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Convertisseurs DC/DC à base de HFETs GaN pour applications spatiales

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Academic year: 2021

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Figure 1.1.4 – Récepteur RF complet, rassemblant les boitiers de différents éléments (photo Thales Alenia Space)
Figure 1.2.1 – Trajectoire d’un ion lourd à travers la structure NPN parasite d’un MOSFET de puissance vertical (schéma Johnson et al.)
Figure 1.3.3 – HFET GaN de puissance commercialement disponibles début 2015 : (a) EPC eGaN ; (b) GaN systems GaNpx
Table 1.3.1 – Comparaison des principales caractéristiques d’un FET GaN et de MOSFET silicium (V DS(max) = 100 V)
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