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Optimisation des paramètres photovoltaïques de cellules solaires bifaciales au silicium à base de type N et leur comparaison avec celles de type P

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Academic year: 2021

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Tableau II-1 : La valeur du gap du quelques semi-conducteurs à300 K et à 0 K.
Figure II-2 : Evolution de la concentration intrinsèque pour le Si, le Ge et le GaAs.
Figure II-6 : Variation du coefficient de quelques matériaux en fonction de la longueur  d’onde du rayonnement
Figure II-7 : Schéma des principaux processus de recombinaison dans un semi-conducteur
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