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Sur la théorie des phénomènes de transport dans les semiconducteurs

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HAL Id: jpa-00205959

https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00205959

Submitted on 1 Jan 1965

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Sur la théorie des phénomènes de transport dans les semiconducteurs

Ioan Licea

To cite this version:

Ioan Licea. Sur la théorie des phénomènes de transport dans les semiconducteurs. Journal de Physique,

1965, 26 (5), pp.249-252. �10.1051/jphys:01965002605024900�. �jpa-00205959�

(2)

SUR LA THÉORIE DES PHÉNOMÈNES DE TRANSPORT DANS LES SEMICONDUCTEURS Par IOAN LICEA,

Faculté de Physique, Université de Bucarest.

Résumé. - Dans ce travail on donne une extension de la méthode généralisée du « gain moyen

d’énergie » proposée en [3, 4] pour l’étude des phénomènes de transport dans les semiconducteurs, dans le cas où il existe un gradient de concentration. Cette méthode devient ainsi utilisable pour décrire aussi les effets de magnétodiffusion.

Abstract. 2014 In this work an extension is given of the generalized " average energy gain "

method proposed in [3, 4] for the study of transport phenomena in semiconductors in the case

where there is a concentration gradient, so the method is also useful for the description of the magnetodiffusion effects.

PHYSIQUE 26, 1965,

1. Introduction.

-

Pour l’étude des phénomènes

de transport dans les semiconducteurs, à côté de

la méthode habituelle de construction de la théorie

phénoménologique à l’aide de la fonction de dis- tribution des porteurs déterminée par l’équation de Boltzmann, on peut aussi utiliser la méthode du

« gain moyen d’énergie » décrite par Aigrain et Englert [1]. Quand l’énergie des porteurs est donnée

en fonction du vecteur d’onde k par une forme

quadratique définie positive

+ +

où oc est le tenseur des inverses de masses effectives, Godefroy et Tavernier [2] ont ainsi calculé le transfert isothermique et, à l’aide des relations

d’Onsager, déterminé les relations entre les diffé- rents coefficients qui décrivent les effets magnéto- électriques et thermomagnétiques dans les semi- conducteurs. Une généralisation de cette méthode

du gain moyen d’énergie, qui permet d’interpréter plus facilement et rapidement tous les processus

provoqués par un champ électrique et un gradient

de température en présence d’un champ magné- tique, a été donnée par Tavernier [3] dans le cas

où l’énergie des porteurs est donnée par la fonc- tion (1), et ensuite par Sexer et Tavernier [4], dans

le cas où l’énergie (comme pour une série de com-

posés semiconducteurs) est une fonction de Ikl,

c’est-à-dire

_,_ ,_

,

les résultats étant formellement identiques pour

une définition correspondante de la valeur moyenne du temps de relaxation.

Nous proposons ici une extension de cette mé- thode généralisée du gain moyen d’énergie au cas

où existe un gradient de concentration. Nous allons considérer que l’apparition de ce gradient de con-

centration est due à l’injection des porteurs quand

l’échantillon est illuminé (avec une lumière forte-

ment absorbée) et que ce gradient provoque une

diffusion des porteurs minoritaires (1)..

.

Ainsi l’extension, quoique très simple, est pour- tant importante parce qu’elle permet la descrip-

tion d’une nouvelle catégorie de phénomènes,

comme ceux de magnétodiffusion, par exemple les

effets photomagnétoélectrique ou photothermo- magnétique.

2. Fonction de distribution.

-

A côté du gra- dient de température, le gradient de concentration contribuera à la variation de la fonction de distri- bution des porteurs de charge (électrons ou trous) d’après les énergies. Nous allons étudier comment la fonction de distribution à l’équilibre, en l’absence

de champs extérieurs, que nous présumons être la

fonction Fermi-Dirac, dépend de la concentration des porteurs (électrons par exemple) par l’énergie

du niveau de Fermi. Alors

où s est l’énergie des électrons, y l’énergie du

niveau de Fermi, N la concentration des électrons,

T la température absolue, l~o la constante de

Boltzmann.

Quand l’électron subit une collision avec le ré- seau, nous allons admettre comme d’habitude, que la répartition des électrons est représentée par la fonction f o, qui correspond à une température T’

et à une concentration N’, c’est-à-dire

Les collisions sont présumées élastiques de façon

que, en l’absence des champs extérieurs, la fonc-

tion de distribution se conserve après une collision

avec le réseau.

(1) D’autres causes encore, par exemple, la distribution

non-homogène des impuretés, peuvent évidemment contri- buer à l’apparition du gradient de concentration.

Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/jphys:01965002605024900

(3)

250

Les champs extérieurs, électrique E et magné- tique B, influent sur la forme de la fonction de distribution des électrons. Le champ électrique E

fournit à l’électron de libre parcours A(E, B) et de charge e une énergie moyenne DE

= -

eE. A, ainsi

le réseau ne va fournir aux électrons d’énergie E

que l’énergie s

-

DE. Pour obtenir la nouvelle

répartition entre les états d’énergie, il faut substi-

tuer la nouvelle valeur de l’énergie dans la fonction

de distribution en l’absence des champs. Alors, en présence de champs extérieurs et de gradients de température et de concentration, la fonction de distribution des électrons sera

qui dépend du vecteur d’onde k par l’expression

de l’énergie, et des coordonnées de position par la température et la concentration. Tenant compte

de ce que pour un point de température fi’ et

concentration N’ on a

et que, conformément à la fonction de distribution choisie

dans l’approximation de premier ordre par rapport

aux « forces » E

= -

grad p, grad T et grad N,

nous obtenons

Pour que ce résultat soit correct, il faut que le libre parcours moyen dépende seulement de B,

A

=

A(B), c’est-à-dire qu’il soit calculé sous la condition E

=

grad T

=

grad N

=

0.

3. Le libre parcours moyen. - Le calcul du libre parcours moyen, qui comporte des hypo-

thèses sur la structure des bandes d’énergie, se

fait comme dans [3, 4], les résultats étant de forme

identique pour une énergie de la forme (1) ou (2)

et se distinguant seulement par la définition du

temps moyen de relaxation, qui est plus générale

sous la forme (2). En admettant ainsi que E

=

nous avons

-

où l’opérateur A (s) conformément à [4] est

+

Dans cette expression l’opérateur ~ est défini

par

-

et

Ici est le temps de relaxation dépendant

seulement de Ikl par l’intermédiaire de l’énergie et

est lié du libre parcours par la relation A

==

V. ’t",

où V est la vitesse de l’électron, liée dans ce cas à

son énergie par

4. Les flux de courant et d’énergie.

-

La den- sité du courant électrique qui est, par définition

devient, en utilisant (7), (7) et (8)

où A (s) est le transposé de A (s) en substituant B

>

±

par 2013p.

..

En introduisant la notation

et la densité électronique, c’est-à-dire le nombre des électrons par unité de volume du cristal

la densité du courant s’écrit

(4)

Un procédé analogue dans le cas de la densité

du flux d’énergie, définie par

nous conduit à

Les flux de courant et d’énergie thermique peu- vent alors être exprimés sous la forme

où les tenseurs 6, H, D, x, 03BE et G s’expriment en

+ + >

-> ’> +

fonction de trois tenseurs indépendents 6, 0, q,

comme dans la théorie obtenue par la résolution de l’équation de Boltzmann [5]. (Dans un récent

travail [6], nous avons montré qu’un résultat simi-

laire peut être obtenu en utilisant la méthode de la vitesse dirigée.) Ainsi

où nous avons noté

Les tenseurs indépendants a, Ô et q sont donnés

par les relations

Dans les expressions (18a) et (18b) intervient la relation entre le niveau de Fermi et, respective- ment, la température à concentration constante et la concentration à température constante.

En utilisant (5b), la relation (12) nous donne

et, tenant compte de la notation (11), on obtient

Aussi, en utilisant (5a) et tenant compte de (11), (12) et (20) il vient :

d’où

Dans le cas de la statistique de Maxwell- Boltzmann d

Boltzmann que

d/de>

=

ainsi que

ds q

La variation de position du niveau de Fermi en

fonction de la concentration des porteurs ne dépend

de la structure des bandes d’énergie que pour les états dégénérés, quand on utilise comme fonction

de distribution à l’équilibre la fonction Fermi- Dirac.

5. Application.

-

Les résultats obtenus par cette extension de la méthode généralisée du gain moyen

d’énergie, dans le cas existe un gradient de

concentration dû à l’illumination de l’échantillon,

sont analogues à ceux obtenus par la résolution de

l’équation de Boltzmann, avec des calculs plus longs. Ils peuvent être utilisés, comme dans [5], à

la description des phénomènes de magnétodiffusion,

en admettant préalablement que :

-

la lumière tombe sur l’échantillon de forme

supposée parallélipipédique, le long d’un axe (par exemple y), la profondeur de sa pénétration étant beaucoup plus petite que la longueur de diffusion des porteurs de non-équilibre. On peut ainsi négli-

ger la génération en volume des porteurs en excès ;

-

l’échantillon est présumé parfaitement homo- gène. Le gradient de concentration est ainsi causé seulement par son illumination. Nous pouvons ainsi rendre compte des effets suivants :

Effet photomagnétoélectrique. Apparition d’un champ électrique Ez perpendiculaire au champ magnétique (présumé orienté suivant l’axe z) BZ

et flux de particules qui diffusent dans la direction du gradient de concentration zNfzy sous l’action

de l’illumination. On peut les décrire dans le cadre

(5)

252

phénoménologique mentionné, par la première équation du système (16) relative aux compo-

santes, sous la condition que grad T

=

0. Le choix

mentionné des champs et du gradient de concen-

tration impose encore les conditions supplémen-

taires ly

=

0 et

=

0.

Effet photothermomagnétique. Apparition d’un gradient transversal de température per-

pendiculaire au champ magnétique .BZ et flux des particules qui diffusent dans la direction du gra- dient de concentration sous l’action de l’illumination. On peut décrire ces effets à l’aide de trois de ces quatre équations, relatives aux compo-

santes, du système (16), sous les conditions J = 0, et, parce que le processus est adiabatique, W

=

0.

De plus, les conditions imposées par le choix men- tionné des champs et des gradients, nous donnent

encore

=

0 et oN fox

=

0.

On peut décrire aussi de cette manière d’autres

phénomènes de magnétodiffusion. Évidemment,

nous n’entrerons pas dans les détails parce que les relations qui caractérisent les effets mentionnés et la discussion des résultats peuvent être faits

exactement comme dans le travail cité [5].

Manuscrit reçu le 25 janvier 1965.

BIBLIOGRAPHIE [1] AIGRAIN et ENGLERT, Les semiconducteurs, Dunod,

Paris, p. 66.

[2] GODEFROY (L.) et TAVERNIER (J.), J. Physique Rad., a) 1960, 21, 249 ; b) 1960, 21, 544 ; c) 1960, 21, 660.

[3] TAVERNIER (J.), J. Physique, 1963, 24, 99.

[4] SEXER (N.) et TAVERNIER (J.), Phys. stat. sol., 1964, 5, 521.

[5] ZAWADZKI (W.), Phys. stat. sol., 1963, 3, 990.

[6] LICEA (I.), Phys. stat. sol., 1965, 8, 377.

NOTE SUR LES POLARISATIONS DE SPIN ET DE CHARGE AUTOUR D’UNE IMPURETÉ DANS UN SUPRACONDUCTEUR (1)

Par J. P. HURAULT,

Physique des Solides, Faculté des Sciences, Orsay.

Résumé. - On améliore les calculs existants de polarisations de charge et de spin autour d’une impureté dans un supraconducteur. Les expériences susceptibles de tester ces calculs seraient, d’une part l’étude des interactions entre impuretés magnétiques, d’autre part l’étude du spectre

des phonons dans des matériaux du type Nb3Sn, à faible longueur de cohérence.

Abstract. 2014 Existing calculations are improved for charge and spin polarisations induced

around an impurity in a superconductor. The calculation could be tested by studies of (a) inter-

actions between magnetic impurities ; (b) the phonon spectrum, in materials of the Nb3Sn group, with short coherence lengths.

LE JOURNAL DE PHYSIQUE TOME 26, MAI 1965,

Introduction.

-

1. POLARISATION DE SPIN.

-

Soit un spin nucléaire 10 placé à l’origine des

coordonnées et couplé par une interaction hyper-

fine Si 8(r,) aux électrons de conduction

4

(de spin Si et de coordonnées ri) d’un métal. Le

spin Io va induire une polarisation de spin

Un spin nucléaire ll situé à une distance R de

l’origine, interagit avec la polarisation créée par Io.

Cette énergie d’interaction W(R) n’est autre que (1) Travail financé par le Centre National d’Études Spatiales, 129, rue de l’Université, Paris (7e).

l’énergie du couplage indirect de 11 à I, par l’inter- médiaire du gaz d’électrons. x(r) et W(R) ont été

calculées par Ruderman et Kittel [1] pour un métal pur dans l’approximation des électrons libres et ils ont trouvé (kF désignant le vecteur d’onde

du niveau de Fermi)

Lorsque l’on considère plusieurs spins nucléaires

Il situés aux positions R; l’énergie de couplage de

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