• Aucun résultat trouvé

Silicium polycristallin

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Partager "Silicium polycristallin"

Copied!
2
0
0

Texte intégral

(1)

HAL Id: jpa-00245567

https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00245567

Submitted on 1 Jan 1987

HAL

is a multi-disciplinary open access archive for the deposit and dissemination of sci- entific research documents, whether they are pub- lished or not. The documents may come from teaching and research institutions in France or abroad, or from public or private research centers.

L’archive ouverte pluridisciplinaire

HAL, est

destinée au dépôt et à la diffusion de documents scientifiques de niveau recherche, publiés ou non, émanant des établissements d’enseignement et de recherche français ou étrangers, des laboratoires publics ou privés.

Silicium polycristallin

Bernard Equer, Pierre Pinard, André Rocher, Michel Rodot

To cite this version:

Bernard Equer, Pierre Pinard, André Rocher, Michel Rodot. Silicium polycristallin. Re- vue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1987, 22 (7), pp.511-511.

�10.1051/rphysap:01987002207051100�. �jpa-00245567�

(2)

Silicium polycristallin

Avant-propos

Ce numéro

spécial

de la Revue de

Physique Appliquée

constitue le bilan de

cinq

ans de recherches soutenues et coordonnées dans le cadre du programme

photovoltaïque

du PIRSEM/CNRS

(*)

et de l’AFME

(**)

sur

le thème

général

des

joints

de

grains

dans le silicium. Il rassemble une

vingtaine

de contributions provenant de laboratoires

publics

et

industriels qui

ont travaillé en relation étroite sur-la filière des

photopiles

solaires

réalisées avec du silicium

cristallin.

Il

présente également

les

résultats

de

quelques

autres

équipes

sur le

même thème.

Le

principal objectif

de cette action était de

comprendre’

comment la structure cristalline et les

impuretés chimiques

contrôlaient les

propriétés photoélectriques

des

joints

de

grains.

Les échantillons étudiés

proviennent

de différents matériaux

polycristallins

ainsi que de bicristaux

artificiels ;

ils ont été soumis à divers traitements

thermiques.

La structure des

joints

de

grains

et les défauts d’interface ont été étudiés par

microscopie électronique

en transmission et par

topographie

aux rayons X. Les

propriétés électroniques

ont été déterminées par

DLTS, conductance,

SEM/EBIC et LBIC. Les

analyses chimiques

ont

été réalisées par

SIMS,

activation

neutronique, spectroscopie infrarouge

et pertes

d’énergie

d’électrons

(EELS).

Des travaux

théoriques

ont été consacrés aux calculs des niveaux

d’énergie

associés aux défauts

d’interface et à la modélisation à 3 dimensions des

photopiles

solaires réalisées avec du silicium

polycristallin.

Parmi les résultats

présentés

dans ce numéro

spécial, quelques

conclusions peuvent être

dégagées

de ce

travail collectif.

Des bicristaux de

grandes

tailles ont été obtenus par

tirage

Czochralski sans dislocations dans les

grains.

Ils contiennent des

joints

de

grains

de structure bien

définie qui

ont

permis de correler

entre elles un

grand

nombre d’études. Il a ainsi été montré que la liaison

pendante

n’était pas le

principal responsable

de

l’activité

électrique

des

joints

de

grains.

Cette

activité,

souvent

profondément

modifiée par des traitements

thermiques,

est essentiellement reliée à des effets

d’impuretés (diffusion, ségrégation). L’oxygène

est une

des

impuretés

concernées. L’histoire

thermique

des échantillons constitue un élément

important

de

compréhension

de l’activité

électrique

d’un défaut.

L’élimination des

impuretés

de surface par

piégeage interne

et le rôle des

impuretés

introduites

volontairement

ont été étudiés de

façon approfondie.

De nombreux

phénomènes

observés sont reliés à des interactions entre

impuretés (hydrogène

et accepteurs, aluminium et

oxygène...).

L’introduction

d’hydro- gène

a des effets

multiples :

elle améliore en

particulier

les

propriétés photoélectriques

par

passivation

des

défauts.

Les études faites sur des matériaux

industriels,

dans

lesquels

les

joints

sont

présents

sous des formes très

diverses,

ont

permis

de caractériser l’effet de la taille des

grains

sur le rendement des cellules : elles ont montré que les défauts

intragrains

ainsi que les

impuretés (C

et

0)

ont souvent un effet

beaucoup plus important

que celui des

joints

de

grains.

Enfin,

les derniers résultats font

apparaître

que le rendement d’un panneau réalisé avec des

photopiles

carrées

polycristallines

est désormais

équivalent

à celui obtenu avec des cellules circulaires

monocristallines,

la perte de rendement du

polycristal

étant

compensée

par une couverture en surface de 25 %

supérieure

à

celle du monocristal non taillé.

Bernard

Equer,

Pierre

Pinard,

André Rocher et Michel

Rodot,

Mars 1987

(*)

PIRSEM/CNRS :

Programme Interdisciplinaire

de Recherche sur

l’Energie

et les Matières

premières

du Centre

National de la Recherche

Scientifique.

(**)

AFME : Agence Française pour la Maîtrise de

l’Energie.

Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/rphysap:01987002207051100

Références

Documents relatifs

Il est donc possible de remonter demanière quantitative à une taille moyenne de grains à partir de la mesure de lafréquence d’une onde ultrasonore ayant traversé ce matériau et

comme dans le cas du silicium monocristallin, la présence d’une plus forte concentration de phos- phore favorise la croissance de l’oxyde.. Par contre, à plus haute

Ces améliorations sont reliées à la réduction de la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires sur les interfaces du type joints de grains ou de mâcles.. et

Le calcul du potentiel (courbures des bandes) au voisinage du joint de grain per- met de tracer l'évolution de la géométrie de la barrière de potentiel induite par le joint

constaté un effet de l' Alar sur la réduction du dévelop- pement végétatif, surtout sur la 1086, on n'a pas observé de différence sur le rendement en gousse ou la

Celles-ci sont reliées aux poles d'un millivoltmèrre, tandis que l'échantillon est soumis à une tension continue (contact In-Ga). Les poin- tes sont préparées par

*Laboratoire des Matériaux et Composants à Semi-conducteurs, Ecole Nationale Supérieure de Physique de Marseille, Centre Universitaire de Saint-Jérôme, 13397 Marseille Cedex

L’archive ouverte pluridisciplinaire HAL, est destinée au dépôt et à la diffusion de documents scientifiques de niveau recherche, publiés ou non, émanant des