HAL Id: jpa-00205651
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Submitted on 1 Jan 1963
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Étude de la réaction 16O + d par détecteurs à semiconducteurs
G. Amsel
To cite this version:
G. Amsel. Étude de la réaction 16O + d par détecteurs à semiconducteurs. Journal de Physique,
1963, 24 (11), pp.885-885. �10.1051/jphys:019630024011088500�. �jpa-00205651�
885.
ÉTUDE DE LA RÉACTION 16O + d PAR DÉTECTEURS A SEMICONDUCTEURS Par G. AMSEL,
Accélérateur Linéaire, Orsay.
Résumé.
2014Les détecteurs à jonction
n+ 03B2 mis
aupoint dans notre laboratoire ont été utilisés pour l’étude de la réaction 16O + d
avecles voies de sortie 14N + 03B1, 16O + d, 17O + P0, 17*O + P1
«
La surface d’excitation » de la réaction 16O(d, 03B1)14 N
apermis de localiser 3 niveaux de 18F de
spin isotopique T
=0, ainsi que de déterminer leur largeur réduite, spin et parités pour la plu- part. On montre qu’une grande densité de points de mesure permet de faire cette analyse même
dans le cas de résonances larges qui interfèrent, à condition que toutes les voies de sortie soient étudiées.
LE JOURNAL
DEPHYSIQUE
TOME24, NOVEMBRE 1963;
PERTURBATION DES NIVEAUX DE RÉSONANCE DES NOYAUX ATOMIQUES Par J. HUMBLET et G. LEBON,
Université de Liège.
Résumé.
2014Le problème de la perturbation des niveaux de résonance est étudié dans le cadre de la théorie des valeurs propres complexes. La solution générale de
ceproblème de perturbation
de conditions aux limites est donnée
aupremier ordre.
Abstract.
2014The perturbation problem for the position and width of
a resonancelevel is dis- cussed in the frame of the complex eigenvalue theory. The général solution of this problem
of perturbation of boundary conditions is given to the first order.
LE JOURNAL DE