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Gravure de semiconducteurs à large bande interdite III-N pour les transistors Normally-OFF à base de GaN/Algan

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Academic year: 2021

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Figure

Figure 1 : Données mesurées du taux de gravure par cycle pour un temps de plasma BCl 3 fixe et un temps de plasma d'oxygène variable
Figure 3: Rugosité Rms en fonction de la puissance de polarisation.
Figure 5: Rugosité RMS en fonction de la chimie.
Figure 7: Vitesse de gravure de GaN, Al 0.25 Ga 0.75 N et AlN avec divers débits d'O2 inférieurs à 40sccm Cl 2
+7

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