II.2. Module de puissance 3D basé sur un procédé de fabrication PCB
II.2.3. Module PCOC avec procédé de fabrication PCB
L’élaboration d’un module PCOC avec un procédé de fabrication PCB est le fruit d’une
collaboration avec le fabricant de circuit imprimé ELVIA PCB. Ce dernier apporte son
savoir-faire industriel pour le procédé de fabrication. Le but est de concevoir le module à partir d’un
procédé standard avec le moins de modifications additionnelles pour assurer une fabrication
à faible coût et la plus industrielle possible. Le module PCOC implique de superposer deux
puces à l’intérieur d’une couche diélectrique, ce qui est un vrai challenge technologique.
Les dimensions et les caractéristiques mécaniques des puces à encapsuler sont présentées
en Figure 75 et Figure 76. La face arrière, correspondant au drain du MOSFET, a une
dimension de 3.1mm x 3.36mm. La face avant a deux plots pour la source, de dimension
1.04mm x 1.43mm, et un plot pour la grille, de dimension 0.8mm x 0.5mm. L’espacement
entre la grille et la source est de seulement 100µm.
Figure 75: Dimensions de la
puce CPM2-1200-0080B Figure 76: Paramètres mécaniques de la puce CPM2-1200-0080B
Le micro-via est retenu comme solution pour interconnecter les différents plots avec le reste
du circuit. Une grande densité de micro-via est requise sur le drain et la source pour assurer
une faible résistance électrique et une bonne conduction de la chaleur. Cependant, le
perçage laser apparaît comme un point critique pour l’intégrité de la puce. Deux types de
métallisation sont présents sur la puce : Nickel/Argent en face arrière et Aluminium en face
avant. Ils correspondent au standard pour un report par brasure en face arrière et fils de
bonding en aluminium en face avant. Nous allons donc aussi évaluer l’impact du perçage
laser et de la recharge de cuivre électrolytique sur l’intégrité de la puce et la bonne
connexion électrique.
L’épaisseur des couches de cuivre de l’entrée de puissance et de la sortie doit être
suffisamment grande pour assurer une faible résistance électrique et une bonne évacuation
de la chaleur. Le courant d’entrée du module a été évalué à 25Arms et le courant de sortie à
72Arms. A partir des recommandations du fabricant de circuit imprimé sélectionné pour le
projet, et pour faciliter la réalisation du premier prototype, une épaisseur de 210µm est
sélectionnée. A titre de comparaison, l’épaisseur de la couche de cuivre d’un DBC pour un
module de puissance est classiquement de 300µm.
Finalement, avec les précisions apportées précédemment, un procédé de fabrication a été
développé pour la réalisation d’un module PCOC. Les différentes étapes sont indiquées
Chapitre II : Conception du module de puissance 3D 71
Figure 77: Procédé de fabrication simplifié d'un module PCOC· Etapes 1, 2 et 3
Une couche de prepreg est découpée à la dimension de la puce puis cette dernière est
insérée à l’intérieur.
· Etape 4
Deux laminés simple face sont ensuite reportés de chaque côté de la couche où est insérée
la puce afin de l’enterrer complètement.
· Etape 5
Chapitre II : Conception du module de puissance 3D 72
· Etape 6
Les vias sont remplis par recharge électrolytique de cuivre. La puce est donc maintenant
interconnectée aux plans de cuivre supérieur et inférieur. La suite du procédé est celle
classiquement utilisé pour les circuits imprimés multicouches.
· Etape 7
Un laminé double face est stratifié en face arrière de la puce pour réaliser le circuit de grille.
Le laminé double face utilisé pour le routage du circuit de grille permet de superposer les
pistes grille et kelvin source l’une sur l’autre afin de limiter l’inductance parasite et d’éviter le
couplage capacitif entre grille et drain. Le tout assure une reprise de connexion externe pour
le circuit de commande rapprochée.
· Etapes 8 et 9
Les étapes de perçage laser et remplissage de cuivre pour le circuit de grille (grille et Kelvin
source) et la source sont effectuées.
· Etapes 10, 11 et 12
Les couches de cuivre épais pour le drain et la source sont stratifiées, percées et remplies
de cuivre.
· Etape 13
Une prepreg conductrice thermique et électrique est appliquée sur la face inférieure du
demi-module.
· Etape 14
Enfin, une dernière étape de stratification permet d’assembler deux demi-modules
quasi-identiques pour former un assemblage PCOC. La couche supérieure du module complet
correspond à l’entrée de puissance positive, le centre du module correspond à la sortie de
puissance et la couche inférieure correspond à l’entrée de puissance négative.
La fabrication du module ne requiert aucune étape de soudure ou de brasure grâce
notamment à l’interconnexion de la puce par micro-via. La construction d’un sous-module est
symétrique ; la couche de la puce et le laminé du circuit de grille ont une épaisseur similaire
et le tout est pris en sandwich entre deux couches de cuivre épais. D’un point de vue
mécanique, l’assemblage symétrique évite le gauchissement du module par annulation des
contraintes mécaniques. Le module complet est l’addition de deux sous-modules avec le
même procédé de fabrication ce qui permet de limiter le coût de fabrication.
Une vue 3D du module complet avec ses condensateurs de découplage est présentée en
Figure 78. L’échelle n’est pas respectée dans cette vue. Le schéma électrique associé au
module complet est présenté en Figure 79. Comme exposé précédemment, le module
complet est l’assemblage de deux sous-modules qui incluent chacun quatre puces MOSFET
SiC en parallèle. On retrouve donc quatre cellules de commutation associées en parallèle.
Sans prendre en compte la connectique, le module a une forme parallélépipédique de
surface 30mm x 30mm et de 2mm d’épaisseur. Les cellules de commutation sont disposées
d’une manière symétrique (chaque carré dans la Figure 78 représente l’emplacement d’une
Chapitre II : Conception du module de puissance 3D 73
cellule de commutation). Avec cet agencement, on retrouve deux cellules de commutation,
dites « amont », directement en face des entrées de puissances tandis que deux cellules de
commutation, dites « aval », sont en retrait des entrées de puissance. Des condensateurs de
découplage céramiques de type CMS sont rajoutés sur le bord du module afin de symétriser
au maximum la maille de commutation de chaque cellule.
Figure 78: Vue 3D du module complet avec les condensateurs de découplage sur la tranche
Figure 79: Schéma électrique du module complet
La surface du module a été choisie de manière arbitraire et ne correspond pas à une
optimisation électrothermique. Le but premier de ces travaux est de valider le procédé de
fabrication tout en analysant le comportement électrique et thermique d’un tel module. Dans
la suite de ce chapitre, les différentes analyses menées en simulation conduisent à des
éléments d’optimisation. On retrouvera le compromis entre optimisation thermique, qui vise à
augmenter la surface d’échange thermique et à éloigner les puces les unes des autres, et
optimisation électrique qui vise à réduire les dimensions du module pour diminuer
l’impédance parasite de la maille de commutation.
30mm
30mm
2mm
+DC bus
-DC bus
Sortie
Circuit de grille HS
Circuit de grille LS
Condensateur de
découplage
Chapitre II : Conception du module de puissance 3D 74
Dans le document
Onduleur à forte intégration utilisant des semi-conducteurs à grand gap
(Page 73-77)