• Aucun résultat trouvé

EFFET DE CONTRAINTE EN PRÉSENCE DE CHAMP MAGNÉTIQUE DANS LES MATÉRIAUX FERROMAGNÉTIQUES (EFFET CHAMP-CONTRAINTE)

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Partager "EFFET DE CONTRAINTE EN PRÉSENCE DE CHAMP MAGNÉTIQUE DANS LES MATÉRIAUX FERROMAGNÉTIQUES (EFFET CHAMP-CONTRAINTE)"

Copied!
3
0
0

Texte intégral

(1)

HAL Id: jpa-00213954

https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00213954

Submitted on 1 Jan 1971

HAL

is a multi-disciplinary open access archive for the deposit and dissemination of sci- entific research documents, whether they are pub- lished or not. The documents may come from teaching and research institutions in France or abroad, or from public or private research centers.

L’archive ouverte pluridisciplinaire

HAL, est

destinée au dépôt et à la diffusion de documents scientifiques de niveau recherche, publiés ou non, émanant des établissements d’enseignement et de recherche français ou étrangers, des laboratoires publics ou privés.

EFFET DE CONTRAINTE EN PRÉSENCE DE CHAMP MAGNÉTIQUE DANS LES MATÉRIAUX

FERROMAGNÉTIQUES (EFFET CHAMP-CONTRAINTE)

O. Yamada, Nguyen Dang

To cite this version:

O. Yamada, Nguyen Dang. EFFET DE CONTRAINTE EN PRÉSENCE DE CHAMP MAGNÉ- TIQUE DANS LES MATÉRIAUX FERROMAGNÉTIQUES (EFFET CHAMP-CONTRAINTE).

Journal de Physique Colloques, 1971, 32 (C1), pp.C1-392-C1-393. �10.1051/jphyscol:19711136�. �jpa-

00213954�

(2)

JOURNAL DE PHYSIQUE Colloque C 1, supplément au n° 2-3, Tome 32, Février-Mars 1971, page C l - 392

EFFET DE CONTRAINTE EN PRÉSENCE DE CHAMP MAGNÉTIQUE DANS LES MATÉRIAUX FERROMAGNÉTIQUES

(EFFET CHAMP-CONTRAINTE)

par O. YAMADA et NGUYEN VAN DANG

Laboratoire d'Electrostatique et de Physique du Métal, cedex n° 166, 38-Grenoble-Gare

Résumé. — L'effet de contrainte en présence de champ magnétique existe dans tous les matériaux ferromagnétiques.

Dans le Domaine de Rayleigh l'effet est proportionnel à la valeur de l'aimantation, tandis qu'en dehors du domaine de Rayleigh il est proportionnel à la susceptibilité différentielle totale.

Cet effet de contrainte est interprété par un modèle selon lequel des parois retenues par des obstacles sont libérées par une application de contrainte.

Abstract. — The stress effect under a magnetic field occurs in ail ferromagnetic materials. In the Rayleigh region this effect is proportional to the value of magnetization, whereas in the outside of the Rayleigh region it is proportional to the total differential susceptibility.

This stress effect is interpreted by the model in which magnetic walls retained by obstacles will be free by application of stress.

I. Introduction. — Depuis longtemps on sait qu'une contrainte élastique à champ magnétique constant provoque une variation d'aimantation d'un matériau ferromagnétique. Ce phénomène a été interprété par Brown [1] et par Brugel et Rimet [2]. dans un modèle des parois, en supposant qu'une contrainte engendre une force magnétoélastique sur les parois à 90°, tandis qu'elle n'a aucun effet sur les parois à 180°.

D'après l'interprétation ci-dessus il ne devrait y avoir aucun effet de contrainte dans le cobalt hexa- gonal, puisqu'il n'y a que des parois à 180° dans cet échantillon par suite de l'anisotropie magnétocris- talline uniaxiale. Cependant en réalité il existe un effet important de contrainte dans Un cobalt hexagonal polycristallin [3] [4]. Nous avons aussi réussi à mesurer l'effet de contrainte avec un échantillon de cobalt monocristallin (longueur : 45 mm ; section : 12,1 mm2 ; champ coercitif : 0,27 Oe) dont la direction longitu- dimale est dirigée suivant l'axe c. L'effet de contrainte bien que soit très petit (1,2 x 1 0- 2 u. e. m.), existe quand même nettement dans un tel échantillon mono- cristallin [5].

II. Lois de l'effet champ-contrainte. — L'effet de contrainte qu'on mesure dans un cobalt hexagonal s'observe en principe dans tous les matériaux ferro- magnétiques uniquement en présence de champ magné- tique appliqué, c'est la raison pour laquelle on l'appelle « effet champ-contrainte ».. •

D'après les expériences on a constaté que l'effet champ-contrainte F(aa ab) se produisant dans le cas où la contrainte varie de <ra à ab, est toujours propor- tionnel à l'amplitude de la variation de contrainte a, quel que soit le signe de la variation. Dans le domaine de Rayleigh l'effet est proportionnel à la valeur de l'aimantation / , tandis qu'en dehors du domaine de Rayleigh il est proportionnel à la susceptibilité diffé- rentielle totale Xtot- On a donc dans le domaine de Rayleigh la loi suivante :

F(paob) = F{phoà = KaJ<j (1) où K„ est une constante. Cependant, en dehors du

domaine de Rayleigh on trouve une autre loi

Hffa 0b) = F(?b O = hP xtoi a (2)

où hF est une autre constante. Pour les deux cas on désigne par a

a = | <7b - <ra | (3) Nous avons montré sur la figure 1 les résultats expé-

rimentaux correspondant à la formule (2) sur un

1 1 i

i

A

/il t i * rev v

1*- 1 l 1 1 1 l i l . . . .

- • " ô "

4i

C k UEM

U.

f 1

*»•

i

'"'"

k

)

. Effet

* >

O o

8 - % - 1

de contrainte

0 m"

J*-'

0

"J""~

o

. >

> - ' * •

0

£

I

3P

,^-** '

^ .

. >

-«r °

£6

0

o _

;

- 1

XA

, B

J

-

o^lrr

FIG. 1. — Valeurs de l'effet champ-contrainte en fonction de la susceptibilité pour différentes valeurs de contrainte dans,un cobalt hexagonal polycristallin. P correspond à 1,9 kg/mm2.

• pour l'application de tension. O pour la suppression de tension.

échantillon de cobalt hexagonal polycristallin à 99,99 % de cobalt.

III. Discussion. — Pour expliquer la relation entre les deux formules (1) et (2), on introduit l'existence de HF limite au-dessous de laquelle la loi (1) est valable et au-dessus de laquelle la formule (2) est applicable. On a donc une expression de la forme :

hF = KaHp (4) A titre d'exemple, pour le cobalt hexagonal poly- cristallin (He = 55 Oe) on a obtenu hF = 0,32 Oe et Ka = 0,014 ~ 0,018. On a donc Hp = 18 ~ 23 Oe.

Cette valeur est convenable puisque HF peut être considéré comme la limite du domaine de Rayleigh.

On sait que dans le domaine de Rayleigh il n'y a pas d'effet Barkhausen s'il s'agit de l'application de

Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/jphyscol:19711136

(3)

EFFET DE CONTRAINTE EN PRÉSENCE DE CHAMP MAGNÉTIQUE DANS LES MATÉRIAUX C 1

-

393

champ magnétique. Cependant l'effet Barkhausen se produit même dans le domaine de Rayleigh, lorsqu'on applique une contrainte en présence de champ magné- tique. Cet effet Barkhausen est un processus de libé- ration des parois retenues par des obstacles, par suite de l'influence de la force magnétoélastique due à la contrainte appliquée o sur les moments magnétiques des spins de l'intérieur des parois. Etant donné que cette force magnétoélastique est proportionnelle à 3 il, 012 J,, on prévoit que l'effet est à peu près propor- tionnel à la valeur absolue de la magnétostriction

1

ils 1. C'est-à-dire,

K o = k l h , I ( 5 )

où k est une constante, comme le montre la figure 2 nous avons vérifié cette relation sur différents échan-

tillons d'alliage Fe-Ni qui sont tréfilés dans les mêmes

m.

2. - Constante de l'effet champ-contrainte en font- en l'effet de du tion de la magnétostriction) As] pour différents échantillons de

type Brown. permalIoy trénlés dans les mêmes conditions.

Bibliographie

[l] BROWN (W. F.), Phys. Rev., 1949, 75, 147. [4] YAMADA (O.) et NGUYEN VAN DANG, C. R. Acad. Sci., [2] BRUGEL (L.) et RIMET (G.), J. Physique, 1966, 27,589. Paris, 1969, 268B, 371.

[3] YAMADA (O.), C. R. Acad. Sci., Paris, 1967,264B, 847. [5] YAMADA (O.) et NGUYEN VAN DANG, C. R. Acad. Sci., Paris, 1970, 270B, 441.

Références

Documents relatifs

Il  n'existe  donc  pas  de  risque  d'emballement  thermique.  Il  est  donc  possible  de  connecter  plusieurs  transistors  MOS  en  parallèle  pour  augmenter 

• Comme les BJT, on peut utiliser les transistors CMOS pour l’amplification. • L’amplification se fait

• L’effet de champ est la variation de la conductance d’un canal, dans un semi- conducteur, par l’application d’un champ électrique.. Grille contrôle

Lorsque aucune tension V GS n'est appliquée entre Gate et Source, alors qu'une tension V DS positive est présente entre Drain et Source, la diode Substrat (relié à la Source) -

Pour une tension V GS = V P , la zone de charge d'espace envahit tout le canal et le courant ne circule plus dans le canal... Le passage de ce courant dans la résistance du

Pour les tensions V DS faibles, le canal se comporte comme une résistance ohmique dont la valeur est fonction de sa section et donc de la tension inverse entre la grille et

Pour les tensions V DS faibles, le canal se comporte comme une résistance ohmique dont la valeur est fonction de sa section et donc de la tension inverse entre la grille et

Un transistor à effet de champ est un composant semi-conducteur (qui conduit sur commande) comme c’est le cas pour un transistor bipolaire. Un transistor à effet de champ à