[PDF] Top 20 Pépite | Amplificateurs de puissance à transistors GaN
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Pépite | Amplificateurs de puissance à transistors GaN
... Commençons par les magnétrons. Un magnétron est un tube à vide sans grille d’arrêt, avec une cathode centrale chauffée par un filament, et une anode massique et concentrique munie de plusieurs cavités résonnantes. Ces ... Voir le document complet
253
Pépite | Caractérisations de composants et Conceptions de circuits à base d’une filière émergente AlN/GaN pour applications de puissance en gamme d’ondes millimétriques
... forte Puissance en gamme d’ondes ...de puissance qu’est capable de générer la technologie GaN a rendu le développement de ce banc indispensable et relativement ...en puissance ajoutée PAE de ... Voir le document complet
147
Pépite | Fabrication et caractérisation de dispositifs de type HEMT de la filière GaN pour des applications de puissance hyperfréquence
... Les mesures du coefficient de transmission conduites sur cet échantillon (figure 3.9) mettent en évidence des pertes importantes allant jusque -10 dB/mm à 40 GHz, ce qui est loin d’être acceptable pour la conception de ... Voir le document complet
227
Pépite | Conception et réalisation de composants GaN innovants pour les applications de conversion de puissance au-delà du kilovolt
... de puissance, impliqués dans l’alimentation électrique d’un nombre croissant d’applications, et pouvant être à l’origine de pertes énergétiques non ...de puissance comme étant divisé en plusieurs filières ... Voir le document complet
150
Pépite | Caractérisation et modélisation de dispositifs GaN pour la conception de circuits de puissance hyperfréquence
... épaisse d’environ 1 nm permettant à la fois d’augmenter la discontinuité de bandes de conduction (largeur de bande interdite de l’AlN : 6.2 eV) et de limiter la rugosité d’interface. La forte valeur de bande interdite ... Voir le document complet
207
Pépite | Fabrication de transistors HEMTs AlGaN/GaN de haute fiabilité sur substrat free-standing GaN de haute qualité
... substrat GaN, une étude de la fiabilité des dispositifs réalisés permettra d’évaluer l’influence du substrat de croissance sur leur ...des transistors aux grilles ... Voir le document complet
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Pépite | Modélisation et caractérisation thermique de transistors de puissance hyperfréquence GaN et conséquences sur la fiabilité de modules radars d’émission/réception en bande X
... les transistors que nous avons utilisés dans cette thèse et pour les tensions appliquées sur la grille et sur le drain (V DS = 25 V et V GS = -4 V à -2 V), des simulations physiques ont été réalisées par ... Voir le document complet
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2011 — Modélisation électrothermique de transistors en technologie GaN
... Cette méthode est importante pour prédire la linéarité du dispositif en grand-signal. Donc son point de fonctionnement devra changer avec le niveau de puissance ou du réglage. La technique loadpull fournie aussi ... Voir le document complet
91
2019 — Amélioration du rendement énergétique des amplificateurs de puissance microondes par conversion et recyclage de l'énergie thermique
... de puissance et le µTEG Généralement, le transistor d’un amplificateur de puissance RF opère nominalement à des températures ...JFET Transistors GaN HEMT Die DC- 18GHz, 6 Watt de Cree, Inc ... Voir le document complet
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Pépite | Techniques de mesure du facteur de bruit et des paramètres de bruit des amplificateurs différentiels
... 1.2 Definition of noise in electronics In common language, noise refers to a loud, unpleasant or disturbing sound. In modern communications, noise is used to designate, not sound itself, but the per- turbations that ... Voir le document complet
130
Etude des mécanismes de formation des contacts ohmiques pour des transistors de puissance sur Nitrure de Gallium
... Par ailleurs, la comparaison des deux profils de composition sur substrat SiN x (Figure 4.35 ) et AlGaN (Figure 4.47 ) r´ ev` ele qu’une quantit´ e plus ´ elev´ ee d’azote a diffus´ e dans le premier cas. Cette remarque ... Voir le document complet
243
Optimisation technologique des transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs/GaAlAs
... L’archive ouverte pluridisciplinaire HAL, est destinée au dépôt et à la diffusion de documents scientifiques de niveau recherche, publiés ou non, émanant des établissements d’enseignemen[r] ... Voir le document complet
187
Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) pour l'électronique de puissance
... Figure I.7 : Localisation des différentes zones de claquage dans un transistor VDMOS ou un IGBT. Compte tenu de la structure multicellulaire des diffusions P qui constituent les caissons de canal, c’est sur les bords du ... Voir le document complet
178
Étude des propriétés physiques et nouvelle modélisation SPICE des transistors FLIMOS de puissance
... les transistors MOS de ...des transistors haute tension, et pour tenir compte du phénomène de quasi-saturation, des auteurs ont modélisé cette zone par une résistance non- linéaire [21], ... Voir le document complet
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Mesure de la température de transistors de type HEMT AlGaN/GaN en régime de fonctionnement hyperfréquence
... 37 un pont de Wheatstone. Le capteur est donc utilisé ici comme un élément chauffant. Le capteur est fabriqué sur le matériau à caractériser. Une source de tension impulsionnelle est utilisée pour échauffer le capteur. ... Voir le document complet
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Design-space and scalable technology for GaN based power transistors
... Characteristics of ideal transistor power switch and typical power switch The chief contributor to the total on resistance in medium and high voltage transistors is the resistance [r] ... Voir le document complet
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Deeply-scaled GaN high electron mobility transistors for RF applications
... In addition, thanks to the flat extrinsic gm, the fT of the nanowire channel device showed a high linearity over a wide gate bias range although the maximum value wa[r] ... Voir le document complet
180
Caractérisation et modélisation de dispositifs GaN pour la conception de circuits de puissance hyperfréquence
... en puissance en bande W sont ...en puissance permettrait d’atteindre des puissances de sortie en saturation notablement plus ...en puissance augmentant les niveaux de puissance de sortie du ... Voir le document complet
207
Développement de procédés de gravure plasma sans dommage pour l'électronique de puissance à base de GaN
... Figure 104 : Compositions chimiques des échantillons de GaN avant gravure, après une étape de chloration et après un cycle Cl 2 -Ar, mesurées par XPS ex-situ avec une source Al et un angle de sortie de 30°. La ... Voir le document complet
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Gravure de semiconducteurs à large bande interdite III-N pour les transistors Normally-OFF à base de GaN/Algan
... mW). La vitesse de gravure est de l’ordre de quelques 100 Å/min avec HCl, et quelques 1000 Å/min avec KOH. Les trous générés par la lumière assistent l’oxydation de Ga et donc sa dissolution dans la solution. Des couches ... Voir le document complet
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