Réalisation d’un inverseur dans un process CMOS

(1)

A

Réalisation d’un inverseur dans un process CMOS

in

Substrat P ( Psub ) Puit N ( Ntub )

A A'

SiO₂

N+ N+ N+

P+ P+ P+

(2)

A

Réalisation d’un inverseur dans un process CMOS

N+ N+

P+ P+ P+ N+

A A'

PTAP

SiO₂

(3)

A

Réalisation d’un inverseur dans un process CMOS

N+ N+

P+ P+ P+ N+

A A'

NMOS

SiO₂

(4)

A

Réalisation d’un inverseur dans un process CMOS

N+ N+

P+ P+ P+ N+

A A'

PMOS

SiO₂

(5)

A

Réalisation d’un inverseur dans un process CMOS

N+ N+

P+ P+ P+ N+

A A'

NTAP

SiO₂

(6)

A

Réalisation d’un inverseur dans un process CMOS

NTUB DIFF POLY1 NPLUS PPLUS CONT MET1

(7)

Substrat P ( Psub )

Ouverture du puit N ( Ntub )

SiO₂

A

A A'

in

1. Dépôt d’une couche de SiO₂protectrice.

(8)

Substrat P ( Psub )

Ouverture du puit N ( Ntub )

SiO₂

A

A A'

in

2. Séquence de photolithographie.

a. Dépôt de la résine photosensible.

(9)

Substrat P ( Psub )

Ouverture du puit N ( Ntub )

SiO₂

A

A A'

in

b. Alignement du masque et exposition aux UV.

(10)

Substrat P ( Psub )

Ouverture du puit N ( Ntub )

SiO₂

A

A A'

in

(11)

Substrat P ( Psub )

Ouverture du puit N ( Ntub )

SiO₂

c. Retrait de la résine non exposée aux UV.

A

A A'

in

(12)

Substrat P ( Psub )

Ouverture du puit N ( Ntub )

SiO₂

A

A A'

in

c. Retrait de la résine non exposée aux UV.

(13)

Substrat P ( Psub )

Ouverture du puit N ( Ntub )

SiO₂

A

A A'

in

3. Retrait SiO₂de la zone découverte.

(14)

Substrat P ( Psub )

Ouverture du puit N ( Ntub )

SiO₂

A

A A'

in

(15)

Substrat P ( Psub )

Ouverture du puit N ( Ntub )

SiO₂

A

A A'

in

4. Implantation dopant N.

(16)

Substrat P ( Psub )

Ouverture du puit N ( Ntub )

SiO₂

A

A A'

in

(17)

Substrat P ( Psub )

Ouverture du puit N ( Ntub )

Puit N ( Ntub ) SiO₂

A

A A'

in

(18)

Substrat P ( Psub )

Délimitation des diffusions (zones actives)

Puit N ( Ntub ) SiO₂

1. Dépôt d’une couche de Si₃N₄protectrice ( masque DIFF ).

A

A A'

in

Si₃N₄

(19)

Substrat P ( Psub )

Délimitation des diffusions (zones actives)

Puit N ( Ntub )

A

A A'

in

2. Croissance de l’oxyde local ( LOCOS ) hors DIFF.

SiO₂

Si₃N₄

(20)

Substrat P ( Psub )

Délimitation des diffusions (zones actives)

Puit N ( Ntub )

A

A A'

in

3. Retrait Si₃N₄et retrait des traces d’oxyde dans les diffusions.

SiO₂

Si₃N₄

(21)

Substrat P ( Psub )

Délimitation des diffusions (zones actives)

Puit N ( Ntub )

A

A A'

in

3. Retrait Si₃N₄et retrait des traces d’oxyde dans les diffusions.

SiO₂

(22)

Réalisation des grilles en polysilicium

1. Croissance d’une couche d’oxyde de grille fin (SiO₂: 7-8 nm).

A

in

A A'

SiO₂

(23)

Réalisation des grilles en polysilicium

A

in

A A'

SiO₂

(24)

Réalisation des grilles en polysilicium

A

in

A A'

SiO₂

2. Dépôt et gravure du polysilicium de grille.

(25)

Réalisation des grilles en polysilicium

A

in

A A'

SiO₂

2. Dépôt et gravure du polysilicium de grille.

(26)

Réalisation des diffusions N+

1. Dépôt et gravure (masque NPLUS) d’un photoresist protecteur.

(NMOS et NTAP)

A

in

A A'

SiO₂

(27)

Réalisation des diffusions N+

(NMOS et NTAP)

A

in

A A'

SiO₂

Photoresist

2. Implantation ionique N+.

(28)

Réalisation des diffusions N+

(NMOS et NTAP)

A

in

A A'

SiO₂

Photoresist

(29)

Réalisation des diffusions N+

(NMOS et NTAP)

A

in

A A'

SiO₂

Photoresist

N+ N+ N+

A noter le principe d’auto alignement de la grille.

(30)

Réalisation des diffusions N+

(NMOS et NTAP)

A

in

A A'

SiO₂

N+ N+ N+

Retrait du photoresist.

(31)

Réalisation des diffusions P+

(PMOS et PTAP)

A

in

A A'

SiO₂

N+ N+ N+

1. Dépôt et gravure (masque PPLUS) d’un photoresist protecteur.

(32)

Réalisation des diffusions P+

(PMOS et PTAP)

A

in

A A'

SiO₂

N+ N+ N+

Photoresist

2. Implantation ionique P+.

(33)

Réalisation des diffusions P+

(PMOS et PTAP)

A

in

A A'

SiO₂

N+ N+ N+

2. Implantation ionique P+.

Retrait du photoresist.

P+ P+ P+

(34)

Croissance oxyde

A

in

A A'

SiO₂

N+ N+ N+

Croissance d’oxyde par Chemical Vapor Deposition (CVD).

P+ P+ P+

(35)

Croissance oxyde

A

in

A A'

SiO₂

N+ N+ N+

Croissance d’oxyde par Chemical Vapor Deposition (CVD).

P+ P+ P+

(36)

Réalisation des contacts

1. Ouverture des contacts (masque CONT).

(connexion DIFF/POLY – MET1)

A

in

A A'

SiO₂

N+ N+ N+

P+ P+ P+

(37)

(connexion DIFF/POLY – MET1)

Réalisation des contacts

A

in

A A'

SiO₂

N+ N+ N+

P+ P+ P+

1. Ouverture des contacts (masque CONT).

(38)

1

^ère

métallisation – MET1

A

in

A A'

SiO₂

N+ N+ N+

P+ P+ P+

1. Métallisation uniforme.

(39)

1

^ère

métallisation – MET1

A

in

A A'

SiO₂

N+ N+ N+

P+ P+ P+

2. Gravure du métal 1 (masque MET1).

(40)

1

^ère

métallisation – MET1

A

in

A A'

SiO₂

N+ N+ N+

P+ P+ P+

2. Gravure du métal 1 (masque MET1).

(41)

A

in

Layout inverseur CMOS

A A'

SiO₂

N+ N+ N+

P+ P+ P+