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Étude des systèmes covalents parfaits et imparfaits par deux méthodes d'approximation

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(1)

HAL Id: jpa-00207449

https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00207449

Submitted on 1 Jan 1973

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Étude des systèmes covalents parfaits et imparfaits par deux méthodes d’approximation

M. Lannoo

To cite this version:

M. Lannoo. Étude des systèmes covalents parfaits et imparfaits par deux méthodes d’approximation.

Journal de Physique, 1973, 34 (10), pp.869-878. �10.1051/jphys:019730034010086900�. �jpa-00207449�

(2)

869

ÉTUDE DES SYSTÈMES COVALENTS PARFAITS ET IMPARFAITS

PAR DEUX MÉTHODES D’APPROXIMATION

M. LANNOO

Physique

des Solides

(*)

ISEN

3,

rue

F.-Baës,

59046 Lille

Cedex,

France

(Reçu

le 4 décembre

1972,

révisé le 5 mars

1973)

Résumé. 2014 Deux méthodes de calcul

approximatif

des fonctions de Green sont

appliquées

aux

covalents traités dans

l’approximation

des liaisons fortes. La

première

consiste en un

développe-

ment en série. La seconde résulte de

l’application

de la méthode de récurrence de

Haydock,

Heine

et

Kelly

à ces systèmes. Des

applications

en sont données dans le cas du cristal

parfait,

de la lacune

ainsi que des

systèmes

désordonnés. Diverses extensions

possibles

de ces calculs sont aussi discutées.

Abstract. 2014 Two methods are used to calculate

approximately

the Green’s functions of the cova-

lent systems in the

tight-binding approximation.

The first one consists in a series

expansion.

The

second one results from

applying Haydock,

Heine and

Kelly’s

recursion method to these systems.

As an

application,

the

perfect crystal,

the vacancy, and the disordered system are considered.

Possible extensions are also discussed.

LE JOURNAL DE PHYSIQUE TOME 34, OCTOBRE 1973,

Classification Physics Abstracts

16.10 - 17.10 - 16.40

Introduction. - Le but de ce travail est de calculer

approximativement

les fonctions de Green des semi-

conducteurs de

type IV,

III-V ou II-VI dans

l’approxi-

mation des liaisons fortes.

L’intérêt de ce genre de calcul est de conduire directement à la connaissance de la densité d’états

et surtout de ses

propriétés intégrales

telles que la

population

des niveaux et

l’énergie

moyenne du

système.

Nous

présentons

ici deux méthodes de détermina- tion des fonctions de

Green,

l’une consistant en un

développement

en série et l’autre en

l’application

de la méthode récursive de

Haydock,

Heine et

Kelly [1], [2].

Toutes deux

s’appliquent

évidemment au cristal covalent

parfait

mais

présentent

aussi

l’avantage

de convenir aux

problèmes

non

périodiques, systèmes désordonnés,

défauts

ponctuels,

surfaces. En

outre,

bien que

l’application

en soit restreinte ici au cas

d’interactions entre

premiers voisins,

les résultats

peuvent

s’étendre sans

trop

de difficultés à des inter- actions

plus

lointaines et

permettent

aussi

l’incorpo-

ration des

intégrales

de recouvrement.

Notons au passage que la méthode des combinai-

sons linéaires d’orbitales

atomiques

reste la

façon

la

plus simple

d’étudier de

façon semi-quantitative

es

propriétés

des défauts

simples (lacunes,

intersti-

tiels, surfaces).

Elle a d’autre

part permis récemment,

sous une forme

semi-empirique (méthode

de Hückel

étendue)

d’obtenir des résultats satisfaisants pour

les défauts

ponctuels [3], [4], [5]

et

même,

en la modi-

fiant

légèrement,

pour la structure de bandes de certains covalents

[6].

Ces faits montrent donc l’in-

térêt d’un calcul

approximatif

des fonctions de Green

dans le cadre de cette méthode.

La

première partie

est consacrée au

développement

en série de la fonction de Green. La densité d’états

se

présente

sous forme de fonctions delta. La méthode

présente

certaines

analogies

avec celle des fractions continuées utilisées pour les métaux de transition

[1], [2],

mais la convergence est

plus rapide

dans le cas

présent.

Nous

l’appliquons

au deuxième ordre pour le cristal

parfait

ainsi que pour le

problème

de la lacune où nous obtenons aisément l’extension des états liés. Nous en

présentons

enfin les

applications

et

généralisations possibles.

La deuxième

partie

est consacrée à

l’application

aux covalents de la méthode récursive que

Haydock,

Heine et

Kelly [1], [2]

ont utilisée pour les métaux de transition. Ici le

problème

est un peu

plus complexe

du fait

qu’on

obtient

quatre

limites de bandes au lieu de deux.

Cependant,

on arrive à obtenir des résul- tats

analytiques simples

pour la densité d’états. Cette méthode s’avère très intéressante

lorsqu’on

désire

obtenir

rapidement

une forme

approximative

conve-

nable de la densité d’états. De

plus,

elle

peut apporter

des

renseignements

intéressants dans le cas des sys- tèmes désordonnés.

1.

Développement

en série de la fonction de Green.

- Nous allons exposer la méthode directement (*) Equipe de recherche du CNRS 59.

Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/jphys:019730034010086900

(3)

dans le cas du cristal covalent

parfait.

Nous

l’appli-

querons ensuite au cas de la lacune dans les

systèmes

covalents.

1.1 CRISTAL PARFAIT COVALENT. - Nous

prendrons

pour celui-ci le modèle de liaisons fortes le

plus simple possible,

celui de Leman et Friedel

[7], [8].

On

prend

une base d’orbitales

atomiques

s et p, on en forme des orbitales

hybridées sp’

et on décrit les interactions entre celles-ci par l’intermédiaire de deux

paramètres : Â, l’intégrale

de résonance entre deux orbitales

hybri-

dées

Sp3 a

>

et

>

premières

voisines et

pointant

l’une vers l’autre et a l’élément de matrice de l’hamil- tonien entre deux

orbitales ! oc

>

et a’

> situées

sur le même atome

(Fig. 1).

FrG. 1. - Orbitales hybridées sp 3

1 oc

> et

1 P

> engagées dans une liaison ainsi

que a’

> centrée si le même atome que

a

>.

Notons que

où Es et Ep

sont les niveaux s et p de l’atome libre.

Nous

prendrons l’origine

des

énergies égale

e

a 4

l’énergie

moyenne d’une orbitale

hybridée sp’.

Avec ces

conventions,

la structure de bandes du semi-conducteur

s’interprète

très

simplement.

Si tout

d’abord on ne tient

compte

que des

termes À,

on trouve que les solutions sont de type liant

(Fig. 1) d’énergie Â,

ou antiliant

d’énergie -

Â. On obtient alors deux bandes

plates

4 N fois

dégénérées

si 2 N est le

nombre d’atomes. Le terme B interviendra ensuite pour provoquer un

élargissement

de ces bandes

plates.

On

peut

montrer de

façon générale [9], [10]

qu’il

y a un gap si

L’idée est donc

d’analyser

les

propriétés

des

systèmes

fortement covalents en série des

puissances

de

e/î.

Pour ceci définissons d’abord h l’hamiltonien du

système

e =

0,

la

perturbation V

consistant en la

prise

en

compte

du terme e. La résolvante de h est g définie par

et ne

possède

que les éléments de matrice suivants

non nuls

v

où a

>

et fl

>

correspondent

à des orbitales

sp’

premières

voisines et

pointant

l’une vers l’autre.

La résolvante G du

système complet

d’hamiltonien h + V

peut

se

développer

en série de la manière suivante

Le

système

étant

périodique,

la connaissance d’un élément de matrice

Gaa

nous donnera toutes les infor-

mations utiles.

A

partir

de la

figure

2 il est facile de montrer que

Goo peut s’exprimer

au deuxième ordre en Y sous la forme

Goo

= goo +

goo(VgVg)oo

+

9onv9v9)io

On voit donc que la forme

(5)

de

Goo présente

deux

pôles

en

:t A correspondant

aux niveaux de h. Dans le terme en

E2,

ces

pôles

sont d’ordre

3,

ce

qui

corres-

pond

à un

élargissement

des niveaux.

FiG. 2. - Représentations des orbitales sp3 intervenant dans le calcul de Goo au deuxième ordre.

En

effet,

on

peut

réécrire

Goo

à l’ordre deux en 8 sous la forme suivante

(4)

871

Sous cette forme

Goo ne présente

que des

pôles simples

et la densité d’états est formée de

quatre

fonc- tions delta

(Fig. 3).

On

peut

en calculer le

poids

ainsi que la

position

en

énergie (Appendice A).

Il

est facile d’en déduire

l’énergie

moyenne de la bande de valence à l’ordre deux

ce

qui

donne pour

l’énergie

de cohésion par liaison dans cette

approximation

résultat que l’on

peut

retrouver par des

développements

en moments

[10], [11].

FIG. 3. - Représentation de Goo du cristal parfait sous forme

de fonctions delta avec leurs poids respectifs.

1.2 LACUNE DANS UN COVALENT. - Ce

problème

illustre l’intérêt de la méthode

qui permet

d’obtenir très facilement l’extension des états liés de la lacune

aux différents ordres en

8//L

Il

permet

de déterminer aussi les variations de

population

dans la bande de

valence ainsi que

l’énergie

de formation de la lacune.

La méthode est la même que

précédemment.

On

résout le

problème

à s = 0

puis

on

analyse

G en

puissances

de

8/À.

Les

propriétés

de la

résolvante g

sont encore données par

(3)

sauf toutefois pour les

quatre

orbitales

sp3 1,

a >

pointant

vers le site de la lacune

(a

=

0, 1, 2, 3, Fig. 4).

Pour celles-ci il

n’y

a

aucun

couplage

et on a

Les fonctions

Gii

seront maintenant différentes suivant les sites

puisque

le

système

a

perdu

sa

périodicité

de translation. Elles

présenteront

des

pôles

multi-

ples

en E =

0, :t À correspondant

à

l’élargissement

des divers niveaux. Leur étude

permet

de déterminer la contribution des orbitales aux divers états

d’énergie

du

système.

Commençons

par l’une des orbitales

pointant

vers

FIG. 4. - Orbitales sp3 intervenant dans les calculs au deuxième ordre pour la lacune.

le site de la

lacune, 0

> par

exemple.

La

figure

4

permet

d’obtenir au deuxième ordre

On a trois

pôles simples.

La solution E = 0

représente

l’état lié dû à la lacune. Il est facile

(Appendice B)

de montrer que la contribution

de 0

> à l’état lié est donnée au deuxième ordre par

ce

qui

donne environ 75

%

pour le diamant

(e

= - 2 eV

et = - 7 eV

[7], [8])

confirmant les résultats de cal- culs antérieurs

plus complets [12].

A l’aide de

(10)

on

peut

aussi déduire directement

que 0

>

apporte

une contribution

égale 2 82/ À 2

à la bande de valence

en

+ Â

et à la bande de conduction en - Â.

De la même

façon

on

peut

déterminer les éléments de matrice

intra-atomiques

de G au fur et à mesure

qu’on s’éloigne

du site lacunaire. Pour d’autres orbitales telles

que a;

>

(Fig. 4) appartenant

aux

premiers

voisins de la

lacune,

mais

pointant

dans

d’autres

directions,

on obtient

On retrouve

quatre

fonctions delta

légèrement

différentes de celles obtenues par

(6)

pour le cristal

parfait.

Notons

que a;

>

n’apporte

aucune contri-

(5)

bution à la fonction d’onde de l’état

lié,

ce

qui géné-

ralise un résultat que nous avions pu montrer

précé-

demment pour la chaîne linéaire covalente

[12].

L’élément suivant

GcxcxÍ correspond

à une orbitale

située sur un second voisin de la lacune et

pointant

vers un

premier

voisin de celle-ci

(Fig. 4).

On obtient

Le traitement détaillé du second terme de

(13)

est

fait en

appendice

B. Notons ici

qu’il présente

un

pôle simple

en E = 0 et

apporte

une contribution

g2/Â2

à l’état lié. Comme il y a trois orbitales de ce

type,

on retrouve bien la contribution

manquante

à

(11).

Les autres éléments de G ne sont pas affectés à l’ordre deux. Pour

résumer,

à cet

ordre,

nous obtenons

quatre

états liés pour la lacune dont la délocalisation est de 3

82/22

c’est-à-dire environ 25

%

dans le cas

du

diamant,

ce

qui

est de l’ordre de

grandeur

des

données

expérimentales [13].

Notons enfin que tous les résultats

précédents permettent (Appendice B)

de calculer

l’énergie

de

formation

EF

de la

lacune, qui

est au second ordre

1.3 DlscussloN. - Nous avons vu comment le

développement

des fonctions de Green en

puissances

de

e/À permettait

d’obtenir les

énergies

et les popu- lations de niveaux dans

l’approximation

des liaisons fortes

simplifiées.

Cette méthode s’avère extrêmement

puissante

et nous allons en décrire les

applications

et extensions

possibles.

Tout d’abord la

première

extension naturelle

concerne l’étude self-consistante des

répartitions

de

charge

concernant des défauts

simples

dans les cova-

lents. Ceux-ci

(lacunes, interstitiels, surfaces) peuvent

provoquer des déviations locales à la neutralité

électrique.

D’autre

part,

le même

type

de

phénomène

se

produit

dans les

composés

III-V et II-VI

parfaits

et

possédant

des défauts. Un modèle self-consistent

a

déjà

été

proposé [14]

au

premier

ordre

significatif

où l’on

n’envisage

que les liaisons

(e

=

0).

La méthode

exposée

dans cette section

permet

de

généraliser simplement

ce

type

de calcul au cas e est différent de zéro.

Il est d’autre

part possible

d’étendre le modèle à des

interactions

plus

lointaines et même

d’y

inclure l’effet des recouvrements entre orbitales

atomiques.

Ceci

peut

se faire en

remplaçant

dans

l’expression

de G

les éléments de matrice de l’Hamiltonien H par ceux de H - EQ où 6 est la

partie

non

diagonale

de la

matrice des recouvrements. Ceci s’avère intéressant dans la mesure où l’inclusion des recouvrements a

permis

récemment d’obtenir

(par

le biais de la méthode de Hückel étendue

légèrement

modifiée

[6])

des struc-

tures de bandes extrêmement bonnes même en ce

qui

concerne la bande de conduction.

L’application

de

cette méthode à l’étude des défauts localisés et des surfaces

peut

donc

apporter

des

renseignements

intéressants.

Notons enfin que ce genre de calcul

permettrait

aussi

d’interpréter

certaines

expériences

de rayons X réalisées récemment dans les III-V

[15], [16]

et

concluant,

au moins pour la

première

d’entre

elles,

à

un transfert de

charge

de III vers V.

Il reste néanmoins un

point qui

demande à être vu

de

plus près,

celui de la convergence d’un tel

dévelop- pement

en série

lorsque

le gap - 2 À + 4 e tend vers

zéro. Ce

point

est d’ailleurs

plus critique

dans le

problème

de la lacune. En effet le calcul direct des bandes montre que le haut de la bande de valence est situé à Â - e et le bas de la bande de conduction à Â + 3 B. Dans la situation

2 a 1 À 3 1 a 1,

il y a encore une bande

interdite,

mais le niveau lacunaire E

égal

à zéro

prédit

par le

développement

en série tombe dans la bande de conduction. Il est alors soit

repoussé

dans la bande interdite ou bien il reste dans la bande de conduction en

s’élargissant.

2. Méthode de

Haydock

et Heine. - Nous allons

maintenant

appliquer

au cas des covalents la méthode que

Haydock,

Heine et

Kelly

ont mise au

point

pour l’étude des métaux de transition

[1], [2]. Après

en

avoir

rappelé

le

principe

nous

l’appliquerons

aux

covalents où nous verrons

qu’elle représente

un

moyen

simple

et efficace d’obtenir une forme appro- chée de la densité d’états.

2.1 RAPPEL DE LA MÉTHODE. - Elle consiste essentiellement à ramener le

problème

du calcul

d’un élément de matrice

Goo

de la résolvante pour

un

système quelconque

dans

l’approximation

des

liaisons fortes au

problème

similaire pour une chaîne linéaire

équivalente.

Ceci revient à

tridiagonaliser

la matrice à étudier.

Soit 0

> la fonction

atomique

pour

laquelle

on désire calculer

Goo.

On

opère

un

changement

de base

les

coefhcients ai et b;

étant choisis de manière à rendre

chaque

fonction de base

orthogonale

à celles

d’indice inférieur. On

peut

montrer

[1] que la matrice

de H est

tridiagonale

dans cette

base,

ce

qui permet

de la

représenter

par la chaîne linéaire

équivalente

de la

figure

5.

Les

coefficients ai

et

b;

sont donnés par

(6)

873

FIG. 5. - Chaîne linéaire équivalente à (15) et (16).

Cette méthode

permet

le calcul de

Goo

par récurrence étant donné que pour une chaîne linéaire on aura

Le calcul

rigoureux

consiste à pousser la récurrence

jusqu’à

obtention de coefficients

an bn

constants

(ou parfois

alternés suivant le

problème étudié).

Si

aoo, boo

sont les

limites,

la relation

(17)

se stabilise

pour donner

G, a

et b

représentent

les limites de

Gnn, an

et

bn.

Ceci donne pour G

Le cas de limites alternées sera vu par la suite car il

correspond

au

problème

d’un covalent. Notons que

(19)

nous donne immédiatement les limites de la densité d’états

qui

sont

car la densité d’états

correspond

à la

partie imaginaire

de

Goo qui

n’existe que si

l’expression

sous la racine

dans

(19)

est

négative.

Cependant,

en

général,

il n’est pas

possible

de

pousser la récurrence très loin. On

peut

alors admettre par

exemple

que les derniers

coefficients an

et

bn

obtenus

représentent

les limites. On

peut

aussi utiliser alors

(19)

en y

injectant

les limites exactes de la densité d’états si on arrive à les connaître directement.

2.2 APPLICATION AUX COVALENTS. - Nous repren- drons le modèle de Leman

[7], [8]

défini dans la

section

1,

modèle que

Thorpe

et Weaire

[9]

ont

utilisé pour

l’appliquer

aux covalents

amorphes.

Ils ont pu montrer que pour

n’importe quelle

structure

respectant

l’ordre local

(c’est-à-dire

la distance inter-

atomique

et les

angles

des

liaisons)

les valeurs propres de l’Hamiltonien de la section 1

présentaient

les

caractéristiques générales

suivantes :

- existence de deux bandes

plates

2 N fois

dégé-

nérées

(si

2 N est le nombre

d’atomes)

aux

énergies

- existence de deux bandes

larges d’énergies

ç

représente

une valeur propre d’un Hamiltonien à une bande

1 representant une SCLUC orbitare Ilctive a chaque site.

Ce théorème a d’ailleurs récemment été

généralisé

à

n’importe quel type

de liaisons

spn [10]

et nous en

présentons

une autre démonstration dans

l’appen-

dice C.

Nous allons

reprendre

ce modèle et en

particulier appliquer

la méthode de

Haydock

et Heine au calcul

de

Gi; correspondant

à l’Hamiltonien

(23). L’appli-

cation triviale de

(15)

et

(16)

à l’Hamiltonien

(23)

donne au troisième

ordre,

avec les notations de la

figure

6

Ces trois

premiers

termes restent valables

quelle

que soit la structure du

système.

La différence entre le covalent

amorphe

et ordonné

dépend

des termes

suivants.

FIG. 6. - Environnement local d’un atome dans un covalent.

Considérons d’abord le cas du réseau de Bethe utilisé par

Thorpe

et Weaire

[9] qui

a la

particularité

de ne pas

présenter

de boucles

(telles

que celle de 1 a

figure

7

qui

est la

première

dans le réseau

cubique

diamant).

Dès lors il est évident que le processus décrit par

(24)

se

poursuit

indéfiniment et

qu’on

a

(7)

FIG. 7. - Première boucle dans le diamant.

On

peut

donc écrire

g étant donné par

(19)

combinée avec

(25).

Ceci donne

comme

expression

dont la

partie imaginaire

donne la densité d’états

(Fig. 8)

qui

est celle donnée par

Thorpe

et Weaire dans le

cas du réseau de Bethe

[9].

On voit donc que la méthode

s’adapte

tout naturellement à ce cas.

FIG. 8. - Densités d’états pour l’Hamiltonien à une bande (23).

Réseau de Bethe --- Formule (31) - - Cristal parfait (exacte).

Notons

qu’elle permet

aussi d’effectuer un examen

rapide

de l’influence de l’ordre sur la densité d’états.

Pour ceci nous allons déduire de

(24)

une forme

approximative

de

Gii

pour le cristal

parfait.

Ceci

peut

se faire en admettant que la récurrence

qui

suit

(24)

donne les coefficients limites

qui

pour le cristal

parfait

sont

redonnant bien les limites de bandes + 4. On obtient pour

Gii

E2 n

donnant une densité d’états

approchée

La

figure

8 montre la différence entre la densité d’états obtenue pour le réseau de Bethe et celle du cristal

parfait approchée

par

(31)

et exacte. On

s’aperçoit

que

(31) reproduit déjà

les caractères essentiels de la densité d’états du cristal

parfait.

Toutefois,

il est à noter que si on

envisage

de faire

un traitement

plus complet

des

covalents,

il n’est

plus possible

de se ramener à un

problème

à une

bande. C’est

pourquoi

nous consacrons le

paragraphe

suivant à une

application

directe de la méthode de

Haydock

et Heine sur les orbitales réelles du

système.

2.3 UTILISATION DIRECTE. - Nous admettrons

toujours qu’il n’y

a pas de boucles. Pour rendre le

problème

le

plus simple possible

il est intéressant de

prendre

des fonctions de

départ possédant

des pro-

priétés

de

symétrie

telles les fonctions s et p au lieu des orbitales

hybridées sp’.

En

procédant

ainsi on obtient pour

Gss

et

Gpp

les chaînes linéaires

équivalentes

de la

figure

9a et b.

FIG. 9. - Chaînes linéaires équivalentes à Gss (a), Gpp (b) et Goo (c) sur une orbitale pendante.

A

partir

de celles-ci et de

(17),

il est facile de déter-

miner

Gss

et

Gpp qui

se mettent sous la forme commune

Les coefficients étant

alternés, g

sera

donnée

par

avec n

égal

a

(8)

875

La résolution de ce

système

donne alors

A

partir

de

(33)

on obtient pour g une

équation

du

second

degré.

Le

signe

de la racine a été choisi pour que

G;;

se

comporte

comme

1/E quand

E --+ + oo.

On

peut

vérifier

qu’il

y a deux bandes

plates

à

caractère p et que les limites des bandes

larges

sont

les mêmes que celles données par

(30)

et

(31)

asso-

ciées à la transformation

(22).

Notons ici que les

expressions

obtenues pour

Gss

et

Gpp permettent

de traiter immédiatement la lacune.

En

effet,

lors d’un travail antérieur

[12],

nous

avons montré que les états liés de la lacune étaient donnés par

Avec

(34)

il est trivial de montrer que dans les deux cas la solution est en E

égal

à 0. Il y a donc

quatre

états liés à cette

énergie,

l’un de

symétrie Al,

l’autre

T2,

ce

qui correspond

exactement au résultat trouvé

précédemment [12]

et dans la section 1 de ce travail.

Pour illustrer l’intérêt des

expressions (34)

nous

avons déterminé les valeurs

numériques

de

Gss

et

G... dans la bande interdite, Dour le cas du diamant

).

La

comparaison

avec

les valeurs exactes

(Fig. 10)

montre que

(34) représente

une excellente

approximation

de la valeur réelle.

Seule

Gss

s’écarte un peu en bas de bande de conduction.

Ceci est dû au fait que les limites des bandes

larges

données par

(34)

ne sont pas les limites exactes.

On

pourrait

d’ailleurs remédier à ceci en utilisant la même

technique

que celle

qui

conduit à

l’éq. (30),

ce

qui

améliorerait certainement encore les valeurs obtenues.

Il est

important

de noter

figure

10 que la

pente

des

quatre

courbes est

identique

en E = 0.

Or,

celle-ci

[12] renseigne

directement sur la délocalisation de l’état lié. Celle-ci sera donc la même pour les états

On obtient un

pôle simple

en E = 0 dont le

poids

est donné par

2

qui

recoupe les résultats de la section 1

(1). L’appli-

(1) Notons que (35) est valable à condition de suivre la même détermination de la racine, ce qui fait qu’entre les deux bandes en E = 0, Goo se comporte comme

FIG. 10. - Valeurs de Gss et Gpp pour = -7 eV, 8 = - 2 eV.

--- Valeur approximative (34).

Valeur exacte.

Les courbes inférieures représentent Gss, les autres Gpp. E est

en eV, G en (eV)-’ et les flèches représentent les limites de la bande interdite.

A1

et

T2

et sera redonnée de

façon

exacte par l’ex-

pression (34).

Nous pouvons aussi

faire,

avec la même

méthode,

un calcul direct de l’élément de

matride intra-atomique

de

Goo

sur l’une des

quatre

orbitales

sp3 pendantes, pointant

vers la lacune. A

partir

de la

figure 4,

on

obtient la chaîne linéaire

équivalente

de la

figure

9c.

Ceci donne :

cation au diamant donne

0,75,

ce

qui

est en bon accord

avec la valeur exacte

0,7

obtenue en

(12).

2.4 DISCUSSION. - La méthode de

Haydock

et

Heine

permet

le même

type d’applications

que celle de la section 1 et

présente

sur celle-ci

l’avantage

d’aboutir directement à une connaissance des den- sités d’états

partielles. Cependant,

elle est

plus

lourde

à utiliser. Nous n’insisterons donc que sur le

point

où elle offre un

avantage certain,

l’étude des détails de la densité d’états.

Dans ce domaine son attrait est

qu’elle reproduit

(9)

tout naturellement la densité d’états du réseau de Bethe

(où

la distance entre

premiers

voisins est fixe

et où il

n’y

a pas de

boucles).

Nous avons pu vérifier

ce fait à

partir

du modèle utilisé par

Thorpe

et

Weaire[9].

Elle

permet

aussi une

comparaison

directe avec la

densité d’états

approchée

du

système

ordonné donnée par

(31)

dont nous avons pu vérifier

qu’elle

repro-

duisait certaines

caractéristiques

de la densité d’états exacte.

Ce modèle

pourrait

donc convenir à une étude

approchée

des densités d’états des

systèmes

covalents

et

amorphes.

Nous

envisageons

de l’utiliser dans

ce but en tenant

compte

éventuellement d’interactions

plus

lointaines de

façon

à obtenir des résultats

plus

réalistes surtout en ce

qui

concerne les bandes

plates

et la bande de conduction. Pour ce faire on

peut

soit

déterminer les

paramètres

de

façon

à

reproduire

certaines

largeurs

de bandes soit utiliser la méthode

de Hückel étendue modifiée

[6].

Dans ce cas l’in-

clusion des recouvrements se ferait par la méthode

exposée

dans la discussion de la section 1.

Notons enfin

qu’un

autre cas

d’application

très

intéressant serait l’étude du tellure

liquide

Cabanne

et Friedel

[17]

ont

proposé

des modèles

simples

à

partir desquels

cette méthode

permettrait

d’obtenir

les densités d’états

approchées correspondantes.

Conclusion. - Nous avons utilisé deux

techniques

de calcul

approché

des fonctions de Green pour les

systèmes

covalents traités en liaisons fortes. La

première

consiste en un

développement

en série

et donne facilement des

renseignements

sur les

énergies

et les distributions de

charge.

La seconde est

l’adap-

tation de la méthode récursive de

Haydock,

Heine

et

Kelly

et donne des

renseignements plus précis

sur la forme de la densité d’états.

Les deux méthodes

peuvent

se

généraliser

à des

cas d’interactions

plus

lointaines et

permettent

l’in-

corporation

des

intégrales

de recouvrement. Elles

pourront

donc être

appliquées

utilement à l’étude de défauts

ponctuels,

d’états de surface et des sys- tèmes désordonnés.

Plus

précisément

nous

envisageons

d’utiliser la

technique

du

développement

en série pour des calculs self-consistants de distribution de

charge

dans les

III-V et II-VI et autour des défauts dans ces

systèmes.

La seconde

technique

trouve comme

champ d’appli-

cation naturel la

comparaison approchée

des densités

d’états dans les

systèmes

covalents

amorphes

et

cristallins. Nous

envisageons

aussi de

l’appliquer

au cas du tellure

liquide.

Appendice

A. - Pour déterminer les

poids

des

fonctions delta intervenant dans

Goo

on

peut

calculer les

pôles

de

(6) qui

sont situés en

±

Cil

1, ± a2

avec

Comme

Goo

est

antisymétrique,

les fonctions delta

en

+ 1 a, ont

même

poids A1

et celles en

+ a2 1, A2-

On obtient facilement

ce

qui,

au second ordre en x donne

les

énergies correspondantes

étant données par

On a donc le schéma de la

figure 3,

les deux fonctions

delta situées

en - Cil et - Ci2 représentant

la

bande de valence. Le

poids

total dans la bande de valence est donc

A i + A2

soit

2. L’énergie

moyenne est

Comme on a 4 états par atome et 2 électrons par

état, l’énergie

moyenne par atome est

Pour trouver

l’énergie

de cohésion par atome on écrit

où - 4 B est

l’énergie

de

promotion

nécessaire pour passer de l’atome libre

S2 p2

à l’état

hybridé sp’.

Appendice

B. - Prenons la forme

(10)

de la fonc- tion de Green pour une orbitale

pendante.

Le

pôle

simple

en E = 0 a un

poids

A donné par

(10)

877

qui

est donc la contribution de l’orbitale

pendante

à l’état lié.

Pour cette fonction il reste deux

pôles

en ± Â

de

poids -1 ic’.

Pour

Gaa

donnée par

(12)

on retrouve

quatre

fonc- tions delta avec un

problème

similaire à celui de

l’appendice

A.

Avec les mêmes notations

Il reste

Ga,a,

donné par

(13) égal

à

Gaa

avec en

plus

un terme

Le

pôle

en E = 0 a pour

poids rc2.

Pour traiter les autres

pôles

on

peut

transformer en

p2

est une

quantité

contenant une

puissance quelconque

de 8.

Après

un calcul similaire aux

pré-

cédents on

peut

montrer que le

poids

de

(B. 4)

dans

la bande de valence ainsi que

l’énergie

moyenne

correspondante

sont

indépendants de P

et respec- tivement

égaux à - x2 et - Â llc’/4.

On

peut

ensuite faire un calcul de

l’énergie

moyenne

des atomes affectés à l’ordre deux par la

lacune,

lui

retrancher

l’énergie

des mêmes atomes dans le cristal

parfait, plus

une fois

l’énergie

de cohésion d’un atome

qui

a été enlevé pour créer la lacune et a ensuite été remis en surface. Tous calculs faits à

partir

des don-

nées des deux

appendices

on trouve alors

l’énergie

de formation de la lacune

Appendice

C. - Nous allons donner une démons- tration

rapide

du théorème de

Thorpe

et Weaire

[9].

Elle est

analogue

à celle de

[10] quoique

un peu

plus rapide.

Elle

s’inspire

d’un travail réalisé

précédem-

ment pour les covalents

parfaits [18].

Dans

n’importe quel système

à liaisons saturées

spn

LE JOURNAL DE PHYSIQUE. - T. 34, 10, OCTOBRE 1973

pour

lesquels

on utilise le modèle

simple

de Leman

et Friedel

[7], [8],

on a les

équations

E est

l’énergie ;

les aij sont les coefficients dans la fonction d’onde totale des orbitales

spn appartenant

à l’atome i et

participant

à la liaison

J ;

i’ est le

premier

voisin de i dans la

direction J ;

J’ et J"

représentent

les autres liaisons

possibles.

Utilisant les sommes

où cette fois-ci on somme sur toutes les liaisons des atomes i et i’ on

peut

réécrire

(C.1)

On

peut remplacer

dans la

première

ai,j déduit de la seconde. Ceci donne

équation

valable pour

n’importe quel

coefficient a; J,

en

particulier

a;,j. Sommant

(C.4)

sur J on obtient

alors

où la somme sur i’ est effectuée sur tous les

premiers

voisins de i

et 9

est relié à

E par

(n

+

1) représente

le nombre de liaisons du sys- tème.

(C. 5)

a des solutions triviales l’ensemble des

Si

est nul. A

partir

de

(C.4)

on obtient

équations

des bandes

plates.

Les bandes

larges

sont données par la connais-

sance des valeurs

de ç

pour

lesquelles

les

Si

sont

non nuls. Celles-ci sont les valeurs propres de l’Hamil- tonien

défini en

(23).

Notons que dans le cas du covalent

parfait (C.6)

se réduit bien à

(22).

La

multiplicité

des solutions est discutée dans

[10].

(11)

Bibliographie

[1] HAYDOCK, R., HEINE, V. et KELLY, M. J., J. Phys. C,

5 (1972) 2845.

[2] HAYDOCK, R. non

publié.

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(1970) 656.

[4] MESSMER, R. P. et WATKINS, G. D., Radiation Effects 9 (1971) 9.

[5] WATKINS, G. D., MESSMER, R. P., WEIGEL, C., PEAK, D.

and CORBETT, J. W., Phys. Rev. Lett. 27 (1971) 1573.

[6] MESSMER, R. P., International Conference on Radiation effects in Semiconductors, Reading, Angleterre, 1972 (à paraître).

[7] LEMAN, G. et FRIEDEL, J., J. Appl. Phys. (Suppl.) 33 (1962)

281.

[8] LEMAN, G., Ann. Phys. 7 (1962) 505.

[9] THORPE, M. F. et WEAIRE, D., Phys. Rev. B 4 (1971) 3518.

[10] FRIEDEL, J. et LANNOO, M., J. Physique 34 (1973) 115, 483.

[11] FRIEDEL, J., J. of Less-common Metals 28 (1972) 241.

[12] LANNOO, M. et LENGLART, P., J. Phys. Chem. Sol. 30 (1969) 2409.

[13] WATKINS, G. D., Proc. Int. Conf. on Crystal defects, Conf., J. Phys. Soc. Japan 18 (1963) Supplt II, 22.

[14] DECARPIGNY, J. N. et LANNOO, M., J. Physique 34

(1973)

651.

[15] COLELLA, R., Phys. Rev. B 3 (1971) 4308.

[16] DRAHOKOUPIL, J., J. Phys. C 5 (1972) 16.

[17] CABANE, B. et FRIEDEL, J., J. Physique

32 (1971)

73.

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