HAL Id: jpa-00245567
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Submitted on 1 Jan 1987
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Silicium polycristallin
Bernard Equer, Pierre Pinard, André Rocher, Michel Rodot
To cite this version:
Bernard Equer, Pierre Pinard, André Rocher, Michel Rodot. Silicium polycristallin. Re- vue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1987, 22 (7), pp.511-511.
�10.1051/rphysap:01987002207051100�. �jpa-00245567�
Silicium polycristallin
Avant-propos
Ce numéro
spécial
de la Revue dePhysique Appliquée
constitue le bilan decinq
ans de recherches soutenues et coordonnées dans le cadre du programmephotovoltaïque
du PIRSEM/CNRS(*)
et de l’AFME(**)
surle thème
général
desjoints
degrains
dans le silicium. Il rassemble unevingtaine
de contributions provenant de laboratoirespublics
etindustriels qui
ont travaillé en relation étroite sur-la filière desphotopiles
solairesréalisées avec du silicium
cristallin.
Ilprésente également
lesrésultats
dequelques
autreséquipes
sur lemême thème.
Le
principal objectif
de cette action était decomprendre’
comment la structure cristalline et lesimpuretés chimiques
contrôlaient lespropriétés photoélectriques
desjoints
degrains.
Les échantillons étudiésproviennent
de différents matériauxpolycristallins
ainsi que de bicristauxartificiels ;
ils ont été soumis à divers traitementsthermiques.
La structure desjoints
degrains
et les défauts d’interface ont été étudiés parmicroscopie électronique
en transmission et partopographie
aux rayons X. Lespropriétés électroniques
ont été déterminées parDLTS, conductance,
SEM/EBIC et LBIC. Lesanalyses chimiques
ontété réalisées par
SIMS,
activationneutronique, spectroscopie infrarouge
et pertesd’énergie
d’électrons(EELS).
Des travauxthéoriques
ont été consacrés aux calculs des niveauxd’énergie
associés aux défautsd’interface et à la modélisation à 3 dimensions des
photopiles
solaires réalisées avec du siliciumpolycristallin.
Parmi les résultats
présentés
dans ce numérospécial, quelques
conclusions peuvent êtredégagées
de cetravail collectif.
Des bicristaux de
grandes
tailles ont été obtenus partirage
Czochralski sans dislocations dans lesgrains.
Ils contiennent des
joints
degrains
de structure biendéfinie qui
ontpermis de correler
entre elles ungrand
nombre d’études. Il a ainsi été montré que la liaison
pendante
n’était pas leprincipal responsable
del’activité
électrique
desjoints
degrains.
Cetteactivité,
souventprofondément
modifiée par des traitementsthermiques,
est essentiellement reliée à des effetsd’impuretés (diffusion, ségrégation). L’oxygène
est unedes
impuretés
concernées. L’histoirethermique
des échantillons constitue un élémentimportant
decompréhension
de l’activitéélectrique
d’un défaut.L’élimination des
impuretés
de surface parpiégeage interne
et le rôle desimpuretés
introduitesvolontairement
ont été étudiés defaçon approfondie.
De nombreuxphénomènes
observés sont reliés à des interactions entreimpuretés (hydrogène
et accepteurs, aluminium etoxygène...).
L’introductiond’hydro- gène
a des effetsmultiples :
elle améliore enparticulier
lespropriétés photoélectriques
parpassivation
desdéfauts.
Les études faites sur des matériaux
industriels,
danslesquels
lesjoints
sontprésents
sous des formes trèsdiverses,
ontpermis
de caractériser l’effet de la taille desgrains
sur le rendement des cellules : elles ont montré que les défautsintragrains
ainsi que lesimpuretés (C
et0)
ont souvent un effetbeaucoup plus important
que celui desjoints
degrains.
Enfin,
les derniers résultats fontapparaître
que le rendement d’un panneau réalisé avec desphotopiles
carrées
polycristallines
est désormaiséquivalent
à celui obtenu avec des cellules circulairesmonocristallines,
la perte de rendement du
polycristal
étantcompensée
par une couverture en surface de 25 %supérieure
àcelle du monocristal non taillé.
Bernard
Equer,
PierrePinard,
André Rocher et MichelRodot,
Mars 1987(*)
PIRSEM/CNRS :Programme Interdisciplinaire
de Recherche surl’Energie
et les Matièrespremières
du CentreNational de la Recherche
Scientifique.
(**)
AFME : Agence Française pour la Maîtrise del’Energie.
Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/rphysap:01987002207051100