Sur les propriétés optiques et photoélectriques des couches minces et des monocristaux de cadmium

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Sur les propriétés optiques et photoélectriques des couches minces et des monocristaux de cadmium

Sonja Robin-Kandare, Jean Robin, Sacha Kandare

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Sonja Robin-Kandare, Jean Robin, Sacha Kandare. Sur les propriétés optiques et photoélectriques des couches minces et des monocristaux de cadmium. Journal de Physique, 1964, 25 (1-2), pp.218-222.

�10.1051/jphys:01964002501-2021800�. �jpa-00205741�

SUR LES PROPRIÉTÉS OPTIQUES ^ET PHOTOÉLECTRIQUES

DES COUCHES MINCES ET DES MONOCRISTAUX DE CADMIUM Par Mme SONJA ROBIN-KANDARE, ^{JEAN ROBIN et SACHA} KANDARE,

Laboratoire de Physique, Faculté des Sciences, Dakar, République ^du Sénégal.

Résumé. - On étudie l’absorption ^de couches minces de cadmium non exposées ^à l’air ainsi que le pouvoir réflecteur et l’émission photoélectrique ^de monocristaux et de couches minces de cadmium. On interprète la courbe d’absorption, ^{délimite le domaine des} transitions optiques ^et

attribue le bord d’absorption, ^{situé à 10,4 eV, à} la transition interne N4,5.

Abstract.

The absorption ^{of thin films of} cadmium, unexposed ^to air, ^is studied, ^as well as

reflecting power and photoelectric emission of single ^{cristals and} thin films of cadmium. An

interpretation ^is given ^{of the} absorption ^{curve and a} limit for optical transition region ; ^the absorption edge, ^{near 10.4} eV, is related to the N4,5 internal transition.

PHYSIQUE 25, 1964,

Introduction.

Peu de travaux ont 6t6 eff ec- tu6s sur les propri6t6s optiques du cadmium.

En absorption, il existe d’une part ^{les travaux de}

Walker et coll. [1], ^{effectu6s a} temperature ^ordi-

naire sur des couches expos6es ^{a l’air et r6v6lant}

une transmission tres faible dans l’ultraviolet a vide et d’autre part les donn’ees de Fukuroi [2] ^et

Bueche [3] ^se rapportant ^a des couches pr6par6es ^à

la température ^{de 1’air} liquide. Fukuroi, ^{a cette} temperature, ^a mesure directement la transmission dans le domaine visible. Bueche ^a mesure la cons-

tante di6lectrique ^et la conductivite et obtenu par le calcul les constantes optiques pour ^le visible et

l’infrarouge ; ^il signale ^{un maximum} d’absorption

vers 8 200 Å.

En ce qui ^{concerne le} pouvoir r6flecteur,

Sabine [4] ^a mesure celui de couches minces, expo- sees a 1’air, ^entre 2,5 ^et 9,5 eV, ^{et Walker et}

coll. [1] ^celui de couches minces, ^non expos6es ^à 1’air, ^{entre 8 et 22 eV, les} deux 6tudes ayant ^6t6

faites a temperature ^ordinaire.

Sur 1’6mission photoélectrique, ^{une 6tude a 6t6}

faite par Walker ^et coll. [1], ^{entre 8 et 27 e V.avec}

des couches minces expos6es ^a 1’air, ainsi que par Baker [5] ^{a des} energies plus ^faibles.

En dehors de l’int6r6t que pr6sente la connais-

sance des propri6t6s optiques ^du cadmium, l’étude

de la transmission de ^ce corps devrait permettre

aussi de r6soudre la question suivante : les pertes caractéristiques des electrons dans le cadmium ^ont ete 6tudi6es par plusieurs ^auteurs (les ^deux plus

r6cents travaux sont celui de Powell [6] ^{et celui}

de Pradal et Gout [7]), mais il n’est pas possible,

sans la connaissance de la courbe d’absorption, ^de

savoir si l’on doit attribuer ces pertes ^{aux transi-}

tions individuelles ou aux oscillations collectives des electrons dans le metal.

Nous avons alors entrepris ^{une 6tude de} 1’absorp- tion, ^du pouvoir r6flecteur et de la photoemission

du cadmium, ^{dans le domaine} spectral ^{s’étendant}

du visible a l’ultraviolet lointain, ^sur des couches minces 6vapor6es ^{et sur} des monocristaux.

Préparation ^{des eouches.}

^La preparation ^de

couches minces de cadmium, par simple 6vapo-

ration thermique, pr6sente ^des difficultés car la condensation sur le support ^{ne se} produit que

lorsque ^la densite de _vapeur d6passe ^{une certaine} valeur, ^elle-m8me fonction de la temperature ^du support [8 ^a 16]. ^A temperature ordinaire, ^les

couches sont alors form6es de monocristaux hexa- gonaux, relativement importants, qui ^{donnent a la}

surface un aspect diff usant. Ce _genre de couches est peu utilisable pour des ^mesures optiques [17 ^a 19].

Les couches pr6par6es ^{de la meme} fagon ^{sur des} supports ^{refroidis sont mal} cristallisées, ^ce qui ^{a 6t6}

revele _{par leur} grande resistance 6lectrique [20] ^et

1’6tude directe de leur structure par diffraction

6lectronique [17, 18, 19 ^et 21].

Zehender [17] signale que les couches 6vapor6es

sur des supports pr6alablement sensibilis6s sont cristallisées et brillantes en r6flexion. Nous avons

donc étudié la preparation de couches de cadmium

avec sensibilisation des supports. ^{Cette sensibi-}

lisation consiste a 6vaporer ^{sur des} supports ^soi- gneusement nettoy6s ^une couche extr6mement mince d’un metal étranger ; ^le recouvrement de la surface est de l’ordre de 0,1, ^{les atomes du metal}

sensibilisateur servant de centres de condensation pour le cadmium. ^La sensibilisation doit 8tre faite imm6diatement avant 1’evaporation ^{du cadmium}

et sans exposition ^a I’air. Nous avons étudié la sensibilisation avec I’argent, ^le cuivre, ^le nickel, ^le

chrome et le platine ^{et avons constate} que la sensi- bilisation n’est pas ^un phénomène spécifique ^du

metal.

Pour les travaux exposes ci-dessous, ^{nous avons} toujours ^utilise 1’argent ^{comme metal sensibili-}

sateur. Avec un recouvrement de 0,1, ^{les atomes} d’argent ^sont trop peu nombreux pour modifier

Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/jphys:01964002501-2021800

219

l’absorption du cadmium. Toutes les evaporations

ont ete eff ectuees dans sun vide meilleur _que 10-5 mm Hg, g6n6ralement voisin de 2 X 10-6

mm Hg. ^La vitesse de formation des couches etait de l’ordre de 200 a 300 Å/mn ; ^de plus grandes

vitesses de depot diminueraient l’oeclusion de _gaz mais nous avons du limiter cette vitesse pour mieux controler 1’evaporation ^et obtenir des couches d’6paisseur d6termin6e. L’6vaporation ^du cadmium, spectroscopiquement pur, 6tait faite ^a

partir d’un tube ^{en verre} pyrex chauff6 6lectri-

quement. ^{La source} d’argent ^6tait partiellement prot6g6e du cadmium par ^un écran et nettoy6e

avant chaque sensibilisation par ^un chauffage ^de plusieurs minutes. Comme supports, ^{nous avons} utilise, ^suivant le domaine spectral étudié, ^des plaquettes ^{en fluorure de} calcium, ^en quartz ^{ou en}

verre pyrex, sauf pour les ^mesure de transmission

en dessous de 1300 A, pour lesquelles ^{nous avons}

utilise des films de collodion, deposes ^{sur des} grilles

en cuivre. Nos mesures de resistivite montrant que celle-ci 6volue encore pendant ^{10 a} 20 minutes

apr6s Evaporation, nous avons laisse les couches

se stabiliser pendant ^une demi-heure ^{sous vide}

avant d’effectuer les mesures optiques. L’epaisseur

des couches 6tait mesuree a + ^{15 a 30} A pr6s

selon les _{cas, a} I’aide d’un microscope interférentiel.

Une partie ^{des mesures en} transmission a ete eff ec- tu6e a 1’aide d’un spectrographe ^a vide ; ^1’autre partie ^{des mesures en} transmission ainsi _que les

mesures de pouvoir r6flecteur et de photoemission

ont ete effectuees a 1’aide d’un monochromateur a vide a r6seau.

Absorption.

^La premiere ^{s6rie de mesures a}

ete effectuee sur des couches expos6es ^{a 1’air entre}

le moment de la preparation ^{et celui des mesures} optiques [22] ; la variation du coefficient d’absorp-

tion k, ^en fonction de 1’energie, dans le domaine

spectral compris’ ^entre 2,5 ^{et 8} eV, ^est representee (fig. 1), ^{courbe A.}

De telles couches 6tant probablement ^alt6r6es

FIG. 1.

Coefficient d’absorption de couches minces de Cd : A) ^Couches expos6es ^{a 1’air ;} B) ^{couches non} expos6es

a 1’air ; C) ^{courbe B} corrig6e ^des pertes par r6flexion.

par oxydation ^et adsorption de gaz, ^{nous avons} construit un dispositif d’evaporation permettant

de pr6parer les couches directement dans l’appareil

servant aux mesures optiques, ^sans exposition ^à

1’air. Mis a part ^{la courbe A} ( fig. 1), ^{tous les r6sul-}

tats présentés ^dans cette note et relatifs a des couches minces, ^se rapportent ^a des couches non

exposées ^{a I’air. Le} coefficient d’absorption k ^de

ces couches a ete mesure de 2,5 ^{a 13 eV} (5 ^{000 a}

950 A). ^{La courbe B} (fig. 1), correspond ^{a des}

couches d’une epaisseur voisine de 300 A. _{En, par-}

tant des faibles energies, ^{k diminue} rapidement jusqu’à environ 4 eV, pr6sente ^{alors entre 4 et}

5 eV un large 6paulement dont 1’existence 6tait

deja perceptible ^{sur la courbe} A, puis la d6crois-

sance est assez r6guli6re, jusque ^vers 10,1 ^{eV ou k}

passe par ^un minimum tres prononce ; ^{k croit}

ensuite rapidement, ^{surtout vers} 10,4 eV, puis plus ^{lentement au delh de} 10,5 ^eV.

La mesure simultan6e de la transmission et du

pouvoir r6flecteur R des couches minces nous a

permis ^{de tenir} compte, ^{dans le calcul de} k, ^{de la}

difference entre les pertes par reflexion ^sur la couche et sur son support, ^{dans le domaine} spectral compris ^{entre 4 et 10} eV ; ^{la courbe C de la} figure ¹ repr6sente k, compte-tenu ^{de cette} correction, toujours pour des couches d’environ 300 A d’épais-

seur. Pour des energies sup6rieures h ¹⁰ eV, ^cette

correction n’a pas ^ete faite car il est difficile de

mesurer le pouvoir réflecteur R des couches 6vapo-

r6es sur collodion ; la surface de ce dernier n’ étant pas parfaitement plane, ^{il est} possible qu’une partie

de la lumiere r6fl6chie ne soit pas reçue par le

photomultiplicateur. 11 s’av6re cependant ^{que cette}

correction devient n6gligeable au-dessus de 10,4 ^eV

car R devient alors inférieur a 1 %.

La figure ² repr6seiite ^{la variation de k en}

fonction de 1’epaisseur ^des couches, compte ^tenu

de la correction provenant ^{des pertes} par réflexion.

La courbe A est relative a des couches dont 1’6pais-

seur e est inf6rieure a 200 A ; ^{la courbe B} repre-

sente k pour des couches dont 1’epaisseur ^{e est} comprise ^{entre 250 et} 300 Å ; ^{enfin la courbe C se}

rapporte ^{6 des} couches dont e est voisine de 400 Å

FIG. 2.

Variation avec 1’epaisseur du coefficient d’absorp-

tion k de couches minces de Cd non expos6es ^{4 1’air ;}

A) ²⁰⁰ A ; B) ^{250 à 300} A ; C) ^{environ 400 A.}

On peut constater que k croit avec e mais qu’en

meme temps la forme de la courbe se modifie vers

les faibles energies. Pour les couches tres minces, l’épaulement ^{vers 5} eV n’existe pas. ^Pour les couches dont e est superieure ^{a 200} Å, 1’epaule-

ment devient un palier, puis pour des couche

encore plus 6paisses, ^{un maximum} remplace ^ce palier ^{et est d’autant} plus prononc6 que la couche est plus 6paisse. ^{En meme} temps le maximum est

16g6rement deplace ^{vers les} grandes energies.

Pouvoir réflecteur.

Le pouvoir r6flecteur R de couches minces de cadmium a ete mesure entre 4 et 13 eV, ^{sous une} incidence de 6°30’, ^a partir ^de

couches 6vapor6es ^{sur des} plaquettes ^en fluorure de calcium et en verre pyrex ; les r6sultats exp6ri-

mentaux en sont repr6sent6s (fig. 3) : les courbes

en trait plein ^se rapportent ^a des couches 6vapor6es

sur CaF2 ^{et celles en} pointille ^a des couches 6vapo-

r6es sur verre. La courbe A est relative a des couches dont ^e est de 1’ordre de 160 A ; les courbesB donnent 1’allure des courbes obtenues avec des couches dont e est comprise ^{entre 200 et 300} A ;

les courbes C donnent 1’allure des courbes obtenues

avec des couches dont ^e est environ 300 a 400 A

et enfin les courbes D representent ^R de couches dont e est superieure ^{a 600 A. Toutes ces courbes} présentent ^un palier ^entre 7,5 ^{et 8} eV, puis ^une

baisse rapide ^{vers les} grandes energies. ^{Au delh}

de 10,5 eV, R est toujours ^{inf6rieur a 1} %. ^En

dessous de 7,5 eV, ^{la forme} des courbes est nette- ment fonction de e. Pour e inférieur a 200 A (courbe A), R ^d6crolt r6gull6rement jusqu’h 7,5 ^eV (de meme que k dans la meme region spectrale).

Pour des couches plus 6paisses (courbes B), ^R pr6- sente, ^entre 5,4 ^et 7,2 eV, ^un domaine dans lequel

la pente ^est plus ^faible (figure 2, ^courbe B, ^k pr6-

sentait 6galement ^une particularite ^{vers 5} eV).

Pour e de l’ordre de 330 a 400 A (courbes C), ^R pr6sente ^{un maximum} plus ^{ou moins} prononc6

au voisinage ^{de 6 eV} (tout ^{comme k} (courbe C, figure 2), ^{vers 5} eV). Lorsque ^{e devient} superieure

a 600 A, les couches deviennent diffusantes ; ^le

maximum de R, ^{vers 6} eV, ^devient plus large ^et

l’accroissement de R vers les faibles energies ^n’a plus ^lieu qu’en ^dessous de 4,5 eV. Pour les couches

6vapor6es ^sur verre, Rest environ deux fois plus

élevé _que pour les couches 6vapor6es ^sur CaF2,

mais la forme des courbes obtenues est a peu pr6s ^la

meme.

Si les variations de k et R avec 1’epaisseur e

6taient dues seulement au fait que la surface devient plus diffusante quand ^e croit, R ^devrait

surtout etre affect6 vers les grandes energies, ^sans

modifications sp6cifiques ^{de la forme} des courbes.

Il semble que l’on doive plutot ^{attribuer ces varia-}

tions a une modification de la structure meme des couches ^en fonction de e. 11 ne nous a pas 6t6

possible, jusqu’ici, ^{d’étudier la} structure, ^{de nos}

FIG. 3.

Pouvoir r6flecteur des couches minces de Cd

en fonction de l’épaisseur.

couches ^non expos6es ^a I’air, par diffraction 6lee-

tronique ^{en reflexion.}

En comparant ^{nos r6sultats avec ceux de} Sabine [4], ^{on constate} que le pouvoir ^r6flecteur

trouve par celui-ci ^est plus ^élevé que celui que ^nous

avons donne ci-dessus et que la forme des courbes est assez diff6rente, mais les couches de Sabine ont ete expos6es ^{a 1’air avant les mesures} optique ^{et de} plus ^{elles ont ete} 6vapor6es ^sur des sous-couches

6paisses ^de chrome, ^ce qui influence certainement la structure des couches (nous ^avons 6galement

effectue des mesures de R de couches minces de

cadmium, 6vapor6es ^sur sous-couches epaisses d’argent ^{et alors nous avons trouve aussi} que R est ^nettement plus ^{élevé et} que la ^{forme des} courbes est modifi6e par rapport ^{aux r6sultats} exposes ci-dessus).

Comme il est tres difficile, pour les ^mesures de

pouvoir r6flecteur, ^de pr6parer ^par evaporation thermique des couches opaques ^{et non} diffusantes,

nous avons mesure le pouvoir r6flecteur de mono-

cristaux de cadmium hexagonal, taillés les uns

parall6lement ^{et les autres} perpendiculairement ⁴

1’axe optique. L’état de surface 6tait v6rifi6, apr6s 16ger polissage, par diffraction 6lectronique ^en

reflexion : le diagramme de diffraction pr6sentait

des taches, caractéristiques ^du monocristal, ^mais

r6v6lait aussi 1’existence d’une couche superficielle amorphe. Les r6sultats en sont donnes figure 4,

courbe A. Nous n’avons pas ^trouve de difference

systématique ^en fonction de l’orientation. Les r6-

sultats sont tres reproductibles pour ^{les cristaux}

taillés perpendiculairement ^{a 1’axe} optique, ^un peu

moins pour les ^autres. R diminue r6guli6rement

221

d’environ 50 % ^{à 4 eV a} peu pres jusqu’a 3 % ^à 9,5 eV, puis ^remonte 16g6rement ^{vers les} grandes energies, ^sans d6passer ⁵ % ^a 13 eV. Nous n’obser-

vons pas de palier, ^entre 7,5 ^{et 8} eV, ^{comme avec}

les couches minces.

FIG. 4.

A) ^Pouvoir réflecteur des monocristaux de Cd.

B, ^{C et D : emission} photoélectrique : B) monocristaux;

C) couches minces 30 minutes apr6s 1’evaporation ; D) couches minces 48 heures après 1’evaporation.

emission photoéleetrique.

^{Celle-ci a 6t6 mesu-}

ree sur des monocristaux et sur des couches minces

6vapor6es ^{sur cuivre et non} expos6es ^a 1’air, ^isol6s

et port6s ^{a un} potentiel ^de

30 volts par rapport

a la masse du dispositif ^{de mesures ;} l’intensit6 ^du

courant 6lectronique enregistre etait de l’ordre de 1O"12 ampere. ^{Les courbes} B, ^{C et D de la} figure ⁴

donnent le rendement quantique 1], ^en valeurs rela-

tives, ^{en fonction de} 1’6nergie.

Pour les monocristaux, ^nous n’avons pas ^trouve de difference notable en fonction de l’orientation

cristalline, ^{comme cela a} par exemple ^ete signal6

pour les energies voisines du seuil photoélectrique [23] ; le rendement quantique n ^{est tres faible en}

dessous de 8,8 eV, puis ^{il croit} rapidement ^{vers les} grandes energies. Cette courbe B pr6sente ^deux paliers, ^vers 10,0 ^et 10,8 eV ; ^la pente de la courbe est particulièrement ^{forte entre} 12,0 ^et 12,2 eV,

puis ^diminue 16g6rement.

Le rendement quantique n de couches minces,

opaques, ^a ete mesure 30 minutes (courbe C) ^et

48 heures (courbe D) apr6s l’évaporation ; ^{il est} toujours supérieur ^{a celui} des monocristaux pour les energies inférieures a 10 eV mais lui est inférieur pour les energies sup6rieures ^a 10,5 eV. Avec le

temps 1] ^{croit et tend vers} celui des monocristaux.

Toutes les particularités ^{de la courbe d’6mission}

deviennent 6galement plus prononc6es, ^vraisem-

blablement parce que la cristallisation s’améliore

avec le temps.

Discussion des résultats.

Si on compare ^entre elles les courbes du rendement quantique, pour des couches minces et pour des monocristaux, ^on peut

considerer _que, pour les energies inférieures a 10 eV,

les effets de surface, ^{de d6fauts et} d’impuretés

doivent etre pr6dominants, ^{car ceux-ci sont norma-}

lement plus importants pour des couches minces que pour des monocristaux. La ressemblance des courbes du rendement quantique, pour des couches minces et des monocristaux, ^{a des} energies supe-

rieures a 10 eV, ^montre que les memes ph6nom6nes

sont responsables de 1’6mission 6lectrique ^et qu’il s’agit ^tres probablement, ^{a ces} energies, ^{de la} photoemission de volume. Enfin, l’émission photo- 6lectrique ^croit fortement dans le domaine ou le

pouvoir réflecteur devient tres faible, c’est-h-dire dans le domaine ou une proportion importante ^de photons p6n6trent dans le corps étudié.

D’après ^{la courbe} d’absorption, ^on voit que le cadmium est fortement absorbant dans tout le domaine spectral s’étendant du visible jusqu’h

environ 10 eV ; ^cette absorption peut ^{etre attribuée}

aux transitions optiques correspondant ^{a des tran-}

sitions des electrons a l’int6rieur de la bande de

conduction, laquelle ^est constituée par deux bandes

se recouvrant partiellement ^et provenant ^{des ni-}

veaux 5s et 5p [24].

L’absorption qui ^{debute au delh de} 10,1 eV,

vers les grandes energies, pourrait etre attribuee à des transitions interbandes ; la bande de conduc- tion ayant ^{un caract6re mixte s,} p, ^les transitions internes 4d - 5s, p ^sont possibles ^et correspondent

aux rayons X ^mous N4.5. D’après ^Sandstrom [25],

les niveaux N4 ^et N5 seraient situ6s respective-

ment 6 11,0 ^et 10,4 ^{eV. Nous avons} eff ective- ment trouve un bord d’absorption ^tres marque ^à

10,4 ^eV.

Si on compare ^entre elles les particularités ^des

courbes d’absorption, ^de pouvoir r6flecteur et d’6mission photoelectrique, ^{on trouve} que le mini-

mum d’absorption ^{a 10,1} eV coincide avec la posi-

tion du premier palier ^{observe sur la courbe de}

1’6mission photoélectrique ; ^d’autre part ^{la chute} brusque ^du pouvoir r6flecteur coincide avec le bord

d’absorption ^{situ6 a} 10,4 ^{eV et} que ^{nous avons} attribue a la transition 4d -* 5s, p.

Les pertes caractéristiques des electrons dans le

cadmium, qui ^{ont 6t6} signal6es par des ^auteurs

ant6rieurs, pour differentes valeurs de 1’energie

entre 3 et 13 eV, ^ne coincident pas ^avec les points caractéristiques de la courbe d’absorption, ^{sauf la} perte caractéristique ^tres marquee signal6e par Pradal et Gout [7] ^{a 10} eV, ^{valeur en bon accord}

avec 1’energie des oscillations du plasma ^obtenue

en tenant compte ^{de ce} que le cadmium poss6de

deux électrons de valence. L’énergie ^{de cette} perte caractéristique ^{est d’autre} part ^tres voisine de la

position du minimum d’absorption, indiquant 6ga-

lement, d’après la th6orie de Bohm et Pines [26]

que ^cette perte caractéristique ^{est reli6e aux oscil-}

lations collectives des electrons dans le cadmium.

Discussion

M. VERNIER. - Les monocristaux dont vous avez mesure remission photoélectrique 6taient-ils taillés sous vide ?

M. ROBIN.

Non !

M. VERNIER.

La meilleure reproductibilité ^des

r6sultats photoélectriques ^{obtenus avec des faces} perpendiculaires ^{a l’axe} optique ^ne serait-elle pas due au fait qu’il y ^a plusieurs possibilités ^d’orien-

tation des faces perpendiculaires ^{4 l’axe} optique ?

1VI. ROBIN.

Tr6s probablement, ^{nous avons} pens6 ^{aussi 4 ce} probl6me ^mais jusqu’ici ^nous

n’avons _pas eu la possibilite ^{de nous} procurer des monocristaux dont la taille soit effectuée’ suivant des directions bien d6termin6es, ^{tout en 6tant} parallèles ^{a l’axe} optique.

BIBLIOGRAPHIE

[1] ^WALKER (W. C.), ^RUSTGI (O. P.) ^{et WEISSLER} (G. L.),

J. Op. Soc. Am., 1959, 49, 471.

[2] ^FUKUROI (T.), ^Scient. Pap. ^Inst. Phys. ^Chem. Res., 1937, 32, 172.

[3] BUECHE (F.), ^J. Opt. ^Soc. Am., 1948, 38, 806.

[4] SABINE (G. B.), Phys. Rev., 1939, 55, 1064.

[5] ^BAKER (R. F.), ^J. Opt. ^Soc. Am., 1938, 28, 55.

[6] ^POWELL (C. J.), ^Proc. Phys. Soc., London, 1960, 76,

593.

[7] ^PRADAL (F.) ^{et GOUT} (C.), C. R. Acad. Sc., 1961, 252,

2534.

[8] ^KNUDSEN (M.), ^Ann. Physik, 1909, 28, 999 ^et 1916, 50,

472.

[9] ^WOOD (R. W.), ^Phil. Mag., 1915, 30, 300.

[10] ^LANGMUIR (I.), Proc. Nat. Acad. Sc. Wash., 1917, 3,

141.

[11] ^CHARITON (J.) et SEMENOFF (N.), ^Z. Physik, 1924, 25,

287.

[12] ^ESTERMANN (J.), ^Z. Physik, 1925, 33, 320.

[13] ^COKROFT (J. D.), ^Proc. Roy. Soc., 1928, A 119, 293.

[14] ^GEN (M.), LEBEDINSKY (M.) et LEIPUNSKY (O.), Phys.

Z. Sowtjeun., 1932, 1, 571.

[15] ^DITCHBURN (R. W.), ^Proc. Roy. Soc., London, 1933, A 141,169.

[16] ^DEVIENNE (F. M.), ^{C. R. Acad.} Sc., 1952, 234, ^{80 et}

J. Physique Rad., 1953, 14, ^257.

[17] ^ZEHENDER (E.), Optik, 1950, ^{7, 200.}

[18] ^SENNETT (R. S.), MCLAUCHLAN (T. A.) ^{et SCOTT} (G. D.), ^{Canad. J.} Physics, 1952, 30, ^370.

[19] ^GANDAIS (M.), ^Rev. Opt., 1961, ^{40, 464.}

[20] ^SUHRMANN (R.) ^{et BARTH} (G.), ^Z. Physik, 1936, 103,

133.

[21] ^PICARD (R. G.) ^et DUFFENDACK (O. S.), ^J. Appl.

Physics, 1943, 14, ^291.

[22] ^JERIC (S.), ^ROBIN (J.) ^et ROBIN-KANDARE (S.), ^J. Phy- sique Rad., 1962, 23, ^957.

[23] ^WEISSLER (G. L.), ^Hand. Physik, 1956, 21, 304.

[24] ^NORDFORS (B.), ^Ark. Fysik, 1961, 20, ^25.

[25] ^SANDSTRÖM (A. E.), ^Hand. Physik, 1957, 30, ^226.

[26] ^BOHM (D.) ^{et PINES} (D.), Phys. Rev., 1951, 82, 625 ;

1952, 85, ^{338 et} 1953, 92, ^608.