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Etude de la variation de la différence d’énergie entre les
deux premières bandes de conduction du GaSb avec la
pression hydrostatique
G. Bougnot, M. Averous, J. Calas
To cite this version:
ÉTUDE
DE LAVARIATION
DE LADIFFÉRENCE
D’ÉNERGIE
ENTRE
LES DEUXPREMIÈRES
BANDES
DECONDUCTION
DUGaSb
AVEC
LAPRESSION
HYDROSTATIQUE
Par G.
BOUGNOT,
M. AVEROUS etJ.
CALAS,
Centre d’Études
d’Électronique
des Solides de Montpellier (associé au C.N.R.S.).(Reçu
le 10 avril 1969, révisé le 1-5juillet 1969.)
Résumé. 2014 Nous
développons
la théorie de la variation de 0394E, différenced’énergie
entre les bandes de conduction(000)
et(111)
d’un semiconducteur comme GaSb, avec lapression.
Pour cela, nous tenons
compte
des variations depopulation
et des variations de mobilité dechaque
bandelorsque
le niveau de Fermi et les masses effectives varient.Nous
appliquons
les résultatsthéoriques
obtenus au GaSb et nous confirmons que lesdeux bandes
(000)
et(111)
serapprochent lorsque
lapression
augmente [2],
[11], [14], [15].
La valeur
de d0394E/dP
trouvée est de 5,5 X 10-seV/bar
et est voisine de celle trouvée parKosicki
[9], [16]
qui
donne 5 10-6eV/bar,
ennégligeant
les variations de mobilité.Abstract. 2014 We
develop
thetheory
of the variations withhydrostatic
pressure of 0394E, the energy difference between the conduction bands(000)
and(111)
of a semiconductor such asGaSb.
We take into account the variations of
population
andmobility
of each band when the Fermi level and effective masseschange.
We
apply
the theoretical results to GaSb and we show that the two bands(000)
and(111)
get
nearer when pressure increases. Wefind d0394E/dP
equal
to 5.5 x 10-6eV/bar;
this value is closed to Kosicki’s result which is 5 10-6eV/bar,
if the variations ofmobility
areneglected.
I.
Introduction.
- Letenseur de
piézorésistance
aété défini
[1]
par la relation :bp
est la variation de la résistivité du matériau parapplication
d’unecontraintes
est le tenseur depiézorésistance ; K
est le tenseur de contrainte.Comme p
et K sont des tenseurssymétriques,
onpeut
les considérer comme des vecteurs à sixcompo-santes et l’on obtient :
Pour un matériau de
symétrie cubique
pi =P2 =
P3, P4 =
P5 =
P6 == 0 et le tenseur de
piézorésistance
seréduit à trois coefficients
indépendants
1tll, 7r~. Dans le cas d’unepression hydrostatique :
Nous
appliquons
despressions
suffisamment faibles pour que p varie linéairement avecP,
de telle sorteque le coefficient de
piézorésistance
obtenu sous pres-sionhydrostatique
est :03C0p est relié aux coefficients
indépendants
du tenseurde
piézorésistance
par la relation :Dans le cas d’une structure à deux bandes de
conduction,
tellequ’elle
seprésente
dans le GaSb :pLi et f.L2 : mobilités des bandes 1 et
2,
ni et n2 :
populations
des bandes 1 et2,
donc :
Nous allons traiter
séparément
ces deux termes.II. Piézorésistance due à la variation des
popula-tions. - Nous
employons
lastatistique
deFermi-Dirac,
posons :mi
etm~
sont les masses effectives des bandes 1 et 2. Comme la bande 2 située dans la direction(111)
est une bande multivallée avec des surfacesd’énergie
ellipsoïdales :
~/2
N~
est le nombre devallées;
mT, masse effectivetrans-versale ;
mL, masse effectivelongitudinale.
74
EF
estl’énergie
du niveau deFermi;
l’énergie
du bas de lapremière
bande deconduction;
E,,,
l’éner-gie
du bas de la deuxième bande de conduction. II .1. EFFET DÛ A LA VARIATION DE ET DE "1)2’-Nous supposons que le nombre total de
porteurs
dans la bande de conduction n’est pas modifié par lapression :
Si maintenant on tient
compte
uniquement
de la variation de la différenced’énergie
AE entre les bandes(AE = E~2
-on a :
avec :
Explicitons
àpartir
deséquations (1).
Posons :b 1*
McDougall
et Stoner[17]
ont montré que :Portons cette
expression
dansl’équation (3) :
TT. 1..
an1
Explicitons
ôp
et posons :on obtient :
Portons
(5)
dans(4),
on obtient :II .2. EFFET DÛ A LA VARIATION DE LA MASSE EFFEC-TIVE AVEC LA PRESSION. - Dans le
cas de la bande 1
qui
est une bandeisotrope,
située au centre de lapremière
zone deBrillouin,
on admet que[2] :
E~1
=largeur
de la bande interdite au centre de lapremière
zone de Brillouin.Dans le cas de la bande
2,
qui
est une bandemulti-vallée,
les calculs de structure de bande de Bordure[3]
montrent que seule la masse transversale mT est sen-sible à
Egz
et que mT ocEg2
vDes
expressions (7)
et(8)
nous déduisons la contri-bution à lapiézorésistance,
de la variation des popu-lations due à la variation de la masse effective avec lapression :
Q 1 1
La contribution totale à la
piézorésistance
due à la variation despopulations
est obtenue àpartir
desIII. Piézorésistance due à la variation des mobilités.
- L’étude des mobilités en fonction de la
température
effectuée par
J.
L. Robert[4]
montrequ’à
300 OK latempérature
est suffisamment élevée pour que toutesles
impuretés
soientionisées,
et les seuls modes dediffu-sion à considérer sont les modes
acoustiques,
d’où unevariation
de pL
enT-3’2.
Le
temps
de relaxation de ce processus a étécal-culé à
partir
de la théorie dupotentiel
dedéforma-tion
[5], [6], [7] :
: ... B / d = densité dusolide,
’ ’ u, = vitesse de l’ondeacoustique longitudinale,
E1
= variation del’énergie
du bord de la bande pour une dilatation unité.La mobilité de conductivité est donnée par
[8] :
III .1. EFFET DÛ A LA VARIATION DE LA
MOBILITÉ u1
DANS LA PREMIÈRE BANDE. - Dans le cas de lapremière
bande,
la masse effective estisotrope :
III.1.1. Variation de la mobilité avec la masse
effective.
- En
rappelant
que l’on admet que ml ocEg1,
nous avons donc :III .1. 2. Variation de la mobilité avec "1)1’ - Nous
avons vu que :
de même :
Remplaçons
2013~
arl’expression
trouvée[5] :
La variation totale de la
mobilité pLi
est donnée par leséquations (12)
et(13) :
111. 2. EFFET DÛ A LA VARIATION DE LA MOBILITÉ (~2 DE LA DEUXIÈME BANDE. - La deuxième bande
est
multivallée,
on va doncremplacer
m;-5/2
par* *2)
-1/2 ~ ( * -1
+
’) * -1)
.
mL mL .
III .2.1. Variation de ~,2 avec la masse
effective :
puisque
seulemm
varie avec lalargeur
de la bandeinterdite.
donc :
où K
représente
l’anisotropie
desellipsoïdes d’énergie.
III.2.2, Variation de ~2 avec ’YJ2’ - Un traitement
analogue
auparagraphe
III.1.1 nous donne :76
Des
équations (14)
et(17)
nous pouvons calculer la contribution à lapiézorésistance
provenant
dela variation des mobilités avec la
pression :
Les
équations (10)
et(18)
vont nous donner lapiézorésistance
totale. Enposant
que on obtient :On obtient pour la
piézorésistance
totale :IV. Résultats. - Nous
avons travaillé sur
quatre
échantillons detype
n. Ces échantillons ont étédécou-pés
par une usineuse àultrasons,
dans leslingots
deGaSb obtenus par
tirage (méthode
deCzochralski) ;
le GaSb étant naturellement detype p,
nous avons introduit dans lebain,
avant letirage,
du tellure commeimpureté
donatrice. L’étude de la constante de Hall en fonction de latempérature
montre que nous pou-vons considérer tous les donneurs comme ionisés[9]
(fig. 1).
~La
légère
décroissance du coefficient de Hallobser-vée pour l’échantillon
ayant
la constante de Hall laFiG. 1. - Variation de la constante de Hall
avec la
température.
plus
élevée est due au transfert des électrons de labande
(111)
à la bande(000) quand
latempérature
décroît
[9].
Les mesures de
piézorésistance,
souspression
hydro-statique,
ont été effectuées pour despressions
allant de 0 à 4 000kg/cm2.
La chambred’expérience
étantconstituée par une enceinte en
bronze-béryllium,
lapression
étant obtenue par l’intermédiaire d’uncom-presseur
thermique, l’agent
transmetteur depression
est l’azote.
Ce montage de mesure de
pression hydrostatique
nouspermet
de faire des mesures entre 77 OK et300 °K. Nous l’utilisons dans le
présent
travailuni-quement
à 300 OK.Nous travaillons avec un
champ
de l’ordre de0,5 tesla,
c’est-à-dire dans un domaine oùRH
estindépendant
duchamp.
Dans un modèle à deux bandes de conduction
[11],
[12],
duGaSb,
nous pouvons écrire à 300 °K :n , l n
car nous prenons - p-,
puisque
kT est de l’ordre de2,59
X 10-2eV,
c’est-à-diregrand
devantl’énergie
des niveaux de Landau
[10].
En
prenant
à nouveau o~= ~2
et b =f.L2 :
n1 [Il
d’après
lesexpressions
(1)
duparagraphe
II,
pour un bdonné, RH
est une fonction deseulement,
puisque
est relié à "!J2 par :Si nous nous fixons
[13], [14] :
m2
=0,50
m~ = masse
effective
de densité d’état du deuxième minimum nous pouvons, pour
chaque
Rg
expérimental,
calculer
TABLEAU 1
La valeur de b choisie est
0,16.
Cette valeur a été déterminée par un ensemble de mesures en fonction de latempérature
comprenant
des mesures de conducti-vité 6, de constante de HallRH,
de variation derésis-tivité sous
pression hydrostatique,
de variation de résis-tivité souspression
uniaxiale[15].
Un modèle de calculautocompatible
nous apermis
de retenir la valeur deb =
0,16;
cette valeur est en très bon accord aveccelle trouvée par d’autres auteurs
[4], [18],
[14].
Nous avons
pris :
Nous avons
pris
comme valeur de~
la valeurde
14,5
X 10-6eV/bar [9], [16].
dPNous avons enfin
posé
qu-1
+
4K -
2
puisque,
Nous avons que1 + 2K -
puisque,
suivant les auteurs
[3], [2], [1] :
,
dAE
Nous pouvons par p p
conséquent
q calculer dP*
Les résultats obtenus sont tabulés dans le tableau I. les échantillons est voisin de ..
d
dp
pour tous les échantillons est voisin de - 9 X 10-6eV/atm.
Nous pouvons donccalculer,
dans le cas d’échantillons de GaSb de
type 7j
pourlesquels
toutes lesimpuretés
sontionisées,
le taux devariation de la bande
(111)
parrapport
à la bande de valence :Conclusion.
- Nousconstatons que la bande de
conduction
(111)
du GaSb sous l’effet d’unepression
hydrostatique
sedéplace
parrapport
à la bande de valence dans le même sens que la bande(000),
maisque le taux de variation est
plus
faible pour la bande(111).
Cequi
est conforme aux résultats trouvésdéjà
par de nombreux auteurs[9], [11],
[14],
[16].
Nousmontrons toutefois
qu’en
prenant
encompte
la varia-tion des masses effectives des deux bandes(000)
et(111),
ainsi que la variation des mobilités dues à lapression,
la correctionapportée
est relativementfaible,
de l’ordre de
quelques %
si nous comparons nos résultats à ceux de Kosicki parexemple qui
anégligé
la variation de masse effective et la variation de
mobi-lité dues à la
pression.
Remerciements. - Les auteurs remercient le
Doc-teur Gouskov
qui
leur a fourni les échantillons surlesquels
les mesures ont été effectuées. BIBLIOGRAPHIE[1]
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