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Etude de l'intérêt de la montée en tension du bus DC pour minimiser les pertes dans l'onduleur d'un véhicule électrique

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Academic year: 2021

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HAL Id: tel-01727658

https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01727658

Submitted on 9 Mar 2018

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Etude de l’intérêt de la montée en tension du bus DC pour minimiser les pertes dans l’onduleur d’un véhicule

électrique

Dounia Oustad

To cite this version:

Dounia Oustad. Etude de l’intérêt de la montée en tension du bus DC pour minimiser les pertes dans l’onduleur d’un véhicule électrique. Autre. Université Paris Saclay (COmUE), 2018. Français. �NNT : 2018SACLN008�. �tel-01727658�

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Etude de l’intérêt de la montée en tension du bus DC pour minimiser les pertes dans l’onduleur d’un véhicule électrique

Thèse de doctorat de l'Université Paris-Saclay préparée à l'École normale supérieure de Cachan (École normale supérieure Paris-Saclay)

École doctorale n° 575 : Electrical, Optical, Bio- physics and Engineering (EOBE)

Spécialité de doctorat: Génie électrique

Thèse présentée et soutenue à Cachan, le 02 février 2018, par

M

me

Dounia OUSTAD

Composition du Jury :

Demba DIALLO

Professeur des universités, Univ Paris-Sud (GeePs-CentraleSupelec) Président du jury Stéphane RAEL

Professeur des universités, Univ. Lorraine, (laboratoire GREEN) Rapporteur Yvan AVENAS

Maître de conférences, Grenoble INP (laboratoire G2ELAB) Rapporteur Arnaud GAILLARD

Maître de conférences, Univ. UTBM (laboratoire Femto-ST) Examinateur Stéphane LEFEBVRE

Professeur des universités, CNAM Paris (laboratoire SATIE) Directeur de thèse Mickael PETIT

Maître de conférences, CNAM Paris (laboratoire SATIE) Encadrant de thèse

NNT : 2018SACLN008

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φ

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φ

φ

φ

φ

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α η 𝜑

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ModulesSpécificité Avantages

Inconvénients

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μ

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λ 𝜀𝑟

𝜀𝑟

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{

𝑉𝑎𝑛(𝑡) = 𝑉𝑎𝑜(𝑡) − 𝑉𝑛𝑜(𝑡) 𝑉𝑏𝑛(𝑡) = 𝑉𝑏𝑜(𝑡) − 𝑉𝑛𝑜(𝑡) 𝑉𝑐𝑛(𝑡) = 𝑉𝑐𝑜(𝑡) − 𝑉𝑛𝑜(𝑡)

𝑉𝑎𝑛(𝑡) + 𝑉𝑏𝑛(𝑡) + 𝑉𝑐𝑛(𝑡) = 𝑉𝑎0(𝑡) + 𝑉𝑏0+ 𝑉𝑐0− 3𝑉𝑛𝑜

𝑉𝑎𝑛(𝑡) + 𝑉𝑏𝑛(𝑡) + 𝑉𝑐𝑛(𝑡) = 0 𝑉𝑛0(𝑡) =1

3 (𝑉𝑎𝑜+ 𝑉𝑏𝑜+ 𝑉𝑐0)

(53)

(𝑉𝑎𝑛 𝑉𝑏𝑛 𝑉𝑐𝑛

) = 1

3( 2 −1 −1

−1 2 −1

−1 −1 2

) (𝑉𝑎0 𝑉𝑏0 𝑉𝑐0 )

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𝑃𝑐𝑝𝑛(𝑖𝑐(𝑡), 𝑇𝑗, 𝑉𝑔𝑎𝑡𝑒) = 1

𝑇∫ 𝑉𝑇 𝑐𝑒(𝑖𝑐(𝑡), 𝑇𝑗, 𝑉𝑔𝑎𝑡𝑒). 𝑖𝑐(𝑡)𝑑𝑡

0

𝑃𝑐𝑓𝑒𝑡(𝑖𝑑(𝑡), 𝑇𝑗, 𝑉𝑔𝑎𝑡𝑒) = 1

𝑇∫ 𝑅𝑇 𝑑𝑠,𝑜𝑛(𝑖𝑑(𝑡), 𝑇𝑗, 𝑉𝑔𝑎𝑡𝑒). 𝑖𝑑2(𝑡)𝑑𝑡

0

𝑅𝑑𝑠,𝑜𝑛(𝑖𝑑(𝑡), 𝑇𝑗, 𝑉𝑔𝑎𝑡𝑒) =𝜕𝑉𝑑𝑠(𝑖𝑑(𝑡),𝑇𝜕𝑖 𝑗,𝑉𝑔𝑎𝑡𝑒)

𝑑

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𝑃𝑐𝑝𝑛,𝑙𝑖𝑛(𝐼𝑐,𝑎𝑣𝑔, 𝐼𝑐,𝑟𝑚𝑠) = 𝑉𝑓𝑤. 𝐼𝑐,𝑎𝑣𝑔+ 𝑅𝑓𝑤. 𝐼𝑐,𝑟𝑚𝑠2 𝑃𝑐𝑓𝑒𝑡,𝑙𝑖𝑛(𝐼𝑑,𝑟𝑚𝑠) = 𝑅𝑑𝑠,𝑜𝑛. 𝐼𝑑,𝑟𝑚𝑠2

(60)

𝑃𝑠𝑤(𝐼𝑜𝑛, 𝐼𝑜𝑓𝑓, 𝑉𝑜𝑛, 𝑉𝑜𝑓𝑓, 𝑇𝑗, 𝑉𝑔𝑎𝑡𝑒,𝑜𝑛, 𝑉𝑔𝑎𝑡𝑒,𝑜𝑓𝑓, 𝑅𝑔𝑎𝑡𝑒,𝑜𝑛, 𝑅𝑔𝑎𝑡𝑒,𝑜𝑛)

= 1

𝑇[ ∑ 𝐸𝑜𝑛(𝐼𝑜𝑛, 𝑉𝑜𝑛, 𝑇𝑗, 𝑉𝑔𝑎𝑡𝑒,𝑜𝑛, 𝑅𝑔𝑎𝑡𝑒,𝑜𝑛)

𝑁𝑠𝑤,𝑜𝑛

𝑖=1

+ ∑ 𝐸𝑜𝑓𝑓(𝐼𝑜𝑓𝑓, 𝑉𝑜𝑓𝑓, 𝑇𝑗, 𝑉𝑔𝑎𝑡𝑒,𝑜𝑓𝑓, 𝑅𝑔𝑎𝑡𝑒,𝑜𝑓𝑓)

𝑁𝑠𝑤,𝑜𝑓𝑓

𝑖=1

]

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𝜏𝐼 = 𝑅𝑖. 𝐶𝑖

𝜏𝐼 𝜏𝐼

(70)

𝑉𝑆𝐴𝑇= 𝐴𝐹𝐸𝑇(𝑇)(𝑉𝐺𝑆− 𝑉𝑃(𝑇))𝑀𝐹𝐸𝑇(𝑇)

𝐼𝑆𝐴𝑇= 𝐾(𝑇)

2 (𝑉𝐺𝑆− 𝑉𝑃(𝑇))𝑁𝐹𝐸𝑇(𝑇)

(71)

𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝑆𝐴𝑇

𝐼𝐷= 𝐼𝑆𝐴𝑇(1 + 𝐾𝐿𝑀. 𝑉𝐷𝑆)(2 − 𝑉𝐷𝑆 𝑉𝑆𝐴𝑇)(𝑉𝐷𝑆

𝑉𝑆𝐴𝑇) 𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝑆𝐴𝑇

𝐼𝐷= 𝐼𝑆𝐴𝑇(1 + 𝐾𝐿𝑀. 𝑉𝐷𝑆)

𝐼𝐶 = 𝐵𝑁(𝑇) . 𝐼𝐵

𝐼𝐵 = 𝐼𝑆𝐴𝑇𝐵𝐽𝑇(𝑇). (𝑒

𝑉𝐵𝐸

𝑀𝐵𝐽𝑇. 1𝑉𝑇− 1)

𝐼𝐹= 𝐼𝑆𝐴𝑇−𝐹 (𝑇). (𝑒𝑀𝑉𝐹𝐹.𝑉𝑇− 1)

𝑅𝐵𝑈𝐿𝐾= 𝑅𝐵−𝐹(𝑇)

√1 + 𝐼𝐼𝑁𝑂𝑀𝐹

(72)

𝐶(𝑉𝐽𝑁𝐶𝑇) = 𝐶0(𝐷𝐸𝐿𝑇𝐴 + 1 − 𝐷𝐸𝐿𝑇𝐴 (1 −𝑉𝐽𝑁𝐶𝑇

𝑉𝐷𝐼𝐹𝐹)𝐴𝐿𝑃𝐻𝐴 )

𝐶(𝑉𝐽𝑁𝐶𝑇) = 𝐶0(1 + (𝐵𝐸𝑇𝐴 − 1)(1 − 𝑒

−𝑉𝐽𝑁𝐶𝑇𝐴𝐿𝑃𝐻𝐴.(1−𝐷𝐸𝐿𝑇𝐴) (𝐵𝐸𝑇𝐴−1)𝑉𝐷𝐼𝐹𝐹 )

(73)

𝐶𝐷𝐼𝐹𝐹= 𝑇𝐴𝑈.𝑖(𝑡) + 𝐼𝑆𝐴𝑇 𝑀. 𝑉𝑇

𝑅𝐷𝐴𝑀𝑃 = 𝐷𝐴𝑀𝑃𝐼𝑁𝐺. √ 𝐿 𝐶(𝑉)

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𝑑𝑉𝐶𝐸

𝑑𝑡 |𝑚𝑎𝑥 = 30 𝑘𝑉/µ𝑠

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(81)

𝑃𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙𝑒 = 𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑+ 𝑃𝑐𝑜𝑚𝑚

∆𝑇 = 𝑇𝑗− 𝑇ℎ𝑠= 𝑅𝑡ℎ . 𝑃𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙𝑒

(82)

𝑚25(𝑇𝑗) = (𝑇𝑗− 125) ∗ (𝑇𝑗− 150) (25 − 125) ∗ (25 − 150)

𝑚125(𝑇𝑗) = (𝑇𝑗− 25) ∗ (𝑇𝑗− 150) (125 − 25) ∗ (125 − 150)

𝑚150(𝑇𝑗) = (𝑇𝑗− 125) ∗ (𝑇𝑗− 25) (150 − 25) ∗ (150 − 125)

𝐼𝐶,𝑇𝑗 = 𝑖25∗ 𝑚25(𝑇𝑗) + 𝑖125∗ 𝑚125(𝑇𝑗) + 𝑖150∗ 𝑚150(𝑇𝑗)

(83)

𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑_𝑇1= 𝑉𝑜_𝑇1(𝑇𝑗). < 𝑖𝑇1 > + 𝑟𝑑(𝑇𝑗). 𝐼𝑇1_𝑒𝑓𝑓²

(84)
(85)

𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑_𝐷1= 𝑉𝑜𝐷1(𝑇𝑗). < 𝑖𝐷1> + 𝑟𝑑(𝑇𝑗). 𝐼𝐷1_𝑒𝑓𝑓²

(86)

𝑃𝑐𝑜𝑛𝑑_𝐷1= 𝑉𝑜𝐷1(𝑇𝑗). < 𝑖𝐷1> + 𝑟𝑑(𝑇𝑗). 𝐼𝐷1_𝑒𝑓𝑓²

𝑚125(𝑇𝑗) = (𝑇𝑗− 25) ∗ (𝑇𝑗− 150) (125 − 25) ∗ (125 − 150)

𝑚150(𝑇𝑗) = (𝑇𝑗− 125) ∗ (𝑇𝑗− 25) (150 − 25) ∗ (150 − 125) 𝐸𝑇𝑗(𝐼𝐶, 𝑇𝑗)

𝐸𝑇𝑗(𝐼𝐶, 𝑇𝑗) = 𝐸125(𝐼𝐶) ∗ 𝑚125(𝑇𝑗) + 𝐸150(𝐼𝐶) ∗ 𝑚150(𝑇𝑗)

(87)

𝐸𝑂𝑁(𝑇𝑗, 𝐼𝐶, 𝑉𝐵𝑈𝑆) = 𝑉𝐵𝑈𝑆

𝑉𝑟𝑒𝑓(𝑎(𝑇𝑗). 𝑖3(𝑡) + b(𝑇𝑗). 𝑖2(𝑡) + c(𝑇𝑗). 𝑖(𝑡) + 𝑑(𝑇𝑗)) 𝐸𝑂𝐹𝐹(𝑇𝑗, 𝐼𝐶, 𝑉𝐵𝑈𝑆) = 𝑉𝐵𝑈𝑆

𝑉𝑟𝑒𝑓(𝑒(𝑇𝑗). 𝑖3(𝑡) + 𝑓(𝑇𝑗). 𝑖2(𝑡) + 𝑔(𝑇𝑗). 𝑖(𝑡) + h(𝑇𝑗))

𝑃𝑐𝑜𝑚𝑚𝑢𝑡𝑇𝑚 = 𝑓𝑑× 1

𝑇𝑚. ∫( 𝐸𝑂𝑁(𝑡) + 𝐸𝑂𝐹𝐹(𝑡) ) . 𝑑𝑡

(88)
(89)

𝐸𝑟𝑒𝑐(𝑇𝑗, 𝐼𝐶, 𝑉𝐵𝑈𝑆)

= 𝑉𝐵𝑈𝑆

𝑉𝑟𝑒𝑓(𝑥1 (𝑇𝑗). 𝑖3(𝑡) + 𝑥2(𝑇𝑗). 𝑖2(𝑡) + 𝑥3(𝑇𝑗). 𝑖(𝑡) + 𝑥4(𝑇𝑗))

𝑃𝑟𝑒𝑐𝑇𝑚 = 𝑓𝑑× 1

𝑇𝑚. ∫ 𝐸b 𝑟𝑒𝑐(𝑡). 𝑑𝑡

a

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(100)

𝜋

(101)

𝜋

(102)

𝐺 = 𝑖 𝑉𝑒= 1

50

20. log10(1 50)

1 2. 𝑉𝑒

′𝑅 = 1 2. 𝑅50. 𝐼

′𝑇= 𝐺𝑇. 𝐺𝑆. 𝐼

′𝑇′

′𝑅′=2. 𝐺𝑇. 𝐺𝑆. 𝐼 𝑅50. 𝐼

𝐺𝑆= ′𝑇′

′𝑅′ . 𝑅50 2. 𝐺𝑇

𝐺𝑆= (′𝑇

′𝑅)𝑑𝐵− 3𝑑𝐵− 20. 𝑙𝑜𝑔10(1

50) − 20. 𝑙𝑜𝑔10(𝐺𝑇)

(103)

𝐺𝑆 = (′𝑇

′𝑅)𝑑𝐵− 3𝑑𝐵− 20. 𝑙𝑜𝑔10(1

50) − 3𝑑𝐵

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𝐸𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙𝑒(𝑇𝑗, 𝐼𝐶, 𝑉𝑏𝑢𝑠, 𝑅𝐺) = 𝑋(𝑇𝑗, 𝐼𝐶) ∗ 𝑌(𝑉𝑏𝑢𝑠) ∗ 𝑍(𝑅𝐺, 𝐼𝐶, 𝑇𝑗)

𝑍(𝑅𝐺, 𝑇𝑗, 𝐼𝐶) X(𝑇𝑗, 𝐼𝐶). 𝑌(𝑉𝐵𝑈𝑆) =𝑉𝐵𝑈𝑆

𝑉𝑟𝑒𝑓(𝑎(𝑇𝑗). 𝑖3(𝑡) + b(𝑇𝑗). 𝑖2(𝑡) + c(𝑇𝑗). 𝑖(𝑡) + 𝑑(Tj))

(136)

𝑍(𝑅𝐺, 𝐼𝐶)

𝜕𝑍(𝑅𝐺, 𝐼𝐶)

𝜕𝑅𝐺 |

𝐼𝐶=𝑐𝑠𝑡

= 𝐶(𝐼𝐶)

𝑍(𝑅𝐺, 𝐼𝐶) = 1 + 𝐶(𝐼𝐶)(𝑅𝐺. −𝑅𝐺𝑟𝑒𝑓) 𝐼𝐶

(137)

𝐶(𝐼𝐶) = 𝜁. 𝐼𝐶 ζ

𝐸𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙(𝑇𝑗, 𝐼𝐶, 𝑉𝐵𝑈𝑆, 𝑅𝐺)

= 𝑉𝐵𝑈𝑆

𝑉𝑟𝑒𝑓 [(𝑎(𝑇𝑗). 𝑖3(𝑡) + b(𝑇𝑗). 𝑖2(𝑡) + c(𝑇𝑗). 𝑖(𝑡) + 𝑑(𝑇𝑗))

∗ (1 + 𝐶(𝐼𝐶). (𝑅𝐺. −𝑅𝐺𝑟𝑒𝑓)]

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ϕ

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α

²

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²

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α 𝜔

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²

²

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φ

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φ

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∆ ∆

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