IMPULSIONS DE TENSION DIS-

SYMETRIQ,UES

DANS LE TEMPS. - La

figure

8 montre

la forme de la

sequence

utilis6e ainsi que la forme des courants de basculement. Les

champs appliques

FIG. 8. - Forme de la

sequence asymétrique

et des courants en resultant.

sont choisis de

fagon

que le cristal ait

toujours

le

temps de basculer. Ceci est vérifié par la mesure de la

charge

de basculement sur une

capacite plac6e

en

s6rie avec le cristal. Cette

charge

doit etre constante :

Nous avons observe par cette m6thode un

pheno-

mene

d6jh signal6

pour le Sulfate de

Triglycine [3].

La forme du courant de basculement

depend

du

’R1

FIG. 9. - Variation

de iM

et k en fonction du

temps

de repos tR entre

impulsions :

(6)

temps tR

de repos entre

impulsions.

Les mesures ont

ete faites dans les conditions suivantes :

Pour E et T

fix6s,

on fait varier

tR2

de

22,5

ps à

22,5

s en

gardant tRl

constant

6gal

a

2,25

ms. Nous

avons choisi ces valeurs pour comparer nos résultats a ceux établis par Tambovtsev pour le sulfate de

triglycine [3].

Les résultats sont

qualitativement

semblables : le courant de basculement

qui

suit le

temps

de

repos constant

(tR1) garde

une forme invariable

(IMh tBI, tM1

sont

constants) ;

- la forme du courant

qui

suit le

temps

de repos variable

(tR2)

n’est pas constante. La

figure

9 donne

la variation du courant maximum ainsi que celle du facteur k en fonction de

tR2.

Conclusion.

- L’étude du courant de basculement du

ferroélectrique YMnO3

soumis a un

champ

constant

permet de formuler

1’hypothese

que le m6canisme du

renversement de la

polarisation

est domin6 par la nucleation aux faibles

champs

et par le

deplacement

des

parois

pour des

champs sup6rieurs

a la moiti6

du

champ

d’activation. La reduction du

temps

de repos entre retournement des domaines a pour effet de diminuer le

temps

de basculement et de favoriser le

deplacement

des

parois.

Nous remercions M. le Professeur Bertaut pour les

pr6cieuses

remarques

qu’il

a bien voulu formuler lors de 1’elaboration de cette etude.

Manuscrit requ le ler d6cembre 1966.

BIBLIOGRAPHIE

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FATUZZO

(E.), Phys.

Rev., 1962, 127, 1999.

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YAKEL

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Références

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