HAL Id: jpa-00207449
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Submitted on 1 Jan 1973
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Étude des systèmes covalents parfaits et imparfaits par deux méthodes d’approximation
M. Lannoo
To cite this version:
M. Lannoo. Étude des systèmes covalents parfaits et imparfaits par deux méthodes d’approximation.
Journal de Physique, 1973, 34 (10), pp.869-878. �10.1051/jphys:019730034010086900�. �jpa-00207449�
869
ÉTUDE DES SYSTÈMES COVALENTS PARFAITS ET IMPARFAITS
PAR DEUX MÉTHODES D’APPROXIMATION
M. LANNOO
Physique
des Solides(*)
ISEN3,
rueF.-Baës,
59046 LilleCedex,
France(Reçu
le 4 décembre1972,
révisé le 5 mars1973)
Résumé. 2014 Deux méthodes de calcul
approximatif
des fonctions de Green sontappliquées
auxcovalents traités dans
l’approximation
des liaisons fortes. Lapremière
consiste en undéveloppe-
ment en série. La seconde résulte de
l’application
de la méthode de récurrence deHaydock,
Heineet
Kelly
à ces systèmes. Desapplications
en sont données dans le cas du cristalparfait,
de la lacuneainsi que des
systèmes
désordonnés. Diverses extensionspossibles
de ces calculs sont aussi discutées.Abstract. 2014 Two methods are used to calculate
approximately
the Green’s functions of the cova-lent systems in the
tight-binding approximation.
The first one consists in a seriesexpansion.
Thesecond one results from
applying Haydock,
Heine andKelly’s
recursion method to these systems.As an
application,
theperfect crystal,
the vacancy, and the disordered system are considered.Possible extensions are also discussed.
LE JOURNAL DE PHYSIQUE TOME 34, OCTOBRE 1973,
Classification Physics Abstracts
16.10 - 17.10 - 16.40
Introduction. - Le but de ce travail est de calculer
approximativement
les fonctions de Green des semi-conducteurs de
type IV,
III-V ou II-VI dansl’approxi-
mation des liaisons fortes.
L’intérêt de ce genre de calcul est de conduire directement à la connaissance de la densité d’états
et surtout de ses
propriétés intégrales
telles que lapopulation
des niveaux etl’énergie
moyenne dusystème.
Nous
présentons
ici deux méthodes de détermina- tion des fonctions deGreen,
l’une consistant en undéveloppement
en série et l’autre enl’application
de la méthode récursive de
Haydock,
Heine etKelly [1], [2].
Toutes deuxs’appliquent
évidemment au cristal covalentparfait
maisprésentent
aussil’avantage
de convenir aux
problèmes
nonpériodiques, systèmes désordonnés,
défautsponctuels,
surfaces. Enoutre,
bien quel’application
en soit restreinte ici au casd’interactions entre
premiers voisins,
les résultatspeuvent
s’étendre sanstrop
de difficultés à des inter- actionsplus
lointaines etpermettent
aussil’incorpo-
ration des
intégrales
de recouvrement.Notons au passage que la méthode des combinai-
sons linéaires d’orbitales
atomiques
reste lafaçon
la
plus simple
d’étudier defaçon semi-quantitative
es
propriétés
des défautssimples (lacunes,
intersti-tiels, surfaces).
Elle a d’autrepart permis récemment,
sous une forme
semi-empirique (méthode
de Hückelétendue)
d’obtenir des résultats satisfaisants pourles défauts
ponctuels [3], [4], [5]
etmême,
en la modi-fiant
légèrement,
pour la structure de bandes de certains covalents[6].
Ces faits montrent donc l’in-térêt d’un calcul
approximatif
des fonctions de Greendans le cadre de cette méthode.
La
première partie
est consacrée audéveloppement
en série de la fonction de Green. La densité d’états
se
présente
sous forme de fonctions delta. La méthodeprésente
certainesanalogies
avec celle des fractions continuées utilisées pour les métaux de transition[1], [2],
mais la convergence estplus rapide
dans le casprésent.
Nousl’appliquons
au deuxième ordre pour le cristalparfait
ainsi que pour leproblème
de la lacune où nous obtenons aisément l’extension des états liés. Nous enprésentons
enfin lesapplications
etgénéralisations possibles.
La deuxième
partie
est consacrée àl’application
aux covalents de la méthode récursive que
Haydock,
Heine et
Kelly [1], [2]
ont utilisée pour les métaux de transition. Ici leproblème
est un peuplus complexe
du fait
qu’on
obtientquatre
limites de bandes au lieu de deux.Cependant,
on arrive à obtenir des résul- tatsanalytiques simples
pour la densité d’états. Cette méthode s’avère très intéressantelorsqu’on
désireobtenir
rapidement
une formeapproximative
conve-nable de la densité d’états. De
plus,
ellepeut apporter
desrenseignements
intéressants dans le cas des sys- tèmes désordonnés.1.
Développement
en série de la fonction de Green.- Nous allons exposer la méthode directement (*) Equipe de recherche du CNRS n° 59.
Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/jphys:019730034010086900
dans le cas du cristal covalent
parfait.
Nousl’appli-
querons ensuite au cas de la lacune dans les
systèmes
covalents.
1.1 CRISTAL PARFAIT COVALENT. - Nous
prendrons
pour celui-ci le modèle de liaisons fortes le
plus simple possible,
celui de Leman et Friedel[7], [8].
Onprend
une base d’orbitales
atomiques
s et p, on en forme des orbitaleshybridées sp’
et on décrit les interactions entre celles-ci par l’intermédiaire de deuxparamètres : Â, l’intégrale
de résonance entre deux orbitaleshybri-
dées
Sp3 a
>et
>premières
voisines etpointant
l’une vers l’autre et a l’élément de matrice de l’hamil- tonien entre deux
orbitales ! oc
>et a’
> situéessur le même atome
(Fig. 1).
FrG. 1. - Orbitales hybridées sp 3
1 oc
> et1 P
> engagées dans une liaison ainsique a’
> centrée si le même atome quea
>.Notons que
où Es et Ep
sont les niveaux s et p de l’atome libre.Nous
prendrons l’origine
desénergies égale
ea 4
l’énergie
moyenne d’une orbitalehybridée sp’.
Avec ces
conventions,
la structure de bandes du semi-conducteurs’interprète
trèssimplement.
Si toutd’abord on ne tient
compte
que destermes À,
on trouve que les solutions sont de type liant
(Fig. 1) d’énergie Â,
ou antiliantd’énergie -
Â. On obtient alors deux bandesplates
4 N foisdégénérées
si 2 N est lenombre d’atomes. Le terme B interviendra ensuite pour provoquer un
élargissement
de ces bandesplates.
Onpeut
montrer defaçon générale [9], [10]
qu’il
y a un gap siL’idée est donc
d’analyser
lespropriétés
dessystèmes
fortement covalents en série des
puissances
dee/î.
Pour ceci définissons d’abord h l’hamiltonien du
système
où e =0,
laperturbation V
consistant en laprise
encompte
du terme e. La résolvante de h est g définie paret ne
possède
que les éléments de matrice suivantsnon nuls
v
où a
>et fl
>correspondent
à des orbitalessp’
premières
voisines etpointant
l’une vers l’autre.La résolvante G du
système complet
d’hamiltonien h + Vpeut
sedévelopper
en série de la manière suivanteLe
système
étantpériodique,
la connaissance d’un élément de matriceGaa
nous donnera toutes les infor-mations utiles.
A
partir
de lafigure
2 il est facile de montrer queGoo peut s’exprimer
au deuxième ordre en Y sous la formeGoo
= goo +goo(VgVg)oo
+9onv9v9)io
On voit donc que la forme
(5)
deGoo présente
deuxpôles
en:t A correspondant
aux niveaux de h. Dans le terme enE2,
cespôles
sont d’ordre3,
cequi
corres-pond
à unélargissement
des niveaux.FiG. 2. - Représentations des orbitales sp3 intervenant dans le calcul de Goo au deuxième ordre.
En
effet,
onpeut
réécrireGoo
à l’ordre deux en 8 sous la forme suivante871
Sous cette forme
Goo ne présente
que despôles simples
et la densité d’états est formée dequatre
fonc- tions delta(Fig. 3).
Onpeut
en calculer lepoids
ainsi que la
position
enénergie (Appendice A).
Ilest facile d’en déduire
l’énergie
moyenne de la bande de valence à l’ordre deuxce
qui
donne pourl’énergie
de cohésion par liaison dans cetteapproximation
résultat que l’on
peut
retrouver par desdéveloppements
en moments
[10], [11].
FIG. 3. - Représentation de Goo du cristal parfait sous forme
de fonctions delta avec leurs poids respectifs.
1.2 LACUNE DANS UN COVALENT. - Ce
problème
illustre l’intérêt de la méthode
qui permet
d’obtenir très facilement l’extension des états liés de la lacuneaux différents ordres en
8//L
Ilpermet
de déterminer aussi les variations depopulation
dans la bande devalence ainsi que
l’énergie
de formation de la lacune.La méthode est la même que
précédemment.
Onrésout le
problème
à s = 0puis
onanalyse
G enpuissances
de8/À.
Lespropriétés
de larésolvante g
sont encore données par
(3)
sauf toutefois pour lesquatre
orbitalessp3 1,
a >pointant
vers le site de la lacune(a
=0, 1, 2, 3, Fig. 4).
Pour celles-ci iln’y
aaucun
couplage
et on aLes fonctions
Gii
seront maintenant différentes suivant les sitespuisque
lesystème
aperdu
sapériodicité
de translation. Elles
présenteront
despôles
multi-ples
en E =0, :t À correspondant
àl’élargissement
des divers niveaux. Leur étude
permet
de déterminer la contribution des orbitales aux divers étatsd’énergie
du
système.
Commençons
par l’une des orbitalespointant
versFIG. 4. - Orbitales sp3 intervenant dans les calculs au deuxième ordre pour la lacune.
le site de la
lacune, 0
> parexemple.
Lafigure
4permet
d’obtenir au deuxième ordreOn a trois
pôles simples.
La solution E = 0représente
l’état lié dû à la lacune. Il est facile
(Appendice B)
de montrer que la contribution
de 0
> à l’état lié est donnée au deuxième ordre parce
qui
donne environ 75%
pour le diamant(e
= - 2 eVet = - 7 eV
[7], [8])
confirmant les résultats de cal- culs antérieursplus complets [12].
A l’aide de(10)
onpeut
aussi déduire directementque 0
>apporte
une contribution
égale 2 82/ À 2
à la bande de valenceen
+ Â
et à la bande de conduction en - Â.De la même
façon
onpeut
déterminer les éléments de matriceintra-atomiques
de G au fur et à mesurequ’on s’éloigne
du site lacunaire. Pour d’autres orbitales tellesque a;
>(Fig. 4) appartenant
auxpremiers
voisins de lalacune,
maispointant
dansd’autres
directions,
on obtientOn retrouve
quatre
fonctions deltalégèrement
différentes de celles obtenues par
(6)
pour le cristalparfait.
Notonsque a;
>n’apporte
aucune contri-bution à la fonction d’onde de l’état
lié,
cequi géné-
ralise un résultat que nous avions pu montrer
précé-
demment pour la chaîne linéaire covalente
[12].
L’élément suivant
GcxcxÍ correspond
à une orbitalesituée sur un second voisin de la lacune et
pointant
vers un
premier
voisin de celle-ci(Fig. 4).
On obtientLe traitement détaillé du second terme de
(13)
estfait en
appendice
B. Notons iciqu’il présente
unpôle simple
en E = 0 etapporte
une contributiong2/Â2
à l’état lié. Comme il y a trois orbitales de ce
type,
on retrouve bien la contribution
manquante
à(11).
Les autres éléments de G ne sont pas affectés à l’ordre deux. Pour
résumer,
à cetordre,
nous obtenonsquatre
états liés pour la lacune dont la délocalisation est de 382/22
c’est-à-dire environ 25%
dans le casdu
diamant,
cequi
est de l’ordre degrandeur
desdonnées
expérimentales [13].
Notons enfin que tous les résultats
précédents permettent (Appendice B)
de calculerl’énergie
deformation
EF
de lalacune, qui
est au second ordre1.3 DlscussloN. - Nous avons vu comment le
développement
des fonctions de Green enpuissances
de
e/À permettait
d’obtenir lesénergies
et les popu- lations de niveaux dansl’approximation
des liaisons fortessimplifiées.
Cette méthode s’avère extrêmementpuissante
et nous allons en décrire lesapplications
et extensions
possibles.
Tout d’abord la
première
extension naturelleconcerne l’étude self-consistante des
répartitions
decharge
concernant des défautssimples
dans les cova-lents. Ceux-ci
(lacunes, interstitiels, surfaces) peuvent
provoquer des déviations locales à la neutralitéélectrique.
D’autrepart,
le mêmetype
dephénomène
se
produit
dans lescomposés
III-V et II-VIparfaits
et
possédant
des défauts. Un modèle self-consistenta
déjà
étéproposé [14]
aupremier
ordresignificatif
où l’on
n’envisage
que les liaisons(e
=0).
La méthodeexposée
dans cette sectionpermet
degénéraliser simplement
cetype
de calcul au cas où e est différent de zéro.Il est d’autre
part possible
d’étendre le modèle à desinteractions
plus
lointaines et mêmed’y
inclure l’effet des recouvrements entre orbitalesatomiques.
Cecipeut
se faire enremplaçant
dansl’expression
de Gles éléments de matrice de l’Hamiltonien H par ceux de H - EQ où 6 est la
partie
nondiagonale
de lamatrice des recouvrements. Ceci s’avère intéressant dans la mesure où l’inclusion des recouvrements a
permis
récemment d’obtenir(par
le biais de la méthode de Hückel étenduelégèrement
modifiée[6])
des struc-tures de bandes extrêmement bonnes même en ce
qui
concerne la bande de conduction.
L’application
decette méthode à l’étude des défauts localisés et des surfaces
peut
doncapporter
desrenseignements
intéressants.
Notons enfin que ce genre de calcul
permettrait
aussi
d’interpréter
certainesexpériences
de rayons X réalisées récemment dans les III-V[15], [16]
etconcluant,
au moins pour lapremière
d’entreelles,
àun transfert de
charge
de III vers V.Il reste néanmoins un
point qui
demande à être vude
plus près,
celui de la convergence d’un teldévelop- pement
en sérielorsque
le gap - 2 À + 4 e tend verszéro. Ce
point
est d’ailleursplus critique
dans leproblème
de la lacune. En effet le calcul direct des bandes montre que le haut de la bande de valence est situé à Â - e et le bas de la bande de conduction à Â + 3 B. Dans la situation2 a 1 À 3 1 a 1,
il y a encore une bande
interdite,
mais le niveau lacunaire Eégal
à zéroprédit
par ledéveloppement
en série tombe dans la bande de conduction. Il est alors soit
repoussé
dans la bande interdite ou bien il reste dans la bande de conduction ens’élargissant.
2. Méthode de
Haydock
et Heine. - Nous allonsmaintenant
appliquer
au cas des covalents la méthode queHaydock,
Heine etKelly
ont mise aupoint
pour l’étude des métaux de transition[1], [2]. Après
enavoir
rappelé
leprincipe
nousl’appliquerons
auxcovalents où nous verrons
qu’elle représente
unmoyen
simple
et efficace d’obtenir une forme appro- chée de la densité d’états.2.1 RAPPEL DE LA MÉTHODE. - Elle consiste essentiellement à ramener le
problème
du calculd’un élément de matrice
Goo
de la résolvante pourun
système quelconque
dansl’approximation
desliaisons fortes au
problème
similaire pour une chaîne linéaireéquivalente.
Ceci revient àtridiagonaliser
la matrice à étudier.
Soit 0
> la fonctionatomique
pour
laquelle
on désire calculerGoo.
On
opère
unchangement
de baseles
coefhcients ai et b;
étant choisis de manière à rendrechaque
fonction de baseorthogonale
à cellesd’indice inférieur. On
peut
montrer[1] que la matrice
de H est
tridiagonale
dans cettebase,
cequi permet
de lareprésenter
par la chaîne linéaireéquivalente
de la
figure
5.Les
coefficients ai
etb;
sont donnés par873
FIG. 5. - Chaîne linéaire équivalente à (15) et (16).
Cette méthode
permet
le calcul deGoo
par récurrence étant donné que pour une chaîne linéaire on auraLe calcul
rigoureux
consiste à pousser la récurrencejusqu’à
obtention de coefficientsan bn
constants(ou parfois
alternés suivant leproblème étudié).
Si
aoo, boo
sont leslimites,
la relation(17)
se stabilisepour donner
où
G, a
et breprésentent
les limites deGnn, an
etbn.
Ceci donne pour G
Le cas de limites alternées sera vu par la suite car il
correspond
auproblème
d’un covalent. Notons que(19)
nous donne immédiatement les limites de la densité d’étatsqui
sontcar la densité d’états
correspond
à lapartie imaginaire
de
Goo qui
n’existe que sil’expression
sous la racinedans
(19)
estnégative.
Cependant,
engénéral,
il n’est paspossible
depousser la récurrence très loin. On
peut
alors admettre parexemple
que les dernierscoefficients an
etbn
obtenus
représentent
les limites. Onpeut
aussi utiliser alors(19)
en yinjectant
les limites exactes de la densité d’états si on arrive à les connaître directement.2.2 APPLICATION AUX COVALENTS. - Nous repren- drons le modèle de Leman
[7], [8]
défini dans lasection
1,
modèle queThorpe
et Weaire[9]
ontutilisé pour
l’appliquer
aux covalentsamorphes.
Ils ont pu montrer que pour
n’importe quelle
structurerespectant
l’ordre local(c’est-à-dire
la distance inter-atomique
et lesangles
desliaisons)
les valeurs propres de l’Hamiltonien de la section 1présentaient
lescaractéristiques générales
suivantes :- existence de deux bandes
plates
2 N foisdégé-
nérées
(si
2 N est le nombred’atomes)
auxénergies
- existence de deux bandes
larges d’énergies
où ç
représente
une valeur propre d’un Hamiltonien à une bande1 representant une SCLUC orbitare Ilctive a chaque site.
Ce théorème a d’ailleurs récemment été
généralisé
à
n’importe quel type
de liaisonsspn [10]
et nous enprésentons
une autre démonstration dansl’appen-
dice C.
Nous allons
reprendre
ce modèle et enparticulier appliquer
la méthode deHaydock
et Heine au calculde
Gi; correspondant
à l’Hamiltonien(23). L’appli-
cation triviale de
(15)
et(16)
à l’Hamiltonien(23)
donne au troisième
ordre,
avec les notations de lafigure
6Ces trois
premiers
termes restent valablesquelle
que soit la structure du
système.
La différence entre le covalentamorphe
et ordonnédépend
des termessuivants.
FIG. 6. - Environnement local d’un atome dans un covalent.
Considérons d’abord le cas du réseau de Bethe utilisé par
Thorpe
et Weaire[9] qui
a laparticularité
de ne pas
présenter
de boucles(telles
que celle de 1 afigure
7qui
est lapremière
dans le réseaucubique
diamant).
Dès lors il est évident que le processus décrit par(24)
sepoursuit
indéfiniment etqu’on
aFIG. 7. - Première boucle dans le diamant.
On
peut
donc écrireg étant donné par
(19)
combinée avec(25).
Ceci donnecomme
expression
dont la
partie imaginaire
donne la densité d’états(Fig. 8)
qui
est celle donnée parThorpe
et Weaire dans lecas du réseau de Bethe
[9].
On voit donc que la méthodes’adapte
tout naturellement à ce cas.FIG. 8. - Densités d’états pour l’Hamiltonien à une bande (23).
Réseau de Bethe --- Formule (31) - - Cristal parfait (exacte).
Notons
qu’elle permet
aussi d’effectuer un examenrapide
de l’influence de l’ordre sur la densité d’états.Pour ceci nous allons déduire de
(24)
une formeapproximative
deGii
pour le cristalparfait.
Cecipeut
se faire en admettant que la récurrencequi
suit(24)
donne les coefficients limitesqui
pour le cristalparfait
sontredonnant bien les limites de bandes + 4. On obtient pour
Gii
E2 n
donnant une densité d’états
approchée
La
figure
8 montre la différence entre la densité d’états obtenue pour le réseau de Bethe et celle du cristalparfait approchée
par(31)
et exacte. Ons’aperçoit
que
(31) reproduit déjà
les caractères essentiels de la densité d’états du cristalparfait.
Toutefois,
il est à noter que si onenvisage
de faireun traitement
plus complet
descovalents,
il n’estplus possible
de se ramener à unproblème
à unebande. C’est
pourquoi
nous consacrons leparagraphe
suivant à une
application
directe de la méthode deHaydock
et Heine sur les orbitales réelles dusystème.
2.3 UTILISATION DIRECTE. - Nous admettrons
toujours qu’il n’y
a pas de boucles. Pour rendre leproblème
leplus simple possible
il est intéressant deprendre
des fonctions dedépart possédant
des pro-priétés
desymétrie
telles les fonctions s et p au lieu des orbitaleshybridées sp’.
En
procédant
ainsi on obtient pourGss
etGpp
les chaînes linéaires
équivalentes
de lafigure
9a et b.FIG. 9. - Chaînes linéaires équivalentes à Gss (a), Gpp (b) et Goo (c) sur une orbitale pendante.
A
partir
de celles-ci et de(17),
il est facile de déter-miner
Gss
etGpp qui
se mettent sous la forme communeLes coefficients étant
alternés, g
seradonnée
paravec n
égal
a875
La résolution de ce
système
donne alorsA
partir
de(33)
on obtient pour g uneéquation
dusecond
degré.
Lesigne
de la racine a été choisi pour queG;;
secomporte
comme1/E quand
E --+ + oo.On
peut
vérifierqu’il
y a deux bandesplates
àcaractère p et que les limites des bandes
larges
sontles mêmes que celles données par
(30)
et(31)
asso-ciées à la transformation
(22).
Notons ici que les
expressions
obtenues pourGss
et
Gpp permettent
de traiter immédiatement la lacune.En
effet,
lors d’un travail antérieur[12],
nousavons montré que les états liés de la lacune étaient donnés par
Avec
(34)
il est trivial de montrer que dans les deux cas la solution est en Eégal
à 0. Il y a doncquatre
états liés à cetteénergie,
l’un desymétrie Al,
l’autreT2,
cequi correspond
exactement au résultat trouvéprécédemment [12]
et dans la section 1 de ce travail.Pour illustrer l’intérêt des
expressions (34)
nousavons déterminé les valeurs
numériques
deGss
etG... dans la bande interdite, Dour le cas du diamant
).
Lacomparaison
avecles valeurs exactes
(Fig. 10)
montre que(34) représente
une excellente
approximation
de la valeur réelle.Seule
Gss
s’écarte un peu en bas de bande de conduction.Ceci est dû au fait que les limites des bandes
larges
données par
(34)
ne sont pas les limites exactes.On
pourrait
d’ailleurs remédier à ceci en utilisant la mêmetechnique
que cellequi
conduit àl’éq. (30),
ce
qui
améliorerait certainement encore les valeurs obtenues.Il est
important
de noterfigure
10 que lapente
desquatre
courbes estidentique
en E = 0.Or,
celle-ci[12] renseigne
directement sur la délocalisation de l’état lié. Celle-ci sera donc la même pour les étatsOn obtient un
pôle simple
en E = 0 dont lepoids
est donné par
2
qui
recoupe les résultats de la section 1(1). L’appli-
(1) Notons que (35) est valable à condition de suivre la même détermination de la racine, ce qui fait qu’entre les deux bandes en E = 0, Goo se comporte comme
FIG. 10. - Valeurs de Gss et Gpp pour = -7 eV, 8 = - 2 eV.
--- Valeur approximative (34).
Valeur exacte.
Les courbes inférieures représentent Gss, les autres Gpp. E est
en eV, G en (eV)-’ et les flèches représentent les limites de la bande interdite.
A1
etT2
et sera redonnée defaçon
exacte par l’ex-pression (34).
Nous pouvons aussi
faire,
avec la mêmeméthode,
un calcul direct de l’élément de
matride intra-atomique
de
Goo
sur l’une desquatre
orbitalessp3 pendantes, pointant
vers la lacune. Apartir
de lafigure 4,
onobtient la chaîne linéaire
équivalente
de lafigure
9c.Ceci donne :
cation au diamant donne
0,75,
cequi
est en bon accordavec la valeur exacte
0,7
obtenue en(12).
2.4 DISCUSSION. - La méthode de
Haydock
etHeine
permet
le mêmetype d’applications
que celle de la section 1 etprésente
sur celle-cil’avantage
d’aboutir directement à une connaissance des den- sités d’états
partielles. Cependant,
elle estplus
lourdeà utiliser. Nous n’insisterons donc que sur le
point
où elle offre un
avantage certain,
l’étude des détails de la densité d’états.Dans ce domaine son attrait est
qu’elle reproduit
tout naturellement la densité d’états du réseau de Bethe
(où
la distance entrepremiers
voisins est fixeet où il
n’y
a pas deboucles).
Nous avons pu vérifierce fait à
partir
du modèle utilisé parThorpe
etWeaire[9].
Elle
permet
aussi unecomparaison
directe avec ladensité d’états
approchée
dusystème
ordonné donnée par(31)
dont nous avons pu vérifierqu’elle
repro-duisait certaines
caractéristiques
de la densité d’états exacte.Ce modèle
pourrait
donc convenir à une étudeapprochée
des densités d’états dessystèmes
covalentset
amorphes.
Nousenvisageons
de l’utiliser dansce but en tenant
compte
éventuellement d’interactionsplus
lointaines defaçon
à obtenir des résultatsplus
réalistes surtout en ce
qui
concerne les bandesplates
et la bande de conduction. Pour ce faire on
peut
soitdéterminer les
paramètres
defaçon
àreproduire
certaines
largeurs
de bandes soit utiliser la méthodede Hückel étendue modifiée
[6].
Dans ce cas l’in-clusion des recouvrements se ferait par la méthode
exposée
dans la discussion de la section 1.Notons enfin
qu’un
autre casd’application
trèsintéressant serait l’étude du tellure
liquide
où Cabanneet Friedel
[17]
ontproposé
des modèlessimples
àpartir desquels
cette méthodepermettrait
d’obtenirles densités d’états
approchées correspondantes.
Conclusion. - Nous avons utilisé deux
techniques
de calcul
approché
des fonctions de Green pour lessystèmes
covalents traités en liaisons fortes. Lapremière
consiste en undéveloppement
en sérieet donne facilement des
renseignements
sur lesénergies
et les distributions de
charge.
La seconde estl’adap-
tation de la méthode récursive de
Haydock,
Heineet
Kelly
et donne desrenseignements plus précis
sur la forme de la densité d’états.
Les deux méthodes
peuvent
segénéraliser
à descas d’interactions
plus
lointaines etpermettent
l’in-corporation
desintégrales
de recouvrement. Ellespourront
donc êtreappliquées
utilement à l’étude de défautsponctuels,
d’états de surface et des sys- tèmes désordonnés.Plus
précisément
nousenvisageons
d’utiliser latechnique
dudéveloppement
en série pour des calculs self-consistants de distribution decharge
dans lesIII-V et II-VI et autour des défauts dans ces
systèmes.
La seconde
technique
trouve commechamp d’appli-
cation naturel la
comparaison approchée
des densitésd’états dans les
systèmes
covalentsamorphes
etcristallins. Nous
envisageons
aussi del’appliquer
au cas du tellure
liquide.
Appendice
A. - Pour déterminer lespoids
desfonctions delta intervenant dans
Goo
onpeut
calculer lespôles
de(6) qui
sont situés en±
Cil1, ± a2
avec
Comme
Goo
estantisymétrique,
les fonctions deltaen
+ 1 a, ont
mêmepoids A1
et celles en+ a2 1, A2-
On obtient facilement
ce
qui,
au second ordre en x donneles
énergies correspondantes
étant données par
On a donc le schéma de la
figure 3,
les deux fonctionsdelta situées
en - Cil et - Ci2 représentant
labande de valence. Le
poids
total dans la bande de valence est doncA i + A2
soit2. L’énergie
moyenne estComme on a 4 états par atome et 2 électrons par
état, l’énergie
moyenne par atome estPour trouver
l’énergie
de cohésion par atome on écritoù - 4 B est
l’énergie
depromotion
nécessaire pour passer de l’atome libreS2 p2
à l’étathybridé sp’.
Appendice
B. - Prenons la forme(10)
de la fonc- tion de Green pour une orbitalependante.
Lepôle
simple
en E = 0 a unpoids
A donné par877
qui
est donc la contribution de l’orbitalependante
à l’état lié.
Pour cette fonction il reste deux
pôles
en ± Âde
poids -1 ic’.
Pour
Gaa
donnée par(12)
on retrouvequatre
fonc- tions delta avec unproblème
similaire à celui del’appendice
A.Avec les mêmes notations
Il reste
Ga,a,
donné par(13) égal
àGaa
avec enplus
un terme
Le
pôle
en E = 0 a pourpoids rc2.
Pour traiter les autres
pôles
onpeut
transformer enoù
p2
est unequantité
contenant unepuissance quelconque
de 8.Après
un calcul similaire auxpré-
cédents on
peut
montrer que lepoids
de(B. 4)
dansla bande de valence ainsi que
l’énergie
moyennecorrespondante
sontindépendants de P
et respec- tivementégaux à - x2 et - Â llc’/4.
On
peut
ensuite faire un calcul del’énergie
moyennedes atomes affectés à l’ordre deux par la
lacune,
luiretrancher
l’énergie
des mêmes atomes dans le cristalparfait, plus
une foisl’énergie
de cohésion d’un atomequi
a été enlevé pour créer la lacune et a ensuite été remis en surface. Tous calculs faits àpartir
des don-nées des deux
appendices
on trouve alorsl’énergie
de formation de la lacune
Appendice
C. - Nous allons donner une démons- trationrapide
du théorème deThorpe
et Weaire[9].
Elle est
analogue
à celle de[10] quoique
un peuplus rapide.
Elles’inspire
d’un travail réaliséprécédem-
ment pour les covalents
parfaits [18].
Dans
n’importe quel système
à liaisons saturéesspn
LE JOURNAL DE PHYSIQUE. - T. 34, N° 10, OCTOBRE 1973
pour
lesquels
on utilise le modèlesimple
de Lemanet Friedel
[7], [8],
on a leséquations
E est
l’énergie ;
les aij sont les coefficients dans la fonction d’onde totale des orbitalesspn appartenant
à l’atome i etparticipant
à la liaisonJ ;
i’ est lepremier
voisin de i dans la
direction J ;
J’ et J"représentent
les autres liaisons
possibles.
Utilisant les sommes
où cette fois-ci on somme sur toutes les liaisons des atomes i et i’ on
peut
réécrire(C.1)
On
peut remplacer
dans lapremière
ai,j déduit de la seconde. Ceci donneéquation
valable pourn’importe quel
coefficient a; J,en
particulier
a;,j. Sommant(C.4)
sur J on obtientalors
où la somme sur i’ est effectuée sur tous les
premiers
voisins de i
et 9
est relié àE par
où
(n
+1) représente
le nombre de liaisons du sys- tème.(C. 5)
a des solutions triviales où l’ensemble desSi
est nul. A
partir
de(C.4)
on obtientéquations
des bandesplates.
Les bandes
larges
sont données par la connais-sance des valeurs
de ç
pourlesquelles
lesSi
sontnon nuls. Celles-ci sont les valeurs propres de l’Hamil- tonien
défini en
(23).
Notons que dans le cas du covalent
parfait (C.6)
se réduit bien à
(22).
La
multiplicité
des solutions est discutée dans[10].
Bibliographie
[1] HAYDOCK, R., HEINE, V. et KELLY, M. J., J. Phys. C,5 (1972) 2845.
[2] HAYDOCK, R. non
publié.
[3] MESSMER, R. P. et WATKINS, G. D., Phys. Rev. Lett. 25
(1970) 656.
[4] MESSMER, R. P. et WATKINS, G. D., Radiation Effects 9 (1971) 9.
[5] WATKINS, G. D., MESSMER, R. P., WEIGEL, C., PEAK, D.
and CORBETT, J. W., Phys. Rev. Lett. 27 (1971) 1573.
[6] MESSMER, R. P., International Conference on Radiation effects in Semiconductors, Reading, Angleterre, 1972 (à paraître).
[7] LEMAN, G. et FRIEDEL, J., J. Appl. Phys. (Suppl.) 33 (1962)
281.
[8] LEMAN, G., Ann. Phys. 7 (1962) 505.
[9] THORPE, M. F. et WEAIRE, D., Phys. Rev. B 4 (1971) 3518.
[10] FRIEDEL, J. et LANNOO, M., J. Physique 34 (1973) 115, 483.
[11] FRIEDEL, J., J. of Less-common Metals 28 (1972) 241.
[12] LANNOO, M. et LENGLART, P., J. Phys. Chem. Sol. 30 (1969) 2409.
[13] WATKINS, G. D., Proc. Int. Conf. on Crystal defects, Conf., J. Phys. Soc. Japan 18 (1963) Supplt II, 22.
[14] DECARPIGNY, J. N. et LANNOO, M., J. Physique 34
(1973)
651.
[15] COLELLA, R., Phys. Rev. B 3 (1971) 4308.
[16] DRAHOKOUPIL, J., J. Phys. C 5 (1972) 16.
[17] CABANE, B. et FRIEDEL, J., J. Physique